JPS62202576A - 圧電体セラミクス及びその製法 - Google Patents

圧電体セラミクス及びその製法

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JPS62202576A
JPS62202576A JP61072657A JP7265786A JPS62202576A JP S62202576 A JPS62202576 A JP S62202576A JP 61072657 A JP61072657 A JP 61072657A JP 7265786 A JP7265786 A JP 7265786A JP S62202576 A JPS62202576 A JP S62202576A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は圧電体セラミクス及びその製法に係り、殊にチ
タン酸ビスマス・ナトリウム(BNT)系圧電体セラミ
クス及びその製法に係る。
本発明による圧電体セラミクスは超音波変換器用に用い
ることができる。
(従来の技術) 現在最も汎用されている圧電体セラミクスはジルコンチ
タン酸鉛系即ちPb Ti 03−Pb ZrO3(P
ZT)系のものである。
結合係数や温度特性の選択の余地を拡張し、これによっ
て電子は器の多様なニーズに応答するために、ニオブや
タングステンのような特殊な第3成分乃至添加物に関す
る研究がPZT系の圧電体セラミクスについて行われて
いる。
一方、本発明が関与するBNT系圧電圧電体セラミクス
しては、1963年に坂田好一部によりなされたBa 
−Ti 03−Na −1723i  −1/2TiO
3系の富バリウム区についての研究発表があり、197
3年に田中哲部によりなされたNa −1/2Bi −
1/2Ti 03 (BNT>とK ・1/2Bi  
−1/2Ti 03  (BKT) とI)−次元的圧
電データ等に関する発表があり、又その後にはBNT−
8r Ti 03とBNT−Cd TiO3系固溶体の
結晶構造に関する研究もなされて来た。
(発明が解決しようとする問題点) 従来のPZT系圧電圧電体セラミクス化鉛を主材として
製造されるものであり、鉛の蒸散による公害の発生を防
止するために密封型焼結法を用いねばならないのでコス
ト高となるのみならず、酸化鉛の蒸発を避けることがで
きないので製品の均一性が低下する。
更にPZT系圧電圧電体セラミクスがり方向の係合係数
(Kp )が厚み方向の結合係数(Kt >より大であ
るために、これにより製作した超音波探關器、厚み計、
医療用超音波プローブに用いた場合に横向きの振動干渉
を発生して広がり振動をもたらしたり、波形乃至イメー
ジが明確とならない欠陥があり、更に誘電率<E、’、
>が高いために回路への組込みが困難となる場合があっ
た。一方、ニオブやタングステン等の特殊な第3成分を
添加した改良PZT圧電体セラミクスの製造に際しても
鉛成分に基因する上述の欠陥があり、又ニオブやタング
テンが高価なためにコスト高となる点に問題がある。
一方、BNT系圧電圧電体セラミクスしては研究がなさ
れて来ているも実用的なものは開発されるに至っていな
いのが実情である。
(発明の目的) 従って、本発明の目的は、鉛成分を含有せず且つニオブ
、タングステンのような高価な金属成分をも含有せず、
これによりプロセス及びコストの両面において廉画であ
るにもかかわらず実用性に浸れた圧電体セラミクス及び
その製法を提供することにある。
(藺題点を解決し、目的を達成するための手段及び作用
) 本発明によれば、化学式χ(Na ・1/2Bi・1/
2Ti 03 )−(1−χ)(M−Ti 03)(式
中MはBa又はK ・1/2Bi −1/2を意味し、
χは0.80〜0.99グラムモルを意味する)にて示
される組成の物質を主成分とし、必要に応じ少量の特性
改善用添加物を含有している圧電体セラミクスにより上
記目的は達成される。
本発明方法によれば、上記の圧電体セラミクスはTi 
02.Bi 203及び無水Na CO3と、並びに無
水に2 CO3及びBaCO2の何れかとを主原料とし
、必要に応じこれに特性改善用添加物を配合し、これら
の配合原料に無水アルコールを添加した上で該配合原料
を粉砕混合し、乾燥し、800〜1150℃で1〜5時
間処理して反応させ、この反応生成物を再粉砕し、この
粉砕物にバインダを添加して成型し、得られたグリーン
成型体を1080〜1220℃の温度に保ち1〜4時間
空気中で焼成することにより製造することができる。
上記化学式においてMがBaである場合にはχは0.8
0〜0.99グラムモルであるのが適当であり、一方M
がK・1/2Bi  ・1/2の場合にはχが0.89
〜0.90グラムモルであるのが適当である。
特性改善用添加物はMがBaである場合にはMn 02
、Fe 203 、Cr 203及びNiOから選択さ
れた少なくとも1つであるのが適当であり、一方MがK
・1/2Bi ・1/2である場合にはMn 02、Z
r 02.Cr 203、F13203、Sb 203
 及ヒPb (802) 2−820から選択された少
なくとも1つであるのが適当であって、その含有分は何
れかの場合にも0.1〜3重1%である。
本発明方法において、配合原料の粉砕混合は例えばボー
ルミルにより実施することができ、この場合の所要時間
は6時間程度である。上記の配合原料を上記の化学式に
て示される組成物に変するために上記の如< 1080
〜1220℃で1〜4時間行なわれるが、1100〜1
200℃で2〜4時間行われるのが好ましい。
尚、成型用のバインダとしては自体慣用のもの、例えば
ポリビニルアルコールを用いることができる。
上記の本発明方法により各種組成の圧電体セラミクス試
料(研磨加工によりφ17X1mlとなされた)を作成
し、100〜150℃のシリコーンオイル中で銀を電極
とし30分間に亘り3〜4KV/■の直流電界にさらし
、次いで電界を保持しつつ80℃まで降温させた。各試
料の主な圧電性能等をIRE標準に準じて測定した結果
は下記の表1及び2に示される通りであった。
本発明によるNa・1/2Bi ・1/2TiO3−B
a −”ri 03系圧電体セラミクス及びNa−1/
2Bi  −1/2Ti 03−に−1,/2Bi・1
/2Ti 03系圧電体セラミクスにおける典型的組成
の場合の圧電、誘電及び弾性的特性を例示すれば下記の
表3及び4に示される通りであった。
これらの表から明らかなように、本発明による圧電体セ
ラミクスは、厚み方向の結合係数(Kt )が高く且つ
厚み方向の周波数定数(Nt )およびキュリ一温度(
Tc )が比較的高く、一方広がり方向の結合係数(K
l) )が低く且つ誘電率CG)及び体積密度(ρ)等
が比較的低いことを共通な特徴としている。本発明によ
る圧電体セラミクスは結合係数の異方性が高いために、
撮動子が厚み方向撮動する場合において余計な振動の減
少や除去に有利となるがPb Ti 03系及びPb 
Nb 206系の圧電体セラミクスを除〈従来の圧電体
セラミクス例えばPZT系、K・1/2Na −1/2
Nb 03系及びNa   Li   NbO3系圧電
a、tit       o、is。
体セラミクスではこのような利点をもたらし得なかった
のである。更に、本発明による圧電体セラミクス製のプ
ローブはPZT系圧電圧電体セラミクス製ローブと比較
する場合に、波型が単純であり、高次共振波を生じるこ
とがなく、初期振動波が狭く且つ分解能が高いと謂う利
点を示す。
本発明による圧電体セラミクスにおいてはKt)Kpで
あるために、広がり方向の撮動が掻めて小さい。このこ
とは本発明による圧電体セラミクスがアレイプローブと
なされる場合に広がり方向の振動による影響が著しく少
ないことを意味している。
例えば従来のPb  (Mg・1/3Nb ・2/3)
03−Pb Zr 03−Pb Ti 03圧電体セラ
ミクス製のアレイプローブによれば第5番目の撮動子に
至って98%の撮動減衰がちたらされるが、本発明によ
る圧電体セラミクス製のアレイプローブによれば第2番
目の振動子において98%の振動減衰が達成されるので
ある。
本発明による圧電体セラミクス製の超音波診断器プロー
ブ(2,5MH2、直径12mm)と従来(7)Pb 
(MTJ −1/3Nb −2/3)03−Pb Zr
O3圧電体セラミクス製の同様なプローブとを比較する
場合に、機械−電気効率、機械−音響効率及び電気−音
響効率において前者は後者よりもそれぞれ5%、6.7
%及び7%大である。更に、本発明による圧電体セラミ
クス製の超音波探傷プローブ(5MH2、直径14mm
)と、従来のPZT系圧電圧電体セラミクス製様なプロ
ーブと比較する場合に、前者は後者よりも感度が4db
以上高い。
本発明による圧電体セラミクスのGは比較的低いが、こ
のことは電気回路への組込みが容易であることを意味し
ている。尚、本発明による圧電体セラミクスの体積係数
(ρ)は従来のPZT系圧電圧電体セラミクス合と比較
して約り5%小であって、このことは本発明による圧電
体セラミクスが音響インピーダンス結合において有利で
あることを意味しており、又、KtやNtの温度係数並
びに10倍時間エージング率が比較的低いので、本発明
による圧電体セラミクスは温度安定性及びエージング特
性が良好である。
更に、本発明による圧電体セラミクスの製造に使用され
る原料はすべて主索に安全な物質であり、従って環境汚
染をもたらさず、廃物処理も容易となる。しかも、本発
明による圧電体セラミクスの製造に際しての焼成温度は
従来のPZT系圧電圧電体セラミクス製造ける焼成温度
と比較しても約100℃低く、揮発分も少なく且つアル
ミナ性ルツボで焼成する場合に、下記表5に示されるよ
うに、空気中で実施しても密封条件下で実施しても圧電
特性に及ぼす影響は殆んどない。このことは焼成を大気
中で実施できること、即ち焼成処理が容易であること並
びに性能の再現性が高いことを意味している。
艮一旦 (!製造例) 次に、製造例に関連して本発明を更に詳細に説明する。
製造例1 工業純度のTi 02及びBa CO3並びに試薬純度
の無水Na 2 CO3及び[3i203を上記組成と
なるように秤量採取する。これらの諸原料と適宜量の無
水アルコールとをボールミルに投入して6時間粉砕混合
した後に乾燥させる。この乾燥配合粉末を1000℃で
2時間処理して反応させ、得られる反応生成物を粉砕し
、φ0.9+11mの篩で篩処理した。得られた粉末と
適宜量の無水アルコールとを再びボールミルに投入して
18時間処理した後に乾燥させる。このようにして得ら
れた乾燥粉末にバインダとしてのポリビニルアルコール
を添加し練合した後に乾式法で板状に成型した。
得られたグリーン成型体をアルミナ製ルツボに入れ大気
下において1170℃で4時間焼成した。この焼成物を
研磨加工してφ17X”1mmの試料となし、145℃
のシリコーンオイルで中で銀を電極とし30分間に亘り
4KV/mmの直流電界にさらし、電界を保持しつつ1
00℃まで降温させて分極処理した。
本製造例により得られた圧電体セラミクスの主たる特性
は)(t −0,446、Kl) −0,117,8石
−447、Nt =2580(Hz −m > 、Tc
 −235℃、P −5,53(g /C1113) 
、Qm −asであった。
尚、ボールミル処理を気流粉砕処理に変えても結果は同
様であった。
製造例2 焼成条件が1170℃、3時間である以外は製造例1と
同様にして上記組成の圧電体セラミクスを得た。この圧
Ts IIセラミクスの主たる特性はKt=0.46 
、Kp −0,13、f刀=475、Nt−2600(
Hz −m > 、Tc = 235℃、ρ−5,60
(Q /Gm3) 、QM=  115であった。
製造例3 焼成条件が1110℃。4時間である以外は製造例1と
同様にして上記組成の圧電体セラミクスを得た。この圧
電体セラミクスの主たる特性はKt−0,421、Kl
) −0,202、−一 384、Nt−2610(H
z −m ) 、Tc −245℃1.o −5,69
(g /cm3 ) 、QM −180であった。
ミクス 製造例1と同様にして、但し配合原料の合成反応条件を
900℃、1時間に焼成条件を1130〜1170℃の
範囲内で変化させて4時間に、又、分極処理条件を10
5℃のシリコーンオイル中、4KV/mmの直流電界下
20分間、電界保持下80℃に降温に設定して上記組成
の圧電体セラミクスを得た。本製造例により1りられた
圧電体セラミクスの主たる特性は下記表6に示されてい
る。
表  6 製造1915 ”  ”  0.41’;    K O,0’/!;
  B i  O,5;     T  ’  0.f
frZr   ○3の圧電体セラミクス 0.00テ 製造例4と同様にして、但し焼成条件を1170℃、4
時間に、且つ分極処理条件を105℃のシリコーンオイ
ル中、4KV/mmの直流電界下30分間、電界保持下
100℃に降温に設定して上記組成の圧電体セラミクス
を得た。この圧電体セラミクスの主たる特性は)(t 
−0,474、Kl) −0,28、’X1=499、
Nt =2650(H2−m ) 、ρ= 5.91(
(1/Cm3)であった。
製造例6 焼成条件が1175℃、4時間である以外は製造例5と
同様にして上記組成の圧電体セラミクスを1qた。この
圧電体セラミクスの主たる特性は1<t=0.46 、
Kp=  0.33、f、;’、 =  670、Nt
−2620(H2−m > 、Tc−286℃、P= 
5.75  ((] /cm3 )であった。
(発明の効果) 本発明による圧電体セラミクスは厚み方向の結合係数(
Kt)、厚み方向の周波数定数(Nt )及びキュリ一
温度(Tc )が高く、一方広がり方向の結合係数(K
p)、誘電率<zp>及び体積密度(ρ)が低いと謂う
特性を有している。即ち、本発明による圧電体セラミク
スは結合係数の異方性が高いので高周波域用の圧電体例
えば超音波変換器用圧電体として用いるのに有利であり
、誘電率が低いので回路への組込みが容易であり、体積
密度が低いので音響インピーダンス結合に有利であり、
更には温度安定性やエージング特性が優れていると謂う
効果を有している。
一方、このような圧電体セラミクスを製造する本発明方
法は原料として鉛等の人体には有害な成分を必要とせず
且つ焼成等に際しても揮発分が少ないので環境汚染をも
たらさず、廃物処理も容易であり、更に焼成を大気下で
行なっても特性がほとんど低下しないので方封焼成の必
要性がないと謂う効果を有している。
特 許 出 願 人 シャンハイ インステイテユート
 オブ セラミクス ア力デミア シニカ

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)化学式 χ(Na・1/2Bi・1/2TiO_3)−(1−χ
    )(M・TiO_3) (式中MはBa又はK・1/2Bi・1/2を意味し、
    χは0.80〜0.99グラムモルを意味する)にて示
    される組成の物質を主成分とし、必要に応じ少量の特性
    改善用添加物を含有していることを特徴とする、圧電体
    セラミクス。
  2. (2)MがBaであり、χが0.89〜0.99グラム
    モルであることを特徴とする、特許請求の範囲第1項に
    記載の圧電体セラミクス。
  3. (3)MがK・1/2Bi・1/2であり、χが0.8
    5〜0.93グラムモルであることを特徴とする、特許
    請求の範囲第1項に記載の圧電体セラミクス。
  4. (4)MがBaであって、特性改善用添加物がMnO_
    2、Fe_2O_3、Cr_2O_3及びNiOから選
    択された少なくとも1つであることを特徴とする、特許
    請求の範囲第1又は2項に記載の圧電体セラミクス。
  5. (5)MがK・1/2Bi・1/2であつて、特性改善
    用添加物がMnO_2、ZrO_2、Cr_2O_3、
    Fe_2O_3、Sb_2O_3及びPb(BO_2)
    _2・_2H_2Oから選択された少なくとも1つであ
    ることを特徴とする、特許請求の範囲第1又は3項に記
    載の圧電体セラミクス。
  6. (6)特性改善用添加物の量が0.1〜3重量%である
    ことを特徴とする、特許請求の範囲第1、4又は5項に
    記載の圧電体セラミクス。
  7. (7)超音波変換器用であることを特徴とする、特許請
    求の範囲第1〜6項の何れか1つに記載の圧電体セラミ
    クス。
  8. (8)TiO_2、Bi_2O_3及び無水NaCO_
    3と、並びに無水K_2CO_3及びBaCO_3の何
    れかとを主原料とし、必要に応じこれに特性改善用添加
    物を配合し、これらの配合原料に無水アルコールを添加
    した上で該配合原料を粉砕混合し、乾燥し、800〜1
    150℃で1〜5時間処理して反応させ、反応生成物を
    再粉砕し、この粉砕物にバインダを添加して成型し、得
    られたグリーン成型体を1080〜1220℃の温度に
    保ち1〜4時間空気中で焼成することを特徴とする、圧
    電体セラミクスの製法。
JP61072657A 1985-04-01 1986-04-01 圧電体セラミクス及びその製法 Granted JPS62202576A (ja)

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