JPS6048895B2 - 粒界絶縁型半導体磁器コンデンサ - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は高誘電率で耐電圧特性にすぐれ、さらに焼成
時に於ける磁器間のくつつき（溶着）が起こりにくい粒
界絶縁型半導体磁器コンデンサに関するものである。

従来より、チタン酸ストロンチウム系半導体磁器の結晶
粒界を絶縁体化することによつて、大きな見掛誘電率を
有するとともにその温度変化率が小さく、誘電体損失も
小さいという特徴を持つた、いわゆる粒界絶縁型半導体
磁器コンデンサが得られることは知られている。

一般に、大きな見掛誘電率を得ようとするには、結晶の
粒径がほゝ゛５０〜１００μの範囲にあることが必要と
され、このような要求を満足させるためには、焼成する
段階において中性または還元・Ｖｉ雰囲気中で処理され
ることが必要であつた。

しかし、結晶の粒径が大きくなればなるほど一また還元
性雰囲気が強くなればなるほど、焼成過程において磁器
間でくつつき（溶着）が起こりやすくなり、従来はくつ
つきを防止するためジルコニア粉末を成型体間に介在さ
せるなどの手段を採つていた。しかしそれでも焼成後に
おいてくつつきの見られないものは７０％前後と焼成良
品率が悪く、磁器相互間を剥がす作業が必要なためコス
トアップの要因になつていた。この発明は上記した問題
に解決せんとしてなされたもので、高誘電率で高耐電圧
であるという特徴を有しながら、焼成時において焼成磁
器間にくつつきが起こりにくい粒界絶縁型半導体磁器コ
ンデンサを提供することを目的としたものである。すな
わち、この発明の要旨とするところは、チ；タン酸スト
ロンチウムまたはストロンチウムの一部をカルシウムま
たはバリウムで置換したチタン酸ストロンチウム、Ｙ、
Ｗ、Ｃｅの酸化物の１種、およびＭｎ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｂ
ｉの酸化物の１種からなるチタン酸ストロンチウム系半
導体成分が９９．９０〜９９．９９５重量％と、リンの
酸化物（Ｐ２Ｏ５）が、０．００５〜０．１重量％とか
らなる各成分により半導体磁器が構成され、該半導体磁
器の結晶粒界が絶縁体化されたものであつて、その表面
に電極が形成されていることを特徴とするものである。
！５ 上記した組成物のうちチタン酸ストロンチウムに
ついては、ストロンチウムの一部をカルシウムまたはバ
リウムで置換したチタン酸ストロンチウムも含まれる。

このように置換したチタン酸ストロンチウムについては
、昭和５時発行の研究実用化報告別冊第２８号、第２２
１頁、表３５にも開示さわており、その発明においては
ストロンチウムを２（モル％までのカルシウム、バリウ
ムで置換してもよい。カルシウムによる一部置換ではチ
タン酸ストロンチウムで構成された半導体磁器コンデン
サの特性を損なわずに、破壊電圧を向上させることがで
きる。またバリウムによる一部置換ではチタン酸ストロ
ンチウムで構成された半導体磁器の特性を損なわずに、
キュリー点を変化させることによつて大きな誘電率を得
ることができる。なお、２０モル％までの範囲でカルシ
ウム、バリウムによる同時置換も可能である。ここで、
置換量を２０モル％までとしたのは、２０モル％を越え
ると見掛誘電率が小さくなるからである。また、半導体
磁器にはその第１の添加成分としてＹ，Ｗ，Ｃｅの酸化
物の１種が含有される。

これらの酸化物はチタン酸ストロンチウムまたはストロ
ンチウムの一部をカルシウムまたはバリウムで置換した
チタン酸ストロンチウムに対して１重量％以下添加含有
させるこれらの酸化物は絶縁体である主体成分のチタン
酸ストロンチウムまたはカルシウムまたはバリウムで置
換したチタン酸ストロンチウムの半導体化を促進するも
のであり、もし１重量％を越えて添加含有させると比抵
抗が上がり、半導体化させるのが困難になる。さらに、
半導体磁器にはその第２の添加成分としてＭｎ，Ｃｕ，
Ｚｎ，Ｂｉの酸化物の１種が含有させる。

これらの酸化物はチタン酸ストロンチウムまたはストロ
ンチウムの一部をカルシウムまたはバリウムて置換した
チタン酸ストロンチウムに対し３て１重量％以下添加含
有させるのが適当である。これらの酸化物は半導体磁器
の異常粒成長を抑えるとともに、焼結助剤の役割を果た
し、さらには結晶粒界に絶縁層として存在する。もし１
重量％を越えて添加含有させると、粒成長が妨げられて
よ結晶の粒径が１０μ以下になり、見掛誘電率が小さく
なつてしまう。リンの酸化物（Ｐ。

Ｏ，）は焼成磁器間のくつつきを防止するために効果的
なものであり、半導体磁器コンデンサに含有される範囲
は０．００５〜０．１重量４０％の範囲にあればよく、
この範囲を外れるをリンの添加含有効果が認められなく
なる。上記した組成範囲の粒界絶縁型半導体磁器コンデ
ンサは、各原料を混合して成型したのち中性または還元
性雰囲気中で焼成し、さらに空気中で熱処理することに
よつて得られるが、その詳細については実施例で説明す
る。

以下この発明を実施例に従つて説明する。

丁実施例 第１表に示す組成比率の半導体磁器が得られるように、
まずＳｒＴｉＯ３，ＢａＴｉＯ３，ＣａＴｉＯ３，など
の主体原料、Ｙ，Ｏ３，ｗＯ，，ｃｅＯ２，ｚｎＯ，Ｂ
ｉ，Ｏ，，ＣｕＯ，ＭｎＣＯ。

，Ｓｒ，（ＰＯ。）２を用意し、こフれらの原料を配合
して湿式ボールミルで１時間粉砕したのち、バインダと
して酢酸ビニル系樹脂をｗ重量％加えて、約５０メッシ
ュに造粒し、油圧ブレスで直径１０．０７７Ｚ７７１）
肉厚０．５ｗｇｒＬの円板に成型した。成型円板の間に
ジルコニア粉末を介在させながら成型円板を積み重ねて
匣組みを行つた。

次いで大気中１１５０℃で２時間仮焼してバインダを燃
焼させ、そののち水素１喀量％、窒素９喀量％からなる
還元性雰囲気中にて１３４０〜１３７０℃で２時間焼成
し、直径８Ｔｎ！ｎ）肉厚０．４ｍｍのチタン酸ストロ
ンチウム系半導体磁器を得た。次いで空気中１１５０℃
で１時間熱処理を行つた。

この処理により半導体磁器の結晶粒界が絶縁体化される
。さらに半導体磁器の両平面に銀ペーストを塗布し、８
００℃で３紛間焼付けして電極を形成して半導体磁器コ
ンデンサを作成した。

このようにして得られた半導体磁器コンデンサについて
、見掛誘電率（Ｅ）、誘電体損失（Ｔａｎδ）、絶縁抵
抗（ＩＲ）、破壊電圧（ＢＤＶ）および焼成良品率を測
定し、その結果を第１表に合わせて示した。

なお、見掛誘電率、誘電体損失は＋２５℃、周波及１Ｋ
Ｈｚ）電圧０，３Ｖの条件で測定した値である。

絶縁抵抗は＋２５℃において試料に厚み単位一門たり直
流電圧５０Ｖを印加した３０秒後における抵ｈ値を示し
たものである。破壊電圧は＋２５℃にお、て試料に印加
した直流電圧を昇圧させたとき電Ｉｔが急増する下限値
を示したものである。焼成良ｉ 占率は軽い機械的振動
を与えて剥れるものまてをＬ品とし、カミソリの刃で剥
さないと剥れないも）を不良とし、試料数１００嘲でそ
の良品率を測定．た。第１表中※印を付したものは、こ
の発明範囲外のもので、それ以外のものはすべてこの発
明範囲内のものである。

第１表から明らかなように、チタン酸ストロンチウムま
たはストロンチウムの一部をカルシウム、バリウムで置
換したチタン酸ストロンチウム、Ｙ，Ｗ，Ｃｅの酸化物
の１種、およびＭｎ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｂｉの酸化物の１種
からなるチタン酸ストロンチウム系半導体にリンの酸化
物（Ｐ。

Ｏ。）を０．００５〜０．１重量％添加させたものは、
大きな見掛誘電率、高耐電圧特性を有するなどすぐれた
電気特性を有するとともに、磁器相互間のくつつきが少
なく、量産工程上加工処理が行いやすい特徴を有し、工
業利用上有用なものである。なお、上記した実施例では
リンとしてリン酸ストロンチウム（Ｓｒ３（ＰＯ４）２
）を用いたが、このほか五酸化リン（Ｐ。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １ チタン酸ストロンチウムまたはストロンチウムの一
   部をカルシウムまたはバリウムで置換したチタン酸スト
   ロンチウム、Ｙ、Ｗ、Ｃｅの酸化物の１種、およびＭｎ
   、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｂｉの酸化物の１種からなるチタン酸ス
   トロンチウム系半導体成分が９９．９〜９９．９９５重
   量％と、リンの酸化物（Ｐ＿２Ｏ＿５）が、０．００５
   〜０．１重量％からなる各成分により半導体磁器が構成
   され、該半導体磁器の結晶粒界が絶縁体化されたもので
   あつて、その表面に電極が形成されていることを特徴と
   する粒界絶縁型半導体磁器コンデンサ。