JPS59188103A - 電圧非直線抵抗体用磁器組成物 - Google Patents
電圧非直線抵抗体用磁器組成物Info
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- JPS59188103A JPS59188103A JP58062790A JP6279083A JPS59188103A JP S59188103 A JPS59188103 A JP S59188103A JP 58062790 A JP58062790 A JP 58062790A JP 6279083 A JP6279083 A JP 6279083A JP S59188103 A JPS59188103 A JP S59188103A
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- Japan
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- ceramic
- mol
- strontium titanate
- nonlinear resistor
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- H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
- H01C7/10—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material voltage responsive, i.e. varistors
- H01C7/105—Varistor cores
- H01C7/108—Metal oxide
- H01C7/115—Titanium dioxide- or titanate type
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/46—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates
- C04B35/462—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates
- C04B35/465—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on alkaline earth metal titanates
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は良好な電圧非直線抵抗特性を有し、抗折強度
の大きいチタン酸ストロンチウム系の電圧非直線抵抗体
用磁器組成物に関する。
の大きいチタン酸ストロンチウム系の電圧非直線抵抗体
用磁器組成物に関する。
チタン酸ストロンチウム系半導体磁器の結晶粒界を高抵
抗化することによつ′ＣＣ正圧非直線抵抗体以下、バリ
スタと称する）が得られることは知られＣいる。この種
のバリスタの応用品としこはマイクロモータ火花吸収用
のリングバリスタがある。このリングバリスタは通常樹
脂ディップなどで外装せず、そのままで装着されるため
、抗折強度の大きなものが必要とされる。特にマイクロ
モータなどに使用されるバリスタは小型であるため、抗
折強度の大きいことが重要な特性とし゛Ｃ要求される。
抗化することによつ′ＣＣ正圧非直線抵抗体以下、バリ
スタと称する）が得られることは知られＣいる。この種
のバリスタの応用品としこはマイクロモータ火花吸収用
のリングバリスタがある。このリングバリスタは通常樹
脂ディップなどで外装せず、そのままで装着されるため
、抗折強度の大きなものが必要とされる。特にマイクロ
モータなどに使用されるバリスタは小型であるため、抗
折強度の大きいことが重要な特性とし゛Ｃ要求される。
従来のチタン酸ストロンチウム系半導体磁器からなるバ
リスタは抗折強度が小さり、シたがつＣ肉厚を１１ＬＩ
前後にしなければならず、小形化が望まれるマイクロモ
ータ用のバリスタとじＣ適当なものではない。′ したがつＣ１この発明は艮好なバリスタ特性を有するバ
リスタ用磁器組成物を提供することを目的とする。
リスタは抗折強度が小さり、シたがつＣ肉厚を１１ＬＩ
前後にしなければならず、小形化が望まれるマイクロモ
ータ用のバリスタとじＣ適当なものではない。′ したがつＣ１この発明は艮好なバリスタ特性を有するバ
リスタ用磁器組成物を提供することを目的とする。
また、この発明は抗折強度の大きなバリスタ用磁器組成
物を提供することを目的とする。
物を提供することを目的とする。
すなわち、この発明の要旨とするところは、チタン酸ス
トロンチウムまたはチタン酸ストロンチウムを主体とし
その他のチタン酸塩、ジルコン酸塩、スズ酸塩を含んだ
主成分が９２０〜９９，９モル条、 Ｅｒ、 Ｏ，、ｈｌｑ２０．のうち少なくとも１種がｏ
、ｉ 〜１０１０モル条なシ、 磁器の結晶粒が半導体で、磁器の結晶粒界が高抵抗化し
たものからなるバリスタ用磁器組成物である。
トロンチウムまたはチタン酸ストロンチウムを主体とし
その他のチタン酸塩、ジルコン酸塩、スズ酸塩を含んだ
主成分が９２０〜９９，９モル条、 Ｅｒ、 Ｏ，、ｈｌｑ２０．のうち少なくとも１種がｏ
、ｉ 〜１０１０モル条なシ、 磁器の結晶粒が半導体で、磁器の結晶粒界が高抵抗化し
たものからなるバリスタ用磁器組成物である。
まン乞必要に応じ゛Ｃ上記したバリスタ用磁器組成物に
ｒｌ ｎ Ｏ２、ＣＯ＝ ０３のうち少なくとも１種を
０．０２〜０．２ モルチで含有させＣもよい。したが
つ′Ｃ１この場合には主成分の量比は９８．８１〕〜９
９８８モル係の範囲に選定される。
ｒｌ ｎ Ｏ２、ＣＯ＝ ０３のうち少なくとも１種を
０．０２〜０．２ モルチで含有させＣもよい。したが
つ′Ｃ１この場合には主成分の量比は９８．８１〕〜９
９８８モル係の範囲に選定される。
上記した磁器組成物においご、ｔ ｒ ２ Ｌ） ３
、 ＨＯ２０３のうち少なくども１種を０．１〜１．０
モル条の範囲に限定したのは、０，１モル条未満になる
と抗折強度が低下し、１．０モル条を超えるとしきい値
電圧（Ｖｔｈ）が高くなるからである。しだがつ゛Ｃ１
チタン酸ストロンチウム系の主成分の量比は９９．０〜
９９．９チの範囲に選定される。
、 ＨＯ２０３のうち少なくども１種を０．１〜１．０
モル条の範囲に限定したのは、０，１モル条未満になる
と抗折強度が低下し、１．０モル条を超えるとしきい値
電圧（Ｖｔｈ）が高くなるからである。しだがつ゛Ｃ１
チタン酸ストロンチウム系の主成分の量比は９９．０〜
９９．９チの範囲に選定される。
また副成分とし′（Ｋｒ２０３．１（０２０，のほかに
Ｍ ｎ０２、 Ｃｏ２０．を含有させＣいるが、これは
非直線係数（α）を向上させるためであり、その含有範
囲を０．０２−０．２モル条の範囲に限定したのは、０
．０２モル条未満では添加含有効果がなく、０．２モル
条を超えるとしきい値電圧（Ｖｔ、）が高くなるからで
ある。したがつ”Ｃ，Ｅｒ２０．、Ｈｏ、０３のうち少
なくとも１種、およびＩｔ（ｎ Ｏ２、ＣＱ ２０３の
うら少なくとも１＠を含有させた場合、チタン酸ストロ
ンチウム系の主成分の１比は９８．８０〜９９８８ 巳
ルチの範囲に選定される。
Ｍ ｎ０２、 Ｃｏ２０．を含有させＣいるが、これは
非直線係数（α）を向上させるためであり、その含有範
囲を０．０２−０．２モル条の範囲に限定したのは、０
．０２モル条未満では添加含有効果がなく、０．２モル
条を超えるとしきい値電圧（Ｖｔ、）が高くなるからで
ある。したがつ”Ｃ，Ｅｒ２０．、Ｈｏ、０３のうち少
なくとも１種、およびＩｔ（ｎ Ｏ２、ＣＱ ２０３の
うら少なくとも１＠を含有させた場合、チタン酸ストロ
ンチウム系の主成分の１比は９８．８０〜９９８８ 巳
ルチの範囲に選定される。
上記した。よか、この発明の夫施態様とし゛Ｃ１前記組
成物にｈｅ、ｏｓ、５＝０２．Ｂ：ａｓ ｙｘトノ鉱化
ＭＩを５モル係以下含有される。鉱化剤の含有量を５モ
ル擾以Ｆにｉ長定したのは、前記含有量を超えると４気
持性に悪影響を与えるからである。
成物にｈｅ、ｏｓ、５＝０２．Ｂ：ａｓ ｙｘトノ鉱化
ＭＩを５モル係以下含有される。鉱化剤の含有量を５モ
ル擾以Ｆにｉ長定したのは、前記含有量を超えると４気
持性に悪影響を与えるからである。
以「、この発明を実施例に従つ′〔詳細に説明する。
実施例
主成））であｙＱ ５ｒＴ１０．、ＣａＴｉ０．、Ｂ＞
ＺｒＯ。
ＺｒＯ。
と、半導体化剤で（９ｉ；） Ｅ ｒ ２ハ、Ｅ（＋〕
２Ｊ、を第１表に示１組成比の磁器が祠しれるよう１こ
各粉末を秤はし、パイノブ金爪臆チ〃ｌえ′Ｃポリポッ
トで約１０時間湿式粉砕した。脱水したのちサラン篩６
０メツシュで整粒し、外径１６．５＋Ｚ？’ｌ、内匝８
朋、閃厚１．２ＩＩＩＭのリング状に成形した。次いで
１１００ Ｃで１時間手簡焼成を行い、ひきつづき窒素
９７条水素６％の還元雰囲気中、１６８０ｃで２，４間
焼成した。焼成された磁器の大きさは外径１ｉｖＡ、内
径６．６ｍｓ、肉厚１朋であっだ。さらに、リング状の
７ａ器の片面に５間の銀電極をギャップ１．５ｕの間隔
金おい°Ｃ形成し、他層には全面に銀電極を形成し試料
を作成した。このようにしＣ得られたバリスタは磁器の
結晶粒が半導体で、磁器の結晶粒界が高抵抗化したもの
からなる。
２Ｊ、を第１表に示１組成比の磁器が祠しれるよう１こ
各粉末を秤はし、パイノブ金爪臆チ〃ｌえ′Ｃポリポッ
トで約１０時間湿式粉砕した。脱水したのちサラン篩６
０メツシュで整粒し、外径１６．５＋Ｚ？’ｌ、内匝８
朋、閃厚１．２ＩＩＩＭのリング状に成形した。次いで
１１００ Ｃで１時間手簡焼成を行い、ひきつづき窒素
９７条水素６％の還元雰囲気中、１６８０ｃで２，４間
焼成した。焼成された磁器の大きさは外径１ｉｖＡ、内
径６．６ｍｓ、肉厚１朋であっだ。さらに、リング状の
７ａ器の片面に５間の銀電極をギャップ１．５ｕの間隔
金おい°Ｃ形成し、他層には全面に銀電極を形成し試料
を作成した。このようにしＣ得られたバリスタは磁器の
結晶粒が半導体で、磁器の結晶粒界が高抵抗化したもの
からなる。
得られた試料を定准五心源に接続し、１．ｎＡ、 １
＋ＪｍＡのときの電圧値をそれぞれ測定したつそのとき
の′電圧値をそれぞユＥ Ｈ、ｈＬ （。とし′Ｃ求め
た。そし”〔しきい値電圧（ｖｔｈ）は川、。より求め
、非直線係数、ａ）は次式よ）求めた。
＋ＪｍＡのときの電圧値をそれぞれ測定したつそのとき
の′電圧値をそれぞユＥ Ｈ、ｈＬ （。とし′Ｃ求め
た。そし”〔しきい値電圧（ｖｔｈ）は川、。より求め
、非直線係数、ａ）は次式よ）求めた。
ｅ ＯＱ ”＋ｏ ／ Ｅ＋
また、抗折強度はプノンユズルグージを用い、第１図に
示すように試料１に矢印方向の静荷＠（Ｗ）を〃Ｄえ、
試料１が破壊する強度を測定した。このときの支柱２．
６間の距疏は７ツとし；’ｃ、：。
示すように試料１に矢印方向の静荷＠（Ｗ）を〃Ｄえ、
試料１が破壊する強度を測定した。このときの支柱２．
６間の距疏は７ツとし；’ｃ、：。
弾ｊ定結果についＣは第１表に合わせＣ示した。
なに１抗折強度ンζつ（八゛Ｃは試料が破壊する寸前の
値を示した。第１表中、り印と付し７ともの（よこの発
明範囲外、それ以外はすべ゛〔範囲内のものである。
値を示した。第１表中、り印と付し７ともの（よこの発
明範囲外、それ以外はすべ゛〔範囲内のものである。
比較例１゜
主成分である５ｒＴｉＯ，、半導体化剤であるｙ２ｏ、
。
。
Ｎｂ、 Ｏ，、ｇｏ、 、 Ｌａ、 ０３ などを第２
表に示す組成の磁器が得られるように秤量し、そののち
実施例１と同様に処理し′Ｃ試料を得た。
表に示す組成の磁器が得られるように秤量し、そののち
実施例１と同様に処理し′Ｃ試料を得た。
得られた試料につい゛Ｃ１実施例１と同様に、シきい値
電圧（ｖｔｈ）、非直線係数（α）、および抗折強度を
測定し、その結果も第２表に合わせＣ示した。
電圧（ｖｔｈ）、非直線係数（α）、および抗折強度を
測定し、その結果も第２表に合わせＣ示した。
第２表
第１表と第２表を比較して明らかなように、この発明の
ように半導体化剤とし゛（ｆｆｉｒ２０ａ、Ｈ２Ｏ３の
うち少なくとも１種を含有させることによつＣ１遣 ｖｔｈ、αとも従来のものと特性上損色がなく、しかも
抗折強度を５０％程度改善することができる。
ように半導体化剤とし゛（ｆｆｉｒ２０ａ、Ｈ２Ｏ３の
うち少なくとも１種を含有させることによつＣ１遣 ｖｔｈ、αとも従来のものと特性上損色がなく、しかも
抗折強度を５０％程度改善することができる。
実施例２゜
主成分である３ｒＴｉＯ３，ＣａＴｉ０．、ＢａＺｒＯ
３と、半導体化剤であるＥｒ２Ｏ３，Ｈｏ２Ｏ３と、特
性改善剤であるＭｎＯ２，Ｃｏ２０．を第５表に示す組
成比の磁器が得られるように各粉末を秤量し、そののち
実施例１と同様に処理し゛〔試料を得た。
３と、半導体化剤であるＥｒ２Ｏ３，Ｈｏ２Ｏ３と、特
性改善剤であるＭｎＯ２，Ｃｏ２０．を第５表に示す組
成比の磁器が得られるように各粉末を秤量し、そののち
実施例１と同様に処理し゛〔試料を得た。
得られた試料につい゛Ｃ１実施例１と同様に、しきい値
電圧（ｖｔｈ）、非直線係数（α）、および抗折強度を
測定し、その結果も第５表に合わせＣ示した。
電圧（ｖｔｈ）、非直線係数（α）、および抗折強度を
測定し、その結果も第５表に合わせＣ示した。
なお、第６表中、余部を付したものは発明範囲外のもの
であり、それ以外は発明範囲内のものである。
であり、それ以外は発明範囲内のものである。
第６表
比較例２゜
主成分である５ｒＴｉＯｓと、半導体化剤であるＹ２Ｏ
，。
，。
Ｎｂ２Ｏ，、ｗ６．、、 、 Ｌａ、Ｏ，などと、特性
改善剤であるＭｎＯ２，Ｃｏ２０． 全第４表に示す
組成の磁器が得られるように秤量し、そののち実施例１
と同様に処理して試料を得た。
改善剤であるＭｎＯ２，Ｃｏ２０． 全第４表に示す
組成の磁器が得られるように秤量し、そののち実施例１
と同様に処理して試料を得た。
得られた試料につい゛Ｃ１実施例１と同様に、しきい値
電圧（ｖｔｈ）、非直線係数（ａ）、および抗折強度を
測定し、その結果も第４表に合わせ−〔示したつ第４表 第６表と第４表を比較し°Ｃ明らかなように、この発明
のように半纏体化剤とし′（Ｋｒ２０． 、ＨＯ２０゜
のうち少なくとも１種および特性改善剤としてＭｎＯ２
、Ｃｏ□０３のうち少なくとも１種を含有させること部 によって、ＶｔΩ、αとも従来のものと特性上積色がな
く、しかも抗折強度を５０チ程度改善することができる
。またこの発明範囲内の特性改善剤を含まないものにく
らべ”Ｃα値を改善できるという効果を有する。
電圧（ｖｔｈ）、非直線係数（ａ）、および抗折強度を
測定し、その結果も第４表に合わせ−〔示したつ第４表 第６表と第４表を比較し°Ｃ明らかなように、この発明
のように半纏体化剤とし′（Ｋｒ２０． 、ＨＯ２０゜
のうち少なくとも１種および特性改善剤としてＭｎＯ２
、Ｃｏ□０３のうち少なくとも１種を含有させること部 によって、ＶｔΩ、αとも従来のものと特性上積色がな
く、しかも抗折強度を５０チ程度改善することができる
。またこの発明範囲内の特性改善剤を含まないものにく
らべ”Ｃα値を改善できるという効果を有する。
以上この発明によれば、従来のものにくらべ〔抗折強度
を向上させることができ、バリスタの信頼性を高めると
いう効果をもたらし、薄型化も可能となる。
を向上させることができ、バリスタの信頼性を高めると
いう効果をもたらし、薄型化も可能となる。
ｇ１図は抗折強度を測定する状態を示す概略側面図であ
る。 １はバリスタ、２．６は支柱 特許出願人 株式会社 村山製作所 第１図 ！ｌ！」清庁長官殿 （！ｌ″１′許庁審査官庁審査官 殿）］、’Ｊ
Ｔ件の表示 昭和５８年特許願 第６２７９０ 号２発明の名称 電圧非直線抵抗体用磁器組成物 ３ 補正をする者 名称 （６２３） 株式会ネ−１刊 ［１ｉ
製 ｆｌＩ 所代表者 イづ 山 昭 ４ 補正６１）令の１刊・］ ６補正の対象 手続抽市書輸発） （１ｊ舶：庁′雷台’ｌ”、 殿）１
゛１１件の表示 Ｉｆｆ（、Ｔｌｌ ５８年４’−’ｉ許願 第 ６２７
９０弓−２発明の名称 亀圧非直線抵抗体用磁今組成物 ３７由正をする老 １允 Ｑ） 明細訃の１発明の詳細な説明」の欄７、補正の
内容 （【）明細書、第７＠、第１表を次のとおり訂正する。 第１表 （２） 明細ｊ芽第９頁、第５行 「５０％」を「２０〜８０慢程度」に訂正する。 （３）明細舎弟１０頁、第６表を次のとおり訂正すム第
６表 （４）明細書、第１２頁、第６行 １−５ａ条」を「６０〜６５％」に訂正する。 ・ス上
る。 １はバリスタ、２．６は支柱 特許出願人 株式会社 村山製作所 第１図 ！ｌ！」清庁長官殿 （！ｌ″１′許庁審査官庁審査官 殿）］、’Ｊ
Ｔ件の表示 昭和５８年特許願 第６２７９０ 号２発明の名称 電圧非直線抵抗体用磁器組成物 ３ 補正をする者 名称 （６２３） 株式会ネ−１刊 ［１ｉ
製 ｆｌＩ 所代表者 イづ 山 昭 ４ 補正６１）令の１刊・］ ６補正の対象 手続抽市書輸発） （１ｊ舶：庁′雷台’ｌ”、 殿）１
゛１１件の表示 Ｉｆｆ（、Ｔｌｌ ５８年４’−’ｉ許願 第 ６２７
９０弓−２発明の名称 亀圧非直線抵抗体用磁今組成物 ３７由正をする老 １允 Ｑ） 明細訃の１発明の詳細な説明」の欄７、補正の
内容 （【）明細書、第７＠、第１表を次のとおり訂正する。 第１表 （２） 明細ｊ芽第９頁、第５行 「５０％」を「２０〜８０慢程度」に訂正する。 （３）明細舎弟１０頁、第６表を次のとおり訂正すム第
６表 （４）明細書、第１２頁、第６行 １−５ａ条」を「６０〜６５％」に訂正する。 ・ス上
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １１） チタン酸ストロンチウムまたはチタン酸スト
ロンチウムを主体としその他のチタン酸塩、ジルコン酸
塩、スズ酸塩を含んだ主成分が９９０〜９９９モルチ、 １ｉモル２０３． Ｈｏ２０．のうち少なくとも１種が
ｏ、ｉ〜１．０モル係からなり、 磁器の結晶粒が半導体で、磁器の結晶粒界が高抵抗化し
たものからなる電圧非直線抵抗体用磁器組成物。 （２）チタン酸ストロンチウムまたはチタン酸ストロン
チウムを主体としその他のチタン酸塩、ジルコン酸塩、
スズ酸塩を含んだ主成分が９８．８０〜９９８８モルチ
、 Ｅｒモル３． Ｈｏ２Ｑ、のうち少なくとも１種が０．
１〜１．０モル係 ＭｒｔＯ，、Ｃｏ２Ｏ３のうち少なくとも１種が ０．
０２〜０．２モル係からなり、 磁器の結晶粒が半導体で、磁器の結晶粒界が高抵抗化し
たものからなる電圧非直線抵抗体用磁器組成物。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58062790A JPS59188103A (ja) | 1983-04-08 | 1983-04-08 | 電圧非直線抵抗体用磁器組成物 |
| US06/597,359 US4612140A (en) | 1983-04-08 | 1984-04-06 | Non-linear electrical resistor having varistor characteristics |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58062790A JPS59188103A (ja) | 1983-04-08 | 1983-04-08 | 電圧非直線抵抗体用磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59188103A true JPS59188103A (ja) | 1984-10-25 |
| JPH0141241B2 JPH0141241B2 (ja) | 1989-09-04 |
Family
ID=13210489
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58062790A Granted JPS59188103A (ja) | 1983-04-08 | 1983-04-08 | 電圧非直線抵抗体用磁器組成物 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4612140A (ja) |
| JP (1) | JPS59188103A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108947521A (zh) * | 2018-09-20 | 2018-12-07 | 华蓥市职业教育培训中心 | 一种压敏电阻材料的制备方法 |
Families Citing this family (33)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2825736B2 (ja) * | 1993-07-30 | 1998-11-18 | 京セラ株式会社 | 誘電体磁器組成物および半導体素子収容用パッケージ |
| US6603646B2 (en) | 1997-04-08 | 2003-08-05 | X2Y Attenuators, Llc | Multi-functional energy conditioner |
| US7321485B2 (en) | 1997-04-08 | 2008-01-22 | X2Y Attenuators, Llc | Arrangement for energy conditioning |
| US7336467B2 (en) * | 2000-10-17 | 2008-02-26 | X2Y Attenuators, Llc | Energy pathway arrangement |
| US20030161086A1 (en) * | 2000-07-18 | 2003-08-28 | X2Y Attenuators, Llc | Paired multi-layered dielectric independent passive component architecture resulting in differential and common mode filtering with surge protection in one integrated package |
| US7274549B2 (en) | 2000-12-15 | 2007-09-25 | X2Y Attenuators, Llc | Energy pathway arrangements for energy conditioning |
| US7106570B2 (en) * | 1997-04-08 | 2006-09-12 | Xzy Altenuators, Llc | Pathway arrangement |
| US6894884B2 (en) * | 1997-04-08 | 2005-05-17 | Xzy Attenuators, Llc | Offset pathway arrangements for energy conditioning |
| US9054094B2 (en) | 1997-04-08 | 2015-06-09 | X2Y Attenuators, Llc | Energy conditioning circuit arrangement for integrated circuit |
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