JPS62132755A - 磁器組成物 - Google Patents
磁器組成物Info
- Publication number
- JPS62132755A JPS62132755A JP60271345A JP27134585A JPS62132755A JP S62132755 A JPS62132755 A JP S62132755A JP 60271345 A JP60271345 A JP 60271345A JP 27134585 A JP27134585 A JP 27134585A JP S62132755 A JPS62132755 A JP S62132755A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- temperature
- dielectric constant
- ceramic composition
- sintered
- small
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0306—Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
Landscapes
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は磁器組成物、特に低温で焼結でき、誘電率の温
度変化率が小さい誘電体磁器組成物に関するものである
。
度変化率が小さい誘電体磁器組成物に関するものである
。
従来、高誘電率磁器誘電体材料としてチタン酸バリウム
（Ｂ ａ Ｔ ｉ Ｏｚ ）を主成分とするものが広く
実用化されている。チタン酸バリウム（ＢａＴ ｉ Ｏ
ｘ ）を主成分とする焼結体は、焼結温度として１３０
０〜１４００ ’ｃの高温が必要であり、それにより得
られる磁器の比誘電率は、常温で１５００．１２０℃の
キューリ一点でｔｏｏｏｏの値を示す、又、常温付近で
の誘電率の温度変化率は数倍変化という大きな値を示す
、しかしながら焼結温度が１３００〜１４００℃と高い
ので特に積層コンデンサーを形成する場合には、この焼
結温度に適した高価な白金又はパラジウム等を主成分と
する金属を内部電極に用いなければならない。
（Ｂ ａ Ｔ ｉ Ｏｚ ）を主成分とするものが広く
実用化されている。チタン酸バリウム（ＢａＴ ｉ Ｏ
ｘ ）を主成分とする焼結体は、焼結温度として１３０
０〜１４００ ’ｃの高温が必要であり、それにより得
られる磁器の比誘電率は、常温で１５００．１２０℃の
キューリ一点でｔｏｏｏｏの値を示す、又、常温付近で
の誘電率の温度変化率は数倍変化という大きな値を示す
、しかしながら焼結温度が１３００〜１４００℃と高い
ので特に積層コンデンサーを形成する場合には、この焼
結温度に適した高価な白金又はパラジウム等を主成分と
する金属を内部電極に用いなければならない。
そのため低温、特に１０００℃以下の温度で焼結させる
ことができ１５００以上の比誘電率を生じながら、温度
変化率の小さな磁器組成物が要望されている。特に積層
コンデンサーを形成する場合、低価格の銀系の金属を内
部電極に用いることが可能であり、しかもより安価な焼
成炉を使用できるとともに、熱エネルギーを節約し得る
ので非常に有用となる。又誘電率の温度変化率が小さい
と、これを使って形成する回路の温度安定性も向上する
。
ことができ１５００以上の比誘電率を生じながら、温度
変化率の小さな磁器組成物が要望されている。特に積層
コンデンサーを形成する場合、低価格の銀系の金属を内
部電極に用いることが可能であり、しかもより安価な焼
成炉を使用できるとともに、熱エネルギーを節約し得る
ので非常に有用となる。又誘電率の温度変化率が小さい
と、これを使って形成する回路の温度安定性も向上する
。
本発明の目的は、低温で焼結でき、誘電の温度変化率の
小さい、高誘電率磁器組成物を提供することにある。
小さい、高誘電率磁器組成物を提供することにある。
本発明の磁器組物は
Ｐ ｂ （Ｆ ｅｙｘ Ｗｌ／３ ） ０３３７．５〜
５２．５重量％ Ｐ ｂ （Ｍ ｇ ｌ／３ Ｎ ｂ ！／ｌ ） ０ｓ
３７．５〜４５重量％ ＰｂＴｉＯｓ １０〜２５重量％ の範囲からなり、１０００℃以下の温度で焼結でき常温
での比誘電率は１５００以上を有し、更に誘電率の温度
変化率が小さいことを特徴とする。
５２．５重量％ Ｐ ｂ （Ｍ ｇ ｌ／３ Ｎ ｂ ！／ｌ ） ０ｓ
３７．５〜４５重量％ ＰｂＴｉＯｓ １０〜２５重量％ の範囲からなり、１０００℃以下の温度で焼結でき常温
での比誘電率は１５００以上を有し、更に誘電率の温度
変化率が小さいことを特徴とする。
本発明において、Ｐ ｂ （Ｆ ｅｚ／ｓ Ｗ＋ｚｉ
） Ｏｓが多くなると、誘電率の温度変化がマイナス側
に大きくなりすぎる。またＰ ｂ （Ｆ ｅ ｚｚｓ
Ｗ＋／３ ）０、が少な（なると低温での焼結が困難に
なってくる。一方、Ｐ ｂ （Ｍ ｇ ｌ／３ Ｎ ｂ
ｔｚｓ ） Ｏｓが多くなると低温での焼結が困難に
なってくる。ＰｂＴ ｉ Ｏｓが多くなると誘電率の温
度変化率がプラス側に大きくなり、少なくなるとマイナ
ス側に大きくなる。
） Ｏｓが多くなると、誘電率の温度変化がマイナス側
に大きくなりすぎる。またＰ ｂ （Ｆ ｅ ｚｚｓ
Ｗ＋／３ ）０、が少な（なると低温での焼結が困難に
なってくる。一方、Ｐ ｂ （Ｍ ｇ ｌ／３ Ｎ ｂ
ｔｚｓ ） Ｏｓが多くなると低温での焼結が困難に
なってくる。ＰｂＴ ｉ Ｏｓが多くなると誘電率の温
度変化率がプラス側に大きくなり、少なくなるとマイナ
ス側に大きくなる。
酸化鉛（ＰｂＯ）、酸化鉄（Ｆｅｚ ０３ ） 、酸化
タングステン（ＷＯ３）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）
、酸化ニオブ（ＮｂｉＯｓ）酸化チタン（Ｔ ｉ Ｏｚ
）を出発原料とし、Ｐｂ（Ｆｅｚ／＋Ｗｌ／２ ）
０３ 、Ｐ ｂ （Ｍｇ＋／ｓ Ｎ ｂｚｚｚ ） Ｏ
ｘ及びＰｂＴｉ０．ができる配合比にそれぞれ秤量する
０次いでそれぞれをボールミルで湿式混合した後に、そ
れぞれ８００℃〜９００℃で仮焼を行う。
タングステン（ＷＯ３）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）
、酸化ニオブ（ＮｂｉＯｓ）酸化チタン（Ｔ ｉ Ｏｚ
）を出発原料とし、Ｐｂ（Ｆｅｚ／＋Ｗｌ／２ ）
０３ 、Ｐ ｂ （Ｍｇ＋／ｓ Ｎ ｂｚｚｚ ） Ｏ
ｘ及びＰｂＴｉ０．ができる配合比にそれぞれ秤量する
０次いでそれぞれをボールミルで湿式混合した後に、そ
れぞれ８００℃〜９００℃で仮焼を行う。
その後それぞれをボールミルで粉砕して、中間生成物粉
体とする。中間生成物粉体をもって第１表に示す配合比
に秤量する。ボールミルで湿式混合し、乾燥させた後、
約０．５ ｔ ｏｎ／ｃｄの圧力で直径約３０ｍ、厚さ
１．５ａｍの円板に加圧形成する。これを９５０℃で焼
結した。得られた焼結体に銀電極を焼き付けた。
体とする。中間生成物粉体をもって第１表に示す配合比
に秤量する。ボールミルで湿式混合し、乾燥させた後、
約０．５ ｔ ｏｎ／ｃｄの圧力で直径約３０ｍ、厚さ
１．５ａｍの円板に加圧形成する。これを９５０℃で焼
結した。得られた焼結体に銀電極を焼き付けた。
このようにして得られた磁器組成物の特性を第１表に示
す、ここで誘電率および誘電損失は周波数ＫＨｚ：温度
２０℃で測定した。又誘電率および誘電損失は次式より
算出した。
す、ここで誘電率および誘電損失は周波数ＫＨｚ：温度
２０℃で測定した。又誘電率および誘電損失は次式より
算出した。
（〔ε、８゜）−８，ｔ、、／ε、。＋）Ｘ１００ここ
にε３．。、は温度８０℃に於ける誘電率ε、。、は温
度２０℃に於ける誘電率 第１表によって明らかなように本発明の磁器組成物は比
誘電率が１５００以上あり、誘電損失および誘電率の温
度変化が小さく、しかも１０００℃未満の低温で焼結で
きる積層コンデンサー用材料に適した組成物である。
にε３．。、は温度８０℃に於ける誘電率ε、。、は温
度２０℃に於ける誘電率 第１表によって明らかなように本発明の磁器組成物は比
誘電率が１５００以上あり、誘電損失および誘電率の温
度変化が小さく、しかも１０００℃未満の低温で焼結で
きる積層コンデンサー用材料に適した組成物である。
以上のように本発明によれば、低温で焼結でき、誘電率
の温度変化率の小さい高誘電率の磁器組成物が提供でき
、この磁器組成物によりセラミックス回路基板、メモリ
用基板、チップコンデンサ等に適用することができる。
の温度変化率の小さい高誘電率の磁器組成物が提供でき
、この磁器組成物によりセラミックス回路基板、メモリ
用基板、チップコンデンサ等に適用することができる。
（，４，Ｉ、４ ｉ−
Claims (1)
- （１）Ｐｂ（Ｆｅ＿２＿／＿３Ｗ＿１＿／＿３）Ｏ＿３
が３７．５重量％〜５２．５重量％、Ｐｂ（Ｍｇ＿１＿
／＿３Ｎｂ＿２＿／＿３）Ｏ＿３が３７．５重量％〜４
５重量％、ＰｂＴｉＯ＿３が１０重量％〜２５重量％で
総量で１００重量％としたことを特徴とする磁器組成物
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60271345A JPS62132755A (ja) | 1985-12-04 | 1985-12-04 | 磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60271345A JPS62132755A (ja) | 1985-12-04 | 1985-12-04 | 磁器組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62132755A true JPS62132755A (ja) | 1987-06-16 |
Family
ID=17498765
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60271345A Pending JPS62132755A (ja) | 1985-12-04 | 1985-12-04 | 磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62132755A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01100051A (ja) * | 1987-10-12 | 1989-04-18 | Mitsubishi Mining & Cement Co Ltd | 誘電体磁器組成物 |
| JPH01200509A (ja) * | 1988-02-03 | 1989-08-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 高誘電材料および同材料を用いたコンデンサ |
-
1985
- 1985-12-04 JP JP60271345A patent/JPS62132755A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01100051A (ja) * | 1987-10-12 | 1989-04-18 | Mitsubishi Mining & Cement Co Ltd | 誘電体磁器組成物 |
| JPH01200509A (ja) * | 1988-02-03 | 1989-08-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 高誘電材料および同材料を用いたコンデンサ |
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