JPH09124367A - 圧電磁器組成物 - Google Patents

圧電磁器組成物

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JPH09124367A
JPH09124367A JP7283828A JP28382895A JPH09124367A JP H09124367 A JPH09124367 A JP H09124367A JP 7283828 A JP7283828 A JP 7283828A JP 28382895 A JP28382895 A JP 28382895A JP H09124367 A JPH09124367 A JP H09124367A
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JP
Japan
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piezoelectric
composition
heat resistance
piezoelectric ceramic
ceramic composition
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Application number
JP7283828A
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English (en)
Inventor
Tomonobu Eguchi
知宣 江口
Makoto Higashibetsupu
誠 東別府
Harumi Hayashi
春美 林
Katsuhiko Onizuka
克彦 鬼塚
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kyocera Corp
Original Assignee
Kyocera Corp
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Publication date
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  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
  • Inorganic Insulating Materials (AREA)
  • General Electrical Machinery Utilizing Piezoelectricity, Electrostriction Or Magnetostriction (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】耐熱性が低くリフロー半田付け前後の圧電特性
や共振周波数の変化が大きく、また、比誘電率εrが1
800程度と高く、機械的品質係数Qmが大きいという
問題があった。 【解決手段】金属元素の原子比による組成式を(Pb
1-X-y Srx y a 〔(Nbb c Crd Coe Sb
f g Tih Zr1-g-h 〕O3 (ここでMはLa,G
d,Nd,Sm,Prのうち少なくとも一種)と表わし
た時、x,y,a,b,c,d,e,f,g,hが、
0.005≦x≦0.08、0.002≦y≦0.0
5、0.95≦a≦1.05、0.47≦b≦0.5
8、0.02≦c≦0.31、0.11≦d≦0.4
2、0.01≦e≦0.12、0.01≦f≦0.1
3、0.02≦g≦0.15、0.46≦h≦0.5
2、b+c+d+e+f=1を満足するものである。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば、セラミッ
クフィルタ,セラミックレゾネータ,超音波応用振動
子,圧電ブザー,圧電点火ユニット,超音波モータ,圧
電ファン,圧電センサ,圧電アクチュエータ等に用いら
れる圧電磁器組成物に係わり、特に、アナログセルラー
フォン、デジタルセルラーフォン等の移動体通信機の第
二中間周波数フィルタに適する圧電磁器組成物に関す
る。
【0002】
【従来技術】従来から、圧電磁器組成物を利用した製品
としては、例えばセラミックフィルタ,セラミックレゾ
ネータ,超音波応用振動子,圧電ブザー,圧電点火ユニ
ット,超音波モータ,圧電ファン,圧電センサ,圧電ア
クチュエータ等がある。
【0003】ここで、セラミックフィルタ,セラミック
レゾネータ等の素子としては、PbZrO3 −PbTi
3 を主成分とした磁器組成物が利用されており、これ
にNb2 5 やMnO2 等の金属酸化物、Pb(Nb
2/3 Mg1/3 )O3 やPb(Nb2/3 Co1/3 )O3
の複合ペロブスカイト型酸化物を添加したり置換するこ
とにより圧電特性の向上が図られている。
【0004】従来、電気機械結合係数Kpが大きく圧電
性に優れた圧電磁器組成物として、Pb(Nb2/3 Co
1/3 )O3 −PbZrO3 −PbTiO3 系の組成物が
知られている。
【0005】一方、近年では、セラミックフィルタ,セ
ラミックレゾネータのような圧電部品においても、基板
等の表面に実装可能なように種々の条件に対応できるこ
とが要求されており、このような圧電部品においては、
部品を基板にリフロー半田付けする際、基板に実装され
た部品が230℃から300℃程度の高温に曝されるた
めに部品に組み込まれる圧電素子にも耐熱性が要求され
ている。
【0006】また、例えば、圧電セラミックスの拡がり
振動を利用した数キロヘルツ帯のフィルターにおいて
は、電気機械結合係数Kpが大きく、機械的品質係数Q
mが小さく、かつ補償減衰量を大きくするために、比誘
電率εrが小さく、耐熱性に優れた材料が必要になる。
特にデジタルセルラーフォンでは、隣接チャンネルの雑
音防止のために保証帯域内でのフィルターの群遅延特性
を安定化することが要求されている。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
上記したPb(Nb2/3 Co1/3 )O3 −PbZrO3
−PbTiO3 系の磁器組成物は、耐熱性が低くリフロ
ー半田付け前後の圧電特性や共振周波数の変化が大き
く、実用上問題となっていた。このため、環境変化の激
しい車両搭載用通信装置などのフィルター等に用いた場
合、素子の特性変化によって安定した送受信ができなく
なるという問題があった。
【0008】さらに、比誘電率εrが1800程度と高
いために、部分電極を形成して素子を形成する必要があ
り、また、機械的品質係数Qmが大きいために群遅延特
性が悪いという問題があった。
【0009】本発明の圧電磁器組成物は、電気機械結合
係数Kpが大きく、更に機械的品質係数Qmが小さく、
比誘電率εrが小さく、耐熱性に優れた圧電磁器組成物
を提供することを目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、La,G
d,Nd,Sm,Prのうち少なくとも一種と、Pb、
Sr、Zr、Ti、Nb、Y、Cr、Co、Sbを含む
複合ペロブスカイト型化合物であって、一定の組成を有
するものは、電気機械結合係数Kpが大きく、機械的品
質係数Qmが小さく、比誘電率εrが小さく、耐熱性に
優れた圧電磁器組成物を得ることができることを知見
し、本発明に至った。
【0011】即ち、本発明の圧電磁器組成物は、金属成
分としてLa,Gd,Nd,Sm,Prのうち少なくと
も一種と、Pb、Sr、Nb、Cr、Y、Co、Sb、
Ti、Zrを含むペロブスカイト型化合物であって、こ
れらの金属元素の原子比による組成式を(Pb1-X-y
x y a 〔(Nbb c Crd Coe Sbf g
h Zr1-g-h 〕O3 (ここでMはLa,Gd,Nd,
Sm,Prのうち少なくとも一種)と表わした時、x,
y,a,b,c,d,e,f,g,hが、0.005≦
x≦0.08、0.002≦y≦0.05、0.95≦
a≦1.05、0.47≦b≦0.58、0.02≦c
≦0.31、0.11≦d≦0.42、0.01≦e≦
0.12、0.01≦f≦0.13、0.02≦g≦
0.15、0.46≦h≦0.52、b+c+d+e+
f=1を満足するものである。
【0012】
【作用】本発明の圧電磁器組成物では、PbZrO3
PbTiO3 系の磁器組成物のZrの一部をTi,N
b,Cr、Y,Co、Sbで置換し、Pbの一部をSr
やLa,Gd,Nd,Sm,Prのうち少なくとも一種
で置換することにより、高い電気機械結合係数Kp、低
い機械的品質係数Qm、低い比誘電率εrを示すととも
に、耐熱性を向上することが可能となる。
【0013】
【発明の実施の形態】本発明の圧電磁器組成物におい
て、x,y,a,b,c,d,e,f,g,hを上記の
範囲に設定した理由について説明する。Aサイトのaを
0.95≦a≦1.05としたのは、aが0.95未満
の場合や1.05よりも大きい場合には電気機械結合係
数Kpが低下し耐熱性が低下するからである。Aサイト
のaは0.99≦a≦1.01であることが特に望まし
い。
【0014】また、Nb量のbを0.47≦b≦0.5
8としたのは、bが0.47未満では機械的品質係数Q
mが大きくなり、bが0.58よりも大きい場合には比
誘電率εrが大きくなり、また、耐熱性が低下するから
である。Nb量のbは0.49≦b≦0.54とするこ
とが望ましい。
【0015】さらに、Y量のcを0.02≦c≦0.3
1としたのは、cが0.02未満の場合には機械的品質
係数Qmが大きくなり、0.31よりも大きい場合には
耐熱性が低下するからである。Y量のcは0.09≦c
≦0.17であることが望ましい。
【0016】Cr量のdを0.11≦d≦0.42とし
たのは、dが0.11未満では耐熱性が低下し、0.4
2よりも大きいと比誘電率εrが高くなり耐熱性が劣化
するからである。Cr量のdは0.20≦d≦0.26
とすることが望ましい。
【0017】Co量のeを0.01≦e≦0.12とし
たのは、eが0.01未満では比誘電率εrが大きくな
り、0.12よりも大きいと機械的品質係数Qmが大き
くなり過ぎるからである。Co量のeは0.02≦e≦
0.09とすることが望ましい。
【0018】Sb量のfを0.01≦f≦0.13とし
たのは、fが0.01未満では機械的品質係数Qmが大
きくなり、bが0.13よりも大きい場合には耐熱性が
低下するからである。Sb量のfは0.04≦f≦0.
10が望ましい。
【0019】(Nbb c Crd Coe Sbf )のBサ
イトへの置換量gを0.02≦g≦0.15としたの
は、gが0.02未満では電気機械結合係数Kpが低下
し、また0.15よりも大きいと比誘電率εrが大きく
なり、また耐熱性が急激に劣化するからである。(Nb
b c Crd Coe Sbf )のBサイトへの置換量gは
0.05≦g≦0.07とすることが望ましい。
【0020】TiのZrへの置換量hを0.46≦h≦
0.52としたのは、hが0.46未満の場合は比誘電
率εrが大きく、耐熱性が低下し、0.52よりも大き
い場合には電気機械結合係数Kpが低くくなり過ぎるた
めである。TiのZrへの置換量hは0.48≦h≦
0.51であることが望ましい。
【0021】Srの置換量xを0.005≦x≦0.0
8としたのは、xが0.005未満の場合は電気機械結
合係数Kpが小さく、0.08よりも大きい場合には比
誘電率εrが大きくなるためである。Srの置換量xは
0.01≦x≦0.03であることが望ましい。
【0022】La,Gd,Nd,Sm,Prを表すMの
置換量yを0.002≦y≦0.05としたのは、yが
0.002未満の場合は電気機械結合係数Kpが小さく
なり、0.05よりも大きい場合には耐熱性が低下する
ためである。Mの置換量yは0.003≦y≦0.02
であることが望ましい。Mとしては、高い電気機械結合
係数Kp、低い比誘電率、高い耐熱性という点からLa
が望ましい。
【0023】本発明の圧電磁器組成物としては、金属元
素の原子比による組成式を(Pb1-X-y Srx y a
〔(Nbb c Crd Coe Sbf g Tih Zr
1-g-h 〕O3 (ここでMはLa,Gd,Nd,Sm,P
rのうち少なくとも一種)と表わした時、x,y,a,
b,c,d,e,f,g,hが0.01≦x≦0.0
3、0.003≦y≦0.02、0.99≦a≦1.0
1、0.49≦b≦0.54、0.09≦c≦0.1
7、0.20≦d≦0.26、0.02≦e≦0.0
9、0.04≦f≦0.10、0.05≦g≦0.0
7、0.48≦h≦0.51を満足することが望まし
い。
【0024】本発明の圧電磁器組成物には、不可避不純
物として、希土類金属元素,Si,Fe,Hf等が含ま
れる場合があるが、この場合にも本発明の組成範囲を満
足するものであれば良い。
【0025】そして、本発明の圧電磁器は、例えば、L
a,Gd,Nd,Sm,Prのうち少なくとも一種の酸
化物と、PbO、ZrO2 、TiO2 、Nb2 5 、C
23 、Y2 3 、Co3 4 、Sb2 3 、SrO
の各原料粉末を所定量秤量し、ボールミル等で10〜2
4時間湿式混合し、次いで、この混合物を脱水、乾燥し
た後、800〜1000℃で1〜3時間仮焼し、当該仮
焼物を再びボールミル等で粉砕する。
【0026】その後、この粉砕物に有機バインダーを混
合し、造粒後、所定圧力で成形して成形体を作製し、こ
れらを大気中において1200〜1350℃で0.5〜
4時間焼成することにより、本発明の圧電磁器組成物が
得られる。
【0027】
【実施例】原料粉末としてLa,Gd,Nd,Sm,P
rのうち少なくとも一種の酸化物と、PbO、Zr
2 、TiO2 、Nb2 5 、Cr2 3 、Y2 3
Co34 、Sb2 3 、SrOの各原料粉末を、焼結
体が表1〜表3に示すような組成となるように所定量秤
量し、ZrO2 ボールを用いたボールミルで12時間以
上湿式混合し、次いで、この混合物を脱水、乾燥した
後、950℃で3時間仮焼し、当該仮焼物を再びボール
ミルで粉砕した。
【0028】
【表1】
【0029】
【表2】
【0030】
【表3】
【0031】その後、この粉砕物に有機バインダー(P
VA)を混合し、造粒した。得られた粉末を2t/cm
2 の圧力で直径23mm、厚さ2mmの寸法からなる円
板にプレス成形した。さらに、これらの成形体をMgO
等からなる容器内に密閉し、大気中1300℃で2時間
の条件で焼成した。
【0032】得られた焼結体を研磨して厚み0.5mm
の円板を形成した。この円板の両主面にAgペーストを
600℃で焼付けることにより電極を形成し、80℃の
シリコンオイル中で3kv/mmの直流電圧を30分間
印加して分極処理した後、電気機械結合係数Kp,機械
的品質係数Qm、耐熱性を評価した。また、比誘電率ε
rをインピーダンスメータで求められた容量から計算し
て求めた。電気機械結合係数Kp、機械的品質係数Qm
はインピーダンスメータで測定した共振周波数と反共振
周波数の値から計算により求めた。耐熱性は、250℃
をピークとする半田リフロー炉を3回連続して通過させ
る試験を行った際の、試験前の共振周波数fr1 と試験
後の共振周波数fr2 の値から、 dfr=|(fr2 −fr1 )|/fr1 ×100 の式を用いて算出した変化率dfrで評価した。これら
の結果を表4〜表6に示す。
【0033】
【表4】
【0034】
【表5】
【0035】
【表6】
【0036】尚、表1〜表3における試料No.1〜81
およびNo.86〜89は組成式のMとしてLaを用い、
試料No.82はMとしてNdを用い、試料No.83はM
としてPrを用い、試料No.84はMとしてSmを用
い、試料No.85はMとしてGdを用いた。
【0037】これらの表4〜表6から、本発明の圧電磁
器組成物は電気機械結合係数Kpが40%以上と大き
く、機械的品質係数Qmが200以下と低く、比誘電率
は1500以下と低く、また、耐熱試験によるdfrの
変化が0.1%以下と小さいことが判る。
【0038】
【発明の効果】以上詳述した通り、本発明によれば、P
bZrO3 −PbTiO3 系の磁器組成物のZrの一部
をTi,Nb,Y,Cr,Co,Sbで置換し、Pbの
一部をSrやLa,Gd,Nd,Sm,Prのうち少な
くとも一種で置換することにより、高い電気機械結合係
数Kp、低い機械的品質係数Qm、低い比誘電率εrを
示すとともに、耐熱性を向上することができ、表面実装
が可能でかつ高帯域な圧電部品、特にデジタル対応の圧
電素子として有効に用いられる圧電磁器組成物を得るこ
とができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 鬼塚 克彦 鹿児島県国分市山下町1番4号 京セラ株 式会社総合研究所内

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】金属成分としてLa,Gd,Nd,Sm,
    Prのうち少なくとも一種とPb、Sr、Nb、Cr、
    Y、Co、Sb、Ti、Zrを含むペロブスカイト型化
    合物であって、これらの金属元素の原子比による組成式
    を(Pb1-X-ySrx y a 〔(Nbb c Crd
    e Sbf g Tih Zr1-g-h 〕O3(ここでMはL
    a,Gd,Nd,Sm,Prのうち少なくとも一種)と
    表わした時、x,y,a,b,c,d,e,f,g,h
    が 0.005≦x≦0.08 0.002≦y≦0.05 0.95 ≦a≦1.05 0.47 ≦b≦0.58 0.02 ≦c≦0.31 0.11 ≦d≦0.42 0.01 ≦e≦0.12 0.01 ≦f≦0.13 0.02 ≦g≦0.15 0.46 ≦h≦0.52 b+c+d+e+f=1.00 を満足することを特徴とする圧電磁器組成物。
JP7283828A 1994-12-22 1995-10-31 圧電磁器組成物 Pending JPH09124367A (ja)

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US08/577,204 US5648012A (en) 1994-12-22 1995-12-21 Piezoelectric ceramic composition
FI956170A FI956170A (fi) 1994-12-22 1995-12-21 Piezosähköinen keraaminen koostumus

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1998013316A1 (en) * 1996-09-24 1998-04-02 Murata Manufacturing Co., Ltd Piezoelectric ceramic composition and piezoelectric device made using the same
JP2012082179A (ja) * 2010-10-14 2012-04-26 Takasago Internatl Corp 光学純度低下防止方法
DE102015001579A1 (de) 2014-02-17 2015-08-20 Fanuc Corporation Robotersystem mit Vermeidung unbeabsichtigten Abwurfs geförderter Gegenstände
US9896402B2 (en) 2011-11-04 2018-02-20 Takasago International Corporation Method for preventing decrease in optical purity

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