KR910003706A - 바리스터 재료 및 그 제조방법 - Google Patents

바리스터 재료 및 그 제조방법 Download PDF

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히데오 오찌
아끼히데 이가리
마사아끼 도요다
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요시우라 이사무
소마루 가부시끼가이샤
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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01C—RESISTORS
    • H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
    • H01C7/10—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material voltage responsive, i.e. varistors
    • H01C7/105—Varistor cores
    • H01C7/108—Metal oxide
    • H01C7/112—ZnO type
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
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    • H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture

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Abstract

내용 없음.

Description

바리스터 재료 및 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (5)

  1. 93∼97몰%의 ZnO 및 3∼7몰%의 MnO로 주로 구성된 조성, 20이상의 비선형 계수, 및 15∼50%의 다공도(하기식으로 정의됨)를 제공하기 위한 벌크 밀도를 가짐을 특징으로 하는 바리스터(varistor)재료. 다공도(%)=(1-d/d0)×100 (상기 식중에서 d는 벌크 밀도이고, du는 순수한 단일상 ZnO의 이론적인 밀도를 나타냄)
  2. 제1항에 있어서, 다공도는 20∼40%임을 특징으로 하는 바리스터 재료.
  3. 제1항에 있어서, MnO의 함량이 4∼6몰%임을 특징으로 하는 바리스터 재료.
  4. 제1항에 있어서, ZnO분말 및 망간 화합물을 소결시켜 수득함을 특징으로 하는 바리스터 재료.
  5. ZnO 및 MnO의 합계량을 기준하여 3∼7몰%의 양인 망간 화합물 및 ZnO분말을 포함하는 혼합물을 제공하고, 및 수득된 소결체가 5∼50%의 다공도(하기식으로 정의됨)를 제공하기 위한 벌크 밀도를 갖는 조건하에,1100∼1350℃의 온도에서 혼합물을 소결 시킴을 특징으로 하는, 20이상의 비선형 계수를 갖는 바리스터 재료의제조방법. 다공도(%)=(1-d/d0)×100 (상기 식중에서 d는 벌크 밀도이고, du는 순수한 단일상 ZnO의 이론적인 밀도를 나타냄).
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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