JPS6043651B2 - 半導体磁器コンデンサ用組成物 - Google Patents
半導体磁器コンデンサ用組成物Info
- Publication number
- JPS6043651B2 JPS6043651B2 JP51141711A JP14171176A JPS6043651B2 JP S6043651 B2 JPS6043651 B2 JP S6043651B2 JP 51141711 A JP51141711 A JP 51141711A JP 14171176 A JP14171176 A JP 14171176A JP S6043651 B2 JPS6043651 B2 JP S6043651B2
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- Japan
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明はチタン酸ストロンチウム系半導体磁器を基体
とし、高誘電率で平坦な誘電率温度特性を有し、絶縁抵
抗、誘電体損失のすぐれた半導体磁器コンデンサ用組成
物に関するものである。
とし、高誘電率で平坦な誘電率温度特性を有し、絶縁抵
抗、誘電体損失のすぐれた半導体磁器コンデンサ用組成
物に関するものである。
従来より、チタン酸ストロンチウム系組成物にＹ、Ｎｂ
、Ｄｙ、Ｔａ、Ｗなどの原子価制御原素を１種または２
種以上添加するか、またはこれらの原子価制御原素と一
諸にさらにＺｎＯ、αＯ２、ＣＵＯを添加し、還元雰囲
気中で焼成して得られたチタン酸ストロンチウム系半導
体磁器に、酸化ビスマス（Ｂｉ、Ｏ０）、酸化鉛（Ｐｂ
Ｏ）などの金属酸化物を塗布し、磁器の結晶粒界に金属
酸化物を拡散させて粒界に絶縁層を形成し、磁器の表面
に電極を設けることにより、大容量のコンデンサが得ら
れることは知られている。このようなコンデンサのうち
、ＳｒＴｉＯ３を主体とし、これに添加物としてＹ２０
。
、Ｄｙ、Ｔａ、Ｗなどの原子価制御原素を１種または２
種以上添加するか、またはこれらの原子価制御原素と一
諸にさらにＺｎＯ、αＯ２、ＣＵＯを添加し、還元雰囲
気中で焼成して得られたチタン酸ストロンチウム系半導
体磁器に、酸化ビスマス（Ｂｉ、Ｏ０）、酸化鉛（Ｐｂ
Ｏ）などの金属酸化物を塗布し、磁器の結晶粒界に金属
酸化物を拡散させて粒界に絶縁層を形成し、磁器の表面
に電極を設けることにより、大容量のコンデンサが得ら
れることは知られている。このようなコンデンサのうち
、ＳｒＴｉＯ３を主体とし、これに添加物としてＹ２０
。
を０．０７５モル％、ＴｉＯ。を０．５モル％加えた組
成比からなるものを、大気中１１５０℃、２時間で仮焼
成し、次いで水素１５容量％、窒素８５容量％からなる
還元雰囲気中で１４００〜１４３０℃２時間焼成して磁
器試料を作成した。得られた試料にＢｉ。
成比からなるものを、大気中１１５０℃、２時間で仮焼
成し、次いで水素１５容量％、窒素８５容量％からなる
還元雰囲気中で１４００〜１４３０℃２時間焼成して磁
器試料を作成した。得られた試料にＢｉ。
Ｏ。とワニスを混練した金属酸化物ペーストを塗布し、
大気中９００〜１３００℃で１時間焼付けをし、さらに
電極を形成してコンデンサを作成したところ、第１図、
第２図にそれぞれ示すような見掛誘電率の温度特性、誘
電体損失の温度特性が得られた。図から明らかなように
、この種のコンデンサは磁器の結晶粒界にＢｉ。ｏ。を
拡散させるときの熱処理温度と得られるコンデンサの特
性の間に密接な関連性があり、特に見掛誘電率の温度特
性は低温度で熱処理したものの方が平坦になつている。
たとえば、熱処理温度が１３００℃のとき、−３０〜＋
８５℃の温度範囲で＋２５℃のときの静電容量を基準と
した場合、その温度特性は＋１８〜−１４．５％である
Ｉが、９００℃で熱処理すると＋ ２．４〜−１．３％
とかなり平坦になる。しカルながら、熱処理温度を低く
して見掛誘電率の温度特性を平坦にしたとしても、第２
図から明らかなように、誘電体損失が著しく劣化してい
る。このような従来のものは見掛誘電率の温度特性が平
坦であつても誘電体損失が悪く、このほか絶縁抵抗の劣
化も認められ、さらに印加電圧が高くなると特性が悪く
なつて、低い電圧でしか利用できないという欠点が見ら
れた。
大気中９００〜１３００℃で１時間焼付けをし、さらに
電極を形成してコンデンサを作成したところ、第１図、
第２図にそれぞれ示すような見掛誘電率の温度特性、誘
電体損失の温度特性が得られた。図から明らかなように
、この種のコンデンサは磁器の結晶粒界にＢｉ。ｏ。を
拡散させるときの熱処理温度と得られるコンデンサの特
性の間に密接な関連性があり、特に見掛誘電率の温度特
性は低温度で熱処理したものの方が平坦になつている。
たとえば、熱処理温度が１３００℃のとき、−３０〜＋
８５℃の温度範囲で＋２５℃のときの静電容量を基準と
した場合、その温度特性は＋１８〜−１４．５％である
Ｉが、９００℃で熱処理すると＋ ２．４〜−１．３％
とかなり平坦になる。しカルながら、熱処理温度を低く
して見掛誘電率の温度特性を平坦にしたとしても、第２
図から明らかなように、誘電体損失が著しく劣化してい
る。このような従来のものは見掛誘電率の温度特性が平
坦であつても誘電体損失が悪く、このほか絶縁抵抗の劣
化も認められ、さらに印加電圧が高くなると特性が悪く
なつて、低い電圧でしか利用できないという欠点が見ら
れた。
この発明は誘電率が大きく、見掛誘電率の温度特性が平
坦で、絶縁抵抗、誘電体損失のすぐれたコンデンサが得
られる半導体磁器コンデンサ用組成物を提供することを
目的とする。
坦で、絶縁抵抗、誘電体損失のすぐれたコンデンサが得
られる半導体磁器コンデンサ用組成物を提供することを
目的とする。
特に誘電体損失の電圧依存性の小さいコンデンサが得ら
れる半導体磁器コンデンサ用組成物を提供することを目
的とする。すなわち、この発明の要旨とするところは、
チタン酸ストロンチウムを主体とし、これにＹからなる
原子値制御元素を添加して還元雰囲気中で焼結して得ら
れたチタン酸ストロンチウム系半導体磁器の結晶粒界に
、酸化ビスマスがＢｉ２Ｏ３に換算して２０．０〜９８
．鍾量％、酸化銅がＣｕＯに換算して０．１〜１５．０
重量％、酸化鉛がＰｂ３Ｏ４に換算して７９．９重量％
以下からなる金属酸化物が拡散され、結晶粒界が絶縁体
化されていることを特徴とするものである。
れる半導体磁器コンデンサ用組成物を提供することを目
的とする。すなわち、この発明の要旨とするところは、
チタン酸ストロンチウムを主体とし、これにＹからなる
原子値制御元素を添加して還元雰囲気中で焼結して得ら
れたチタン酸ストロンチウム系半導体磁器の結晶粒界に
、酸化ビスマスがＢｉ２Ｏ３に換算して２０．０〜９８
．鍾量％、酸化銅がＣｕＯに換算して０．１〜１５．０
重量％、酸化鉛がＰｂ３Ｏ４に換算して７９．９重量％
以下からなる金属酸化物が拡散され、結晶粒界が絶縁体
化されていることを特徴とするものである。
金属酸化物の組成比を限定した理由は、酸化ビスマスが
２０．喧量％未満になると、誘電体損失が大きくなると
ともにその温度特性が悪くなる。
２０．喧量％未満になると、誘電体損失が大きくなると
ともにその温度特性が悪くなる。
また９９．踵量％を越えると、絶縁抵抗、誘電体損失が
悪くなり、熱処理温度の変化による特性への影響が大き
くなる。また、酸化銅は、誘電率、誘電体損失および抵
抗率の改善に効果があるが、０．１重量％未満では誘電
体損失の電圧依存性を改善する効果がなく、１５重量％
を越えると誘電体損失、特に高温側での誘電体損失が劣
化する。さらにまた酸化鉛を７９．踵量％以下に限定し
たのは、７９．９重量％を越えると誘電体損失、抵抗率
が共に劣化一するからである。なお、酸化銅の量は上記
したように金属酸化物の中で問題になるとともに、主体
となるチタン酸ストロンチウム系半導体磁器の重量当た
り、金属酸化物の重量に換算して０．２重量％以下であ
るこ；とが好ましく、この範囲を越えると誘電体損失が
劣化して所定の特性のものが得られにくくなる。
悪くなり、熱処理温度の変化による特性への影響が大き
くなる。また、酸化銅は、誘電率、誘電体損失および抵
抗率の改善に効果があるが、０．１重量％未満では誘電
体損失の電圧依存性を改善する効果がなく、１５重量％
を越えると誘電体損失、特に高温側での誘電体損失が劣
化する。さらにまた酸化鉛を７９．踵量％以下に限定し
たのは、７９．９重量％を越えると誘電体損失、抵抗率
が共に劣化一するからである。なお、酸化銅の量は上記
したように金属酸化物の中で問題になるとともに、主体
となるチタン酸ストロンチウム系半導体磁器の重量当た
り、金属酸化物の重量に換算して０．２重量％以下であ
るこ；とが好ましく、この範囲を越えると誘電体損失が
劣化して所定の特性のものが得られにくくなる。
また、ここでチタン酸ストロンチウム系半導体磁器とは
、ＳｒＴｉＯ３のみだけでなく、ＳｒＴｉＯ３のＳｒの
一部をＣＵ（３０原子％以下）、Ｂａ（１０原子％以Ｚ
下）で置換したものを意味する。ここで、ＳｒＴｉＯ３
のＳｒの一部をＣａ，Ｂａで置換したチタン酸ストロン
チウム系半導体磁器は昭和５０年に発行された、研究実
用化報告別冊第２８号、第２２１頁、表３５にすでに開
示されている。
、ＳｒＴｉＯ３のみだけでなく、ＳｒＴｉＯ３のＳｒの
一部をＣＵ（３０原子％以下）、Ｂａ（１０原子％以Ｚ
下）で置換したものを意味する。ここで、ＳｒＴｉＯ３
のＳｒの一部をＣａ，Ｂａで置換したチタン酸ストロン
チウム系半導体磁器は昭和５０年に発行された、研究実
用化報告別冊第２８号、第２２１頁、表３５にすでに開
示されている。
すなわち、これら置換元素を含むチタン酸ストロンチウ
ム系半導体磁器はＳｒＴｉＯ３により構成された半導体
磁器コンデンサが有する性質を損わないものであり、各
置換元素によつて個々に改善を図つたものである。この
発明において、Ｓｒの一部を３０原子％以下のＣａで置
換したものは、ＳｒＴｉＯ３にくらべて容量温度特性を
改善することができるものである。しかしながら、３０
原子％を越えると容量がノ小さくなり好ましくない。ま
たＳｒの一部を１０原子％以下の？で置換したものは、
ＳｒＴｉＯ３にくらべて容量が大きくなるとともに抗析
強度を向上させることができるが、１０原子％を越える
と誘電体損失が悪くなる。なお、このチタン酸ストロン
チウム系半導体磁器において、ＴｉＯ２を過剰に含有さ
せることはたとえば特開昭５１−１２５８９吋公報に開
示されており、この発明においても５モル未満までのＴ
ｉＯ２を過剰に加えると低温で焼結でき、粒成長が促進
され、また見掛誘電率の温度特性が改善されるなど好ま
しい結果を示す。
ム系半導体磁器はＳｒＴｉＯ３により構成された半導体
磁器コンデンサが有する性質を損わないものであり、各
置換元素によつて個々に改善を図つたものである。この
発明において、Ｓｒの一部を３０原子％以下のＣａで置
換したものは、ＳｒＴｉＯ３にくらべて容量温度特性を
改善することができるものである。しかしながら、３０
原子％を越えると容量がノ小さくなり好ましくない。ま
たＳｒの一部を１０原子％以下の？で置換したものは、
ＳｒＴｉＯ３にくらべて容量が大きくなるとともに抗析
強度を向上させることができるが、１０原子％を越える
と誘電体損失が悪くなる。なお、このチタン酸ストロン
チウム系半導体磁器において、ＴｉＯ２を過剰に含有さ
せることはたとえば特開昭５１−１２５８９吋公報に開
示されており、この発明においても５モル未満までのＴ
ｉＯ２を過剰に加えると低温で焼結でき、粒成長が促進
され、また見掛誘電率の温度特性が改善されるなど好ま
しい結果を示す。
以下この発明を実施例に従つて詳述する。
実施例１
第１表に示すような組成比率の磁器組成物が得られるよ
うに、ＳｒＴｌＯ３，ＣａＴｉＯ３，ＢａＴｉＯ３など
の主体原料、Ｙ２Ｏ３からなる原子価制御元素の各原料
を適宜配合し、湿式ポットミルで粉砕混合したのち脱水
、乾燥した。
うに、ＳｒＴｌＯ３，ＣａＴｉＯ３，ＢａＴｉＯ３など
の主体原料、Ｙ２Ｏ３からなる原子価制御元素の各原料
を適宜配合し、湿式ポットミルで粉砕混合したのち脱水
、乾燥した。
次にバインダとして酢酸ビニル樹脂を約１呼量％添加し
て、約５０メッシュに造粒、整粒し、油圧ブレスを用い
て直径１２．５薗、肉圧０．６Ｔｍの円板に成型した。
成型円板を大気中１１５０℃で２時間仮焼成し、次いで
水素１喀量％、窒素８喀量％からなる還元性雰囲気中に
おいて、１４００〜１４３０℃で２時間一次焼成を行い
、直径１０Ｔ！ｒ！ｎ１肉厚０．５顛のチタン酸ストロ
ンチウム系半導体磁器試料を得た。
て、約５０メッシュに造粒、整粒し、油圧ブレスを用い
て直径１２．５薗、肉圧０．６Ｔｍの円板に成型した。
成型円板を大気中１１５０℃で２時間仮焼成し、次いで
水素１喀量％、窒素８喀量％からなる還元性雰囲気中に
おいて、１４００〜１４３０℃で２時間一次焼成を行い
、直径１０Ｔ！ｒ！ｎ１肉厚０．５顛のチタン酸ストロ
ンチウム系半導体磁器試料を得た。
得られた試料に酸化ビスマス、酸化銅、酸化鉛からなる
金属酸化物のペーストを塗布した。
金属酸化物のペーストを塗布した。
この金属酸化物ペーストは酸化ビスマス、酸化銅、酸化
鉛とワニスを混練したものである。試料にペーストを塗
布する量は試料の重量当たり金属酸化物の重量に換算し
て１．５重量％とし、このペーストを試料の全面に一様
な厚さに塗布し、乾燥させたのち、大気中９００〜１３
００℃で約１時間焼付けを行つた。さらに、硼珪酸ビス
マス鉛をフリットとして、これを４重量％含む銀ペース
トを試料の両面に外径８順の大きさに円形に塗布し、大
気中８００゜Ｃで焼付けて電極を形成してコンデンサを
作成した。
鉛とワニスを混練したものである。試料にペーストを塗
布する量は試料の重量当たり金属酸化物の重量に換算し
て１．５重量％とし、このペーストを試料の全面に一様
な厚さに塗布し、乾燥させたのち、大気中９００〜１３
００℃で約１時間焼付けを行つた。さらに、硼珪酸ビス
マス鉛をフリットとして、これを４重量％含む銀ペース
トを試料の両面に外径８順の大きさに円形に塗布し、大
気中８００゜Ｃで焼付けて電極を形成してコンデンサを
作成した。
各コンデンサについて、２５℃、１ＫＨＺ−０．３Ｖで
見掛誘電率（εｓ）、誘電体損失（Ｔａｎδ）を測定し
、２５゜Ｃで順当たり５０Ｖの印加電圧で抵抗率を測定
し、さらに、−３０〜＋８５℃の温度範囲で＋２５℃を
基準としての見掛誘電率の温度変化率および誘電体損失
（Ｔａｎδ）の温度変化率を測定した。第２表はその測
定結果を示したものである。なお、第１表、第２表中※
印を付したものはこの発明範囲外のものであり、それ以
外はすべてこの発明範囲内のものである。第３図は試料
番号１−１，１−２，１−７について、金属酸化物を磁
器の粒界に拡散させるときの熱処理温度と見掛誘電率の
関係を示したものである。
見掛誘電率（εｓ）、誘電体損失（Ｔａｎδ）を測定し
、２５゜Ｃで順当たり５０Ｖの印加電圧で抵抗率を測定
し、さらに、−３０〜＋８５℃の温度範囲で＋２５℃を
基準としての見掛誘電率の温度変化率および誘電体損失
（Ｔａｎδ）の温度変化率を測定した。第２表はその測
定結果を示したものである。なお、第１表、第２表中※
印を付したものはこの発明範囲外のものであり、それ以
外はすべてこの発明範囲内のものである。第３図は試料
番号１−１，１−２，１−７について、金属酸化物を磁
器の粒界に拡散させるときの熱処理温度と見掛誘電率の
関係を示したものである。
第４図は同じく熱処理温度と誘電体損失の関係図、第５
図は同じく熱処理温度と抵抗率の関係図、第６図は同じ
く熱処理温度と見掛誘電率の温度変化率の関係図である
。第７図は試料番号１−１，１−２，１−７について、
２５゜Ｃにおいて１Ｋ比、０．３Ｖｒｍｓの条件で測定
した見掛誘電率、誘電体損失のバイアス電圧依存性を示
したものである。
図は同じく熱処理温度と抵抗率の関係図、第６図は同じ
く熱処理温度と見掛誘電率の温度変化率の関係図である
。第７図は試料番号１−１，１−２，１−７について、
２５゜Ｃにおいて１Ｋ比、０．３Ｖｒｍｓの条件で測定
した見掛誘電率、誘電体損失のバイアス電圧依存性を示
したものである。
次に、第８図には半導体磁器の結晶粒界に拡散する酸化
ビスマス、酸化銅および酸化鉛からなる金属酸化物につ
いて、その酸化鉛の量を変化させたときの各電気的特性
との関係を示した。
ビスマス、酸化銅および酸化鉛からなる金属酸化物につ
いて、その酸化鉛の量を変化させたときの各電気的特性
との関係を示した。
なお、半導体磁器の組成としては、ＳｒＴｉＯ３９９．
８５モル％、Ｙ２Ｏ３Ｏ．ｌ５モル％のものを用いた。
また、金属酸化物のうち酸化銅を０．４重量％に固定し
、金属酸化物ペーストの熱拡散処理温度を９５０℃とし
た。実施例２ 半導体磁器の組成についてＴｉＯ２の量を変化させたと
きの各電気的特性について測定し、その結果を第９図に
示した。
８５モル％、Ｙ２Ｏ３Ｏ．ｌ５モル％のものを用いた。
また、金属酸化物のうち酸化銅を０．４重量％に固定し
、金属酸化物ペーストの熱拡散処理温度を９５０℃とし
た。実施例２ 半導体磁器の組成についてＴｉＯ２の量を変化させたと
きの各電気的特性について測定し、その結果を第９図に
示した。
このときの半導体磁器の組成を構成する材料のうち、Ｙ
２Ｏ３＝０．１５モル％とした。また半導体磁器の結晶
粒界を絶縁体化する金属酸化物として、酸化ビスマスと
酸化銅と酸化鉛の混合割合を４踵量％：４重量％：４踵
量％のものを用い、９５０′Ｃで熱拡散させた。第１０
図は、ＳｒＴｌＯ２：９９．４２５モル％，Ｙ２Ｏ３：
０．０７５モル％，ＴｉＯ２：０．５モリル％からなる
チタン酸ストロンチウム系半導体磁器組成物に、酸化銅
を４重量％含むものと含まない金属酸化物ペーストをそ
れぞれ塗布し、これを大気中９５０℃で１時″間焼付け
をし、さらに電極を形成したコンデンサについて、酸化
鉛（Ｐｂ２Ｏ４）を変化させたときに見掛誘電率、誘電
体損失および抵抗率に与える影響を調べたものである。
２Ｏ３＝０．１５モル％とした。また半導体磁器の結晶
粒界を絶縁体化する金属酸化物として、酸化ビスマスと
酸化銅と酸化鉛の混合割合を４踵量％：４重量％：４踵
量％のものを用い、９５０′Ｃで熱拡散させた。第１０
図は、ＳｒＴｌＯ２：９９．４２５モル％，Ｙ２Ｏ３：
０．０７５モル％，ＴｉＯ２：０．５モリル％からなる
チタン酸ストロンチウム系半導体磁器組成物に、酸化銅
を４重量％含むものと含まない金属酸化物ペーストをそ
れぞれ塗布し、これを大気中９５０℃で１時″間焼付け
をし、さらに電極を形成したコンデンサについて、酸化
鉛（Ｐｂ２Ｏ４）を変化させたときに見掛誘電率、誘電
体損失および抵抗率に与える影響を調べたものである。
図中の実線は酸化銅を含むもの、破線は酸化銅を含まな
いものを示す。なお、上記した実施例において、Ｙから
なる原子価制御元素の原料としてＹ２Ｏ３を用いたが、
そのほか処理工程中て酸化物となるその他の化合物を用
いてもよい。そのほか、特性を害さない程度に不可避的
に含まれる不純物を含有するものを用・いてもよい。以
上のごとくこの発明によれば、大きな誘電率が得られ、
誘電体損失、抵抗率も良好であり、見掛誘電率、誘電体
損失の温度特性も平坦てある。
いものを示す。なお、上記した実施例において、Ｙから
なる原子価制御元素の原料としてＹ２Ｏ３を用いたが、
そのほか処理工程中て酸化物となるその他の化合物を用
いてもよい。そのほか、特性を害さない程度に不可避的
に含まれる不純物を含有するものを用・いてもよい。以
上のごとくこの発明によれば、大きな誘電率が得られ、
誘電体損失、抵抗率も良好であり、見掛誘電率、誘電体
損失の温度特性も平坦てある。
また、金属酸化物を磁器の粒界に拡散させるとき”熱処
理温度が変化しても各特性のバラツキは従来のものにく
らべて小さくなつている。さらにこの発明のものは高い
電圧を印加しても誘電体損失は小さい値を示し、低い電
圧のみならず高い電圧を印加しても十分満足できる特性
が得られ、バイアス電圧依存性が小さいものが得られる
。さらに、金属酸化物に酸化ビスマス、酸化銅、酸化鉛
を共存させるため、抵抗率、誘電体損失とも改善効果が
大きいなどすぐれた効果を有している。
理温度が変化しても各特性のバラツキは従来のものにく
らべて小さくなつている。さらにこの発明のものは高い
電圧を印加しても誘電体損失は小さい値を示し、低い電
圧のみならず高い電圧を印加しても十分満足できる特性
が得られ、バイアス電圧依存性が小さいものが得られる
。さらに、金属酸化物に酸化ビスマス、酸化銅、酸化鉛
を共存させるため、抵抗率、誘電体損失とも改善効果が
大きいなどすぐれた効果を有している。
第１図は従来例の見掛誘電率の温度特性図、第２図は従
来例の誘電体損失の温度特性図、第３図は金属酸化物の
熱処理温度と見掛誘電率の関係図、第４図は同じく熱処
理温度と誘電体損失の関係図、第５図は同じく熱処理温
度と抵抗率の関係図、第６図は同じく熱処理温度と見掛
誘電率温度変化率の関係図、第７図は見掛誘電率、誘電
体損失とバイアス電圧の関係図、第８図は酸化鉛の量を
変化させたときの各電気特性との関係を示す図、第９図
はＴｉＯ２の量を変化させたときの各電気的特性との関
係を示す図、第１０図は酸化鉛の量と見掛誘電率、誘電
体損失および抵抗率の関係図である。
来例の誘電体損失の温度特性図、第３図は金属酸化物の
熱処理温度と見掛誘電率の関係図、第４図は同じく熱処
理温度と誘電体損失の関係図、第５図は同じく熱処理温
度と抵抗率の関係図、第６図は同じく熱処理温度と見掛
誘電率温度変化率の関係図、第７図は見掛誘電率、誘電
体損失とバイアス電圧の関係図、第８図は酸化鉛の量を
変化させたときの各電気特性との関係を示す図、第９図
はＴｉＯ２の量を変化させたときの各電気的特性との関
係を示す図、第１０図は酸化鉛の量と見掛誘電率、誘電
体損失および抵抗率の関係図である。
Claims (1)
- １ チタン酸ストロンチウムを主体とし、これにＹから
なる原子価制御原素を添加して還元雰囲気中で焼結して
得られたチタン酸ストロンチウム系半導体磁器の結晶粒
界に、酸化ビスマスがＢｉ＿２Ｏ＿３に換算して２０．
０〜９９．８重量％、酸化銅がＣｕＯに換算して０．１
〜１５．０重量％、酸化鉛がＰｂ＿３Ｏ＿４に換算して
７９．９重量％以下から金属酸化物が拡散され、結晶粒
界が絶縁体化されていることを特徴とする半導体磁器コ
ンデンサ用組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP51141711A JPS6043651B2 (ja) | 1976-11-24 | 1976-11-24 | 半導体磁器コンデンサ用組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP51141711A JPS6043651B2 (ja) | 1976-11-24 | 1976-11-24 | 半導体磁器コンデンサ用組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5365999A JPS5365999A (en) | 1978-06-12 |
| JPS6043651B2 true JPS6043651B2 (ja) | 1985-09-30 |
Family
ID=15298414
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP51141711A Expired JPS6043651B2 (ja) | 1976-11-24 | 1976-11-24 | 半導体磁器コンデンサ用組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6043651B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01115741U (ja) * | 1988-01-29 | 1989-08-03 |
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| DE3484332D1 (de) * | 1983-02-10 | 1991-05-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Porzellanzusammensetzung fuer spannungsabhaengigen nichtlinearen resistor. |
| GB2182032A (en) * | 1985-10-24 | 1987-05-07 | Stc Plc | Dielectric compositions |
| DE3785506T2 (de) * | 1986-07-29 | 1993-08-12 | Tdk Corp | Halbleitende keramische zusammensetzung, sowie kondensator aus halbleitender keramik. |
-
1976
- 1976-11-24 JP JP51141711A patent/JPS6043651B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01115741U (ja) * | 1988-01-29 | 1989-08-03 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5365999A (en) | 1978-06-12 |
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