JPS606535B2 - 磁器組成物 - Google Patents
磁器組成物Info
- Publication number
- JPS606535B2 JPS606535B2 JP52107606A JP10760677A JPS606535B2 JP S606535 B2 JPS606535 B2 JP S606535B2 JP 52107606 A JP52107606 A JP 52107606A JP 10760677 A JP10760677 A JP 10760677A JP S606535 B2 JPS606535 B2 JP S606535B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- weight
- capacitance
- parts
- capacitor
- composition
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、新規な半導体磁器コンデンサー用磁器組成物
に関し、更に詳しくは、特に高い静電容量と低いｔａｎ
８値によって特徴づけられ、その絶縁抵抗、温度による
容量変化率が実用的範囲内にある還元再酸化型半導体磁
器コンデンサーを与え得る新規なチタン酸バリウム系磁
器組成物に関するものである。
に関し、更に詳しくは、特に高い静電容量と低いｔａｎ
８値によって特徴づけられ、その絶縁抵抗、温度による
容量変化率が実用的範囲内にある還元再酸化型半導体磁
器コンデンサーを与え得る新規なチタン酸バリウム系磁
器組成物に関するものである。
半導体磁器コンデンサーは、高誘電率系コンデンサーに
比べて小型大容量で、かつ温度特性が優れている為、電
子機器の小型化に伴なし、急速に発展して来たが、その
製造法により堰層容量型、還元再酸化型及び粒界絶縁層
型に分類され、夫々実用化されている。
比べて小型大容量で、かつ温度特性が優れている為、電
子機器の小型化に伴なし、急速に発展して来たが、その
製造法により堰層容量型、還元再酸化型及び粒界絶縁層
型に分類され、夫々実用化されている。
そのうち前者は、０．３５〜０．５ｒＦ／塊の高い静電
容量を有するが、絶縁抵抗が４・さく、後者は絶縁抵抗
は大きいが、静電容量が小さいという特色がある。高い
静電容量は、コンデンサーの小型化を可能とし、絶縁抵
抗の大小は使用可能電圧の高低を左右する。一方還元再
酸化型半導体磁器コンデンサーは、前記両者の中間に位
置する値の静電容量と絶縁抵抗を持っている。
容量を有するが、絶縁抵抗が４・さく、後者は絶縁抵抗
は大きいが、静電容量が小さいという特色がある。高い
静電容量は、コンデンサーの小型化を可能とし、絶縁抵
抗の大小は使用可能電圧の高低を左右する。一方還元再
酸化型半導体磁器コンデンサーは、前記両者の中間に位
置する値の静電容量と絶縁抵抗を持っている。
これらの還元再酸化型半導体磁器コンデンサーの製造法
としては、酸化ビスマスを必須成分としたチタン酸バリ
ウム系磁器組成物により０．５３ムＦ／ｊ〆（０．０８
山Ｆ／地）の静電容量を有するコンデンサーを得ている
米国特許第３５０５５７４号明細書記載の発明、チタン
酸バリウムのバリウムを５〜３５原子％のストロンチウ
ムで置換したチタン酸バリウムストロンチウムを基体と
し、これに酸化ビスマス、酸化ジルコニウムを添加した
組成物より０．１７仏Ｆ／の、ｔａｎ６３．０６％のコ
ンデンサーを得ている侍閥昭５０一１０９４９９号公報
記載の発明「 さらにビスマスとチタン含有チタンジル
コン酸バリウム系組成物を用いて０．４９９ｒＦ′地、
ねｎ８８．６％のコンデンサーを得ている特公昭４９−
２４７３６号公報記載の発明等が提案されている。
としては、酸化ビスマスを必須成分としたチタン酸バリ
ウム系磁器組成物により０．５３ムＦ／ｊ〆（０．０８
山Ｆ／地）の静電容量を有するコンデンサーを得ている
米国特許第３５０５５７４号明細書記載の発明、チタン
酸バリウムのバリウムを５〜３５原子％のストロンチウ
ムで置換したチタン酸バリウムストロンチウムを基体と
し、これに酸化ビスマス、酸化ジルコニウムを添加した
組成物より０．１７仏Ｆ／の、ｔａｎ６３．０６％のコ
ンデンサーを得ている侍閥昭５０一１０９４９９号公報
記載の発明「 さらにビスマスとチタン含有チタンジル
コン酸バリウム系組成物を用いて０．４９９ｒＦ′地、
ねｎ８８．６％のコンデンサーを得ている特公昭４９−
２４７３６号公報記載の発明等が提案されている。
その他従釆の還元再酸化型半導体コンデンサーにおいて
は、通常その静電容量は０．２ムＦ／係以下であり、前
述の袴公昭４９−２４７３６号発明において例外的に０
．４９９〃Ｆ／地の高い静電容量が開示されているが、
その代りにねｎ６は８．６％と比較的高い値を示してい
る。この議導損失を示すねｎ６の値と静電容量の温度に
よる変化率の値は、静電容量及び絶縁抵抗値と共に半導
体コンデンサーの実用上重要な特性値であり、静電容量
を上げようとすれば、ｔａｎ６も温度変化率も大きくな
るのが一般の傾向である。従って、本発明の目的は、ｔ
ａｎ８をできるだけ低い値に保持したまま、静電容量を
堰層容量型の程度に高め、かつ実用上差支えない程度の
絶縁抵抗値と静電容量の温度変化率を保有する還元再酸
化型半導体コンデンサーを与え得る磁器組成物を提供す
ることである。
は、通常その静電容量は０．２ムＦ／係以下であり、前
述の袴公昭４９−２４７３６号発明において例外的に０
．４９９〃Ｆ／地の高い静電容量が開示されているが、
その代りにねｎ６は８．６％と比較的高い値を示してい
る。この議導損失を示すねｎ６の値と静電容量の温度に
よる変化率の値は、静電容量及び絶縁抵抗値と共に半導
体コンデンサーの実用上重要な特性値であり、静電容量
を上げようとすれば、ｔａｎ６も温度変化率も大きくな
るのが一般の傾向である。従って、本発明の目的は、ｔ
ａｎ８をできるだけ低い値に保持したまま、静電容量を
堰層容量型の程度に高め、かつ実用上差支えない程度の
絶縁抵抗値と静電容量の温度変化率を保有する還元再酸
化型半導体コンデンサーを与え得る磁器組成物を提供す
ることである。
この目的は、チタン酸バリウム１０の重量部に対しジル
コン酸カルシウム５〜２の重量部、酸化亜鉛０．０１〜
５重量部および希士類酸化物０．１〜４重量部からなる
本発明の還元再酸化型半導体磁器コンデンサー用磁器組
成物によって達成される。
コン酸カルシウム５〜２の重量部、酸化亜鉛０．０１〜
５重量部および希士類酸化物０．１〜４重量部からなる
本発明の還元再酸化型半導体磁器コンデンサー用磁器組
成物によって達成される。
この磁器組成物から還元再酸化型半導体コンデンサーを
作るには、従来慣用の方法を用いれば足りる。即ち、ま
ずこの組成物を空気中で１２５０〜１４００００の温度
に１〜４時間加熱し「蛾結して絶縁体磁器を作る。次に
、これを還元性ガス例えば水素「一酸化炭素、アンモニ
ア等の単独または不活性ガスとの混合ガス流中で温度９
００〜１２００ｏＣで０。５〜１脚寺間処理して、磁器
を半導体化する。
作るには、従来慣用の方法を用いれば足りる。即ち、ま
ずこの組成物を空気中で１２５０〜１４００００の温度
に１〜４時間加熱し「蛾結して絶縁体磁器を作る。次に
、これを還元性ガス例えば水素「一酸化炭素、アンモニ
ア等の単独または不活性ガスとの混合ガス流中で温度９
００〜１２００ｏＣで０。５〜１脚寺間処理して、磁器
を半導体化する。
更に、これに銀ペーストを塗布した後、空気中７００〜
９３０℃の温度で０．２５〜３時間処理することにより
容易に還元体磁器の表面部に薄い再酸化層即ち誘電層が
形成され、銀電極焼付と同時に再酸化処理が達成される
。再酸化の他の方法として還元体磁器を予め空気中で８
００℃以上の温度で再酸化した後、銀電極の焼付を施し
ても同様に還元再酸化型半導体コンデンサーが製造され
る。磁器組成物からこのようにして製造した半導体コン
デンサーの前記諸特性の測定結果は、本発明の磁器組成
物の成分とその組成の選択根拠を明示している。
９３０℃の温度で０．２５〜３時間処理することにより
容易に還元体磁器の表面部に薄い再酸化層即ち誘電層が
形成され、銀電極焼付と同時に再酸化処理が達成される
。再酸化の他の方法として還元体磁器を予め空気中で８
００℃以上の温度で再酸化した後、銀電極の焼付を施し
ても同様に還元再酸化型半導体コンデンサーが製造され
る。磁器組成物からこのようにして製造した半導体コン
デンサーの前記諸特性の測定結果は、本発明の磁器組成
物の成分とその組成の選択根拠を明示している。
即ち、後掲実施例の結果から明らかな如く、ジルコン酸
カルシウムの配合量が、チタン酸バリウム１０の重量部
に対して５重量部より少なくなると、温度による容量変
化率は小さくなって好ましいが、静電容量が減少し、ね
ｎ６も増大して実用的ではなくなる。また２の重量部を
こえた場合も静電容量が減少する。酸化亜鉛の配合量は
、０．０１重量部より少ないときは酸化亜鉛の配合効果
が現われず、５重量部より多くなるとｔａｎ６が大きく
なり好ましくない。本発明で用いる希士類酸化物として
は、セリウム、ランタン、サマリウム、ニオジウム、イ
ットリウムの酸化物、または高温下で酸化物に分解可能
な化合物の単独またはこれらの混合物が挙げられる。
カルシウムの配合量が、チタン酸バリウム１０の重量部
に対して５重量部より少なくなると、温度による容量変
化率は小さくなって好ましいが、静電容量が減少し、ね
ｎ６も増大して実用的ではなくなる。また２の重量部を
こえた場合も静電容量が減少する。酸化亜鉛の配合量は
、０．０１重量部より少ないときは酸化亜鉛の配合効果
が現われず、５重量部より多くなるとｔａｎ６が大きく
なり好ましくない。本発明で用いる希士類酸化物として
は、セリウム、ランタン、サマリウム、ニオジウム、イ
ットリウムの酸化物、または高温下で酸化物に分解可能
な化合物の単独またはこれらの混合物が挙げられる。
これらの最適配合量は元素により若干異なるが、０．１
〜４重量部の範囲が用いられる。０．１重量部より少な
い時はｔａｎ６が大きくなり過ぎ、静電容量の温度変化
も大きくなり過ぎる。
〜４重量部の範囲が用いられる。０．１重量部より少な
い時はｔａｎ６が大きくなり過ぎ、静電容量の温度変化
も大きくなり過ぎる。
また４重量部より多くなると静電容量が小さくなり過ぎ
好ましくない。本発明組成物の原料としては、高純度化
合物以外に通常のセラミックスの製造に使用されている
チタン酸バリウム、ジルコン酸カルシウムを用いること
ができ、又これらの化合物の夫々を構成する酸化物を別
々に使用することも可能である。更に当該技術分野で煉
縞促進剤として慣用的に使用されるマンガン、鉄、コバ
ルトなどの酸化物を徴量添加することもできる。本発明
の磁器組成物は、通常の製造法によって、静電容量０．
２３りＦ／の以上０．７２ｒＦ／地以下ｔａｎ６３．２
％以上６．２％以下の極めて優れた特性を有し、かつＲ
Ｃ積０．４け００仏Ｆ以上、容量の温度変化率３９．５
％以下という実用的数字を持つ還元再酸化型半導体コン
デンサーを実際に与えている極めて優れた磁器組成物で
ある。
好ましくない。本発明組成物の原料としては、高純度化
合物以外に通常のセラミックスの製造に使用されている
チタン酸バリウム、ジルコン酸カルシウムを用いること
ができ、又これらの化合物の夫々を構成する酸化物を別
々に使用することも可能である。更に当該技術分野で煉
縞促進剤として慣用的に使用されるマンガン、鉄、コバ
ルトなどの酸化物を徴量添加することもできる。本発明
の磁器組成物は、通常の製造法によって、静電容量０．
２３りＦ／の以上０．７２ｒＦ／地以下ｔａｎ６３．２
％以上６．２％以下の極めて優れた特性を有し、かつＲ
Ｃ積０．４け００仏Ｆ以上、容量の温度変化率３９．５
％以下という実用的数字を持つ還元再酸化型半導体コン
デンサーを実際に与えている極めて優れた磁器組成物で
ある。
以下に実施例を示す。
実施例 １
チタン酸バリウム（舷Ｔｉ０３）、ジルコン酸カルシウ
ム（ＣａＺの３）、酸化亜鉛（Ｚｎ○）、酸化セリウム
（Ｃｅ０２）の粉末を第１表に示す夫々の重量部で配合
し湿式混合、乾燥した後、ポリビニールアルコールのよ
うな公知のバインダーを加えて額粒とし円板状に加圧成
形し、これを空気中１３７０００で２時間焼結し、径１
２．８側、厚さ０．５５肋の磁器絶縁物を得る。
ム（ＣａＺの３）、酸化亜鉛（Ｚｎ○）、酸化セリウム
（Ｃｅ０２）の粉末を第１表に示す夫々の重量部で配合
し湿式混合、乾燥した後、ポリビニールアルコールのよ
うな公知のバインダーを加えて額粒とし円板状に加圧成
形し、これを空気中１３７０００で２時間焼結し、径１
２．８側、厚さ０．５５肋の磁器絶縁物を得る。
次に該試料を水素を窒素よりなる還元性ガス流中にて温
度１１２０ｏｏで６時間還元し磁器半導体を作る。さら
に談議料に電極用銀ペーストを試料の両面に径１１脚の
円形に塗布し空気中で温度９００ｑｏで１時間処理し、
電極競付と同時に再酸化しコンデンサー試料とした。こ
のようにして作ったコンデンサー各試料につき電気特性
を測定し第１表に記載した。
度１１２０ｏｏで６時間還元し磁器半導体を作る。さら
に談議料に電極用銀ペーストを試料の両面に径１１脚の
円形に塗布し空気中で温度９００ｑｏで１時間処理し、
電極競付と同時に再酸化しコンデンサー試料とした。こ
のようにして作ったコンデンサー各試料につき電気特性
を測定し第１表に記載した。
尚、静電容量（仏Ｆ／地）およびｔａｎ６はＩＫＨＺで
測定し、容量の温度変化率（％）は十２５℃を基準とし
て−３０午○から＋８５ｑｏの範囲での最４・と最大の
変化率を示す。
測定し、容量の温度変化率（％）は十２５℃を基準とし
て−３０午○から＋８５ｑｏの範囲での最４・と最大の
変化率を示す。
ＲＣ積はＤＣ１２Ｖ印加２０秒後の絶縁抵抗とコンデン
サーの容量の積である。第１表の中で試料番号に＊印を
付した試料は本発明の範囲から外れた磁器組成からなり
静電容量、ｔａｎ６、変化率の各特性値のうちで、いず
れかが実用性を欠くことが明らかである。
サーの容量の積である。第１表の中で試料番号に＊印を
付した試料は本発明の範囲から外れた磁器組成からなり
静電容量、ｔａｎ６、変化率の各特性値のうちで、いず
れかが実用性を欠くことが明らかである。
実施例 ２
チタン酸バリウム（舷Ｔｉ０３）１０の重量部、ジルコ
ン酸カルシウム（ＣａＺの３）１の重量部、酸化亜鉛１
重量部と希士類酸化物として酸化ランタン（い２０３）
、酸化サマリウム（Ｓｍ２０３）、酸化ネオジウム（Ｎ
も０３）、酸化イットリウム（Ｙ２０３）を夫々第２表
に示す重量部で配合し、実施例１と同機にコンデンサー
試料を作成し、それらの電気特性を第２表に示す。
ン酸カルシウム（ＣａＺの３）１の重量部、酸化亜鉛１
重量部と希士類酸化物として酸化ランタン（い２０３）
、酸化サマリウム（Ｓｍ２０３）、酸化ネオジウム（Ｎ
も０３）、酸化イットリウム（Ｙ２０３）を夫々第２表
に示す重量部で配合し、実施例１と同機にコンデンサー
試料を作成し、それらの電気特性を第２表に示す。
第１表
第２表
Claims (1)
- １ チタン酸バリウム１００重量部に対しジルコン酸カ
ルシウム５〜２０重量部、酸化亜鉛０．０１〜５重量部
および希土類酸化物０．１〜４重量部からなることを特
徴とする還元再酸化型半導体磁器コンデンサー用の磁器
組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP52107606A JPS606535B2 (ja) | 1977-09-07 | 1977-09-07 | 磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP52107606A JPS606535B2 (ja) | 1977-09-07 | 1977-09-07 | 磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5441499A JPS5441499A (en) | 1979-04-02 |
| JPS606535B2 true JPS606535B2 (ja) | 1985-02-19 |
Family
ID=14463424
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP52107606A Expired JPS606535B2 (ja) | 1977-09-07 | 1977-09-07 | 磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS606535B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5917026B2 (ja) * | 1978-10-27 | 1984-04-19 | 株式会社日立製作所 | エレベ−タ用トランク付乗りかご |
| JPS56147189A (en) * | 1980-04-17 | 1981-11-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Electronic music instrument |
| JPS56147191A (en) * | 1980-04-17 | 1981-11-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Electronic music instrument |
| FR2894172B1 (fr) * | 2005-12-01 | 2008-02-08 | Georges Renault Soc Par Action | Outillage de vissage a tete d'angle, incluant un capteur de couple monte sur l'arbre de sortie, et module de transmission correspondant. |
| WO2011120196A1 (zh) * | 2010-03-31 | 2011-10-06 | Tdk株式会社 | 电介质陶瓷组合物、电介质陶瓷组合物的制备方法及电子元件 |
-
1977
- 1977-09-07 JP JP52107606A patent/JPS606535B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5441499A (en) | 1979-04-02 |
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