JPH03218964A - 半導体磁器及びその製造方法 - Google Patents
半導体磁器及びその製造方法Info
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- JPH03218964A JPH03218964A JP2014192A JP1419290A JPH03218964A JP H03218964 A JPH03218964 A JP H03218964A JP 2014192 A JP2014192 A JP 2014192A JP 1419290 A JP1419290 A JP 1419290A JP H03218964 A JPH03218964 A JP H03218964A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
ｌ策上Ω皿里公Ｉ
本発明は半導体ＥＲ器及びその製造方法に関し、より詳
細には磁器焼結体の粒界層を絶縁化して粒界絶縁層を形
成した半導体ｍ器及びその製造方法に関する。
細には磁器焼結体の粒界層を絶縁化して粒界絶縁層を形
成した半導体ｍ器及びその製造方法に関する。
兜土９孜ｌ
一般に粒界絶縁型半導体ＧＲ器コンデンサは結晶粒界に
存在している化合物を誘電体として用い、この粒界層の
厚み及び粒界の化合物の物性を利用して高い誘電率の磁
器コンデンサを得るものである。
存在している化合物を誘電体として用い、この粒界層の
厚み及び粒界の化合物の物性を利用して高い誘電率の磁
器コンデンサを得るものである。
例えばＳｒＴｉ０３を主原料として、これに原子価制御
作用があるとされるＮｂ２０５、Ｙ２０３等を添加し、
？た焼結助剤としてＳｉＯｚ、ＡＱｚＯａ ． ＣｕＯ
、ＭｎＯ２等の一種あるいは数種を組合わせて添加し、
還元雰囲気中で焼成して磁器焼結体を得た後、このｍ器
焼結体の結晶粒界に絶縁層を形成するためにＢ１■０３
， ＣｕＯ ． ＭｎＯ■などの金属酸化物を熱拡散さ
せて粒界絶縁型半導体磁器コンデンサを得ていた。
作用があるとされるＮｂ２０５、Ｙ２０３等を添加し、
？た焼結助剤としてＳｉＯｚ、ＡＱｚＯａ ． ＣｕＯ
、ＭｎＯ２等の一種あるいは数種を組合わせて添加し、
還元雰囲気中で焼成して磁器焼結体を得た後、このｍ器
焼結体の結晶粒界に絶縁層を形成するためにＢ１■０３
， ＣｕＯ ． ＭｎＯ■などの金属酸化物を熱拡散さ
せて粒界絶縁型半導体磁器コンデンサを得ていた。
また、特開昭５２−９８９９７号公報には、拡散物質と
してＢ１。０３が５〜９５ｍｏｌ％およびＭｎＯ２が９
５〜５ ｍｏｌ％からなる組成物を熱拡散させ、結晶粒
界に絶縁層を形成した半導体磁器素子が開示されている
。
してＢ１。０３が５〜９５ｍｏｌ％およびＭｎＯ２が９
５〜５ ｍｏｌ％からなる組成物を熱拡散させ、結晶粒
界に絶縁層を形成した半導体磁器素子が開示されている
。
８９にコンデンサの特性としては、誘電率εａｐｐおよ
び絶縁抵抗率ρａｐｐが十分に高いことが必要であり、
また、誘電損失ｔａｎδ及び静電容量温度変化率ＴＣが
十分に小さいことが望ましい。
び絶縁抵抗率ρａｐｐが十分に高いことが必要であり、
また、誘電損失ｔａｎδ及び静電容量温度変化率ＴＣが
十分に小さいことが望ましい。
そこで、上記特性を得るために、前記Ｓ１０２、Ａ９■
０３． ＣｕＯ ． ＭｎＬなとの一種あるいは数種を
組合わせた化合物が焼結助剤として用いられ、またＢｉ
２０３． ＣｕＯ ． ＭｎＯ■などの金属酸化物が拡
散物質として用いられている。
０３． ＣｕＯ ． ＭｎＬなとの一種あるいは数種を
組合わせた化合物が焼結助剤として用いられ、またＢｉ
２０３． ＣｕＯ ． ＭｎＯ■などの金属酸化物が拡
散物質として用いられている。
また、主原料としても前記のＳｒＴｉＯａ以外にＢａＴ
ｉ０３、ＭｇＴｉ０３、ＣａＴｉＯ３、ＰｂＴｔＯａな
どが用いられている。
ｉ０３、ＭｇＴｉ０３、ＣａＴｉＯ３、ＰｂＴｔＯａな
どが用いられている。
明が解決しようとする課題
しかしながら、前記主成分と、前記焼結助剤と、前記拡
散物質などとを組合わせても、コンデンサの特性、すな
わち誘電率ε。，、絶縁抵抗率ρ８，，、誘電損失ｔａ
ｎδ、静電容量温度変化率ＴＣをすべて良好なレベルに
保つような半導体磁器は未だ得られていない。
散物質などとを組合わせても、コンデンサの特性、すな
わち誘電率ε。，、絶縁抵抗率ρ８，，、誘電損失ｔａ
ｎδ、静電容量温度変化率ＴＣをすべて良好なレベルに
保つような半導体磁器は未だ得られていない。
特に誘電率ε，ｐいと静電容量温度変化率ＴＣとの両立
が難しく、また誘電率８．２２と静電容量温度変化率Ｔ
Ｃとがともに良好なフィルムコンデンサやマイカコンデ
ンサの台頭もあり、磁器コンデンサは産業上の用途面で
厳しい制限を受けていた。
が難しく、また誘電率８．２２と静電容量温度変化率Ｔ
Ｃとがともに良好なフィルムコンデンサやマイカコンデ
ンサの台頭もあり、磁器コンデンサは産業上の用途面で
厳しい制限を受けていた。
すなわち、拡散物質としてＭｎＬあるいはＣｕＯを用い
て得られる半導体磁器は、絶縁抵抗率ρ１２，は高いが
誘電率ε，，２、誘電損失ｔａｎδ、静電容量温度変化
率ＴＣなどが十分ではなく、ＢｉｒＬを用？た場合には
、誘電率εａｐｐ及び誘電損失ｔａｎδは良好てあるが
絶縁抵抗率ρ８．，および静電容量温度変化率ＴＣが不
十分となるなどの課題があった。
て得られる半導体磁器は、絶縁抵抗率ρ１２，は高いが
誘電率ε，，２、誘電損失ｔａｎδ、静電容量温度変化
率ＴＣなどが十分ではなく、ＢｉｒＬを用？た場合には
、誘電率εａｐｐ及び誘電損失ｔａｎδは良好てあるが
絶縁抵抗率ρ８．，および静電容量温度変化率ＴＣが不
十分となるなどの課題があった。
また、前記特開昭５２−９８９９７号公報に開示されて
いる拡散物質を用いた場合では、Ｂｉ２Ｏ３、Ｃｕ（１
． ＭｎＯ■なとの金属酸化物を単体で使用する場合
と比較すると各特性とも若干は改良されるが十分とは言
えなかった。
いる拡散物質を用いた場合では、Ｂｉ２Ｏ３、Ｃｕ（１
． ＭｎＯ■なとの金属酸化物を単体で使用する場合
と比較すると各特性とも若干は改良されるが十分とは言
えなかった。
一方、特開昭５６−７４９１３号公報には、主原料のＳ
ｒＴ１０３の一部をＣａＴｉＯ＋と置換することにより
静電容量温度変化率ＴＣの改善を図った例が開示されて
いるが、この場合も誘電率εａｐｐが劣化し、また静電
容量温度変化率ＴＣもさほど改善されていないなどの課
題があった。
ｒＴ１０３の一部をＣａＴｉＯ＋と置換することにより
静電容量温度変化率ＴＣの改善を図った例が開示されて
いるが、この場合も誘電率εａｐｐが劣化し、また静電
容量温度変化率ＴＣもさほど改善されていないなどの課
題があった。
本発明は上記の課題に鑑み発明されたものであって、コ
ンデンサの各電気的特性がバランス良く改善され、特に
誘電率ε８，，と静電容量温度変化率ＴＣとが共に良好
な粒界絶縁型半導体磁器を提供することを目的とし、さ
らに従来製造プロセスを？なうことなく作製できる粒界
絶縁型半導体磁器を提供することを目的としている。
ンデンサの各電気的特性がバランス良く改善され、特に
誘電率ε８，，と静電容量温度変化率ＴＣとが共に良好
な粒界絶縁型半導体磁器を提供することを目的とし、さ
らに従来製造プロセスを？なうことなく作製できる粒界
絶縁型半導体磁器を提供することを目的としている。
課題を解決するための 段
上記した目的を達成するため本発明に係る半導体磁器は
、 ＳｒＴｔ０３が９７〜８０ｍｏｌ ＢａＴｉＯ３が３〜２０ｍｏｌ よりなる主成分１００ｍｏｌに対し、ＮｂｚＯｓ ．
ｙ２ｏ３のうち少なくとも１種が０．０５ 〜０．４０
ｍｏｌおよびＣｕＯとＭｎＯ２とのうち少なくとも１種
が０．１０〜０．４０ｍｏｌを含む焼結体であって、そ
の結晶粒界が、Ｂｉ． Ｃｕ． Ｃｓを含む酸化物の絶
縁層により形成されていることを特徴とし、また、本発
明に係る半導体磁器の製造方法は、ＳｒＴｉＯａが９７
〜８０ｍｏｌ ＢａＴｉ０３が３〜２０ｍｏｌ よりなる主成分１００ｍｏｌに対し、Ｎｂ．０５． Ｙ
２０３のうち少なくとも１種が０．０５〜０．４０ｍｏ
ｌおよびＣｕＯとＭｎＯ■とのうち少なくとも１種が０
．１０〜０．４０ｍｏｌを含む磁器焼結体の表面ｓｉ２
ｏ３が２０−９８ｍｏｌ％ ＣｕＯ が１〜３０ｍｏｌ％ およびセシウムの炭酸塩または酸化物が１〜７０ｍｏｌ
％の割合で混合された混合物を主原料とする組成物を塗
布した後、焼成することを特徴としている。
、 ＳｒＴｔ０３が９７〜８０ｍｏｌ ＢａＴｉＯ３が３〜２０ｍｏｌ よりなる主成分１００ｍｏｌに対し、ＮｂｚＯｓ ．
ｙ２ｏ３のうち少なくとも１種が０．０５ 〜０．４０
ｍｏｌおよびＣｕＯとＭｎＯ２とのうち少なくとも１種
が０．１０〜０．４０ｍｏｌを含む焼結体であって、そ
の結晶粒界が、Ｂｉ． Ｃｕ． Ｃｓを含む酸化物の絶
縁層により形成されていることを特徴とし、また、本発
明に係る半導体磁器の製造方法は、ＳｒＴｉＯａが９７
〜８０ｍｏｌ ＢａＴｉ０３が３〜２０ｍｏｌ よりなる主成分１００ｍｏｌに対し、Ｎｂ．０５． Ｙ
２０３のうち少なくとも１種が０．０５〜０．４０ｍｏ
ｌおよびＣｕＯとＭｎＯ■とのうち少なくとも１種が０
．１０〜０．４０ｍｏｌを含む磁器焼結体の表面ｓｉ２
ｏ３が２０−９８ｍｏｌ％ ＣｕＯ が１〜３０ｍｏｌ％ およびセシウムの炭酸塩または酸化物が１〜７０ｍｏｌ
％の割合で混合された混合物を主原料とする組成物を塗
布した後、焼成することを特徴としている。
？
上紀した半導体磁器およびその製造方法によれば，主原
料であるＳｒＴｔ０３、ＢａＴｉ０３に原子価制御剤て
あるＮｂ２０． ． Ｙ２０３、および焼結助剤てある
ＣｕＯとＭｎＯ２などを混合して焼結させた磁器焼結体
の結晶粒界に、さらに粒界絶縁化拡散物質であるＢ１■
０３、ＣｕＯおよびセシウムの炭酸塩または酸化物を組
合わせた組成物を拡散させることにより、誘電搦失ｔａ
ｎδおよび絶縁抵抗率ρａｐｐなとの電気的特性が良好
であると共に、誘電率εａｐｐおよび静電容量温度変化
率ＴＣなどの電気的特性がバランス良く向上された半導
体磁器が得られる。
料であるＳｒＴｔ０３、ＢａＴｉ０３に原子価制御剤て
あるＮｂ２０． ． Ｙ２０３、および焼結助剤てある
ＣｕＯとＭｎＯ２などを混合して焼結させた磁器焼結体
の結晶粒界に、さらに粒界絶縁化拡散物質であるＢ１■
０３、ＣｕＯおよびセシウムの炭酸塩または酸化物を組
合わせた組成物を拡散させることにより、誘電搦失ｔａ
ｎδおよび絶縁抵抗率ρａｐｐなとの電気的特性が良好
であると共に、誘電率εａｐｐおよび静電容量温度変化
率ＴＣなどの電気的特性がバランス良く向上された半導
体磁器が得られる。
夫旌土
以下、本発明に係る実施例を説明する。
なお、以下の説明においては、半導体磁器製造における
還元焼成後の焼結体を磁器焼結体と記し、大気焼成後の
粒界絶縁層の形成された焼結体を半導体磁器と記すこと
とする。
還元焼成後の焼結体を磁器焼結体と記し、大気焼成後の
粒界絶縁層の形成された焼結体を半導体磁器と記すこと
とする。
まず上記ＥＲ器焼結体の作製方法を説明する。
ＳｒＴｔ０３が９ ７ 〜８ ０ ｍｏｌ ． ＢａＴ
ｉＯａが３〜２０ｍｏｌよりなる主成分１００ｍｏｌに
対し、これに原子価制御剤としてＮｂ２０５若しくはＹ
２０３のうち少なくとも１種を０．０５〜Ｏ、４０ｍｏ
ｌ．焼結助剤としてＣｕＯとＭｎＯ ２とのうち少なく
とも１種を０．ｌＯ〜０．４０ｍｏｌの各範囲で添加し
、さらにバインダーとしてポリビニルアルコールを添加
して混合、造粒後、直径１ ０ｍｍ、厚さ０．８ ｍｍ
の円板形状に加圧成形する。この後円板形状の素体を還
元雰囲気（Ｈ２１〜１５％、Ｎ２９９〜８５％）中で１
４００〜１５４０℃程度の温度で４〜１０時間焼成し、
磁器焼結体を作製する。
ｉＯａが３〜２０ｍｏｌよりなる主成分１００ｍｏｌに
対し、これに原子価制御剤としてＮｂ２０５若しくはＹ
２０３のうち少なくとも１種を０．０５〜Ｏ、４０ｍｏ
ｌ．焼結助剤としてＣｕＯとＭｎＯ ２とのうち少なく
とも１種を０．ｌＯ〜０．４０ｍｏｌの各範囲で添加し
、さらにバインダーとしてポリビニルアルコールを添加
して混合、造粒後、直径１ ０ｍｍ、厚さ０．８ ｍｍ
の円板形状に加圧成形する。この後円板形状の素体を還
元雰囲気（Ｈ２１〜１５％、Ｎ２９９〜８５％）中で１
４００〜１５４０℃程度の温度で４〜１０時間焼成し、
磁器焼結体を作製する。
次に、上記方法で得た磁器焼結体の粒界層を絶縁化する
ために．Ｂｉ２０ｘが２０〜９８ｍｏｌ％、ＣｕＯが１
〜３０ｍｏｌ％およびセシウムの炭酸塩（ＣＳ２ＣＯ３
、ＣｓＨＣ（１３など）または酸化物（ＣＳ２０、ＣＳ
２０２など）が１〜７０ｍｏｌ％の割合で混合された混
合物に分散剤として有機ビヒクル剤等を加えてペースト
状にし、このペーストを上記磁器焼結体の表面に塗布し
、その後大気中で１０５０〜１３５０℃で１〜２時間焼
成して、半導体磁器を得る。さらに、この半導体磁器の
両面に銀ペーストを焼き付けて電極を形成すると、粒界
絶縁型半導体磁器コンデンサが得られる。
ために．Ｂｉ２０ｘが２０〜９８ｍｏｌ％、ＣｕＯが１
〜３０ｍｏｌ％およびセシウムの炭酸塩（ＣＳ２ＣＯ３
、ＣｓＨＣ（１３など）または酸化物（ＣＳ２０、ＣＳ
２０２など）が１〜７０ｍｏｌ％の割合で混合された混
合物に分散剤として有機ビヒクル剤等を加えてペースト
状にし、このペーストを上記磁器焼結体の表面に塗布し
、その後大気中で１０５０〜１３５０℃で１〜２時間焼
成して、半導体磁器を得る。さらに、この半導体磁器の
両面に銀ペーストを焼き付けて電極を形成すると、粒界
絶縁型半導体磁器コンデンサが得られる。
次に、ＳｒＴｘ０３、ＢａＴｘ０３、Ｎｂ２０ｓ ．
ＣｕＯ ． ＭｎＯｚ、Ｂｉ２０３． ＣＳ２ＣＯ３の
組成比がそれぞれ異なる混合物を用いて作製した種々の
半導体磁器コンデンサについて、それぞれの電気的特性
を測定した結果を第１表に示す。
ＣｕＯ ． ＭｎＯｚ、Ｂｉ２０３． ＣＳ２ＣＯ３の
組成比がそれぞれ異なる混合物を用いて作製した種々の
半導体磁器コンデンサについて、それぞれの電気的特性
を測定した結果を第１表に示す。
第１表において、誘電率ε．ｐｐ．、誘電損失ｔａｎδ
および２０゜Ｃにおける静電容量値を基準とした−２５
゜Ｃ〜＋８５゜Ｃ温度範囲での静電容量温度変化率ＴＣ
は． ＡＣ １ ｋＨｚ． ＩＶを印加して測定した値
である。
および２０゜Ｃにおける静電容量値を基準とした−２５
゜Ｃ〜＋８５゜Ｃ温度範囲での静電容量温度変化率ＴＣ
は． ＡＣ １ ｋＨｚ． ＩＶを印加して測定した値
である。
また、絶縁抵抗率ρａｐｐはＤＣ２５Ｖ印加後１分値の
電流より求めた値である。
電流より求めた値である。
また、第１表中＊印のものは本発明の範囲内の半導体磁
器コンデンサを示し、それ以外はすべて本発明の範囲外
の半導体磁器コンデンサ及び従来例を示している。
器コンデンサを示し、それ以外はすべて本発明の範囲外
の半導体磁器コンデンサ及び従来例を示している。
（以 下 余 白）
第１表から明らかなように、本発明の範囲内の半導体Ｇ
Ｒ器コンデンサは、静電容量温度変化率ＴＣが±ｌＯ％
以下に抑えられており、これはＥＩＡｊ規格のＢ特性品
の条件を満足している。また、誘電率ε．ｐ．．も従来
のものより最高で２０倍程度向上しており、誘電損失ｔ
ａｎδおよび絶縁抵抗率ρ１ｐもＥＩＡＪ規格を十分満
足する、従来にない優れた特性を有する半導体磁器コン
デンサも得られている。
Ｒ器コンデンサは、静電容量温度変化率ＴＣが±ｌＯ％
以下に抑えられており、これはＥＩＡｊ規格のＢ特性品
の条件を満足している。また、誘電率ε．ｐ．．も従来
のものより最高で２０倍程度向上しており、誘電損失ｔ
ａｎδおよび絶縁抵抗率ρ１ｐもＥＩＡＪ規格を十分満
足する、従来にない優れた特性を有する半導体磁器コン
デンサも得られている。
方、ＢａＴｉ０３が３ ｍｏｌ未満の半導体磁器コンデ
ンサでは静電容量温度変化率ＴＣが高く、また２５ｍｏ
ｌ以上では誘電率εａ２ｐ、誘電損失ｔａｎδが共に劣
化した。焼結助剤、拡散物質については、本発明に係る
組成比以外のものは各電気的特性のいずれかが本発明に
係る組成比のものと比較して劣っていた。
ンサでは静電容量温度変化率ＴＣが高く、また２５ｍｏ
ｌ以上では誘電率εａ２ｐ、誘電損失ｔａｎδが共に劣
化した。焼結助剤、拡散物質については、本発明に係る
組成比以外のものは各電気的特性のいずれかが本発明に
係る組成比のものと比較して劣っていた。
これらの結果から、本発明によれば、従来品に比べて誘
電率ε８２，、絶縁抵抗率ρａｐｐ、誘電損失ｔａｎδ
、静電容量温度変化率ＴＣ等の電気的特性がいずれも良
好な半導体コンデンサを作製することがてきる。
電率ε８２，、絶縁抵抗率ρａｐｐ、誘電損失ｔａｎδ
、静電容量温度変化率ＴＣ等の電気的特性がいずれも良
好な半導体コンデンサを作製することがてきる。
なお、上記実施例では銀電極を形成したが、他の公知材
料からなる電極を形成してもよい。また焼成条件も実施
例の条件に限定されるものではなく、焼結体が十分に半
導体化される雰囲気と、粒界層が十分に絶縁化され得る
条件であればよい。
料からなる電極を形成してもよい。また焼成条件も実施
例の条件に限定されるものではなく、焼結体が十分に半
導体化される雰囲気と、粒界層が十分に絶縁化され得る
条件であればよい。
また、上記実施例ではコンデンサに利用する場合につい
て説明したが、他の磁器電子部品、例えばバリスタ、サ
ーミスタなどについても同様に適用することができる。
て説明したが、他の磁器電子部品、例えばバリスタ、サ
ーミスタなどについても同様に適用することができる。
元旦じじ非果
以上の説明により明らかな如く、本発明に係る半導体磁
器にあっては、ＳｒＴ１０３が９７〜８０ｍｏｌ ，
ＢａＴｉＯａが３〜２０ｍｏｌよりなる主成分１００ｍ
ｏｌに対し、Ｎｂ２０５、Ｙ２０３のうち少なくとも１
種が０．０５−０．４０ｍｏｌおよびＣｕＯとＭｎＬと
のうち少なくとも１種が０．１０〜０．４０ｍｏｌを含
む焼結体であって、その結晶粒界が、Ｂｉ． Ｃｕ．
Ｃｓを含む酸化物の絶縁層により形成されているので、
誘電率ε８ｐ．、誘電損失ｔａｎδ、絶縁抵抗率ρｍｐ
ｐおよび静電容量温度変化率ＴＣ等の各電気的特性をバ
ランス良く向上させることができ、特に誘電率εａｐｐ
と静電容量温度変化率ＴＣとが共に良好な半導体磁器を
得ることができる。
器にあっては、ＳｒＴ１０３が９７〜８０ｍｏｌ ，
ＢａＴｉＯａが３〜２０ｍｏｌよりなる主成分１００ｍ
ｏｌに対し、Ｎｂ２０５、Ｙ２０３のうち少なくとも１
種が０．０５−０．４０ｍｏｌおよびＣｕＯとＭｎＬと
のうち少なくとも１種が０．１０〜０．４０ｍｏｌを含
む焼結体であって、その結晶粒界が、Ｂｉ． Ｃｕ．
Ｃｓを含む酸化物の絶縁層により形成されているので、
誘電率ε８ｐ．、誘電損失ｔａｎδ、絶縁抵抗率ρｍｐ
ｐおよび静電容量温度変化率ＴＣ等の各電気的特性をバ
ランス良く向上させることができ、特に誘電率εａｐｐ
と静電容量温度変化率ＴＣとが共に良好な半導体磁器を
得ることができる。
また、製造方法においても、粒界絶縁化拡散物質として
Ｂｉｚ０３が２０〜９８ｍｏｌ％， ＣｕＯが１〜３
０ｍｏｌ％およびセシウムの炭酸塩または酸化物が１〜
７０ｍｏｌ％の割合で分散混合された混合物を主原料と
する組成物に分散剤を加えてペースト状にし、このペー
ストを上記磁器焼結体の表面に塗布し、再び焼成して半
導体ＧＲ器を生成しているので、従来技術のプロセスを
損なうことな《、誘電率εａｐｐ、誘電損失ｔａｎδ、
絶縁抵抗率ｐａｐｐおよび静電容量温度変化率ＴＣ等の
各電気的特性に優れ、特に誘電率εａｐｐと静電容量温
度変化率ＴＣとが共に良好な半導体磁器を得ることがで
きる。
Ｂｉｚ０３が２０〜９８ｍｏｌ％， ＣｕＯが１〜３
０ｍｏｌ％およびセシウムの炭酸塩または酸化物が１〜
７０ｍｏｌ％の割合で分散混合された混合物を主原料と
する組成物に分散剤を加えてペースト状にし、このペー
ストを上記磁器焼結体の表面に塗布し、再び焼成して半
導体ＧＲ器を生成しているので、従来技術のプロセスを
損なうことな《、誘電率εａｐｐ、誘電損失ｔａｎδ、
絶縁抵抗率ｐａｐｐおよび静電容量温度変化率ＴＣ等の
各電気的特性に優れ、特に誘電率εａｐｐと静電容量温
度変化率ＴＣとが共に良好な半導体磁器を得ることがで
きる。
この結果、高価なフイルムコンデンサに近い特性を有し
ながら、しかも安価な価格で提供することができる半導
体磁器を得ることができる。
ながら、しかも安価な価格で提供することができる半導
体磁器を得ることができる。
また、電気あるいは電子回路に使用するにあたり実装面
、コスト面において有利なものとなり、電気・電子機器
のコストダウンを図る上で有効なものを提供できる。
、コスト面において有利なものとなり、電気・電子機器
のコストダウンを図る上で有効なものを提供できる。
Claims (2)
- （１） ＳｒＴｉＯ＿３が９７〜８０ｍｏｌＢａＴｉＯ
＿３が３〜２０ｍｏｌ よりなる主成分１００ｍｏｌに対し、Ｎｂ＿２Ｏ＿５、
Ｙ＿２Ｏ＿３のうち少なくとも１種が０．０５〜０．４
０ｍｏｌおよびＣｕＯとＭｎＯ＿２とのうち少なくとも
１種が０．１０〜０．４０ｍｏｌを含む焼結体であって
、その結晶粒界が、Ｂｉ、Ｃｕ、Ｃｓを含む酸化物の絶
縁層により形成されていることを特徴とする半導体磁器
。 - （２） ＳｒＴｉＯ＿３が９７〜８０ｍｏｌＢａＴｉＯ
＿３が３〜２０ｍｏｌ よりなる主成分１００ｍｏｌに対し、Ｎｂ＿２Ｏ＿５、
Ｙ＿２Ｏ＿３のうち少なくとも１種が０．０５〜０．４
０ｍｏｌおよびＣｕＯとＭｎＯ＿２とのうち少なくとも
１種が０．１０〜０．４０ｍｏｌを含む磁器焼結体の表
面に Ｂｉ＿２Ｏ＿３が２０〜９８ｍｏｌ％ ＣｕＯが１〜３０ｍｏｌ％ およびセシウムの炭酸塩または酸化物が１〜７０ｍｏｌ
％の割合で混合された混合物を主原料とする組成物を塗
布した後、焼成することを特徴とする半導体磁器の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2014192A JPH03218964A (ja) | 1990-01-23 | 1990-01-23 | 半導体磁器及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2014192A JPH03218964A (ja) | 1990-01-23 | 1990-01-23 | 半導体磁器及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03218964A true JPH03218964A (ja) | 1991-09-26 |
Family
ID=11854265
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2014192A Pending JPH03218964A (ja) | 1990-01-23 | 1990-01-23 | 半導体磁器及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03218964A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05275266A (ja) * | 1992-03-24 | 1993-10-22 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 半導体磁器組成物及びその製造方法 |
| US7442252B2 (en) * | 2003-05-21 | 2008-10-28 | Japan Science And Technology Agency | Method for producing single crystal of multi-element oxide single crystal containing bismuth as constituting element |
-
1990
- 1990-01-23 JP JP2014192A patent/JPH03218964A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05275266A (ja) * | 1992-03-24 | 1993-10-22 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 半導体磁器組成物及びその製造方法 |
| US7442252B2 (en) * | 2003-05-21 | 2008-10-28 | Japan Science And Technology Agency | Method for producing single crystal of multi-element oxide single crystal containing bismuth as constituting element |
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