JPH0524646B2 - - Google Patents
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- JPH0524646B2 JPH0524646B2 JP24891487A JP24891487A JPH0524646B2 JP H0524646 B2 JPH0524646 B2 JP H0524646B2 JP 24891487 A JP24891487 A JP 24891487A JP 24891487 A JP24891487 A JP 24891487A JP H0524646 B2 JPH0524646 B2 JP H0524646B2
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Landscapes
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- Ceramic Capacitors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、粒界誘電体層型の半導体磁器コンデ
ンサ等として用いられる半導体磁器物質に関す
る。
ンサ等として用いられる半導体磁器物質に関す
る。
一般にチタン酸ストロンチウム（SrTiO3）等
を主体とする半導体磁器の結晶粒界に誘電体層を
形成して構成される半導体磁器物質は誘電率が高
く、また電気的安定性に優れていることから、近
時コンデンサ、バリスター、サーミスター等に広
く利用されている。
を主体とする半導体磁器の結晶粒界に誘電体層を
形成して構成される半導体磁器物質は誘電率が高
く、また電気的安定性に優れていることから、近
時コンデンサ、バリスター、サーミスター等に広
く利用されている。
ところで従来におけるこの種の半導体磁器物質
は主成分であるチタン酸ストロンチウムに、結晶
粒の半導体化のための原子価制御剤として酸化ニ
オブ（Nb2O5）、酸化イツトリウム（Y2O3）等
を、また焼結助剤として酸化ケイ素（SiO2）、酸
化マンガン（MnO2）等を夫々添加し、中性又は
還元雰囲気中で焼結し、得られた半導体磁器に拡
散物質として酸化ビスマス（Bi2O3）、酸化銅
（CuO）、酸化マンガン（MnO2）等の混合物を結
晶粒界に熱拡散させることにより得ている（特公
昭58−23922号）。
は主成分であるチタン酸ストロンチウムに、結晶
粒の半導体化のための原子価制御剤として酸化ニ
オブ（Nb2O5）、酸化イツトリウム（Y2O3）等
を、また焼結助剤として酸化ケイ素（SiO2）、酸
化マンガン（MnO2）等を夫々添加し、中性又は
還元雰囲気中で焼結し、得られた半導体磁器に拡
散物質として酸化ビスマス（Bi2O3）、酸化銅
（CuO）、酸化マンガン（MnO2）等の混合物を結
晶粒界に熱拡散させることにより得ている（特公
昭58−23922号）。
拡散物質として用いる混合物はその成分が、例
えばコンデンサの電気的特性に大きな影響を及ぼ
すことは知られているが、従来用いられている混
合物である酸化ビスマス（Bi2O3）はコンデンサ
としての誘電率（εapp）、誘電正接（tanδ）につ
いて優れた特性が得られる反面、絶縁抵抗率
（ρapp）が低く、また酸化銅（CuO）、或いは酸
化マンガン（MnO2）は絶縁抵抗率（ρapp）につ
いて優れた特性が得られる反面、誘電率（εapp）
が低く、更にこれら各金属酸化物の混合物を用い
た場合にも平均的レベルの電気的特性は得られる
ものの誘電率、誘電正接、絶縁抵抗率のいずれに
も十分な値が得られないという問題があつた。
えばコンデンサの電気的特性に大きな影響を及ぼ
すことは知られているが、従来用いられている混
合物である酸化ビスマス（Bi2O3）はコンデンサ
としての誘電率（εapp）、誘電正接（tanδ）につ
いて優れた特性が得られる反面、絶縁抵抗率
（ρapp）が低く、また酸化銅（CuO）、或いは酸
化マンガン（MnO2）は絶縁抵抗率（ρapp）につ
いて優れた特性が得られる反面、誘電率（εapp）
が低く、更にこれら各金属酸化物の混合物を用い
た場合にも平均的レベルの電気的特性は得られる
ものの誘電率、誘電正接、絶縁抵抗率のいずれに
も十分な値が得られないという問題があつた。
本発明はかかる事情に鑑みなされたものであつ
て、その目的とするところは誘電率、絶縁抵抗率
が共に向上した粒界誘電体層型の半導体磁器物質
を提供することにある。
て、その目的とするところは誘電率、絶縁抵抗率
が共に向上した粒界誘電体層型の半導体磁器物質
を提供することにある。
本発明に係る半導体磁器は半導体磁器の結晶粒
界に、酸化ビスマス（Bi2O3）が10〜80モル％、
酸化銅（CuO）が10〜50モル％、ホウ酸
（H3BO3）が10〜70モル％からなる組成物が拡散
し、前記結晶粒界に誘電体層が形成してなること
を特徴とする。
界に、酸化ビスマス（Bi2O3）が10〜80モル％、
酸化銅（CuO）が10〜50モル％、ホウ酸
（H3BO3）が10〜70モル％からなる組成物が拡散
し、前記結晶粒界に誘電体層が形成してなること
を特徴とする。
本発明にあつてはこれによつて誘電率、絶縁抵
抗率のいずれにも高い値が得られる。
抗率のいずれにも高い値が得られる。
例えば主成分であるチタン酸ストロンチウム
（SrTiO3）に、酸化ニオブ（Nb2O5）を0.1〜２
モル％、酸化マンガン（MnO2）を0.1〜２モル％
の各範囲で添加したものを原料として直径10mm、
厚さ0.8mmの円板状の素体に加圧成形し、次にこ
の円板状の素体を、例えば水素１〜15％、窒素99
〜85％の還元雰囲気中で1400〜1540℃で４〜10時
間焼成して半導体磁器を得、更にこの半導体磁器
に拡散物質として下記の混合物を塗布し、大気中
で1000〜1350℃で１〜２時間焼成を行つて本発明
の半導体磁器物質を得、その後この半導体磁器物
質の両面に、例えば銀ペーストを付着させ800℃
で焼付けて電極を形成し、半導体磁器コンデンサ
を得た。
（SrTiO3）に、酸化ニオブ（Nb2O5）を0.1〜２
モル％、酸化マンガン（MnO2）を0.1〜２モル％
の各範囲で添加したものを原料として直径10mm、
厚さ0.8mmの円板状の素体に加圧成形し、次にこ
の円板状の素体を、例えば水素１〜15％、窒素99
〜85％の還元雰囲気中で1400〜1540℃で４〜10時
間焼成して半導体磁器を得、更にこの半導体磁器
に拡散物質として下記の混合物を塗布し、大気中
で1000〜1350℃で１〜２時間焼成を行つて本発明
の半導体磁器物質を得、その後この半導体磁器物
質の両面に、例えば銀ペーストを付着させ800℃
で焼付けて電極を形成し、半導体磁器コンデンサ
を得た。
拡散物質としては酸化ビスマス（Bi2O3）を10
〜80モル％、酸化銅（CuO）を10〜50モル％、ホ
ウ酸（H3BO3）を10〜70モル％の組成よりなる
混合物を用いた。
〜80モル％、酸化銅（CuO）を10〜50モル％、ホ
ウ酸（H3BO3）を10〜70モル％の組成よりなる
混合物を用いた。
第１，２，３図は拡散物質である混合物として
酸化ビスマス、酸化銅、ホウ酸の各成分の組成を
変えた混合物を用いて作成した半導体磁器物質に
ついて、その電気的特性を調べた結果を示してい
る。
酸化ビスマス、酸化銅、ホウ酸の各成分の組成を
変えた混合物を用いて作成した半導体磁器物質に
ついて、その電気的特性を調べた結果を示してい
る。
第１図は誘電率（εapp）×10-4値を、また第２
図は誘電正接（tanδ）値（％）を、更に第３図は
絶縁抵抗率（ρapp）×10-10値（Ω−cm）を夫々示
すグラフであり、グラフ中の黒丸印は夫々の成分
組成の拡散物質を、また数値は前記拡散物質を用
いて得た半導体磁器物質の各供試材10枚のの誘電
率値、誘電正接値、絶縁抵抗率値の平均値を示し
ている。
図は誘電正接（tanδ）値（％）を、更に第３図は
絶縁抵抗率（ρapp）×10-10値（Ω−cm）を夫々示
すグラフであり、グラフ中の黒丸印は夫々の成分
組成の拡散物質を、また数値は前記拡散物質を用
いて得た半導体磁器物質の各供試材10枚のの誘電
率値、誘電正接値、絶縁抵抗率値の平均値を示し
ている。
なお電気的特性のうち、第１，２図に示す誘電
率（εapp）、誘電正接（tanδ）は作成した半導体
磁器コンデンサに周波数1kHz、電圧1Vを印加し
て測定した値であり、また第３図に示す絶縁抵抗
率（ρapp）は25Vの直流電圧印加１分後の電流値
を測定し、これに基づいて算出した値である。
率（εapp）、誘電正接（tanδ）は作成した半導体
磁器コンデンサに周波数1kHz、電圧1Vを印加し
て測定した値であり、また第３図に示す絶縁抵抗
率（ρapp）は25Vの直流電圧印加１分後の電流値
を測定し、これに基づいて算出した値である。
第１，２，３図から明らかな如く、酸化ビスマ
ス（Bi2O3）が10〜80モル％、酸化銅（CuO）が
10〜50モル％、ホウ酸（H3BO3）が10〜70モル
％からなる混合物の場合、いずれの供試材につい
ても誘電率（εapp）が９万以上、また絶縁抵抗
率が1010Ω−cm以上の値が得られ、また誘電正接
（tanδ）も0.8〜1.2％内のほぼ安定した値が得ら
れていることが解る。
ス（Bi2O3）が10〜80モル％、酸化銅（CuO）が
10〜50モル％、ホウ酸（H3BO3）が10〜70モル
％からなる混合物の場合、いずれの供試材につい
ても誘電率（εapp）が９万以上、また絶縁抵抗
率が1010Ω−cm以上の値が得られ、また誘電正接
（tanδ）も0.8〜1.2％内のほぼ安定した値が得ら
れていることが解る。
これに対して酸化ビスマスが10モル％未満、又
は90モル％以上になると他の酸化銅、ホウ酸の組
成の如何にかかわらず誘電率（εapp）が低下し、
特に酸化ビスマス単体では絶縁抵抗率が著しく低
下することが解る。
は90モル％以上になると他の酸化銅、ホウ酸の組
成の如何にかかわらず誘電率（εapp）が低下し、
特に酸化ビスマス単体では絶縁抵抗率が著しく低
下することが解る。
また、酸化銅については10モル％未満、60モル
％以上では誘電率が、更にホウ酸については10モ
ル％未満、80モル％以上で全体的に特性が劣るこ
とが解る。
％以上では誘電率が、更にホウ酸については10モ
ル％未満、80モル％以上で全体的に特性が劣るこ
とが解る。
ちなみに拡散物質として酸化ビスマス
（Bi2O3）が50モル％、酸化銅（CuO）が30モル
％、ホウ酸（H3BO3）が20モル％からなる混合
物を用いて得た半導体磁器組成物を、前述した本
発明に該当しない拡散物質を用いて得た半導体磁
器組成物と比較してみると本発明組成物は誘電率
は1.5倍、また絶縁抵抗率は２桁以上の向上が図
れているといえる。
（Bi2O3）が50モル％、酸化銅（CuO）が30モル
％、ホウ酸（H3BO3）が20モル％からなる混合
物を用いて得た半導体磁器組成物を、前述した本
発明に該当しない拡散物質を用いて得た半導体磁
器組成物と比較してみると本発明組成物は誘電率
は1.5倍、また絶縁抵抗率は２桁以上の向上が図
れているといえる。
以上の如く本発明の半導体磁器物質にあつて
は、酸化ビスマス、酸化銅、ホウ酸についての組
成の適正な設定によつて従来の製造工程をそのま
ま適用し得、しかも誘電率、絶縁抵抗率等の電気
的特性について従来物質に比較して格段の向上が
図れ、半導体磁器コンデンサ等に利用して優れた
効果を奏するものである。
は、酸化ビスマス、酸化銅、ホウ酸についての組
成の適正な設定によつて従来の製造工程をそのま
ま適用し得、しかも誘電率、絶縁抵抗率等の電気
的特性について従来物質に比較して格段の向上が
図れ、半導体磁器コンデンサ等に利用して優れた
効果を奏するものである。
第１図は拡散物質の組成と誘電率との関係を示
す図、第２図は拡散物質の組成と誘電正接との関
係を示す図、第３図は拡散物質の組成と絶縁抵抗
率との関係を示す図である。
す図、第２図は拡散物質の組成と誘電正接との関
係を示す図、第３図は拡散物質の組成と絶縁抵抗
率との関係を示す図である。
Claims (1)
- １ 半導体磁器の結晶粒界に、酸化ビスマス
（Bi2O3）が10〜80モル％、酸化銅（CuO）が10
〜50モル％、ホウ酸（H3BO3）が10〜70モル％
からなる組成物が拡散して、前記結晶粒界に誘電
体層が形成してなることを特徴とする半導体磁器
物質。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24891487A JPS6490516A (en) | 1987-09-30 | 1987-09-30 | Semiconductor porcelain material |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24891487A JPS6490516A (en) | 1987-09-30 | 1987-09-30 | Semiconductor porcelain material |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6490516A JPS6490516A (en) | 1989-04-07 |
| JPH0524646B2 true JPH0524646B2 (ja) | 1993-04-08 |
Family
ID=17185300
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24891487A Granted JPS6490516A (en) | 1987-09-30 | 1987-09-30 | Semiconductor porcelain material |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6490516A (ja) |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002092721A1 (en) * | 2001-05-15 | 2002-11-21 | Ooo 'corning' | Thermochromic material |
| EP2116527A4 (en) | 2007-01-23 | 2011-09-14 | Fujifilm Corp | OXIME COMPOUND, PHOTOSENSITIVE COMPOSITION, COLOR FILTER, METHOD FOR MANUFACTURING THE COLOR FILTER, AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY ELEMENT |
| KR101526618B1 (ko) | 2007-05-11 | 2015-06-05 | 바스프 에스이 | 옥심 에스테르 광개시제 |
| JP5535064B2 (ja) | 2007-05-11 | 2014-07-02 | ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピア | オキシムエステル光重合開始剤 |
| US8507569B2 (en) | 2009-03-23 | 2013-08-13 | Basf Se | Photoresist compositions |
| US9051397B2 (en) | 2010-10-05 | 2015-06-09 | Basf Se | Oxime ester |
| JP6038033B2 (ja) | 2010-10-05 | 2016-12-07 | ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアＢａｓｆ Ｓｅ | ベンゾカルバゾール化合物のオキシムエステル誘導体ならびに前記誘導体の光重合性の組成物における光開始剤としての使用 |
| EP2668156B1 (en) | 2011-01-28 | 2018-10-31 | Basf Se | Polymerizable composition comprising an oxime sulfonate as thermal curing agent |
| KR102006041B1 (ko) | 2011-12-07 | 2019-07-31 | 바스프 에스이 | 옥심 에스테르 광개시제 |
| WO2013167515A1 (en) | 2012-05-09 | 2013-11-14 | Basf Se | Oxime ester photoinitiators |
| KR20160030233A (ko) | 2013-07-08 | 2016-03-16 | 바스프 에스이 | 옥심 에스테르 광개시제 |
| KR102282647B1 (ko) | 2013-09-10 | 2021-07-28 | 바스프 에스이 | 옥심 에스테르 광개시제 |
| WO2016124493A1 (en) | 2015-02-02 | 2016-08-11 | Basf Se | Latent acids and their use |
| US20220121113A1 (en) | 2019-01-23 | 2022-04-21 | Basf Se | Oxime ester photoinitiators having a special aroyl chromophore |
| WO2021175855A1 (en) | 2020-03-04 | 2021-09-10 | Basf Se | Oxime ester photoinitiators |
-
1987
- 1987-09-30 JP JP24891487A patent/JPS6490516A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6490516A (en) | 1989-04-07 |
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