JPS61191009A - 還元再酸化型半導体コンデンサ磁器組成物 - Google Patents
還元再酸化型半導体コンデンサ磁器組成物Info
- Publication number
- JPS61191009A JPS61191009A JP3357485A JP3357485A JPS61191009A JP S61191009 A JPS61191009 A JP S61191009A JP 3357485 A JP3357485 A JP 3357485A JP 3357485 A JP3357485 A JP 3357485A JP S61191009 A JPS61191009 A JP S61191009A
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- Japan
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- reduction
- ceramic composition
- type semiconductor
- semiconductor capacitor
- reoxidation
- Prior art date
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- Pending
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- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明はチタン酸バリウム系の還元再酸化型半導体コ
ンデンサ磁器組成物に関する。
ンデンサ磁器組成物に関する。
（従来技術）
従来半導体コンデンサとして、粒界絶縁型１表面層層型
および還元再酸化型のコンデンサが知られている。
および還元再酸化型のコンデンサが知られている。
この発明が向けられる還元再酸化型半導体コンデンサは
、誘電体磁器を還元雰囲気中で熱処理して半導体化し、
次いで酸化性雰囲気で熱処理を行なって表面に誘電体層
を形成し、さらに電極を付与することによって得られる
。したがって、この種のコンデンサの容量、絶縁抵抗、
破壊電圧あるいは容量温度特性などの各電気的特性は、
誘電体層の生成状態に太き（左右されるという特徴があ
る。
、誘電体磁器を還元雰囲気中で熱処理して半導体化し、
次いで酸化性雰囲気で熱処理を行なって表面に誘電体層
を形成し、さらに電極を付与することによって得られる
。したがって、この種のコンデンサの容量、絶縁抵抗、
破壊電圧あるいは容量温度特性などの各電気的特性は、
誘電体層の生成状態に太き（左右されるという特徴があ
る。
（発明が解決しようとする問題点）
従来の還元再酸化型半導体コンデンサは、面積容量は比
較的大きなものが得られる反面、温度特性の点からみる
と、未だ満足すべきものは得られていない。僅かに、ビ
スマス（Ｂｉ）を添加した場合に、温度特性が改善され
るということが知られている。しかしながら、ビスマス
を添加した磁器組成物では、焼成時にビスマスが飛散し
て表面層が粗くなり磁器組成が不拘＝となる。このため
、再酸化層すなわち誘電体層を薄くして小型大容量化を
図る場合、絶縁抵抗や破壊電圧が著しく低下してしまい
、実用に供し得ない。すなわち、従来のチタン酸バリウ
ム系の還元再酸化型半導体コンデンサ磁器組成物として
は、温度特性やその他の電気的特性が良好で、しかも小
型大容量化の可能なものは実現されていなかった。
較的大きなものが得られる反面、温度特性の点からみる
と、未だ満足すべきものは得られていない。僅かに、ビ
スマス（Ｂｉ）を添加した場合に、温度特性が改善され
るということが知られている。しかしながら、ビスマス
を添加した磁器組成物では、焼成時にビスマスが飛散し
て表面層が粗くなり磁器組成が不拘＝となる。このため
、再酸化層すなわち誘電体層を薄くして小型大容量化を
図る場合、絶縁抵抗や破壊電圧が著しく低下してしまい
、実用に供し得ない。すなわち、従来のチタン酸バリウ
ム系の還元再酸化型半導体コンデンサ磁器組成物として
は、温度特性やその他の電気的特性が良好で、しかも小
型大容量化の可能なものは実現されていなかった。
それゆえに、この発明の主たる目的は、面積容量が比較
的大きく、しかも温度特性などが良好なコンデンサを得
ることができる、還元再酸化型半導体コンデンサ磁器組
成物を提供することである。
的大きく、しかも温度特性などが良好なコンデンサを得
ることができる、還元再酸化型半導体コンデンサ磁器組
成物を提供することである。
（問題点を解決するための手段）
この発明は、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）が９２
．０〜９９．０モル％、酸化ニオブ（Ｎｂ２Ｏｓ ）
が０．５〜４．０モ／Ｌ／％、ｒｌｌ化’；ルコニウム
（Ｚ ｒ ０２ ）が０．５〜４．０モル％からなる主
成分に、マンガン（Ｍｎ）を酸化マンガン（Ｍ ｎ Ｏ
２）に換算して０．０〜０．３重量％添加した、還元再
酸化型半導体コンデンサ磁器組成物である。
．０〜９９．０モル％、酸化ニオブ（Ｎｂ２Ｏｓ ）
が０．５〜４．０モ／Ｌ／％、ｒｌｌ化’；ルコニウム
（Ｚ ｒ ０２ ）が０．５〜４．０モル％からなる主
成分に、マンガン（Ｍｎ）を酸化マンガン（Ｍ ｎ Ｏ
２）に換算して０．０〜０．３重量％添加した、還元再
酸化型半導体コンデンサ磁器組成物である。
（発明の効果）
この発明によれば、温度特性が良好でしかも小型大容量
のコンデンサを得ることができる。さらに、従来のビス
マスなどのように、焼成時に飛散する物質（組成）がな
いので、量産での変動が少なく歩留りがよいだけでなく
、表面石を緻密にすることができ、絶縁抵抗や破壊電圧
の水準が高く、高信頼性のコンデンサが得られる。
のコンデンサを得ることができる。さらに、従来のビス
マスなどのように、焼成時に飛散する物質（組成）がな
いので、量産での変動が少なく歩留りがよいだけでなく
、表面石を緻密にすることができ、絶縁抵抗や破壊電圧
の水準が高く、高信頼性のコンデンサが得られる。
（実施例）
この発明の組成物の組成は、次式のとおりである。
ｘＢａＴｉ０３ ＋ ｙＮｂ２Ｏ５＋ｚＺｒ０２ ＋
αＭｎｏ ２ｘ、ｙ、ｚ：モル％ α ：重量％ そして、原料組成を調合混合し、この混合物を成形して
酸化性雰囲気で焼成し、次いで酸化性雰囲気で熱処理を
行なって半導体磁器とした後、酸化性雰囲気で熱処理を
行なって半導体磁器表面に薄い誘電体層を形成し、さら
に表面に電極を付与して半導体コンデンサが構成される
。
αＭｎｏ ２ｘ、ｙ、ｚ：モル％ α ：重量％ そして、原料組成を調合混合し、この混合物を成形して
酸化性雰囲気で焼成し、次いで酸化性雰囲気で熱処理を
行なって半導体磁器とした後、酸化性雰囲気で熱処理を
行なって半導体磁器表面に薄い誘電体層を形成し、さら
に表面に電極を付与して半導体コンデンサが構成される
。
試料は次のようにして作成した。ＢａＴｉＯ２、Ｎｂ２
Ｏ５およびＺＩ”Ｏ□とＭｎＣＯ３とを別表１の組成と
なるように秤量し、各秤量原料をポリボットに投入して
酢酸ビニルなどの有機バインダとともに１６時時間式混
合した。混合した後、親水乾燥し、５０メツシユの篩に
通して整粒した。
Ｏ５およびＺＩ”Ｏ□とＭｎＣＯ３とを別表１の組成と
なるように秤量し、各秤量原料をポリボットに投入して
酢酸ビニルなどの有機バインダとともに１６時時間式混
合した。混合した後、親水乾燥し、５０メツシユの篩に
通して整粒した。
次いで、２ 、 ５００ｋｇ／ｃｍ２の圧力で直径１０
ｍｍ、厚み０．５ｍｍの円板に成形した。成形した円板
を、１．３００〜１，４００℃で２時間焼成して誘電体
磁器を得た。このようにして得られた誘電体磁器を８０
０〜９００℃の還元雰囲気で１時間熱処理して半導体磁
器とした。この半導体磁器の表面に電極材料としての銀
ペーストを塗布し、６５０〜８００℃で３０分間焼き付
けて、磁器表面に薄い誘電体層を形成するとともに、電
極を形成し、還元再酸化型半導体コンデンサを得た。
ｍｍ、厚み０．５ｍｍの円板に成形した。成形した円板
を、１．３００〜１，４００℃で２時間焼成して誘電体
磁器を得た。このようにして得られた誘電体磁器を８０
０〜９００℃の還元雰囲気で１時間熱処理して半導体磁
器とした。この半導体磁器の表面に電極材料としての銀
ペーストを塗布し、６５０〜８００℃で３０分間焼き付
けて、磁器表面に薄い誘電体層を形成するとともに、電
極を形成し、還元再酸化型半導体コンデンサを得た。
このようにして作成したコンデンサについて、常温にお
ける誘電率（εａｔ２Ｏ℃）、誘電体損（ＤＦ）、絶縁
抵抗（ＩＲ）、キューリ点（ＣＰ）および温度特性（Ｔ
Ｃ）を次の測定条件で測定し、別表１を得た。ただし
、他の特性との比較を簡単にするために、各試料とも、
電極焼き付は条件を調整することにより、面積容量を３
５０μＦ／Ｃｍ２とした。
ける誘電率（εａｔ２Ｏ℃）、誘電体損（ＤＦ）、絶縁
抵抗（ＩＲ）、キューリ点（ＣＰ）および温度特性（Ｔ
Ｃ）を次の測定条件で測定し、別表１を得た。ただし
、他の特性との比較を簡単にするために、各試料とも、
電極焼き付は条件を調整することにより、面積容量を３
５０μＦ／Ｃｍ２とした。
なお、容量、誘電損失は０．ＩＶｒ、ｍ、ｓ、 Ｉ Ｋ
ｌ（ｚで測定した値である。容量については還元温度、
再酸化温度によって変化するため、還元後の磁器比抵抗
が一定となるように還元温度を設定するとともに、再酸
化温度を設定して面積容量を３５０μＦ／ｃｍ２とした
。絶縁抵抗は１２ＶＤ、ｃを１分間印加して測定した。
ｌ（ｚで測定した値である。容量については還元温度、
再酸化温度によって変化するため、還元後の磁器比抵抗
が一定となるように還元温度を設定するとともに、再酸
化温度を設定して面積容量を３５０μＦ／ｃｍ２とした
。絶縁抵抗は１２ＶＤ、ｃを１分間印加して測定した。
破壊電圧はＯ，Ｃ昇圧破壊方式を用いた。誘電率は１．
Ｑ Ｖｒ、ｍ、ｓ、 Ｉ ＫＨｚで測定し、測定温度は
２Ｏ°Ｃを基準とした。
Ｑ Ｖｒ、ｍ、ｓ、 Ｉ ＫＨｚで測定し、測定温度は
２Ｏ°Ｃを基準とした。
なお、別表１中＊を付したものはこの発明範囲外のもの
であり、それ以外はこの発明範囲内のものである。
であり、それ以外はこの発明範囲内のものである。
この別表１から明らかなように、この発明の還元再酸化
型半導体磁器組成物における組成の限定の理由は次のと
おりである。
型半導体磁器組成物における組成の限定の理由は次のと
おりである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ＿３）が９２．０〜９９
．０モル％、 酸化ニオブ（Ｎｂ＿２Ｏ＿５）が０．５〜４．０モル％
、および 酸化ジルコニウム（ＺｒＯ＿２）が０．５〜４．０モル
％からなる主成分に、 マンガン（Ｍｎ）を酸化マンガン（ＭｎＯ＿２）に換算
して０．０〜０．３重量％添加した、還元再酸化型半導
体コンデンサ磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3357485A JPS61191009A (ja) | 1985-02-20 | 1985-02-20 | 還元再酸化型半導体コンデンサ磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3357485A JPS61191009A (ja) | 1985-02-20 | 1985-02-20 | 還元再酸化型半導体コンデンサ磁器組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61191009A true JPS61191009A (ja) | 1986-08-25 |
Family
ID=12390303
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3357485A Pending JPS61191009A (ja) | 1985-02-20 | 1985-02-20 | 還元再酸化型半導体コンデンサ磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61191009A (ja) |
-
1985
- 1985-02-20 JP JP3357485A patent/JPS61191009A/ja active Pending
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