JP2921724B2 - 強誘電性圧電磁器組成物 - Google Patents

強誘電性圧電磁器組成物

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JP2921724B2 JP5102402A JP10240293A JP2921724B2 JP 2921724 B2 JP2921724 B2 JP 2921724B2 JP 5102402 A JP5102402 A JP 5102402A JP 10240293 A JP10240293 A JP 10240293A JP 2921724 B2 JP2921724 B2 JP 2921724B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はセンサー用強誘電性圧電
磁器組成物特に、高キュリー点を有する強誘電性圧電磁
器組成物に係るものである。
【0002】
【従来の技術】あらゆる分野でエレクトロニクス化が著
しい今日、自動車にも種々のエレクトロニクス装置が用
いられている。中でも自動車の心臓部であるエンジンは
燃料供給系を初めとしてエレクトロニクス化による制御
が進んでいる。このエンジンの制御を行うためにはエン
ジンの状態を検出する必要があり、そのために各種のセ
ンサが採用されており、エンジンのシリンダ内の圧力を
検出するために圧電体を利用した気筒内圧センサが使用
されている。
【0003】この気筒内圧センサは、設置場所がエンジ
ンのシリンダ内であることから高温環境下で使用され
る。そのため、高温において使用可能なことすなわちキ
ュリー点が高いこと及び高温においても電気的特性の変
化が少ないことさらに静電容量温度特性(CTC)が小
さいことが要求される。
【0004】従来、気筒内圧センサに使用する圧電材料
として、チタン酸ジルコン酸鉛(Pb(Zr,Ti)O
3=PZT)あるいはチタン酸鉛(PbTiO3=PT)
が使用されている。しかしこれらの圧電材料は静電容量
の温度係数が大きいため、センサーとして使用する場合
には補正回路を用いて補正する必要がある。
【0005】一方、特公昭54−18395号公報ある
いは特公昭54−18394号公報に記載されているよ
うにビスマス層状強誘電体は、高キュリー点を有する圧
電材料として知られている。ビスマス層状強誘電体の中
で、主成分(Pb0.99Sr0.01)Bi2Nb29に0.1
5wt%のMnCO3を加えたものがあり、そのキュリ
ー点は590℃と高い。しかし、−40℃〜+180℃
における静電容量温度係数(CTC)が約1420ppm
/℃と大きいため、補正回路なしでセンサーとして使用
することは困難である。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】本願においては、上記
従来の圧電セラミック材料によっては解決することがで
きない高温時に使用することができかつ補正回路を必要
としない強誘電性圧電磁器組成物を提供することを発明
の課題とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】上記発明の課題を解決す
るために本願においては、「一般式PbxBi3-xTi
1-xNb1+x9で表現される強誘電性圧電磁器組成物で
あって、xが0.3≦x≦0.75の範囲にあることを特
徴とする強誘電性圧電磁器組成物」であることを構成と
する発明を提供する。
【0008】
【作用】上記構成を有する本願発明に係る圧電セラミッ
ク材料は、従来の圧電セラミック材料のキュリー点が5
90程度であるのに対し、600〜900℃程度であ
る。また、従来の圧電セラミック材料の静電容量温度係
数が1420ppm/℃であるのに対し、本願発明に係る
圧電セラミック材料の静電容量温度係数は496〜12
68ppm/℃と小さい。そして、誘電損失tanδも従
来の圧電セラミック材料が1.3%であるのに対し、本
願発明に係る圧電セラミック材料の1.0%以下であ
る。
【0009】なお、CTCは180℃における靜電容量
と−40℃における靜電容量との差を25℃でにおける
靜電容量及び180℃と−40℃との温度差220で割
ることによって求めた。 CTC(-40℃〜+180℃)={〔C180℃−C-40℃〕/
〔C25℃・(180−(−40)〕} ここで、 C180℃:180℃における靜電容量 C-40℃:−40℃における靜電容量 C25℃ :25℃における靜電容量 である。
【0010】
【実施例】本発明の実施例を説明する。図1に本発明に
係る圧電セラミック材料の製造工程図を示す。本発明に
係る圧電セラミック材料は全てPb,Bi,Ti,N
b,Crの酸化物すなわちPbO,Bi23,Ti
2,Nb25,Cr23を出発原料としており、次に
示す各工程を経て製造される。
【0011】(1)秤量・混合・乾燥 原料はすべて酸化物(PbO,Bi23,TiO2,N
2 5,Cr23)を使用し、各原料を所定の組成に
なるように秤量し、ボールミルで所定時間湿式混合し、
乾燥する。
【0012】(2)仮焼成 乾燥後、780℃から850℃の温度で2時間仮焼成す
る。
【0013】(3)粗粉砕・粉砕・乾燥 仮焼成物を粗粉砕し、ボールミルで所定時間湿式粉砕
し、乾燥する。
【0014】(4)造粒・成形 乾燥後、有機バインダを加えて造粒し,196〜392
MPaの圧力で直径16.5mm、厚さ1mmの円板に加圧成
形する。
【0015】(5)焼成 成形された円板を1030℃〜1100℃で2時間焼成
する。
【0016】(6)平面研磨・電極形成・分極 得られた焼結体を厚さ0.6mmまで平面研磨した後、A
g電極を両面に設け、250℃のオイル中で直流電界5
MV/mを15分間印加して分極する。
【0017】上記した工程で製造した圧電素子を横河ヒ
ューレットパッカード株式会社製インピーダンスアナラ
イザ型番HP4194Aにより共振周波数fr、反共振
周波数fa、静電容量Cd、誘電体損失tanδを測定
し、厚み縦方向電気機械結合係数kt、比誘電率εdを算
出した。
【0018】PbxBi3-xTi1-xNb1+x9で表され
るビスマス層状強誘電体のxの値を変化させたときの諸
特性を表1に示す。なお、表1には比較のために従来の
圧電体組成物の諸特性の例も示した。
【表1】
【0019】この表に記載されたデータに基づいて、キ
ュリー点Tcは従来例と同等以上の600℃以上、静電
容量温度係数CTCは1300ppm/℃以下、誘電体損
失tanδは1.3%以下の試料を良好と判定し、その
他の試料は不良と判定した。その結果、試料2,3,
4,5,6,7,8,9,10,11は良好と判定さ
れ、試料12,13,14は不良と判定された。ただ
し、厚みたて方向電気機械結合係数ktが3%と小さい
試料1は気筒内圧センサーとして使用することができな
いため、不良と判定した。この表から、0.3≦x≦0.
75の範囲のものが本発明の目的を達成するといえる。
【0020】次に、x=0.3,0.5,0.75とした
それぞれの試料にCr23を0.05〜1.0wt%添加
したときの特性を表3,表4,表5に示す。Cr23
添加することの目的は、キュリーTc点を低下させるこ
となく厚み縦方向電気機械結合係数Ktを大きくするこ
とである。
【0021】表2に掲げるのはx=0.3としたPb0.3
Bi2.7Ti0.7Nb1.39に+Cr23を添加した場合
の、表3に掲げるのはx=0.5としたPb0.5Bi2.5
Ti0.5Nb1.59にCr23を添加した場合の、表4
に掲げるのはx=0.75としたPb0.75Bi2.25Ti
0.25Nb1.759にCr23を添加した場合の特性であ
る。
【表2】
【0022】
【表3】
【0023】
【表4】
【0024】これらの表に示されたように、Cr23
0.5wt%を越えた試料21,22,28,29,3
5,36は焼成密度ρsが低下し、絶縁抵抗値が低くな
り分極処理を施すことができなかった。したがって、圧
電材料として使用するためには、Cr23の添加量は
0.5wt%以下でなければならない。
【0025】
【発明の効果】以上説明したことから明らかなように、
特許請求の範囲の請求項1に記載された強誘電性圧電磁
器組成物は、高いキュリー点を有しているため気筒内圧
センサのような高温環境下で使用した場合に有用であ
る。また、静電容量温度係数が小さいため使用する際に
補正回路を必要としないだけでなく、誘電損失tanδ
も小さい。また、請求項2に記載された強誘電性圧電磁
器組成物は大きな厚み縦方向電気機械結合係数Ktを有
しているため、さらに有用である。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る圧電セラミック材料の製造工程
図。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭48−77397(JP,A) 特開 昭48−77399(JP,A) 特開 昭64−87557(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) C04B 35/00 - 35/51 C04B 35/622 - 35/636

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 一般式がPbxBi3-xTi1-xNb1+x
    9で表現され、xが0.3≦x≦0.75の範囲にあるこ
    とを特徴とする強誘電性圧電磁器組成物。
  2. 【請求項2】 さらに0.5wt%以下のCr23が添加
    されたことを特徴とする請求項1記載の強誘電性圧電磁
    器組成物。
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EP1675162A3 (en) * 2004-12-27 2007-05-30 Seiko Epson Corporation Ferroelectric film, method of manufacturing ferroelectric film, ferroelectric capacitor, and ferroelectric memory

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