JPH01242464A - 圧電性または焦電性セラミックス組成物 - Google Patents
圧電性または焦電性セラミックス組成物Info
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- JPH01242464A JPH01242464A JP63070648A JP7064888A JPH01242464A JP H01242464 A JPH01242464 A JP H01242464A JP 63070648 A JP63070648 A JP 63070648A JP 7064888 A JP7064888 A JP 7064888A JP H01242464 A JPH01242464 A JP H01242464A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の属する技術分野]
本発明は鉛を含まないか、または鉛を少ししか含まない
圧電性セラミックス組成物または焦電性セラミックス組
成物に関し、 詳しくは無鉛または低塩の、比誘電率(
ε、)が小さく、かつ話電損失、したがって損失正接(
tanδ)もある程度小さく、さらに圧電異方性が大き
な高周波用圧電性セラミックスまたは性能指数、すなわ
ち電圧感度(FV )および比検出率(Fo )の大き
な焦電性セラミックス組成物に関するものである。
圧電性セラミックス組成物または焦電性セラミックス組
成物に関し、 詳しくは無鉛または低塩の、比誘電率(
ε、)が小さく、かつ話電損失、したがって損失正接(
tanδ)もある程度小さく、さらに圧電異方性が大き
な高周波用圧電性セラミックスまたは性能指数、すなわ
ち電圧感度(FV )および比検出率(Fo )の大き
な焦電性セラミックス組成物に関するものである。
[従来の技術]
一般に、セラミックス材料は電子工業材料の分野におい
て非常に大きな割合を占めており、電子機器の高性能、
高機能化に重要な役割を果たしてきた。このようなセラ
ミックス材料のなかでも、圧電性セラミックスまたは焦
電性セラミックスは、機械的エネルギを電気的エネルギ
に変換し、またその逆に電気的エネルギを機械的エネル
ギに変換する性質、あるいは熱的エネルギを電気的エネ
ルギに変換する性質を持つなど、特殊な特性、機能をそ
なえ、温度特性や経時安定性にも優れているので、高電
圧発生装置、音響機器、超音波機器、通信機器、計測機
器、赤外線検出器などの装置並びに機器において広範囲
に利用されており、電子材料産業に欠くことのできない
重要な材料となっている。
て非常に大きな割合を占めており、電子機器の高性能、
高機能化に重要な役割を果たしてきた。このようなセラ
ミックス材料のなかでも、圧電性セラミックスまたは焦
電性セラミックスは、機械的エネルギを電気的エネルギ
に変換し、またその逆に電気的エネルギを機械的エネル
ギに変換する性質、あるいは熱的エネルギを電気的エネ
ルギに変換する性質を持つなど、特殊な特性、機能をそ
なえ、温度特性や経時安定性にも優れているので、高電
圧発生装置、音響機器、超音波機器、通信機器、計測機
器、赤外線検出器などの装置並びに機器において広範囲
に利用されており、電子材料産業に欠くことのできない
重要な材料となっている。
その具体的応用例としては、例えば櫃械的エネルギを電
気的エネルギに変換するものとして、ピックアップやマ
イクロホン用デバイスがあり、また電気的エネルギを機
械的エネルギに変換するものとして、超音波発生用振動
子やフィルタ用の電気共振子などがある。
気的エネルギに変換するものとして、ピックアップやマ
イクロホン用デバイスがあり、また電気的エネルギを機
械的エネルギに変換するものとして、超音波発生用振動
子やフィルタ用の電気共振子などがある。
従来、これらの応用分野に使用されている圧電性セラミ
ックスまたは焦電性セラミックスとしては、チタン酸バ
リウム(BaTi03) 、チタン酸鉛(PbTi03
)を主成分としたPT系セラミックス、およびチタン酸
鉛とジルコン酸鉛(1’bZrOa>を主成分とし、こ
れに各種の添加材を混合してなる(PbTiOs−Pb
ZrO,)系ノイわゆるPZT系セラミックスなど多結
晶の強誘電性セラミックスが知られており、そして今日
では、超音波探傷機や超音波遅延線、弾性表面波用デバ
イスなどにおいて、使用周波数が高周波になるにつれて
高周波領域で比誘電率(e、)や話電損失、したがって
損失正接(tan δ)が小さく、また電気機械結合係
数が(coupling factor )が大きな圧
電性セラミックスの開発が強く要望されている。
ックスまたは焦電性セラミックスとしては、チタン酸バ
リウム(BaTi03) 、チタン酸鉛(PbTi03
)を主成分としたPT系セラミックス、およびチタン酸
鉛とジルコン酸鉛(1’bZrOa>を主成分とし、こ
れに各種の添加材を混合してなる(PbTiOs−Pb
ZrO,)系ノイわゆるPZT系セラミックスなど多結
晶の強誘電性セラミックスが知られており、そして今日
では、超音波探傷機や超音波遅延線、弾性表面波用デバ
イスなどにおいて、使用周波数が高周波になるにつれて
高周波領域で比誘電率(e、)や話電損失、したがって
損失正接(tan δ)が小さく、また電気機械結合係
数が(coupling factor )が大きな圧
電性セラミックスの開発が強く要望されている。
[発明が解決しようとする問題点コ
このように基本組成が八803で代表される前記の11
aTi(IsやPbTi0+、PZTなとノイわゆるヘ
ロブスカイト族のセラミックスは、前述のように、圧電
性セラミックスまたは焦電性セラミックスとして好適と
いわれているけれども、前記BaTiO3は電気機械結
合係数が小さく、またキュリー温度が低いため、その使
用温度域は特性が安定する掻く低温域に制限されるので
、使用範囲や用途が大幅に制限される欠点がある。
aTi(IsやPbTi0+、PZTなとノイわゆるヘ
ロブスカイト族のセラミックスは、前述のように、圧電
性セラミックスまたは焦電性セラミックスとして好適と
いわれているけれども、前記BaTiO3は電気機械結
合係数が小さく、またキュリー温度が低いため、その使
用温度域は特性が安定する掻く低温域に制限されるので
、使用範囲や用途が大幅に制限される欠点がある。
また、前記のPbTiO3を主成分とした1丁系セラミ
ックスおよびこれを改良したPZT系セラミックスのよ
うな、鉛を主要基材としたペロブスカイト酸化物は他の
系と異なる優れた圧電、焦電特性を具備しているけれど
も、これらのセラミックスは、圧粉体を焼結する場合に
、1200℃のような高温で16時間はど焼成しないと
完全な単一相にならないという重大な欠点を有し、この
ような過酷な焼成処理を行うと焼成中にPbOが蒸発し
て緻密なセラミックスになり難く、また満足に焼結した
とじても組成の変動によって製品の圧電特性や焦電特性
に大きなばらつきを生じ、さらに前記PbOの蒸発が環
境汚染をひき起こして、面倒な公害対策を必要とすると
いう問題がある。
ックスおよびこれを改良したPZT系セラミックスのよ
うな、鉛を主要基材としたペロブスカイト酸化物は他の
系と異なる優れた圧電、焦電特性を具備しているけれど
も、これらのセラミックスは、圧粉体を焼結する場合に
、1200℃のような高温で16時間はど焼成しないと
完全な単一相にならないという重大な欠点を有し、この
ような過酷な焼成処理を行うと焼成中にPbOが蒸発し
て緻密なセラミックスになり難く、また満足に焼結した
とじても組成の変動によって製品の圧電特性や焦電特性
に大きなばらつきを生じ、さらに前記PbOの蒸発が環
境汚染をひき起こして、面倒な公害対策を必要とすると
いう問題がある。
上記の問題を解決するため、前記PzT系セラミックス
に種々の添加剤を添加し、低温でも焼結が進むように改
善したPZT系セラミックスが研究されている。例えば
、P b (Mg+/Jb2/s)・03−PbTi0
3−pbZrO3のような比較的良好な特性を持った圧
電用1’ZT系セラミツクスが、前記3aTiO3に代
って実用化されている。
に種々の添加剤を添加し、低温でも焼結が進むように改
善したPZT系セラミックスが研究されている。例えば
、P b (Mg+/Jb2/s)・03−PbTi0
3−pbZrO3のような比較的良好な特性を持った圧
電用1’ZT系セラミツクスが、前記3aTiO3に代
って実用化されている。
しかしながら、このようなPZT系セラミックスは、周
知のように木賃的に61が1000程度と大きいため、
高周波域で使用すると人出力インピーダンスが低下して
、周辺回路との整合がとりにくくなり、また比較的低温
の焼成処理においてもPbOの蒸発は依然として避ける
ことができないので、前記のようにPbOを回収するた
めの公害処理対策が必要となるなどの問題がある。
知のように木賃的に61が1000程度と大きいため、
高周波域で使用すると人出力インピーダンスが低下して
、周辺回路との整合がとりにくくなり、また比較的低温
の焼成処理においてもPbOの蒸発は依然として避ける
ことができないので、前記のようにPbOを回収するた
めの公害処理対策が必要となるなどの問題がある。
[研究に基づく知見事項]
本発明者等は、上述のような状況に鑑みて種々研究を重
ねた結果、 抗電界が大きいため分極処理が困難なことから、これま
では有用な圧電性または焦電性セラミックスとして利用
することが殆どかえりみられなかフた無鉛の(Bi・A
) ry2TiOs (AはNa、におよびLiのうち
いずれか単独または2以上複合したものを表わす)が、
ε1が小さく、キュリー温度が高く、かつ電気tnti
結合係数が大きいセラミックスになることが予測される
点に着目して、前記無鉛の(Bi・八) ry2Ti(
hを主要な構成成分として選定し、前記の欠点を改善す
るための改質成分として5rTi03、PbTiO3お
よびGaTiOsを選んで(Bi・Al l/2TjO
,に対し5rTi03、PbTiOsおよびCaTi0
aのうちのいずれか1種または2種以上を10〜20モ
ル%添加すると、1000〜1100℃の低温で容易に
焼結緻密化し、そしてこのようにして得られた焼結体は
数にV/mm (例えば3 KV/l11m1の電圧を
短時間(例えば10分間)印加するだけで十分分極が可
能となり、しかもこの分極した焼結体はε、が250以
下と小さく、キュリー温度が300℃程度と高く、さら
に電気機械結合係数も大きい高周波用の特殊な圧電性セ
ラミックス、または性能指数の大とい焦電性セラミック
スとして利用できること、 を見出した。
ねた結果、 抗電界が大きいため分極処理が困難なことから、これま
では有用な圧電性または焦電性セラミックスとして利用
することが殆どかえりみられなかフた無鉛の(Bi・A
) ry2TiOs (AはNa、におよびLiのうち
いずれか単独または2以上複合したものを表わす)が、
ε1が小さく、キュリー温度が高く、かつ電気tnti
結合係数が大きいセラミックスになることが予測される
点に着目して、前記無鉛の(Bi・八) ry2Ti(
hを主要な構成成分として選定し、前記の欠点を改善す
るための改質成分として5rTi03、PbTiO3お
よびGaTiOsを選んで(Bi・Al l/2TjO
,に対し5rTi03、PbTiOsおよびCaTi0
aのうちのいずれか1種または2種以上を10〜20モ
ル%添加すると、1000〜1100℃の低温で容易に
焼結緻密化し、そしてこのようにして得られた焼結体は
数にV/mm (例えば3 KV/l11m1の電圧を
短時間(例えば10分間)印加するだけで十分分極が可
能となり、しかもこの分極した焼結体はε、が250以
下と小さく、キュリー温度が300℃程度と高く、さら
に電気機械結合係数も大きい高周波用の特殊な圧電性セ
ラミックス、または性能指数の大とい焦電性セラミック
スとして利用できること、 を見出した。
[問題点を解決するための手段]
本発明は、上記知見に基づいて発明されたもので、
ε、が小さく、比較的高いキュリー温度においてtan
δも十分小さく、さらにPZT系セラミックスに匹敵す
る電気機械結合係数を有する無鉛または低鉛の高周波用
圧電性セラミックス、または性能指数の高い焦電性セラ
ミックスを提供することを目的とし、 一般式(Bi+/z・A+/2)+−x(Sra・Pb
ts(:ac)++4103で表わされる、(Bi・八
) +z2TiOs (ただし上記のAはNa、におよ
びLlのうちいずれか単独または2以上複合したものを
表わす)に5rTiOs、PbTiOs、CaTiOs
を単独あるいは2成分以上複合して含有させてなる圧電
性または焦電性セラミックス組成に(系るものである。
δも十分小さく、さらにPZT系セラミックスに匹敵す
る電気機械結合係数を有する無鉛または低鉛の高周波用
圧電性セラミックス、または性能指数の高い焦電性セラ
ミックスを提供することを目的とし、 一般式(Bi+/z・A+/2)+−x(Sra・Pb
ts(:ac)++4103で表わされる、(Bi・八
) +z2TiOs (ただし上記のAはNa、におよ
びLlのうちいずれか単独または2以上複合したものを
表わす)に5rTiOs、PbTiOs、CaTiOs
を単独あるいは2成分以上複合して含有させてなる圧電
性または焦電性セラミックス組成に(系るものである。
なお、本発明の圧電性または焦1性セラミックスは、ま
ず原料粉末として(Bi・Na) 、、、Tie、粉末
、(Bi・K)+z2Ti03粉末、(Bi−Li)
、72TiO5粉末、5rTiCh粉末、Cal’i0
.粉末、およびPbTiO3粉末を用意し、これら原料
粉末のうちから適宜選択したものを所定の配合組成に配
合し、混合し、ついで混合粉末を成形し、か焼し、つい
でか焼体を粉砕して得たか焼体粉末を再び成形してから
、温度:1080〜1100℃において2〜3時間保持
する条件下で焼成することによって得られた焼結体に数
KV/mmの電圧を10分捏上加することによって、製
造することができる。
ず原料粉末として(Bi・Na) 、、、Tie、粉末
、(Bi・K)+z2Ti03粉末、(Bi−Li)
、72TiO5粉末、5rTiCh粉末、Cal’i0
.粉末、およびPbTiO3粉末を用意し、これら原料
粉末のうちから適宜選択したものを所定の配合組成に配
合し、混合し、ついで混合粉末を成形し、か焼し、つい
でか焼体を粉砕して得たか焼体粉末を再び成形してから
、温度:1080〜1100℃において2〜3時間保持
する条件下で焼成することによって得られた焼結体に数
KV/mmの電圧を10分捏上加することによって、製
造することができる。
[実施例]
ついで、実施例を参照して本発明をさらに詳しく説明す
る。
る。
実施例1
原料粉末として、いずれも平均粒径:1μm、純度:
99.5%の(81va) l/2Ho3粉末、5rT
i03粉末、CaTi0.粉末、およびPbTi0*粉
末を用意し、これら原料粉末のうちから適宜選択したも
のを所定の割合に配合するために秤量し、配合した粉末
をボールミルを用いてアセトン中で十分混合した。
99.5%の(81va) l/2Ho3粉末、5rT
i03粉末、CaTi0.粉末、およびPbTi0*粉
末を用意し、これら原料粉末のうちから適宜選択したも
のを所定の割合に配合するために秤量し、配合した粉末
をボールミルを用いてアセトン中で十分混合した。
ついで、混合した原料粉末をホーロバットにとり出して
、加熱乾燥し、乾燥した混合粉末を金型に入れて600
にg/cm2の圧力で成形してから、800℃で1時間
か焼した後、再びボールミルを用いて成形体を平均粒径
:1μmとなるまで粉砕してか焼体粉末とした。
、加熱乾燥し、乾燥した混合粉末を金型に入れて600
にg/cm2の圧力で成形してから、800℃で1時間
か焼した後、再びボールミルを用いて成形体を平均粒径
:1μmとなるまで粉砕してか焼体粉末とした。
つぎにこのか焼体粉末を金型に充填して圧力800〜1
200Kg/ci2で円板状に成型してから、第1図に
示されるような焼成温度曲線にしたがって500℃に1
時間保持し、さらに1080〜1100℃で2時間普通
焼成して焼結体を製造した後、これらの焼結体に3にV
/mmの電圧を10分間印加して、いずれも(Bi−N
a) 、7.TiO,粉末に、相境界近傍、すなわち改
質材濃度:X=13モル%の改質材が添加されている、
すなわち(a)SrTiO8+ 6.5%(モル%、以
下同様)とPbTjOi・6.5%、(b) PbTi
O3:9.75%とCaTi0.:3.25%、(C)
PbTiO3: 6.5%とCaTiO3:6.5%
、(d) CaTiO3:13%がそれぞれ添加されて
いる本発明の圧電性または焦電性セラミックス(a)〜
(d)とした。
200Kg/ci2で円板状に成型してから、第1図に
示されるような焼成温度曲線にしたがって500℃に1
時間保持し、さらに1080〜1100℃で2時間普通
焼成して焼結体を製造した後、これらの焼結体に3にV
/mmの電圧を10分間印加して、いずれも(Bi−N
a) 、7.TiO,粉末に、相境界近傍、すなわち改
質材濃度:X=13モル%の改質材が添加されている、
すなわち(a)SrTiO8+ 6.5%(モル%、以
下同様)とPbTjOi・6.5%、(b) PbTi
O3:9.75%とCaTi0.:3.25%、(C)
PbTiO3: 6.5%とCaTiO3:6.5%
、(d) CaTiO3:13%がそれぞれ添加されて
いる本発明の圧電性または焦電性セラミックス(a)〜
(d)とした。
なお、上記の圧電性または焦電性セラミックスを特性測
定用の試料とするため、前記圧電性または焦電性セラミ
ックスを厚さ1m+nになるように切断研磨した後、そ
の薄板表面に銀電極を塗布し、セラミックス薄板に銀電
極を550℃で焼付けることによって上記測定用試料を
作製した。
定用の試料とするため、前記圧電性または焦電性セラミ
ックスを厚さ1m+nになるように切断研磨した後、そ
の薄板表面に銀電極を塗布し、セラミックス薄板に銀電
極を550℃で焼付けることによって上記測定用試料を
作製した。
ついで、上記のようにして製造した本発明の圧電性また
は焦電性セラミックス(a)〜(d)のIMl(2にお
ける話電的性質、すなわち比話電率:e、および損失正
接: tanδの温度に対する変動を第2図に示す。
は焦電性セラミックス(a)〜(d)のIMl(2にお
ける話電的性質、すなわち比話電率:e、および損失正
接: tanδの温度に対する変動を第2図に示す。
第2図に示されたグラフから、キュリー温度におけるO
1は小さく、またtanδも比較的小さく、温度特性が
平坦であるので、これらのセラミックス(a)〜(d)
は圧電性または集電性セラミックスとして適しているこ
とがわかる。
1は小さく、またtanδも比較的小さく、温度特性が
平坦であるので、これらのセラミックス(a)〜(d)
は圧電性または集電性セラミックスとして適しているこ
とがわかる。
実施例2
つぎに(1) Sr/Pbモル比を1・1に維持しなが
ら改質材の濃度:Xを10%、13%、15%および2
0%に(第3図中、Δ印で示す) 、(2)Pb/Ca
モル比を3:1に維持しながら改質材の濃度:Xを13
%、15%および20%に(同、0印で示す) 、(3
)Pb/Caモル比を1:1に維持しながら改質材の濃
度;Xを8%、10%、12%、13%、15%および
20%に(同、x印で示す) 、 (4) GaTj0
3車味の濃度:Xを1%、7%、12%、13%、14
%および20%に(同、○印で示す)、それぞれ変化さ
せた本発明の圧電性または焦電性セラミックスを実施例
1と全く同様な手順で製造し、これらのセラミックスの
室温における比誘電率を測定して、その結果を改質材の
濃度変化に対応させて、第3図にグラフで示した。
ら改質材の濃度:Xを10%、13%、15%および2
0%に(第3図中、Δ印で示す) 、(2)Pb/Ca
モル比を3:1に維持しながら改質材の濃度:Xを13
%、15%および20%に(同、0印で示す) 、(3
)Pb/Caモル比を1:1に維持しながら改質材の濃
度;Xを8%、10%、12%、13%、15%および
20%に(同、x印で示す) 、 (4) GaTj0
3車味の濃度:Xを1%、7%、12%、13%、14
%および20%に(同、○印で示す)、それぞれ変化さ
せた本発明の圧電性または焦電性セラミックスを実施例
1と全く同様な手順で製造し、これらのセラミックスの
室温における比誘電率を測定して、その結果を改質材の
濃度変化に対応させて、第3図にグラフで示した。
第3図に示されたグラフから、(1)〜(4)のいずれ
のセラミックスにおいても、ε、はX=13モル%近傍
で最大値を示し、この近傍に相境界の存在を示唆してい
ることがわかる。
のセラミックスにおいても、ε、はX=13モル%近傍
で最大値を示し、この近傍に相境界の存在を示唆してい
ることがわかる。
つぎに、改質材として5rTi03とPbTiO3を各
々モル比で1対1の割合で添加したもの(すなわち前記
(1)の場合)およびPbT10.とCaTiO3を各
々モル比で1対1の割合で添加した時(すなわち前記(
3)の場合)の改質材添加量:Xと、電気機械結合係数
にpおよびKt並びに周波数定数NpおよびNtとの関
係を第4図に示した。
々モル比で1対1の割合で添加したもの(すなわち前記
(1)の場合)およびPbT10.とCaTiO3を各
々モル比で1対1の割合で添加した時(すなわち前記(
3)の場合)の改質材添加量:Xと、電気機械結合係数
にpおよびKt並びに周波数定数NpおよびNtとの関
係を第4図に示した。
第4図にみられるように、前者のにpはX=13モル%
近傍に極大値を持つが、後者のHpはXとともに徐々に
増加した。また相境界近傍(X=lO〜14モル%)の
にtは50%であり、PZT系セラミックスと比肩でき
る大きさ(約60%)を有し、Ntも3000Hz・m
(PZT系セラミックスは2500)1z−m前後)と
太きいが、ε1は200〜300(PZT系セラミック
スは1500前後)と非常に小さい。
近傍に極大値を持つが、後者のHpはXとともに徐々に
増加した。また相境界近傍(X=lO〜14モル%)の
にtは50%であり、PZT系セラミックスと比肩でき
る大きさ(約60%)を有し、Ntも3000Hz・m
(PZT系セラミックスは2500)1z−m前後)と
太きいが、ε1は200〜300(PZT系セラミック
スは1500前後)と非常に小さい。
なお、上記の実施例1および2におけるセラミックス組
成物中の基材: (Bi・Na)+/2Ti03を(B
i・に)+y2Ti03または(Bl−Li) 、7.
7+O,に代えたセラミックス組成物について実験した
場合にも、実施例1および2に示した結果と同様な結果
が得られた。
成物中の基材: (Bi・Na)+/2Ti03を(B
i・に)+y2Ti03または(Bl−Li) 、7.
7+O,に代えたセラミックス組成物について実験した
場合にも、実施例1および2に示した結果と同様な結果
が得られた。
[発明の効果]
以上述べた説明から明らかなように、本発明によると、
ε、が小さく、比較的高いキュリー温度においてta口
δも十分小さく、さらにPZT系セラミックスに匹敵す
る電気機械結合係数を有する無鉛または低鉛の高周波用
圧電性セラミックス組成物、または性能指数の高い焦電
性セラミックス組成物が提供される。
ε、が小さく、比較的高いキュリー温度においてta口
δも十分小さく、さらにPZT系セラミックスに匹敵す
る電気機械結合係数を有する無鉛または低鉛の高周波用
圧電性セラミックス組成物、または性能指数の高い焦電
性セラミックス組成物が提供される。
第1図は、実施例において用いた焼成温度を示す焼成温
度曲線、第2図は実施例において得られた本発明セラミ
ックス組成物の8電的性質の温度特性を示すグラフ、第
3図は、室温における比誘電率二61と改質材添加量:
Xとの関係を示すグラフ、そして第4図は実施例におけ
る上記Xと、電気機械結合係数にp、 Ktおよび周波
数定数Np、Ntとの関係を示すグラフである。 出願人 三菱鉱業セメント株式会社 代理人 倉 持 裕 外2名 8I n=M [hr〕 電え次J岐籟冶発款:K〔%j 周!歓ズ@:N(Hz・m〕 、a’ # f 青く 、’ ES (fi’
;H)手糸売ネ甫正書(自発) 昭和63年7月1す日 特許庁長官 吉 1)文 股 殿 1、事件の表示 昭和63年特許願第70648号 2、発明の名称 圧電性まなは焦電性セラミックス組成物3、補正をする
者 事件との関係 特許出願人 住所 東京都千代田区丸の内−丁目5番1号名称
三菱鉱業セメント株式会社代表者 藤村正哉 4、代理人 住所 〒101 東京都千代田区神田項田町1丁目2
番地5、補正命令の日付 (自発) 6、補正の対象 一補正の内容− 1゜明細書、第1頁、下から3行目に 「低塩」とあるを、 「低鉛」 と訂正する。 2、同、第10頁、下から2行目に 「集電性」とあるを、 「焦電性」 と訂正する。 3、同、第13頁、第13行に 「室温における」とあるを、 r本発明セラミックス組成物の室温における」と訂正す
る。 以上
度曲線、第2図は実施例において得られた本発明セラミ
ックス組成物の8電的性質の温度特性を示すグラフ、第
3図は、室温における比誘電率二61と改質材添加量:
Xとの関係を示すグラフ、そして第4図は実施例におけ
る上記Xと、電気機械結合係数にp、 Ktおよび周波
数定数Np、Ntとの関係を示すグラフである。 出願人 三菱鉱業セメント株式会社 代理人 倉 持 裕 外2名 8I n=M [hr〕 電え次J岐籟冶発款:K〔%j 周!歓ズ@:N(Hz・m〕 、a’ # f 青く 、’ ES (fi’
;H)手糸売ネ甫正書(自発) 昭和63年7月1す日 特許庁長官 吉 1)文 股 殿 1、事件の表示 昭和63年特許願第70648号 2、発明の名称 圧電性まなは焦電性セラミックス組成物3、補正をする
者 事件との関係 特許出願人 住所 東京都千代田区丸の内−丁目5番1号名称
三菱鉱業セメント株式会社代表者 藤村正哉 4、代理人 住所 〒101 東京都千代田区神田項田町1丁目2
番地5、補正命令の日付 (自発) 6、補正の対象 一補正の内容− 1゜明細書、第1頁、下から3行目に 「低塩」とあるを、 「低鉛」 と訂正する。 2、同、第10頁、下から2行目に 「集電性」とあるを、 「焦電性」 と訂正する。 3、同、第13頁、第13行に 「室温における」とあるを、 r本発明セラミックス組成物の室温における」と訂正す
る。 以上
Claims (1)
- 一般式(Bi_1_/_2・A_1_/_2)_1_
−_x(Sr_a・Pb_b・Ca_c)_x・TiO
_3で表わされる、(Bi・A)_1_/_2TiO_
3(ただし上記のAはNa、KおよびLiのうちいずれ
か単独または2以上複合したものを表わす)にSrTi
O_3、PbTiO_3、CaTiO_3を単独あるい
は2成分以上複合して含有させてなる圧電性または焦電
性セラミックス組成物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63070648A JPH01242464A (ja) | 1988-03-24 | 1988-03-24 | 圧電性または焦電性セラミックス組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63070648A JPH01242464A (ja) | 1988-03-24 | 1988-03-24 | 圧電性または焦電性セラミックス組成物 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01242464A true JPH01242464A (ja) | 1989-09-27 |
Family
ID=13437680
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63070648A Pending JPH01242464A (ja) | 1988-03-24 | 1988-03-24 | 圧電性または焦電性セラミックス組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01242464A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0581481A2 (en) * | 1992-07-31 | 1994-02-02 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Bismuth lamellar compound |
JP2008239366A (ja) * | 2007-03-26 | 2008-10-09 | Taiyo Yuden Co Ltd | 誘電体セラミックス及び積層セラミックコンデンサ |
JP2009012997A (ja) * | 2007-07-03 | 2009-01-22 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 無鉛圧電磁器組成物 |
JP2015086104A (ja) * | 2013-10-31 | 2015-05-07 | ニチコン株式会社 | 半導体磁器組成物およびその製造方法 |
JP2016128372A (ja) * | 2014-12-26 | 2016-07-14 | Tdk株式会社 | 磁器組成物及びセラミック電子部品 |
-
1988
- 1988-03-24 JP JP63070648A patent/JPH01242464A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0581481A2 (en) * | 1992-07-31 | 1994-02-02 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Bismuth lamellar compound |
EP0581481A3 (en) * | 1992-07-31 | 1995-02-15 | Toyota Motor Co Ltd | Compound containing lamellar bismuth. |
JP2008239366A (ja) * | 2007-03-26 | 2008-10-09 | Taiyo Yuden Co Ltd | 誘電体セラミックス及び積層セラミックコンデンサ |
JP2009012997A (ja) * | 2007-07-03 | 2009-01-22 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 無鉛圧電磁器組成物 |
JP2015086104A (ja) * | 2013-10-31 | 2015-05-07 | ニチコン株式会社 | 半導体磁器組成物およびその製造方法 |
JP2016128372A (ja) * | 2014-12-26 | 2016-07-14 | Tdk株式会社 | 磁器組成物及びセラミック電子部品 |
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