JP2734888B2 - 半導体磁器組成物の製造方法 - Google Patents
半導体磁器組成物の製造方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体磁器の粒界に絶縁
層が形成されている半導体磁器組成物の製造方法に関
し、より詳しくは通信機器や音響機器に搭載される電子
回路等においてコンデンサとして利用される粒界絶縁型
半導体磁器組成物の製造方法に関する。
層が形成されている半導体磁器組成物の製造方法に関
し、より詳しくは通信機器や音響機器に搭載される電子
回路等においてコンデンサとして利用される粒界絶縁型
半導体磁器組成物の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】粒界絶縁型半導体磁器コンデンサは、半
導体化させたセラミックの結晶粒界に金属酸化物などを
熱拡散させて絶縁層を形成した半導体磁器組成物の両面
に電極を設けたものである。一般に、数ｎｍの薄い粒界
（絶縁層）の厚みを利用するため、小型で大きな静電容
量が得られる。
導体化させたセラミックの結晶粒界に金属酸化物などを
熱拡散させて絶縁層を形成した半導体磁器組成物の両面
に電極を設けたものである。一般に、数ｎｍの薄い粒界
（絶縁層）の厚みを利用するため、小型で大きな静電容
量が得られる。
【０００３】現在、使用されている半導体磁器組成物の
主原料としては、チタン酸バリウム系とチタン酸ストロ
ンチウム系の２種類の材料系がある。チタン酸バリウム
系はチタン酸バリウムの特性に起因して見かけの比誘電
率εapp が大きいが、その値は温度や周波数によって影
響されやすいという問題点がある。一方、チタン酸スト
ロンチウム系は見かけの比誘電率εapp がチタン酸バリ
ウム系より小さいが、その値は温度や周波数による影響
を受けにくく、さらに誘電損失が小さい。さらに半導体
化が比較的容易で粒界の設計が行ない易いという利点が
ある。ところで見かけの比誘電率εapp は下記の数１式
で定義され、半導体磁器の１つの物性を示すものであ
る。
主原料としては、チタン酸バリウム系とチタン酸ストロ
ンチウム系の２種類の材料系がある。チタン酸バリウム
系はチタン酸バリウムの特性に起因して見かけの比誘電
率εapp が大きいが、その値は温度や周波数によって影
響されやすいという問題点がある。一方、チタン酸スト
ロンチウム系は見かけの比誘電率εapp がチタン酸バリ
ウム系より小さいが、その値は温度や周波数による影響
を受けにくく、さらに誘電損失が小さい。さらに半導体
化が比較的容易で粒界の設計が行ない易いという利点が
ある。ところで見かけの比誘電率εapp は下記の数１式
で定義され、半導体磁器の１つの物性を示すものであ
る。
【０００４】εapp ＝Ｃ・ｄ／Ｓ ただし、Ｃ：静電容量 ｄ：電極間距離 Ｓ：電極面積 近年、特に電子機器や電子回路等は高い周波数領域で用
いられていることが多く、また自動車用部品等として厳
しい環境下で用いられることも多く、高周波特性及び温
度特性等に優れた信頼性の高いコンデンサが要求され、
チタン酸ストロンチウム系が注目されている。
いられていることが多く、また自動車用部品等として厳
しい環境下で用いられることも多く、高周波特性及び温
度特性等に優れた信頼性の高いコンデンサが要求され、
チタン酸ストロンチウム系が注目されている。
【０００５】現在、チタン酸ストロンチウム系半導体磁
器コンデンサは、使用周波数領域の高周波化が進み、例
えば、特開昭64-18213号公報によれば、チタン酸ストロ
ンチウム系半導体磁器組成物の原料に様々な助剤を微量
添加することにより使用周波数領域の上限が約１ＭＨｚ
にまで広げられている。
器コンデンサは、使用周波数領域の高周波化が進み、例
えば、特開昭64-18213号公報によれば、チタン酸ストロ
ンチウム系半導体磁器組成物の原料に様々な助剤を微量
添加することにより使用周波数領域の上限が約１ＭＨｚ
にまで広げられている。
【０００６】ここで特開昭64-18213号公報に記載されて
いる製造方法の１例を以下に説明する。
いる製造方法の１例を以下に説明する。
【０００７】まず、ＳｒＣＯ3、ＢａＣＯ3、ＣａＣＯ3、Ｔ
ｉＯ2、ＭｎＣＯ2 およびＳｉＯ2 からなる原料にＮｂ2
Ｏ5 、Ｙ2 Ｏ3 から選んだ１種または２種を添加し、所
望の組成比になるように調合し混合する。次に混合され
たスラリー状の原料を脱水乾燥し、解砕する。次に解砕
した解砕粉を１２００℃で仮焼合成し、セラミックにす
る。さらに仮焼構成セラミックを解砕し整粒する。さら
にこれに有機バインダを添加して円板状に成形し、この
成形体を還元雰囲気中１４８０℃で約２時間焼成して半
導体化を行う。こうして得られた焼結体の両面に拡散物
質としてＢｉ2Ｏ3 −ＣｕＯ系ペーストを塗布し、これ
を大気中で１０５０℃で２時間焼成して半導体磁器組成
物を完成する。この半導体磁器組成物の両面に銀ペース
トを印刷し、８００℃で電極を焼き付けて半導体磁器組
成物コンデンサを完成する。
ｉＯ2、ＭｎＣＯ2 およびＳｉＯ2 からなる原料にＮｂ2
Ｏ5 、Ｙ2 Ｏ3 から選んだ１種または２種を添加し、所
望の組成比になるように調合し混合する。次に混合され
たスラリー状の原料を脱水乾燥し、解砕する。次に解砕
した解砕粉を１２００℃で仮焼合成し、セラミックにす
る。さらに仮焼構成セラミックを解砕し整粒する。さら
にこれに有機バインダを添加して円板状に成形し、この
成形体を還元雰囲気中１４８０℃で約２時間焼成して半
導体化を行う。こうして得られた焼結体の両面に拡散物
質としてＢｉ2Ｏ3 −ＣｕＯ系ペーストを塗布し、これ
を大気中で１０５０℃で２時間焼成して半導体磁器組成
物を完成する。この半導体磁器組成物の両面に銀ペース
トを印刷し、８００℃で電極を焼き付けて半導体磁器組
成物コンデンサを完成する。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、特開昭
64-18213号公報に示された製造方法によって製造された
チタン酸ストロンチウム系半導体磁器組成物は周波数の
上限が約１ＭＨｚで、それを超えると特に見かけの比誘
電率が著しく減少し、さらに誘電損失が大きくなる問題
点があり、10ＭＨｚまでの周波数を使用する電気回路に
は搭載できないという問題点があった。
64-18213号公報に示された製造方法によって製造された
チタン酸ストロンチウム系半導体磁器組成物は周波数の
上限が約１ＭＨｚで、それを超えると特に見かけの比誘
電率が著しく減少し、さらに誘電損失が大きくなる問題
点があり、10ＭＨｚまでの周波数を使用する電気回路に
は搭載できないという問題点があった。
【０００９】本発明は上記した課題に鑑み発明されたも
のであって、使用周波数の上限が高く、かつ使用周波数
領域では見かけの比誘電率の変化量および誘電損失の変
化量がともに小さい半導体磁器組成物の製造方法を提供
することを目的としている。
のであって、使用周波数の上限が高く、かつ使用周波数
領域では見かけの比誘電率の変化量および誘電損失の変
化量がともに小さい半導体磁器組成物の製造方法を提供
することを目的としている。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明に係る半導体磁器組成物の製造方法は、結晶粒
の主成分が（Ｓｒ1-X-Y ＣａX ＭｇY)Ｔｉ1-Z ＡZ Ｏ3
（式中、ＡはＮｂあるいはＹのうちの１種または２種の
元素を示しており、Ｘ、ＹおよびＺはそれぞれ、０．１
０≦Ｘ≦０．３０、０．０５≦Ｙ≦０．１５、０．００
２≦Ｚ≦０．００８の範囲にある値）で示される組成を
有する焼結体にＢｉ2 Ｏ3 が５０〜９２モル％、ＣｏＯ
が５〜４０モル％及びＭｇＯが３〜２０モル％からなる
混合物を含む金属酸化物を塗布し、この後粒界絶縁化焼
成を行なうことを特徴としている。
に本発明に係る半導体磁器組成物の製造方法は、結晶粒
の主成分が（Ｓｒ1-X-Y ＣａX ＭｇY)Ｔｉ1-Z ＡZ Ｏ3
（式中、ＡはＮｂあるいはＹのうちの１種または２種の
元素を示しており、Ｘ、ＹおよびＺはそれぞれ、０．１
０≦Ｘ≦０．３０、０．０５≦Ｙ≦０．１５、０．００
２≦Ｚ≦０．００８の範囲にある値）で示される組成を
有する焼結体にＢｉ2 Ｏ3 が５０〜９２モル％、ＣｏＯ
が５〜４０モル％及びＭｇＯが３〜２０モル％からなる
混合物を含む金属酸化物を塗布し、この後粒界絶縁化焼
成を行なうことを特徴としている。
【００１１】
【作用】結晶粒の主成分が（Ｓｒ1-X-Y ＣａX ＭｇY)Ｔ
ｉ1-Z ＡZ Ｏ3 （式中、ＡはＮｂあるいはＹのうちの１
種または２種の元素を示しており、Ｘ、ＹおよびＺはそ
れぞれ、０．１０≦Ｘ≦０．３０、０．０５≦Ｙ≦０．
１５、０．００２≦Ｚ≦０．００８の範囲にある値）で
示される組成を有する焼結体にＢｉ2 Ｏ3 、ＣｏＯおよ
びＭｇＯの化合物を含む金属酸化物を塗布し、この後粒
界絶縁化焼成を行なうことにより、電気的特性として容
量性の目安である見かけの比誘電率εappを１．０×１
０5 以上に上げることができ、また誘電損失ＤＦ（％）
は１．５％以下に抑えることができ、直流破壊電圧ＢＤ
Ｖ（Ｖ／ｍｍ）は２０００Ｖ／ｍｍ以上に上げることが
できる。さらに、結晶粒径と粒内抵抗率が制御された結
果、使用周波数の上限が高く、かつ使用周波数が１ＫＨ
ｚ〜１０ＭＨｚの領域では見かけの比誘電率の変化率が
−１０％〜０％以内で誘電損失が１．５％以下の半導体
磁器組成物が得られる。
ｉ1-Z ＡZ Ｏ3 （式中、ＡはＮｂあるいはＹのうちの１
種または２種の元素を示しており、Ｘ、ＹおよびＺはそ
れぞれ、０．１０≦Ｘ≦０．３０、０．０５≦Ｙ≦０．
１５、０．００２≦Ｚ≦０．００８の範囲にある値）で
示される組成を有する焼結体にＢｉ2 Ｏ3 、ＣｏＯおよ
びＭｇＯの化合物を含む金属酸化物を塗布し、この後粒
界絶縁化焼成を行なうことにより、電気的特性として容
量性の目安である見かけの比誘電率εappを１．０×１
０5 以上に上げることができ、また誘電損失ＤＦ（％）
は１．５％以下に抑えることができ、直流破壊電圧ＢＤ
Ｖ（Ｖ／ｍｍ）は２０００Ｖ／ｍｍ以上に上げることが
できる。さらに、結晶粒径と粒内抵抗率が制御された結
果、使用周波数の上限が高く、かつ使用周波数が１ＫＨ
ｚ〜１０ＭＨｚの領域では見かけの比誘電率の変化率が
−１０％〜０％以内で誘電損失が１．５％以下の半導体
磁器組成物が得られる。
【００１２】Ｂｉ2 Ｏ3 、ＣｏＯ及びＭｇＯを限定した
理由は次の通りである。
理由は次の通りである。
【００１３】Ｂｉ2 Ｏ3 が５０モル％未満では見かけの
比誘電率εapp が小さくなり、９２モル％を超えると直
流破壊電圧ＢＤＶが小さくなる。ＣｏＯが５モル％未満
では直流破壊電圧ＢＤＶが小さくなり、４０モル％を超
えると見かけの比誘電率εap p が小さくなる。また、Ｍ
ｇＯが５モル％未満では直流破壊電圧ＢＤＶが小さくな
り、２０モル％を超えると粒界に拡散しない。
比誘電率εapp が小さくなり、９２モル％を超えると直
流破壊電圧ＢＤＶが小さくなる。ＣｏＯが５モル％未満
では直流破壊電圧ＢＤＶが小さくなり、４０モル％を超
えると見かけの比誘電率εap p が小さくなる。また、Ｍ
ｇＯが５モル％未満では直流破壊電圧ＢＤＶが小さくな
り、２０モル％を超えると粒界に拡散しない。
【００１４】
【実施例】以下、本発明に係る半導体磁器組成物の製造
方法の実施例を説明する。
方法の実施例を説明する。
【００１５】ＳｒＣＯ3 、ＣａＣＯ3 、ＭｇＯおよびＴ
ｉＯ2 からなる主原料にＮｂ2 Ｏ5あるいはＹ2 Ｏ3 か
ら選んだ１種または２種を添加し、所望の組成比になる
ように調合する。調合は各原料を正確に秤量し、適量の
玉石、分散剤、純水とともにポットミル内で２４時間混
合することにより行なう。混合されたスラリー状の原料
を脱水乾燥させ、解砕する。解砕した解砕粉を例えばジ
ルコニア製の焼成ルツボ内に移し、１１５０℃で仮焼合
成し、セラミックにする。所望の固溶体セラミックが合
成されていることをＸ線回析、組成分析等で確認した。
ｉＯ2 からなる主原料にＮｂ2 Ｏ5あるいはＹ2 Ｏ3 か
ら選んだ１種または２種を添加し、所望の組成比になる
ように調合する。調合は各原料を正確に秤量し、適量の
玉石、分散剤、純水とともにポットミル内で２４時間混
合することにより行なう。混合されたスラリー状の原料
を脱水乾燥させ、解砕する。解砕した解砕粉を例えばジ
ルコニア製の焼成ルツボ内に移し、１１５０℃で仮焼合
成し、セラミックにする。所望の固溶体セラミックが合
成されていることをＸ線回析、組成分析等で確認した。
【００１６】確認後、仮焼合成セラミックを解砕し、
１．０μｍ前後の均一粉ふるいを用いて整粒した後、少
なくともＡｌ2 Ｏ3 あるいはＳｉＯ2 から選んだ１種ま
たは２種を含む焼結用助剤を添加し、混合する。これに
有機バインダとして例えばポリビニールアルコール等を
添加して、直径10mm、厚み 500μm になるように円板状
に成形する。成形体を1000℃で保温し、有機バインダを
取り除く。次に成形体を例えばアルミナ製の焼成ルツボ
に充てんして還元雰囲気焼成を行ない、セラミックの焼
結と同時に半導体化を行なう。還元雰囲気焼成は、水素
濃度が１〜１５％かつ窒素濃度が８５〜９９％の混合ガ
ス雰囲気中で1450〜1500℃の範囲内で４．０〜８．０時
間焼成することにより行なう。得られた焼結体を有機溶
剤（例えばアセトン）と熱水中で十分洗浄した後、セラ
ミック結晶粒界を絶縁化するために表１に示す配合化の
Ｂｉ2 Ｏ3 、ＣｏＯおよびＭｇＯを含む金属酸化物を混
練ペースト状にして焼結体表面に塗布する。塗布量は、
焼結体１g 当たり10〜20mg程度でよい。これを大気中で
1070〜1150℃の範囲内で1.0 〜 2.0時間粒界絶縁化焼成
を行い、半導体磁器組成物の製造を完成する。Ｂｉ、Ｃ
ｏ及びＭｇが拡散されていることをＥＰＭＡ等で確認し
た。
１．０μｍ前後の均一粉ふるいを用いて整粒した後、少
なくともＡｌ2 Ｏ3 あるいはＳｉＯ2 から選んだ１種ま
たは２種を含む焼結用助剤を添加し、混合する。これに
有機バインダとして例えばポリビニールアルコール等を
添加して、直径10mm、厚み 500μm になるように円板状
に成形する。成形体を1000℃で保温し、有機バインダを
取り除く。次に成形体を例えばアルミナ製の焼成ルツボ
に充てんして還元雰囲気焼成を行ない、セラミックの焼
結と同時に半導体化を行なう。還元雰囲気焼成は、水素
濃度が１〜１５％かつ窒素濃度が８５〜９９％の混合ガ
ス雰囲気中で1450〜1500℃の範囲内で４．０〜８．０時
間焼成することにより行なう。得られた焼結体を有機溶
剤（例えばアセトン）と熱水中で十分洗浄した後、セラ
ミック結晶粒界を絶縁化するために表１に示す配合化の
Ｂｉ2 Ｏ3 、ＣｏＯおよびＭｇＯを含む金属酸化物を混
練ペースト状にして焼結体表面に塗布する。塗布量は、
焼結体１g 当たり10〜20mg程度でよい。これを大気中で
1070〜1150℃の範囲内で1.0 〜 2.0時間粒界絶縁化焼成
を行い、半導体磁器組成物の製造を完成する。Ｂｉ、Ｃ
ｏ及びＭｇが拡散されていることをＥＰＭＡ等で確認し
た。
【００１７】その半導体磁器組成物の両面に市販の銀ペ
ーストを印刷し、800 ℃で電極を焼き付けて評価用試料
とした。
ーストを印刷し、800 ℃で電極を焼き付けて評価用試料
とした。
【００１８】
【試料評価方法】完成した半導体磁器組成物の評価は、
次のように行なった。
次のように行なった。
【００１９】電気的特性は、見かけの比誘電率εapp 、
誘電損失ＤＦ（％）をインピーダンスアナライザで、直
流破壊電圧ＢＶＤ（Ｖ／ｍｍ）を直流定電圧電源で評価
した。見かけの比誘電率εapp 、誘電損失ＤＦはＡＣ１
KHZ 、印加電圧１Ｖで測定した値で、直流破壊電圧ＢＶ
Ｄ（Ｖ／ｍｍ）は素体間に直流電圧を除々に印加し、１
ｍＡの電流が流れたときの電圧値を素体１ｍｍあたりに
換算した値である。表１の電気的特性のデータは、それ
ぞれの組成について半導体磁器組成物を無作為に３０個
取り出し、それらの平均値を示している。
誘電損失ＤＦ（％）をインピーダンスアナライザで、直
流破壊電圧ＢＶＤ（Ｖ／ｍｍ）を直流定電圧電源で評価
した。見かけの比誘電率εapp 、誘電損失ＤＦはＡＣ１
KHZ 、印加電圧１Ｖで測定した値で、直流破壊電圧ＢＶ
Ｄ（Ｖ／ｍｍ）は素体間に直流電圧を除々に印加し、１
ｍＡの電流が流れたときの電圧値を素体１ｍｍあたりに
換算した値である。表１の電気的特性のデータは、それ
ぞれの組成について半導体磁器組成物を無作為に３０個
取り出し、それらの平均値を示している。
【００２０】静電容量および誘電損失の周波数特性は、
１ＫＨZ 〜１０ＭＨZ の領域で測定した。静電容量の周
波数特性は、１ＫＨZ のときの値を基準値とした静電容
量の変化率△Ｃを算出して図１に示した。なお、図１は
便宜上静電容量の変化率△Ｃを示したが、コンデンサの
素子形状が変化していないので、実質上見かけの比誘電
率εapp の変化率Δεapp を示している。
１ＫＨZ 〜１０ＭＨZ の領域で測定した。静電容量の周
波数特性は、１ＫＨZ のときの値を基準値とした静電容
量の変化率△Ｃを算出して図１に示した。なお、図１は
便宜上静電容量の変化率△Ｃを示したが、コンデンサの
素子形状が変化していないので、実質上見かけの比誘電
率εapp の変化率Δεapp を示している。
【００２１】
【表１】
【００２２】
【表１の２】
【００２３】
【表１の３】
【００２４】
【表１の４】
【００２５】表１から明らかなように請求項１の範囲内
に含まれている配合組成Ｎｏ．２〜４、７〜９、１２〜
１５、１８、１９、２１〜３１のものは電気的特性とし
て容量性の目安である見掛けの比誘電率εapp が１．０
×１０5 以上に上げることができ、また誘電損失ＤＦ
（％）を１．５％以下に抑えることができ、直流破壊電
圧ＢＤＶ（Ｖ／ｍｍ）を２０００Ｖ／ｍｍ以上に上げる
ことができていることがわかる。しかし配合組成Ｎｏ．
５、６、１０、１１、１６、１７、２０、３２〜４０は
請求項１の範囲外の組成であり、上記の特性を満たして
いないことがわかる。また図１から本実施例のもの（配
合組成No. ３）に関しては結晶粒径と粒内抵抗率が制御
された結果、使用周波数の上限が高く、かつ使用周波数
が１ＫＨｚ〜１０ＭＨｚの領域では静電容量の変化率す
なわち、見かけの比誘電率の変化率が−１０％〜０％以
内で誘電損失が１．５％以下の半導体磁器組成物が得ら
れていることがわかる。それに較べ比較例のもの（配合
組成No. ６）では、使用周波数が１ＫＨｚ〜１０ＭＨｚ
の領域では静電容量の変化率すなわち、見かけの比誘電
率の変化率が−１５％〜０％と大きく、また誘電損失が
３．５％まで大きくなっており、使用周波数の上限が低
いことがわかる。
に含まれている配合組成Ｎｏ．２〜４、７〜９、１２〜
１５、１８、１９、２１〜３１のものは電気的特性とし
て容量性の目安である見掛けの比誘電率εapp が１．０
×１０5 以上に上げることができ、また誘電損失ＤＦ
（％）を１．５％以下に抑えることができ、直流破壊電
圧ＢＤＶ（Ｖ／ｍｍ）を２０００Ｖ／ｍｍ以上に上げる
ことができていることがわかる。しかし配合組成Ｎｏ．
５、６、１０、１１、１６、１７、２０、３２〜４０は
請求項１の範囲外の組成であり、上記の特性を満たして
いないことがわかる。また図１から本実施例のもの（配
合組成No. ３）に関しては結晶粒径と粒内抵抗率が制御
された結果、使用周波数の上限が高く、かつ使用周波数
が１ＫＨｚ〜１０ＭＨｚの領域では静電容量の変化率す
なわち、見かけの比誘電率の変化率が−１０％〜０％以
内で誘電損失が１．５％以下の半導体磁器組成物が得ら
れていることがわかる。それに較べ比較例のもの（配合
組成No. ６）では、使用周波数が１ＫＨｚ〜１０ＭＨｚ
の領域では静電容量の変化率すなわち、見かけの比誘電
率の変化率が−１５％〜０％と大きく、また誘電損失が
３．５％まで大きくなっており、使用周波数の上限が低
いことがわかる。
【００２６】
【発明の効果】本発明の製造方法によって製造された半
導体磁器組成物にあっては、使用周波数の上限が高く、
使用周波数領域では見かけの比誘電率の変化量及び誘電
損失が小さいので、１０ＭＨｚまでを使用周波数とする
通信機器や音響機器搭載される電気回路に使用すること
ができ、信頼性の高いコンデンサを提供することができ
る。また、本発明に係る半導体磁器組成物の製造方法に
あっては、従来のプロセスと略同様のプロセスにより高
周波用として優れた半導体磁器組成物を提供することが
できる。
導体磁器組成物にあっては、使用周波数の上限が高く、
使用周波数領域では見かけの比誘電率の変化量及び誘電
損失が小さいので、１０ＭＨｚまでを使用周波数とする
通信機器や音響機器搭載される電気回路に使用すること
ができ、信頼性の高いコンデンサを提供することができ
る。また、本発明に係る半導体磁器組成物の製造方法に
あっては、従来のプロセスと略同様のプロセスにより高
周波用として優れた半導体磁器組成物を提供することが
できる。
【図１】本発明に係る実施例と比較例との周波数に対す
る静電容量の変化率△Ｃ（％）および誘電損失ＤＦ
（％）を示したグラフである。
る静電容量の変化率△Ｃ（％）および誘電損失ＤＦ
（％）を示したグラフである。
Claims (1)
- 【請求項１】 結晶粒の主成分が（Ｓｒ1-X-Y ＣａX Ｍ
ｇY)Ｔｉ1-Z ＡZ Ｏ3 （式中、ＡはＮｂあるいはＹのう
ちの１種または２種の元素を示しており、Ｘ、Ｙおよび
Ｚはそれぞれ、０．１０≦Ｘ≦０．３０、０．０５≦Ｙ
≦０．１５、０．００２≦Ｚ≦０．００８の範囲にある
値）で示される組成を有する焼結体にＢｉ2 Ｏ3 が５０
〜９２モル％、ＣｏＯが５〜４０モル％及びＭｇＯが３
〜２０モル％からなる混合物を含む金属酸化物を塗布
し、この後粒界絶縁化焼成を行なうことを特徴とする半
導体磁器組成物の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19057792A JP2734888B2 (ja) | 1992-07-17 | 1992-07-17 | 半導体磁器組成物の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19057792A JP2734888B2 (ja) | 1992-07-17 | 1992-07-17 | 半導体磁器組成物の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0636968A JPH0636968A (ja) | 1994-02-10 |
| JP2734888B2 true JP2734888B2 (ja) | 1998-04-02 |
Family
ID=16260378
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19057792A Expired - Lifetime JP2734888B2 (ja) | 1992-07-17 | 1992-07-17 | 半導体磁器組成物の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2734888B2 (ja) |
-
1992
- 1992-07-17 JP JP19057792A patent/JP2734888B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0636968A (ja) | 1994-02-10 |
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