JPS5820133B2 - 半導体磁器コンデンサ用磁器およびその製造方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は交流電圧印加による容量変化率すなわち交流電
圧依存性が小さく、大静電容量、低損失で容量の温度変
化率が小さく、かつ絶縁抵抗値および破壊電圧の高いチ
タン酸ストロンチウム系の粒界絶縁層型半導体磁器コン
デンサ用磁器およびその製造方法を提供しようとするも
のである。

従来、半導体磁器の結晶粒界を絶縁体化することによっ
て得られる、いわゆる粒界絶縁層型半導体磁器コンデン
サが、これまでの誘電体磁器コンデンサと比較してその
実効的誘電率がされめて大きいという特徴を有すること
が知られている。

たとえばチタン酸バリウム系半導体磁器コンデンサ用の
磁器では絶縁抵抗２Ｘ１０”Ω・ぼ、耐電圧８００Ｖ／
ｍｍの絶縁性を保持しながら実効誘電率５００００〜７
００００の大きな値が得られている。

しかしながら、チタン酸バリウムは強誘電体であり、本
質的に強誘電性分域構造を有するため１０００時間で容
量が５％以上減少するという容量の経時変化が存在する
という欠点がある。

まだ容量の温度変化率が大きく、ｔａｎδも大きい（３
％以上）という欠点があり、コンデンサの使用分野が制
限されていた。

そこで、常誘電体であるチタン酸ストロンチウムを主体
とした粒界絶縁層型半導体磁器を用いたコンデンサが注
目され、数多くの研究、開発がなされるようになった。

たとえば５ｒＴｉ０３に原子価制御による半導体化のだ
めの添加物Ｄｙ、鉱化剤ＳｉＯ□ｒ Ａ １２０３を添
加し、中性または還元性の雰囲気中で焼成した半導体磁
器にＣｕ２Ｍｎｙ Ｔｉｔ Ｂｉなどをその結晶粒界に
拡散させ、その結晶粒界を絶縁体化したコンデンサの研
究がある。

容量の経時変化は１０００時間で５φ以下であり、ｔａ
ｎδは０，５係（ＩＫＨｚ）と改善されているが、εは
２４０００、ρは２Ｘ１０１ＯΩＣＩｒＬ（２５■／ｃ
ＩｒＬ）と低い。

まだ、ＳｒＴｉＯ３に原子価制御半導体化の添加物とし
てＴａ２０５を添加したものや、Ｎｂ２Ｏ５を添加した
ものも知られている。

しかし、これらでε−４００００〜５００００ 、 ｔ
ａｎδ−０７％。

ρ＝１×１０１２Ωｃｍ（１２５■／ｍｍ）、破壊電圧
２０、００ Ｖ／ｍｕの特性が得られているが、容量の
温度変化率が＋８５〜−２５℃の温度範囲で±１０％を
超えている。

すなわちＪＩＳ規格特性には不合格である。

またＪＩＳ規格ＹＣ特性（±２０係）のコンデンサとし
てはεが低過ぎて、やはり不適当である。

さらに、これらを改良したものとして ＳｒＴｉＯ３にＴａ２０５を添刀口し、粒成長促進剤と
してＺｎＯまだはＧｅＯ２を添加して得られた半導体磁
器の結晶粒界をＢｉ２Ｏ３まだはｐｂｏ −Ｂｉ２０３
−Ｂ２０３の拡散で絶縁体化した素体が知られている。

これらの特性はε−６００００〜７００００、ｔａｎδ
−〇、３〜０．４％、 ρ−２５Ｘ１０１１Ω期、破壊
電圧１６００ Ｖ／ｍｍ、容量の温度変化率は＋８５〜
−２５℃の温度範囲で±１０φ程度と改善されている。

しかし、研究の結果、１次焼成（還元雰囲気焼成）時に
Ｂｉ２Ｏ３を含１ない組成物は容量の交流電圧依存性が
大きいことが明らかになった。

すなわち、交Ｋ ２０ Ｖ印加によって容量が３〜５０
Ｉ）減少する。

現在カラーテレビジョン受像機にはマイラコンデンサが
使用されているが、この容量の交流電圧依存性はほとん
ど零に近い。

しだがってそれに代えて半導体磁器コンデンサをカラー
テレビジョン受像機に使用しようとすれば、容量の交流
電圧依存性の小さいものが要求される。

少なくとも交流２０Ｖ印加で容量変化が±１係以下であ
ることが要求される。

本発明の半導体磁器コンデンサ用磁器はこの要求を満た
す、すなわち交流２ＯＶ印力ロ時の容量変化率が±１係
以内にあるものである。

このような特徴は本発明の磁器とその製造方法によって
達成される。

５ｒＴｉ０３にＴａ２０５１だはＮｂ２Ｏ５を原価制御
による半導体化のために添加し、さらにＢｉ２Ｏ３を添
加する。

この混合物を仮焼し、還元雰囲気中で本焼成した焼結体
中ではＢｉの状態で結晶粒界に局在している。

さらにこの焼結体を空気中で加熱処理（２次焼成）を行
なうと、金属Ｂｉはγ−Ｂｉ２Ｏ３に変化すると同時に
結晶粒界に拡散し、結晶粒界を絶縁体化させる。

この２次焼成の時、焼結体の表面にＣｕ２Ｏも同時に結
晶粒界に拡散し、γ−Ｂｉ２Ｏ３とともに結晶粒界の絶
縁体層の形成に寄与し、そのコンデンサとしての特性向
上に寄与している。

なお、本発明の研究の結果、１次焼成（還元雰囲気焼成
）の時Ｂｉ２Ｏ３を添加せずに、２次焼成の段階でＢｉ
２Ｏ３とＣｕ２Ｏとを拡散させた粒界絶縁層型半導体磁
器コンデンサ用の磁器は容量の交流電圧依存性が大きい
（交流２０Ｖ印加で３〜５係の容量減少）ものしか得ら
れなかった。

本発明は４８０〜５０．５モル部のＳｒＯ成分と５２．
０〜４９．５モＡ％からなる５ｒＴｉ０３を主成分とし
、この成分１００モル部にＴａ２０５とＮｂ２Ｏ５のう
ち少なくとも１種以上の合計を０．０５〜１．５モル部
、さらにＢｉ２Ｏ３を０．０５〜５モル部添カ口添た組
成物、さらにこの組成物を１０００〜１３５０°Ｃの温
度で仮焼し、その粉砕。

成形物を窒素−水素混合ガス雰囲気中において１３３０
〜１４８０°Ｃの範囲内の温度で焼結させた半導体磁器
にＣｕ酸化物あるいはＣｕ、Ｂｉの混合酸化物を塗布し
、空気中において９００〜１３５０°Ｃの範囲内の温度
で力ｕ熱処理してそれらを粒界拡散させて、結晶粒界を
絶縁体化するという半導体磁器コンデンサ用の磁器の製
造方法である。

これによって得られる本発明のコンデンサ用磁器はε−
５００００〜６５０００ 、 ｔａｎδ−０，１５〜０
．３０係、ρ−２Ｘ１０”〜５Ｘ１０”Ωα、破壊電圧
１２００〜２０００■／ｃＩｒ１１容量の温度変化率（
−２５〜８５°Ｃ）±１０係以下、交流２０Ｖ印加時の
容量の変化率±１係以下の優れた特性を持っている。

なお本発明においてＳｒＯ成分のうち２５モル部以下の
ＣａＯ成分で置換した（Ｓｒ、Ｃａ ）ＴｉＯ３を主体
にした半導体磁器コンデンサ用の磁器は、ε−３０００
０〜４５０００と誘電率が低いが、容量の温度変化率が
８５〜−２５℃の温度範囲で２０°Ｃでの値を基準とし
て±５係以下であり、ＪＩＳ規格ＹＡ特性に適したコン
デンサに有用である。

一方、ＳｒＯ成分のうち２５モル部以下のＢａＯ成分で
置換した（Ｓｒ、Ｂａ）ＴｉＯ３ｋ主体にした半導体磁
器コンデンサ用の磁器は、容量の温度変化率が８５〜−
２５°Ｃの温度範囲で±１５％程度と大きいが、εが６
５０００〜１０００００ときわめて大きいので、ＪＩＳ
規格ＹＧ特性として有用なコンデンサである。

まだ、ＳｒＯ成分のうち５モル部以下のＭｇ０ｔ Ｚｎ
ＯｙおよびＰｂＯ成分で置換したものは１次焼成（還元
雰囲気焼成）の焼成温度を下げ（添加量１モルチ当り約
１０℃）、粒成長促進剤としても有効である。

同様な効果はＴｉＯ２成分のうち５モル部以下のＳｎＯ
２またはＺｒＯ２成分で置換したものにおいてもみられ
る。

さらにまた本発明の組成物においては、５ｉｏ２ｊ Ａ
ｌ２Ｏ３、Ｂ２Ｏ３およびＧｅＯ２のガラス形成物（結
晶粒界に存在する）を含有しないことが望ましいが、そ
の許容限界量は０．２モル部まである。

これ以上の含有量になると実効誘電率εがいちじるしく
低下してコンデンサとしての有用性が減する。

本発明の磁器および製造条件の限定理由を説明する。

ＳｒＯ成分とＴｉＯ２成分の含量１００モル部において
ＳｒＯ成分が５０５モル部より多い、すなわちＴｉＯ２
成分が４９．５モル部よりも少ない場合には雰囲気焼成
中の焼結体において粒成長が抑制されて（平均粒径３μ
ｍ以下）、実効誘電率がいちじるしく低下する。

一方、ＳｒＯ成分が４８０モル係より少々い、すなわち
ＴｉＯ２成分が５２．０モル係より多い場合には粒界領
域での副成分相が増加して、実効誘電率εが若干低下し
始めると同時に、絶縁抵抗ρと破壊電圧がいちじるしく
低下し、容量の交流電圧依存性も大きくなり、コンデン
サとして好ましいものではない。

次に原子制御半導体化のだめの添加物Ｔａ２０５成分と
Ｎｂ２Ｏ，成分のうち少なくとも１種以上の合量が０．
０５モル部未満の場合には半導体化の効果が薄く、２次
焼成（空気中加熱処理）した場合、再酸化がいちじるし
く進み、εのいちじるしい低下とｔａｎδの増大が起こ
り、コンデンサとして好ましくない。

一方、それらの含量が１．５モル部を越えると、１次焼
成時に試料の変形が起こると同時にいちじるしく粒成長
するため、絶縁抵抗ρ、破壊電圧の低下、ｔａｎδの増
大がみられ、好ましくない。

次に本発明の特徴であるＢｉ２Ｏ３成分の添加量が００
５モル部未満の場合には交流電圧依存性が大きくなり、
ε、ρおよび破壊電圧の低下もあり、コンデンサとして
の有用性がそこなわれる。

一方、Ｂｉ２０ｇ量か５モル部を越えた場合には、１次
焼成時の粒成長が温度に抑制されて、εの低下がみられ
、好ましくない。

なお、出願人は、先にＳｒＯ成分に対してＴｉＯ２成分
を過剰にして半導体磁器の粒成長を抑制し、かつ添カロ
成分としてのＢ ｌ ２０３ ＊ Ｔ ａ ２０５ ＋
Ｎｂ２Ｏ５の量を選ぶことによって、大容量、低損失で
、容量温度変化率の小さい半導体磁器コンデンサ用磁器
を製造することができることを見出した（特願昭５０−
１０８２７１号、特開昭５２−３２５６５号公報参照）
。

これは、ＴｉＯ２成分５０．２〜５３．２２モル係およ
びＳｒＯ成分４９．８〜４６．７８モル係からなる主成
分に、Ｂｉ２Ｏ３成分と、Ｔａ２０５成分およびＮｂ２
Ｏ，成分のいずれか一方もしくは両方とを添加し、中性
もしくは還元性の雰囲気中で焼成し、コンデンサ用の半
導体磁器を得ようというものである。

本発明の半導体磁器コンデンサ用の磁器ではこの発明の
要旨と重複するところがあるので、本発明の範囲から、
主成分がＳｒＯ成分４８．０〜４９．８モル係すなわち
ＴｉＯ２成分５２．０〜５０．２モル係であるとき、主
成分１００モル部に対してＢｉ２Ｏ３成分が０．０５モ
ル部以上で、０．１８モル部未満の範囲を除いた３ＪＩ
Ｓ規格ＹＡ特性に適した材料として有効なＳｒＯ成分の
一部ＣａＯ成分による置換においてＣａＯ成分の置換量
が２５モル係を越えると、容量の温度変化率（８５〜−
２５℃）が大きくなって±５係を越えると同時に、εの
減少、ｔａｎδの増大がみられ、ＹＡ規格のコンデンサ
用の磁器として不適である。

また、ＪＩＳ規格ＹＣ特性に適した材料として有効なＳ
ｒＯ成分の一部ＢａＯ成分による置換において、ＢａＯ
成分の置換量が２５モル係を越えるとｔａｎδがいちじ
るしく増大しく１係以上）、破壊電圧の低下、容量の交
流電圧依存性が大きくなり、コンデンサとしての有用性
が減する。

粒成長促進に有効なＭｇＯ，ＺｎＯ，またはＰｂＯ成分
でＳｒＯ成分の一部分を置換したり、Ｓ ｎ０２または
Ｚ ｒ０２０２℃ＴｉＯ２成分の一部分を置換したりす
る場合において、それぞれの置換量が５モル係を越える
と、εのいちじるしい低下、ρの低下があり、やはりコ
ンデンサ用磁器としての有用性がそこなわれる。

次に本発明の製造法において、仮焼成温度は、１０００
〜１３５０℃の範囲内が望まＩ７い。

仮焼温度が１０００℃よりも低い場合には、１次焼成時
の粒成長が不均一になり、いちじるしい絶縁抵抗ρの低
下と容量の交流電圧依存性の増大を引き起すことになり
、好ましくない。

一方、仮焼温度が１３５０℃よりも高くなると仮焼物の
粉砕が困難となり、実効誘電率εのいちじるしい低下を
きたす。

なお、仮焼温度の上限は仮焼時間と関連しており、１３
５０℃での上限は仮焼時間が数分間の場合であり、１２
５０°Ｃでの仮焼時間のそれは数時間である。

次に１次焼成温度（Ｎ２−Ｈ２混合ガス雰囲気焼成）は
１３３０〜１４８０°Ｃの範囲が望ましい。

この１次焼成温度が１３３０℃よりも低い場合には焼結
、粒成長が不足であり、磁器の実効誘電率εがきわめて
小さく、容量の温度変化率、交流電圧依存性が大きくな
る傾向を示し、コンデンサとして好ましくない。

一方、１次焼成温度が１４８０°Ｃよりも高くなると、
試料からのＢｉの蒸発および粒成長がいちじるしくなり
、絶縁抵抗ρ、破壊電圧の低下、容量の交流電圧依存性
の増大が起こり、コンデンサ用磁器としての有用性がな
くなる。

２次焼成（空気用力ロ熱処理）の温度は９００〜１３５
０℃の雰囲内の範囲が望ましい。

特にＹＡ規格に適したコンデンサ用の磁器ｉについては
２次焼成温度が９００〜１１５０°Ｃの範囲内であるこ
とが望ましく、ＹＢ規格およびＹＣ規格に適したコンデ
ンサ用の磁器については２次焼成温度は１０５０〜１３
５０℃の範囲内であることが望ましい。

２次焼成温度がそれぞれの下限温度よりも低い場合には
絶縁抵抗ρ、破壊電圧の低下、容量の交流電圧依存性の
増大がみられ、コンデンサとして好ましくない。

一方、２次焼成温度がそれぞれの上限温度を越えた場合
には実効−誘電率εの低下、ｔａｎδの増大、容量の温
度変化率の増大をきたし、コンデンサとしての有用性が
減少する。

以下本発明を実施例を挙げて説明する。

実施例 １ 炭酸ストロンチウム、酸化チタン、酸化タンタル、酸化
ニオブ、酸化ビスマスの原料粉末をそれぞれ第１表に示
すモル比に配合し、ボールミルによる湿式混合、乾燥さ
せた後、１１５０〜１２８０℃の範囲内の一定温度で２
時間仮焼成した。

この仮焼成をボールミルによる湿式粉砕した後、ポリビ
ニルアルコール水ｍ液をバインダーとして加えて、円板
状に加圧成形し、空気中において１０００°Ｃで２時間
加熱処理することにより、有機バインダーの燃焼飛散を
行なった後、これらを９０ ％Ｎ３−１０ ％Ｈ２の還
元雰囲気中にて１３８０〜１４４０°Ｃの範囲内の一定
温度で４時間燃結し、直径約１２．５ｍｓ、厚み約０．
５朋の半導体磁器本体を作製した。

次にこれらの半導体磁器円板の片面に拡散剤として酸化
銅粉末（有機・（イングーで混練したペースト状のもの
）を０．１５〜０．３〜塗布し、これらを空気中におい
て１０５０〜１２００°Ｃの範囲内の一定温度で２時間
焼成して、半導体磁器の結晶粒界に拡散させて、粒界を
絶縁体化した。

これらの円板形試料の両生面にそれぞれ銀電極を焼付け
てコンデンサ試料としだ。

このようにして得たコンデンサ各試料について電気特性
を測定した結果を第１表に示す。

実効誘電率εおよびｔａｎδはＩＫＨｚで測定し、絶縁
抵抗値は直流５０Ｖ印力ロ１分後の値を採用し、絶縁破
壊電圧は直流電圧を印加することによって測定した。

第１表に示す結果かられかるように、試料番号１〜１９
においては実効誘電率ε４９０００〜６５０００ 、
ｔａｎδ０．１５〜０．３０係、絶縁抵抗１．８Ｘ１０
”〜５．４Ｘ１０”Ω儒、破壊電圧１２００−２０００
Ｖ／ｍＷＬ、容量の交流２０Ｖ印加時の変化率±１％以
下という優れた特性を示している。

また、容量の温度変化は図に示すように±１０１０係の
斜線領域内にほぼ直線的に収まることを確認した。

以上のように従来の粒界絶縁層型チタン酸ストロンチウ
ム系半導体磁器コンデンサ用の磁器に比べ、容量の交流
電圧依存性が小さくなり、ｔａｎδの値も小さく、特性
が改善されていることにより、コンデンサとしての有用
性が拡大した。

ただし、試料番号２０，２５，２６，２７に示すものは
実効誘電率が小さく本発明の目的から不適当であり、ま
だ試料２Ｌ ２２，２３．２４は絶縁抵抗、破壊電圧が
低いことから本発明の範囲外にある。

なお試料番号２１，２２，２３，２６は容量の交流電圧
依存性が大きく（交流２０Ｖ印力口で±１％以上の容量
変化率）、本発明の目的からみて、不適当なものである
。

実施例 ２ 炭酸ストロンチウム、炭酸カルシウム、酸化チタン、酸
化ニオブ、酸化ビスマスの原料粉末をそれぞれ第２表に
示すモル比に配合し、実施例１と全く同様の手法でコン
デンサ試料を作製した。

ただし実施例１と異なる製造条件は次の通りである。

仮焼条件：１０００〜１２５０℃の範囲内の一定温度で
２時間。

１次焼成条件：１３９０〜１４８０℃の範囲内の一定温
度で４時間。

拡散剤（酸化銅）の塗布量：０．２〜３■／枚２次焼成
条件＝９００〜１１５０°Ｃの範囲内の一定温度で２時
間。

このようにして得だコンデンサ試料について、実施例１
と同様に電気的特性を測定した結果を第２表に示す。

第２表から明らかなように、本発明の範囲内の試料２８
〜３９はいずれも容量変化率（−２５〜８５°Ｃの温度
範囲で２０°Ｃでの容量を基準とした場合の変化率）が
±５係以内にある。

一方、本発明の範囲外の試料４０．４１の容量変化率は
±５係を越えており、ＪＩＳ規格ＹＡ特性のコンデンサ
としては不適当である。

実施例 ３ 炭酸ストロンチウム、炭酸バリウム、酸化チタン、酸化
ニオブ、酸化ビスマスの原料粉末をそれぞれ第３表に示
すモル比に配合し、実施例１と全く同様の手法でコンデ
ンサ試料を作製した。

ただし、実施例１と異なる製造条件は次の通りである。

仮焼条件：１１００〜１２３０℃の範囲内の一定温度で
４時間。

拡散剤（酸化銅７０重量係と酸化ビスマス３０重量係の
混合物）の塗缶量 ＝０１５〜１５■／枚。

２次焼成条件：１１００〜１３５０°Ｃの範囲内の一定
温度で２時間。

このようにして得たコンデンサ試料について、実施例１
と同様に電気特性を測定した結果を第３表に示す。

第３表から明らかなように、本発明の範囲内の試料４２
〜５２はいずれも実効誘電料εは６５００．０〜１００
０００であり、破壊電圧は１２００〜１８００ｍｍ／
Ｖ、交流２０Ｖ印加時の容量変化率も±１１条内にある
もので、容量の温度変化率（−２５〜８５℃の温度範囲
）はいずれも±２０係以内にあり、ＪＩＳ規格ＹＣ特性
のコンデンサとして適している。

ただし、試料５３〜５５は、容量の交流電圧依存性が大
きく（交流２０Ｖで±１係を越えている）、ｔａｎδも
１条を越え、破壊電圧は１０００Ｖ／ｍ鍜下と低く、コ
ンデンサとしての有用性に乏しいものであるので、本発
明の範囲外とした。

実施例 ４ 炭酸ストロンチウム、酸化マグネシウム、酸化亜鉛、酸
化鉛、酸化チタン、酸化スズ、酸化ジルコニウム、酸化
タン、タル、酸化ニオブ、酸化ビスマスの各原料粉末を
それぞれ第４表に示すモル比に配合し、実施例１と全く
同様の手法でコンデンサ試料を作製した。

ただし実施例１と異なる製造条件は次の通りである。

仮焼条件：１０００〜１２３０°Ｃの範囲内の一定温度
で２時間。

１次焼成条件：１３３０〜１４００の範囲内の第４表に
示す温度で４時間。

このようにして得たコンデンサ試料について、実施例１
と同様に電気特性を測定した結果を第４表に示す。

第４表から明らかなように、ＳｒＯ成分の一部を５モル
係以下のＭｇＯ，ＺｎＯおよびｐｂｏ、まだはＴｉＯ２
成分の一部を５モル係以下の５ｎｏ２およびｚｒＯ２で
置換すると、各成分１モル係当り約１０°Ｃの１次焼成
（雰囲気焼成）の温度の低下があり、製造上有益な効果
がある。

しかも実効誘電率εは５００００以上、絶縁抵抗ρは２
Ｘ１０”Ω函以上ある。

なお、これらの試料についての容量温度変化率（−２５
〜８５°Ｃの温度範囲）はいずれも±１０係以内にある
ことを確認した。

また交流２０印加時の容量変化率がいずれも±１係以内
にあることも確認した。

ただし、試料７０〜７３については、実効誘電率が低く
、絶縁抵抗も低いので、本発明の範囲外とした。

実施例 ５ ＳｒＣＯ３５０モル’％＋ Ｔｉｅ２５０モルｔｌ、の
主成分に討し副成分としてＴａ２０５０４モル係。

Ｎｂ２０５０．４モル係ｓ Ｂ１２Ｏ３２モル係を添加
した組成物（実施例１の試料番号７に相当）に、さらに
副成分として５ｉ０２ｙＡ１２０３＋Ｂ２Ｏ３およびＧ
ｅＯ２の各原粉末を第５表に示す割合に添加配合し、実
施例１と同様の手法、製造条件でコンデンサ試料を作製
し、実施例１と同様に電気特性を測定した結果を第５表
に示す。

第５表から明らかなように、本発明の範囲内の試料７４
〜８３はいずれも実効誘電°率が約５００００以上であ
り、容量の温度変化率（−２５°Ｃ〜８５℃の温度範囲
）も±１０％以内にあることを確認した。

ただし試料８４〜８７は実効誘電率εが低いので、本発
明の範囲外としだ。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 Ｉ ＳｒＯ成分４８．０〜５０．５モル係、ＴｉＯ２
   成分５２．０〜４９．５モル係の範囲よりなる主成分１
   ００モル部に対して、さらに副成分としてＴａ２０５成
   分とＮｂ２Ｏ５の成分のうち少なくとも１種以上の合計
   を０．０５〜１．５モル部、およびＢｉ２Ｏ３成分を０
   ．０５〜５モル部（ただし前記主成分においてＳｒＯ成
   分が４８．０〜４９．８モル係であるとき、０．１８モ
   ル部未満の範囲を除く）含有する半導体磁器の結晶粒界
   層を、少なくともＣｕを含む粒界拡散物質で絶縁体化し
   てなることを特徴とする半導体磁器コンデンサ用磁器。 ２ ＳｒＯ成分４８．０〜５０．５モル係、ＴｉＯ２
   成分５２．０〜４９，５モル係の範囲よりなる主成分１
   ００モル部に対して、さらに副成分としてＴａ２０５成
   分とＮｂ２Ｏ，成分のうち少なくとも１種以上の合計’
   ＋ｏ、ｏ５〜１．５モル部、およびＢｉ２Ｏ３成分を０
   ．０５〜５モル部含有させ、さらに前記ＳｒＯ成分のう
   ちＳｒＯ成分成分２及またはＢａＯ成分で置換した半導
   体磁器の結晶粒界層を、少なぐともＣｕを含む粒界拡散
   物質で絶縁体化してなることを特徴とする半導体磁器コ
   ンデンサ用磁器。 ３ ＳｒＯ成分４８．０ 〜５０．５モル係、ＴｉＯ
   ２成分５２．０〜４９．５モル係の範囲よりなる主成分
   １００モル部に対して、さらに副成分としてＴａ２０５
   成分とＮｂ２Ｏ５成分のうち少なくとも１種以上の合計
   を０．０５〜１．５モル部、およびＢｉ２Ｏ３成分を０
   ．０５〜５モル部含有させ、上記ＳｒＯ成分のうちＳｒ
   Ｏ成分成分５係ル係以下だし０モル係を除く）を同量の
   ＭｇＯ成分、ＺｎＯ成分まだはＰｂＯ成分で置換した半
   導体磁器の結晶粒界層を、少なくともＣｕを含む粒界拡
   散物質で絶縁体化してなることを特徴とする半導体磁器
   コンデンサ用磁器。 ４ ＳｒＯ成分４ ８．０ 〜５ ０．５モル％、Ｔ
   ｉＯ２成分５２．０〜４９．５モル係の範囲よらなる主
   成分１００モル部に対して、さらに副成分としてＴａ２
   ０５成分とＮｂ２Ｏ５成分のうち少なくとも１種以上の
   合計を０．０５〜１．５モル部、およびＢｉ２Ｏ３成分
   を０．０５〜５モル部含有させ、上記ＴｉＯ２成分のう
   ちＴｉ０２５モル係以下（ただし０モル係を除く）を同
   量のＳｎＯ２成分またはＺ ｒ０２０２℃置換した半導
   体磁器の結晶粒界層を、少なくともＣｕを含む粒界拡散
   物質で絶縁体化してなることを特徴とする半導体磁器コ
   ンデンサ用磁器。 ５ ＳｒＯ成分４８．０〜５０．５モル係、ＴｉＯ２
   成分５２，０〜４９．５モル係の範囲よりなる主成分１
   ００モル部に対して、さらに副成分としてＴａ２ｏ５成
   分とＮｂ２Ｏ成分のうち少なくとも１種以上の合計を０
   ．０５〜１．５モル部、およびＢｉ２Ｏ３成分を０．０
   ５〜５モル部添加、混合し、その混合物を１０００〜１
   ３５０℃の範囲内の温度で仮焼成し、その仮焼成物を粉
   砕、成形し、窒素−水素混合ガス雰囲気中において１３
   ３０〜１４８０℃の範囲内の温度で焼成し、得られた半
   導体磁器素体に少なくともＣｕ酸化物を付着させてから
   、空気中において力ロ熱して、前記半導体磁器素体の結
   晶粒界層を絶縁体化することを特徴とする半導体磁器コ
   ンデンサ用磁器の製造方法。