JPS5891602A - 電圧非直線磁器組成物 - Google Patents
電圧非直線磁器組成物Info
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- JPS5891602A JPS5891602A JP56189596A JP18959681A JPS5891602A JP S5891602 A JPS5891602 A JP S5891602A JP 56189596 A JP56189596 A JP 56189596A JP 18959681 A JP18959681 A JP 18959681A JP S5891602 A JPS5891602 A JP S5891602A
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
- H01C7/10—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material voltage responsive, i.e. varistors
- H01C7/105—Varistor cores
- H01C7/108—Metal oxide
- H01C7/115—Titanium dioxide- or titanate type
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/46—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates
- C04B35/462—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates
- C04B35/465—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on alkaline earth metal titanates
- C04B35/47—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on alkaline earth metal titanates based on strontium titanates
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明Ｉ＄ Ｓｒ （１−ｚ ） ＣａｚＴｉＯＢを主
成分とする電圧非直線抵抗体（以下バリスタと称する）
を得るための磁器組成物に関する。
成分とする電圧非直線抵抗体（以下バリスタと称する）
を得るための磁器組成物に関する。
電子機器で発生する異常電圧、ノイズ等を吸収もしくを
１除去するＫめに％撞々のバリスタが使用′され”ＣＩ
／ｍるが、４１ｍ昭５６−７１４２５号Ｋ 示ｇ ｒｔ
ているＳｒローＸ ） Ｃａｚ Ｔ ｔ ＯＨを主成分
とするノ（リスクを１、バリスタ機能のみならず、コン
デンサ釦１も有するので、グロー放電、アーク放電、異
常電圧、ノイズ等の吸収又はバイパスを良好に達成する
ことが出来る。またこのバリスタを１従米の５ｒＴｉＯ
８を主成分とするバリスタよりも温度％注が優れている
という特長を有している。しρ）し、近年サージ電圧′
及び／又は電流の印加による特性の劣化が更に少ないバ
リスタが要求されている。
１除去するＫめに％撞々のバリスタが使用′され”ＣＩ
／ｍるが、４１ｍ昭５６−７１４２５号Ｋ 示ｇ ｒｔ
ているＳｒローＸ ） Ｃａｚ Ｔ ｔ ＯＨを主成分
とするノ（リスクを１、バリスタ機能のみならず、コン
デンサ釦１も有するので、グロー放電、アーク放電、異
常電圧、ノイズ等の吸収又はバイパスを良好に達成する
ことが出来る。またこのバリスタを１従米の５ｒＴｉＯ
８を主成分とするバリスタよりも温度％注が優れている
という特長を有している。しρ）し、近年サージ電圧′
及び／又は電流の印加による特性の劣化が更に少ないバ
リスタが要求されている。
そこで、本発明の目的は、サージの印加によって、バリ
スタ電圧、非直線係数、バリスタ電圧の温度特性の劣化
の少ない電圧非直線磁器組成物を提供することにある。
スタ電圧、非直線係数、バリスタ電圧の温度特性の劣化
の少ない電圧非直線磁器組成物を提供することにある。
上記目的を達成するための本願の第１番目の発１ｊ１１
は、磁器の主成分であるＳｒ （１−ｚ ） Ｃａｚｉ
’ｉ０１ （但しＸは０．０１〜０．５の範囲の値）１
００モル部と、（半導体化に寄与する成分であるＮｂ、
０．、 Ｔａ、０゜、ｗｏ、、Ｌａ１０ｇ、Ｃｅ０１、
Ｎｄ１Ｏ１ｂ ｙ、ｏ、、Ｓｍ、０１、）’ｒ、０．．
、及びＤＹｍＯｎの内の１種又會１複数種の金ｊｉｌｉ
ａＮ化物０．０１〜３．００モル部と、サージ劣化防止
成分であるＮａ、ＯＯ，０２〜２．５０モル部と、を含
む電圧非直線磁器組成物に係わるものである。
は、磁器の主成分であるＳｒ （１−ｚ ） Ｃａｚｉ
’ｉ０１ （但しＸは０．０１〜０．５の範囲の値）１
００モル部と、（半導体化に寄与する成分であるＮｂ、
０．、 Ｔａ、０゜、ｗｏ、、Ｌａ１０ｇ、Ｃｅ０１、
Ｎｄ１Ｏ１ｂ ｙ、ｏ、、Ｓｍ、０１、）’ｒ、０．．
、及びＤＹｍＯｎの内の１種又會１複数種の金ｊｉｌｉ
ａＮ化物０．０１〜３．００モル部と、サージ劣化防止
成分であるＮａ、ＯＯ，０２〜２．５０モル部と、を含
む電圧非直線磁器組成物に係わるものである。
上記本発明によってＮａ１０ｇを０．０２〜２．５０モ
ル部の範囲で加えると、サージの印加によるバリスタ電
圧、非直線係数、及びバリスタ電圧の温度特性の質化な
大＠に減少させることが可能になる。
ル部の範囲で加えると、サージの印加によるバリスタ電
圧、非直線係数、及びバリスタ電圧の温度特性の質化な
大＠に減少させることが可能になる。
本願の＄１２番目の発明は、＃！】番目の組成物に更に
、非直線係数の改善に寄与する成分としてＡｇ、０、Ｃ
ｕＯ２、Ｍｎ０１ 、及び別（）、の内の】檀又ｔ’！
［数種の金Ｉｓ酸化物を０．０１〜３．０Ｏモル部の
範囲で加えた組成物忙係わるものである。これにより、
＼ 大きな非直線係数を有し、且つサージ劣化が防止された
バリスタを提供することが可能になる。
、非直線係数の改善に寄与する成分としてＡｇ、０、Ｃ
ｕＯ２、Ｍｎ０１ 、及び別（）、の内の】檀又ｔ’！
［数種の金Ｉｓ酸化物を０．０１〜３．０Ｏモル部の
範囲で加えた組成物忙係わるものである。これにより、
＼ 大きな非直線係数を有し、且つサージ劣化が防止された
バリスタを提供することが可能になる。
以下、本発明に係わる実施例について述べる。
実施例 ］
純度ｅ ９．０４以上のＳｒ ＣＯＢ、Ｌ’ａＣＯ１及
び’ｌ”ｉｏ、を、Ｓｒ、、、、 Ｃａ６．。１１’ｉ
０３、Ｓｒ６．８゜Ｃｍ、、＠。Ｔｉ０ｇ、Ｓｒ ｏ、
ｓ。
び’ｌ”ｉｏ、を、Ｓｒ、、、、 Ｃａ６．。１１’ｉ
０３、Ｓｒ６．８゜Ｃｍ、、＠。Ｔｉ０ｇ、Ｓｒ ｏ、
ｓ。
ＣｕＳ、４＠ ＴｉＯ３、Ｓｒ、、、、 Ｃａ、、、、
Ｔｉ０１．５ｒ１１．４１ ＣｕＳ、１１１Ｔｉ０１
になるよ５にそれぞれ秤量配合し、ボールｉルで１０時
間楕押し、これを乾燥し、次に粉砕した。しかる後、上
記粉砕したものを１２００℃で２時間焼成し、再び粉砕
して５ｒｒｒ、＠＠ Ｃａｏ、＠ｔ ”０Ｒ１ｓｒ１１
．ｌｌ＠ ＣｕＳ、１＠ ”°１０１ｓ ５ｒ
（１，ｓｌｌ ＣｕＳ４＊ ｉ’１０ｓｓ ｓ
ｒＯ，ｌ＠Ｃ１ｌ ＠、＠ ＠ Ｔｉｅｓ ｓ ｂｒ
６．６ｇ Ｃ１ｋ ６．４ｇ ’Ｉ’ｌＯｓの粉末（以
下これ等を＃！１成分と呼ぶ）を作成した。
Ｔｉ０１．５ｒ１１．４１ ＣｕＳ、１１１Ｔｉ０１
になるよ５にそれぞれ秤量配合し、ボールｉルで１０時
間楕押し、これを乾燥し、次に粉砕した。しかる後、上
記粉砕したものを１２００℃で２時間焼成し、再び粉砕
して５ｒｒｒ、＠＠ Ｃａｏ、＠ｔ ”０Ｒ１ｓｒ１１
．ｌｌ＠ ＣｕＳ、１＠ ”°１０１ｓ ５ｒ
（１，ｓｌｌ ＣｕＳ４＊ ｉ’１０ｓｓ ｓ
ｒＯ，ｌ＠Ｃ１ｌ ＠、＠ ＠ Ｔｉｅｓ ｓ ｂｒ
６．６ｇ Ｃ１ｋ ６．４ｇ ’Ｉ’ｌＯｓの粉末（以
下これ等を＃！１成分と呼ぶ）を作成した。
次に％１ｐ、１成分１００モル部に対し、純度９９．０
畳のＮｂ１Ｏ，、１”ａｌＯ，、ＷＯＩ、 Ｌａｍｂ、
、 ＣａＯ２、Ｎｄ、０．、Ｐｒ、Ｏｎ、ＫｔＯｍ、Ｙ
、０１及びＳｍ１０１から選択された１１１Ｉ以上の金
属酸化物菟以Ｔ−第２成分と呼ぶ】の粉末と、純度９７
．０鳴のへａ、０とへａＦ’とから選択された】種以上
のｈａ化合物（以下第３成分と呼ぶ］の＠床とを纂１表
（８）〜第７表置に示す比率となるように秤量した。
畳のＮｂ１Ｏ，、１”ａｌＯ，、ＷＯＩ、 Ｌａｍｂ、
、 ＣａＯ２、Ｎｄ、０．、Ｐｒ、Ｏｎ、ＫｔＯｍ、Ｙ
、０１及びＳｍ１０１から選択された１１１Ｉ以上の金
属酸化物菟以Ｔ−第２成分と呼ぶ】の粉末と、純度９７
．０鳴のへａ、０とへａＦ’とから選択された】種以上
のｈａ化合物（以下第３成分と呼ぶ］の＠床とを纂１表
（８）〜第７表置に示す比率となるように秤量した。
次に％原料粉末を乳鉢に投入して２０時間撓拌（乾式）
な行なった。次いで、Ｍ１表（ん〜第７表（ＡｌＫ示す
バリスタ原料に対し］Ｏ〜１５］［１１＠のポリビニー
ルアルコールを有機結合剤として混入して造粒し、成型
圧約１５００’ ｋｇ／ｃｍで円板に成形した。
な行なった。次いで、Ｍ１表（ん〜第７表（ＡｌＫ示す
バリスタ原料に対し］Ｏ〜１５］［１１＠のポリビニー
ルアルコールを有機結合剤として混入して造粒し、成型
圧約１５００’ ｋｇ／ｃｍで円板に成形した。
これらの円板をＮ、（９５優）＋Ｈ，（５鳴］の還元雰
囲気で約１３５０℃、４時間の焼成を行い、直径１０ｍ
ｍ５犀８０−８ ｍｍの半導体ａ器を得た。
囲気で約１３５０℃、４時間の焼成を行い、直径１０ｍ
ｍ５犀８０−８ ｍｍの半導体ａ器を得た。
次に空気中１ｇ化性雰囲気中）において、１０００〜】
２００℃の温度範囲で３時間の熱処理（再酸化処理］を
行った。この結果、ＮａＨＯｌＮａＦがＮａ１Ｏに夫々
変換した外は、出発原料と同じ組成の磁器が得られに、
従って、＃！】表（Ａｌ〜ｇ７表囚にお装置、焼成後の
第］成分と＃！２成分の記載を１省略され、Ｎａ化合物
に対応して焼成後に得られるＮａＨＯのみが記載されて
いる。
２００℃の温度範囲で３時間の熱処理（再酸化処理］を
行った。この結果、ＮａＨＯｌＮａＦがＮａ１Ｏに夫々
変換した外は、出発原料と同じ組成の磁器が得られに、
従って、＃！】表（Ａｌ〜ｇ７表囚にお装置、焼成後の
第］成分と＃！２成分の記載を１省略され、Ｎａ化合物
に対応して焼成後に得られるＮａＨＯのみが記載されて
いる。
次に、上記磁器の特性を調べるために＃！】翻に示す如
く磁器１１＋の両主面に銀ペーストを塗布し、８００℃
で焼付けることによって銀電極＋２１１３１を形成し、
バリスタ（４１を完成させた。
く磁器１１＋の両主面に銀ペーストを塗布し、８００℃
で焼付けることによって銀電極＋２１１３１を形成し、
バリスタ（４１を完成させた。
次にバリスタの特性評価を行うために、バリスタ電圧Ｖ
１％非直線係数α、Ｖｌの温度変化率ΔＶ１、（靜電容
蓋Ｃ，サージ電圧ば」加によるＶｌ及びαの変化率ΔＶ
１ｐ及びΔαｐ、及びサージ電圧印加後に怠けるｖｌの
温度変化率ΔＶＩＴをａ足したところ、Ｊｌ！］表（Ｂ
ｌ〜第７表（８に示す結果が得られた。な８＃！１表〜
＃！７表を１紙面の都合上回と（Ｂｌとに分離され、そ
の（Ａ）表に組成が示され、その（８表に（Ｎ表の試料
の特性が示されている。
１％非直線係数α、Ｖｌの温度変化率ΔＶ１、（靜電容
蓋Ｃ，サージ電圧ば」加によるＶｌ及びαの変化率ΔＶ
１ｐ及びΔαｐ、及びサージ電圧印加後に怠けるｖｌの
温度変化率ΔＶＩＴをａ足したところ、Ｊｌ！］表（Ｂ
ｌ〜第７表（８に示す結果が得られた。な８＃！１表〜
＃！７表を１紙面の都合上回と（Ｂｌとに分離され、そ
の（Ａ）表に組成が示され、その（８表に（Ｎ表の試料
の特性が示されている。
各測定方法を更に詳しく説明すると、バリスタ電圧Ｖ１
は［２図に示す回路を使用して測定した。
は［２図に示す回路を使用して測定した。
即ち、直流定電Ｒ＃ １６１ ＶＣバリスタ（４１を接
続し、また直流定電Ｒｇｌ（６）とバリスタ（４）との
間に電流計１８１を接続し、バリスタ（４１に並列に電
圧針（９１を接続し、バリスタ（４）だけを２０℃の温
度に保たれた愉温槽■に入れてバリスタ１４１に３ｍＡ
の電流１１を流し、その時の電圧を測定してバリスタ電
圧（Ｖｌ）とした。
続し、また直流定電Ｒｇｌ（６）とバリスタ（４）との
間に電流計１８１を接続し、バリスタ（４１に並列に電
圧針（９１を接続し、バリスタ（４）だけを２０℃の温
度に保たれた愉温槽■に入れてバリスタ１４１に３ｍＡ
の電流１１を流し、その時の電圧を測定してバリスタ電
圧（Ｖｌ）とした。
まｙ：非直線係数αを２第２図の装置を使用し、バリス
タ電圧Ｖ１の他にバリスタ１４１ Ｋ ｌ ＯｍＡの電
流（１１−を流した時の印加電圧Ｖ１゜を測定し、次式
によって決足した。
タ電圧Ｖ１の他にバリスタ１４１ Ｋ ｌ ＯｍＡの電
流（１１−を流した時の印加電圧Ｖ１゜を測定し、次式
によって決足した。
また温度変化率Δｖ１１、ＷＩ２図の装置に２いて恒温
槽（２）を−４０℃〜＋１２５℃の範囲で変化させ、％
温度Ｔ ｌでＪに２いてノ（リスク１４１ Ｋ １ ｍ
Ａを流した時のバリスタ電圧ＶＩＴを測定し、２０℃の
ｖＩＶｃ対しどの程度変化したかを次式で求めることに
よって決足した。なお、谷表Ｋｔ″５ＩＩｉＪ記温度範
囲の中のΔｖ１の最大値のみを示した。
槽（２）を−４０℃〜＋１２５℃の範囲で変化させ、％
温度Ｔ ｌでＪに２いてノ（リスク１４１ Ｋ １ ｍ
Ａを流した時のバリスタ電圧ＶＩＴを測定し、２０℃の
ｖＩＶｃ対しどの程度変化したかを次式で求めることに
よって決足した。なお、谷表Ｋｔ″５ＩＩｉＪ記温度範
囲の中のΔｖ１の最大値のみを示した。
次に、過電圧の鋭い）（ルス即ちサージ電圧−１１Ｘ印
加された時に、バリスタ（４）の谷％注がどのように変
化でるかを模擬的に調べるｙ： ？ Ｋ、第３図に示１
ようえ、２ＫＶの直流定電圧＃ＱＯ１に並列に電圧計１
１１１ｔ′接続し、電６１１ＱＩｌに５Ωの抵抗詣と単
極双投スイッチ０の接点（１３ａ）とを介して２．５μ
Ｆのコンデンサ１４１ ｔ’ 接ａし、かつスイッチａ
謙ノ接Ａｔｘａｂ）ＶＣ／＜リスク（４１を接続し、５
秒間隔でコンデンサａ４の充電エネルギをバリスタ１４
１に印〃口てることを５回繰返し、その後のバリスタｖ
ｌＰ及び非直線係数αＰを第２図の回路で測定し、次式
で／＜ リスク電圧の変化率ΔＶｔＰ （４）及びαの
変化率Δαｐ（１）を求めに１ＶＭＰ−Ｖ。
加された時に、バリスタ（４）の谷％注がどのように変
化でるかを模擬的に調べるｙ： ？ Ｋ、第３図に示１
ようえ、２ＫＶの直流定電圧＃ＱＯ１に並列に電圧計１
１１１ｔ′接続し、電６１１ＱＩｌに５Ωの抵抗詣と単
極双投スイッチ０の接点（１３ａ）とを介して２．５μ
Ｆのコンデンサ１４１ ｔ’ 接ａし、かつスイッチａ
謙ノ接Ａｔｘａｂ）ＶＣ／＜リスク（４１を接続し、５
秒間隔でコンデンサａ４の充電エネルギをバリスタ１４
１に印〃口てることを５回繰返し、その後のバリスタｖ
ｌＰ及び非直線係数αＰを第２図の回路で測定し、次式
で／＜ リスク電圧の変化率ΔＶｔＰ （４）及びαの
変化率Δαｐ（１）を求めに１ＶＭＰ−Ｖ。
ΔｖＩＰ諺□Ｘ１００ （蛎Ｊ
鳩
αＰ−α
ΔαＦ＝７Ｘ］０Ｏｔｌ
ｔた第３図の回路でサージ電圧及び電流を印加した後の
バリスタ（４１０）（リスク電圧の温度変ｆヒ率をΔ■
１テを第２図の装置で前記Δ■１と同様に求めた。また
谷試料の静電容量Ｃ（ｎＦＪｔ）、ＩＫＨｚテ測定した
。また、比較する７ＣＪＴ′）に従来の”（１−ｘＪＣ
ａｘＴｉ０１糸バリスタの中でも各特性の優れた試料即
ちｓｒＬ＃ＯＣａｏ−＋＠ ｉ’ｉｏ、 ３６ ｇ −
％ ／Ｉ／部Ｋ ｑ Ｌ Ｎｂ、０゜を０．５０モル部
とＨｉ、０．３−００モル部から成る半導体蜘器バリス
タの特性を上述した各測定法に基づイテ測定しＴＳｆｉ
Ａ来、Ｖ１ｔ２２８−５ （ＶＪ、αｔ２２７．３、Δ
Ｖ１ｔ２ ’０−０３ （％／ ’Ｃ）、Ｃは１４０
（ｎＦ）、Δｖ、ｐ４２−２９．４１、Δａｐ ｔ’；
ｔ −３６−３４，ΔＶＩＴｋ２−０−２５（＊／ｌ’
）であつｙ：＝ 上記第１表〜館７表から明らかなように第１成分（Ｓｒ
（１−Ｘ ） Ｃａｚ Ｔｉ０１０．０１≦Ｘ≦０．
５０）３００モル部と、半導体化に寄与する第２成分０
・０１〜３．００モル部と、＃！３成分（ＮａｔＯ）
０−０２〜２−５０モル部とを含むバリスタとてれは、
サージ印７１０によるバリスタ電圧ｖ１の変化率Δｖ、
Ｐの絶対値が１畳以下となり、従来のＳｒ （１−ｚ
） Ｃａｚ ＴｉＯ３バリスタのΔＶＭｐ （２９−４
醤］に比軟して大輪に小さくなる。
バリスタ（４１０）（リスク電圧の温度変ｆヒ率をΔ■
１テを第２図の装置で前記Δ■１と同様に求めた。また
谷試料の静電容量Ｃ（ｎＦＪｔ）、ＩＫＨｚテ測定した
。また、比較する７ＣＪＴ′）に従来の”（１−ｘＪＣ
ａｘＴｉ０１糸バリスタの中でも各特性の優れた試料即
ちｓｒＬ＃ＯＣａｏ−＋＠ ｉ’ｉｏ、 ３６ ｇ −
％ ／Ｉ／部Ｋ ｑ Ｌ Ｎｂ、０゜を０．５０モル部
とＨｉ、０．３−００モル部から成る半導体蜘器バリス
タの特性を上述した各測定法に基づイテ測定しＴＳｆｉ
Ａ来、Ｖ１ｔ２２８−５ （ＶＪ、αｔ２２７．３、Δ
Ｖ１ｔ２ ’０−０３ （％／ ’Ｃ）、Ｃは１４０
（ｎＦ）、Δｖ、ｐ４２−２９．４１、Δａｐ ｔ’；
ｔ −３６−３４，ΔＶＩＴｋ２−０−２５（＊／ｌ’
）であつｙ：＝ 上記第１表〜館７表から明らかなように第１成分（Ｓｒ
（１−Ｘ ） Ｃａｚ Ｔｉ０１０．０１≦Ｘ≦０．
５０）３００モル部と、半導体化に寄与する第２成分０
・０１〜３．００モル部と、＃！３成分（ＮａｔＯ）
０−０２〜２−５０モル部とを含むバリスタとてれは、
サージ印７１０によるバリスタ電圧ｖ１の変化率Δｖ、
Ｐの絶対値が１畳以下となり、従来のＳｒ （１−ｚ
） Ｃａｚ ＴｉＯ３バリスタのΔＶＭｐ （２９−４
醤］に比軟して大輪に小さくなる。
また、サージ電圧印加による非直線件数αの変化率Δα
Ｐの絶対値が１４以下になる。従来のＳｒｔ ｉ −ｘ
） Ｃａｚ ＴＪｏＢ系バリスタのΔａＰが−３６，
３％であるので、本発明によってΔαＰが大輪に改讐さ
れたことになる。
Ｐの絶対値が１４以下になる。従来のＳｒｔ ｉ −ｘ
） Ｃａｚ ＴＪｏＢ系バリスタのΔａＰが−３６，
３％であるので、本発明によってΔαＰが大輪に改讐さ
れたことになる。
また、サージ電圧−」加後Ｉｃ君けるバリスタを庄Ｖ、
の温度変化率ΔＶＩＴの絶対値が０．０２ （憾／℃Ｊ
以下になる。従来の５ｒＴｉ０１系バリスタのΔｖＩＴ
が−０，２５（鳴／ＴＪであるので、ΔｖＩＴも大幅に
改善されている。
の温度変化率ΔＶＩＴの絶対値が０．０２ （憾／℃Ｊ
以下になる。従来の５ｒＴｉ０１系バリスタのΔｖＩＴ
が−０，２５（鳴／ＴＪであるので、ΔｖＩＴも大幅に
改善されている。
また、電子機器の短絡電圧５〜２４Ｖの回路に使用する
のに適した範囲のバリスタ電圧を得ることが出来る。即
ち、この実施例では１０．０〜４８Ｖのｖｌが得られて
いる。
のに適した範囲のバリスタ電圧を得ることが出来る。即
ち、この実施例では１０．０〜４８Ｖのｖｌが得られて
いる。
また、αが１８以上のバリスタを得ることが出来る。１
１ｙ：、バリスタ電圧ｖＩの温度変化率６７重の絶対値
が０．０２優／℃以）のバリスタを得ることが出来る。
１ｙ：、バリスタ電圧ｖＩの温度変化率６７重の絶対値
が０．０２優／℃以）のバリスタを得ることが出来る。
ま７Ｌ ｓ静電容量Ｃが８５ｎＦ以上（与かけの比誘電
率］ ５３０００ Ａｔ上）のノ（リスクを得ることが
出来る。
率］ ５３０００ Ａｔ上）のノ（リスクを得ることが
出来る。
ところで、試料番号４４及び４５に示すように第３成分
（Ｎａ１Ｏ）が２．５０モル部を超える範囲ではΔｖ１
Ｐ及びΔαＰの絶対値が１０畳を超え、且つΔｖＩＴの
絶対値が０．１５４／Ｔを岬える。−１第３成分（Ｎａ
ｌ’０ ）が０．０２モル部より少な込と、サージ電圧
印加による特性改害効来がない。従って、サージ電圧又
は電ｆｉＫ耐え得るバリスタを提供てるｙ、ＨメのＮａ
ｎｏの好ましい範囲ｔ２０．０２〜２．５０モル部であ
り、より好ましい範１ｍｌ’！０．５〜１．５０モル部
である。
（Ｎａ１Ｏ）が２．５０モル部を超える範囲ではΔｖ１
Ｐ及びΔαＰの絶対値が１０畳を超え、且つΔｖＩＴの
絶対値が０．１５４／Ｔを岬える。−１第３成分（Ｎａ
ｌ’０ ）が０．０２モル部より少な込と、サージ電圧
印加による特性改害効来がない。従って、サージ電圧又
は電ｆｉＫ耐え得るバリスタを提供てるｙ、ＨメのＮａ
ｎｏの好ましい範囲ｔ２０．０２〜２．５０モル部であ
り、より好ましい範１ｍｌ’！０．５〜１．５０モル部
である。
ｔた、試料１１号４６．４７及び４８に示Ｔように１１
１１Ｌ２成分が３．００モル部を超えると、焼結が不完
全（未焼結］となったり、各種の％注が急くなる。−万
、第２成分が０．０１モル部よりも少ない範囲で會１半
導体化が良好になされなりために、αが小さく、またサ
ージ電圧の印加後の特性の劣化が大きい。従って、１Ｉ
ｉＩＩｚＩｉｔ分の好ましい範囲は０．０】〜３．Ｏθ
モル部である。
１１Ｌ２成分が３．００モル部を超えると、焼結が不完
全（未焼結］となったり、各種の％注が急くなる。−万
、第２成分が０．０１モル部よりも少ない範囲で會１半
導体化が良好になされなりために、αが小さく、またサ
ージ電圧の印加後の特性の劣化が大きい。従って、１Ｉ
ｉＩＩｚＩｉｔ分の好ましい範囲は０．０】〜３．Ｏθ
モル部である。
ａｔ！］成分はＸが０．５０を超えるとΔＶＩＦ及びΔ
αＰの絶対値が３２４を超える。−万Ｘが０．０１より
小さいと、温度％性Δｖ１の絶対値が０．０３＊／℃以
上になる。従って第】成分のＸの好ましい範ｗ５を２０
．０ ］〜０．５０である。
αＰの絶対値が３２４を超える。−万Ｘが０．０１より
小さいと、温度％性Δｖ１の絶対値が０．０３＊／℃以
上になる。従って第】成分のＸの好ましい範ｗ５を２０
．０ ］〜０．５０である。
上記から＃ＩＪ表〜第７表において試料番号４１〜４８
は本発明の範囲外のものである。なお、試料番号４９〜
６２Ｖｃ示すように、第２成分及び／又ｔ２ＪＩ！３成
分の出発原料を２１１１類以上としてもＩＳ類の場合と
同様な作用効果が得られる。
は本発明の範囲外のものである。なお、試料番号４９〜
６２Ｖｃ示すように、第２成分及び／又ｔ２ＪＩ！３成
分の出発原料を２１１１類以上としてもＩＳ類の場合と
同様な作用効果が得られる。
実施例 ２
実施例Ｉにおいて作製し’Ｉ： Ｓｆ’ｅ、＊ｅ ”ｅ
、ｓｕ Ｔｉ０１、Ｓｒ Ｏ”ｌ＠ ＣＮ６．＠＠ Ｔ
ｉＯ２ｓ Ｓｒａ、＠＠ Ｃａ１１．４＋１７’ｓ０３
ｓ及び５ｒ１１−１＠Ｃｍ・１・１’ｉ０１の粉禾即
ちｍ１成分１００モル部に対し、Ｎｂ ＠０＠ ｓ Ｔ
ａ 、ｏ、、ＷＯｌ、 Ｌａ１０ｇ、ＣｅＯ，、Ｎｄ、
０．、）’ｒ、０１１、Ｌａｙ、０１ 、 ＹＩＯＩ及
び５ｍ１０ｇから選択された１種以上の金ａ＃Ｒ化物即
ち第２成分の粉床と、へａ、０、ＮａＦ’から選択され
ｙ：］ ；ｍ以上のＮ１化合物即ち第３成分の粉床と、
Ａｇ、０ 、 Ｇｕｎ 、Ｍｎ０１及びＳｉｎ、から選
択さｎｙ、＝Ｉｌ１以上ノ金＊＊化物１！ｕ’Ｆ絽４Ｅ
分と呼ぶ】の粉末とを第８表ム１〜第１】表（んに示す
比率となるように秤量した。次に実施例１と同一方法で
バリスタを作製し、同一方法で％注を測定したところ、
ＩＰ、８表ｃ秒〜第１１表（卸の結果が得られた。
、ｓｕ Ｔｉ０１、Ｓｒ Ｏ”ｌ＠ ＣＮ６．＠＠ Ｔ
ｉＯ２ｓ Ｓｒａ、＠＠ Ｃａ１１．４＋１７’ｓ０３
ｓ及び５ｒ１１−１＠Ｃｍ・１・１’ｉ０１の粉禾即
ちｍ１成分１００モル部に対し、Ｎｂ ＠０＠ ｓ Ｔ
ａ 、ｏ、、ＷＯｌ、 Ｌａ１０ｇ、ＣｅＯ，、Ｎｄ、
０．、）’ｒ、０１１、Ｌａｙ、０１ 、 ＹＩＯＩ及
び５ｍ１０ｇから選択された１種以上の金ａ＃Ｒ化物即
ち第２成分の粉床と、へａ、０、ＮａＦ’から選択され
ｙ：］ ；ｍ以上のＮ１化合物即ち第３成分の粉床と、
Ａｇ、０ 、 Ｇｕｎ 、Ｍｎ０１及びＳｉｎ、から選
択さｎｙ、＝Ｉｌ１以上ノ金＊＊化物１！ｕ’Ｆ絽４Ｅ
分と呼ぶ】の粉末とを第８表ム１〜第１】表（んに示す
比率となるように秤量した。次に実施例１と同一方法で
バリスタを作製し、同一方法で％注を測定したところ、
ＩＰ、８表ｃ秒〜第１１表（卸の結果が得られた。
上記＃！８表〜第１１表から明らかなように実施ガ】で
示しｙ、：＃Ｉ］ａ分＋ Ｓｒ （１−ｚ ） Ｃａｚ
Ｔｉ０ｇ Ｏ，ＯＪ≦Ｘ≦０．５０Ｊと第２成分と第
３成分とからなるバリスタにさらに第４Ｗｔ分を０．０
】〜３．００モル部付加することにより、サージ電圧印
加後の特性劣化がきわめて小さく、且つαの高いバリス
タが得られる。更に具体的Ｋ ｔ２、■□を１０〜５０
Ｖの範囲でαが２０〜３５ものが得られる。またΔＶ、
ｐ及びΔαＰの絶対値が１曝以円になり、かつΔＶｓＴ
の絶対値が０．０２優／で以下になる。また静電容量Ｃ
が８５ ｎＦ以上（みかけの比誘電車］ ５３００Ｇ以
上）のバリスタを得ることができる。
示しｙ、：＃Ｉ］ａ分＋ Ｓｒ （１−ｚ ） Ｃａｚ
Ｔｉ０ｇ Ｏ，ＯＪ≦Ｘ≦０．５０Ｊと第２成分と第
３成分とからなるバリスタにさらに第４Ｗｔ分を０．０
】〜３．００モル部付加することにより、サージ電圧印
加後の特性劣化がきわめて小さく、且つαの高いバリス
タが得られる。更に具体的Ｋ ｔ２、■□を１０〜５０
Ｖの範囲でαが２０〜３５ものが得られる。またΔＶ、
ｐ及びΔαＰの絶対値が１曝以円になり、かつΔＶｓＴ
の絶対値が０．０２優／で以下になる。また静電容量Ｃ
が８５ ｎＦ以上（みかけの比誘電車］ ５３００Ｇ以
上）のバリスタを得ることができる。
ところで、′に料番号８３〜８６に示すよ５に第１’
４．、、、ｆｌＥ３−８゜−ｖ−ｘｍｖｓｔえう２１
．−２．え２ギー印加後の特性劣化が大きくなり、ΔＶ
ＩＦ及びΔαＰの絶対１１がｌＯ憾を超える。またΔｖ
ＩＴも絶対値で０．】０−唾を超える。一方、第４成分
が０．旧モル部より少ないと、αの改善がない。従って
。
４．、、、ｆｌＥ３−８゜−ｖ−ｘｍｖｓｔえう２１
．−２．え２ギー印加後の特性劣化が大きくなり、ΔＶ
ＩＦ及びΔαＰの絶対１１がｌＯ憾を超える。またΔｖ
ＩＴも絶対値で０．】０−唾を超える。一方、第４成分
が０．旧モル部より少ないと、αの改善がない。従って
。
第４成分の好ましい範囲は０．０１〜３．００モル部で
ある。第１成分、第２成分、及び第３成分を１実施例】
と同様な特徴を持つ、従って、第１ｆ！ｉｔ分１００モ
ル部、第２成分０．０１〜３．００モル部、第３成分０
．０２〜２．５０モル部、第４成分０．０１〜３．００
モル部とすることにより、バリスタのサージ電圧ＦｉＪ
ＭＪによる劣化が大輪に改善され、且つαが為くなる。
ある。第１成分、第２成分、及び第３成分を１実施例】
と同様な特徴を持つ、従って、第１ｆ！ｉｔ分１００モ
ル部、第２成分０．０１〜３．００モル部、第３成分０
．０２〜２．５０モル部、第４成分０．０１〜３．００
モル部とすることにより、バリスタのサージ電圧ＦｉＪ
ＭＪによる劣化が大輪に改善され、且つαが為くなる。
！ｉ！施例 ３
＃！３成分（Ｎａ、０）の添加を出発原料に対して行わ
すに焼成′後に行っても差支えないことを８ｒするため
に、Ｓｒ１．＠＠ Ｃｍ、４゜’Ｉ’ｉ０ｇ （Ｊｌ！
１ ＷｉＣ分］】００モル部とＴａｔＯ，を第２成分
３０．５０モル部とを出発ＩＩＡ科として実施例１と同
一の方法で半導体磁器を炸裂し、実施例】Ｋおける再酸
化処理の１相の代りに、半導体磁器の一方の主面ｊＣＮ
ａＦペーストを０・８５ ｍｇ／ｃｔｒｌ の割合で
塗布し、大気中で９００℃〜１１００℃２時間の熱処理
を施し、ＮａＦ’ベース）Ｋ基づいてＮａ１Ｏを牛導体
磁気中に熱拡散させ、しかる後笑ａ例】と同一方法でバ
リスタを作り同一方法で特性を測定したところ、ｖｌ＋
２１３・５ｖ。
すに焼成′後に行っても差支えないことを８ｒするため
に、Ｓｒ１．＠＠ Ｃｍ、４゜’Ｉ’ｉ０ｇ （Ｊｌ！
１ ＷｉＣ分］】００モル部とＴａｔＯ，を第２成分
３０．５０モル部とを出発ＩＩＡ科として実施例１と同
一の方法で半導体磁器を炸裂し、実施例】Ｋおける再酸
化処理の１相の代りに、半導体磁器の一方の主面ｊＣＮ
ａＦペーストを０・８５ ｍｇ／ｃｔｒｌ の割合で
塗布し、大気中で９００℃〜１１００℃２時間の熱処理
を施し、ＮａＦ’ベース）Ｋ基づいてＮａ１Ｏを牛導体
磁気中に熱拡散させ、しかる後笑ａ例】と同一方法でバ
リスタを作り同一方法で特性を測定したところ、ｖｌ＋
２１３・５ｖ。
ａ Ｇｌ ］ ８−７ 、 ΔＶ１４ｊ
ｏ、ｏ ］ ％／”Ｃ、Ｃｔ２１５０ｎＦ。
ｏ、ｏ ］ ％／”Ｃ、Ｃｔ２１５０ｎＦ。
ΔＶｘｐｔ２７０．５４、Δαｐ Ｔｔｌ −０，６４
、Δｖ１ＴＩ了−０，０］鳴／℃であった。
、Δｖ１ＴＩ了−０，０］鳴／℃であった。
ｆた出発原料の組成を８ｒ０．、。Ｃａ、、４６’ｌ’
ｉ０１ （第］成分）１００モル部とＮｂ、０．１．０
０モル部とＭｎ０１０．１０モル部とにし、上記のＮａ
Ｆペーストの代りにＮａ１Ｏペーストを１−６５ ｍｇ
／ｃｒｎ”の割合で上４５ＮａＦペーストの場合と同様
に塗布しかつ同様な熱処理でＮａ、０を拡散させてバリ
スタを表作したところ、ｖｌは３２．４ Ｖ 、αは３
３．２、Δｖ１は−０，０３優／℃、ＣｋＺ ］ １３
ｏＰ 、 ΔＶ１ｐｆ） ｏ、ａ ｓ 、 Δａｐｋ
’Ｘ−０，５暢、ΔＶＩ Ｔｉ１ ０−０１ ’ｉ／’
Ｃであツタ。
ｉ０１ （第］成分）１００モル部とＮｂ、０．１．０
０モル部とＭｎ０１０．１０モル部とにし、上記のＮａ
Ｆペーストの代りにＮａ１Ｏペーストを１−６５ ｍｇ
／ｃｒｎ”の割合で上４５ＮａＦペーストの場合と同様
に塗布しかつ同様な熱処理でＮａ、０を拡散させてバリ
スタを表作したところ、ｖｌは３２．４ Ｖ 、αは３
３．２、Δｖ１は−０，０３優／℃、ＣｋＺ ］ １３
ｏＰ 、 ΔＶ１ｐｆ） ｏ、ａ ｓ 、 Δａｐｋ
’Ｘ−０，５暢、ΔＶＩ Ｔｉ１ ０−０１ ’ｉ／’
Ｃであツタ。
この結果から明らかなように、出発原料にＮａ化合物を
添加せずに半導体磁器に熱拡散によってＮａ、０を含有
させても、耐サージバリスタを提供することが出来る。
添加せずに半導体磁器に熱拡散によってＮａ、０を含有
させても、耐サージバリスタを提供することが出来る。
なお、上記実施例及びその他の実験によって次のことが
蓚鰯されている。
蓚鰯されている。
（ａｌ 還元性雰囲気中での加熱温度Ｉｓ、好ましく
は１３００〜ｌ Ｉｓ、００℃の範囲であり、１３５０
〜１４５０℃の範囲がより好ましいこと。更にこの処理
時間は２〜８時間が好ましいこと。
は１３００〜ｌ Ｉｓ、００℃の範囲であり、１３５０
〜１４５０℃の範囲がより好ましいこと。更にこの処理
時間は２〜８時間が好ましいこと。
（ｂｌ Ｍ酸化処理は８５０℃〜１３５０℃で１〜５
時間行うことが好ましいこと。
時間行うことが好ましいこと。
（ｃｌ ＃！２成分の出発原料を、実施例では焼成後
の磁器の各成分に相当てるものにしているが、最終的に
所定の金ＪｌｉｌＩ２化物を得ることが出来れば、本発
明の目的が達成されるので、出発原料を金属酸化物とせ
ずに、金属元素、炭酸塩、水酸化物、硝酸塩、シュウ酸
塩としてもよい。
の磁器の各成分に相当てるものにしているが、最終的に
所定の金ＪｌｉｌＩ２化物を得ることが出来れば、本発
明の目的が達成されるので、出発原料を金属酸化物とせ
ずに、金属元素、炭酸塩、水酸化物、硝酸塩、シュウ酸
塩としてもよい。
（ｄｌ 重置ＱＩＵＫ係わるバリスタの性質を損わな
い範囲で、例えばＡＩ、０．等の特注改良物質を更に付
加しても差支えないこと。
い範囲で、例えばＡＩ、０．等の特注改良物質を更に付
加しても差支えないこと。
（ｅｌ 有機結合剤の好ましい範囲は、ｌｌ、１、第
２、及び＠３成分の合計に対して５〜２０電暑鳴、より
好ｆしい範囲１１１０〜１５蔦童曝であること。
２、及び＠３成分の合計に対して５〜２０電暑鳴、より
好ｆしい範囲１１１０〜１５蔦童曝であること。
Ｊｌｉｌ囚は実施例１に係わるバリスタを概略的に示す
断面図である。第２図はｖｌ、α、Δｖ１を測定てる装
置の回路図である。、第３図はサージ印加装置の回路図
である。 尚図面に用いられている符号に於いて、…を了磁器票体
、＋２１１３１は電極、１４１１ゴバリスタである。 代 理 人 高 野 則 次手続補正書（
自発） 昭和６７年２月２２日 特許庁長官 島田参伽 殿 １、事件の表示 昭和５６年 轡 計 願第１８９５９６ 号２、発明
の名称 電圧非ｌＩ線感器組成−３、補正をする者 事件との関係 出願人 ４、代理人 ５、 補正命令の日付 自 発 ６、 補正により増加する発明の数 ｉｌ＋ 特許請求の範囲會別紙の通りに４１Ａ正する
。 （２１明ｍ優Ｍ４Ｍ第１２行、及び 第３０＃ｉ！第８行の 「金属」を抹消する。 グ ２、 ＃Ｆｆｆｆｔ７ｊｊ釆の範囲 Ｉｌｌ −８ｒ（１−ｘ ） ＣａｘＴｉｅ、 （但
しＸは０．０１〜０．５の範囲の値）１００モル部と、 Ｎｂ、ｕ、 、 Ｔａ、（Ｊ、 、 ＷＯ，、Ｌａ、（
Ｊ、 、 ＣｅＯ，、ｌＮｄ、（Ｊ、、Ｙ。 Ｏｓ Ｎ ５ＱＯｓ ｓ ”’ｓ Ｕｐ、及びＤ’！＊
ｕｓの内の１種又は嶺ｅ情の金Ｍ酸化’ｔｔｌ！ｌ
０００１〜３．００ モル都ト、ＩＮａ、００，０２〜
２．５０モル部と、を宮む電圧非直巌磁器組成物。 ｔ２１ Ｓｒ（１−Ｘ ）Ｃａ）（Ｔｉｅ、 （但し
Ｘは０．Ｏ２Ｎ２．５の範囲の値）１００モル部と、 Ｎ ｂ、０． 、Ｔａｐ、 、 ＷＵ、、Ｌ ａ、０．
、ＣｅＯ，、Ｎｄ、Ｕ、、覧０１、Ｓｍ、Ｕ、、Ｐｒ＠
ＯＩＩ ｓ及びｕ ｙ！ｏ、の内の１ｍ又は引Ｉの金
属、酸化９１Ｊ ０００１〜３．００モル部と、１）ａ
、００，０２〜２．５０ モル部と、Ａｇ、０、Ｃｕ
Ｏ，、Ｍｎ Ｏｓ 、及び８ｉＵ、ノ内の１憤又は複数
種の酸化物０．０１〜３．００モル部と、を含む電圧非
ｍｓ磁器組成物。 手続補正書（自発） 昭和５７年１１月 ８日 特許庁貴官 看杉相夫 殿 １、事件の表示 昭和５６年 臀 ｔｆ １第１８９６９６号２、発明
の名称 電圧非直＃！磁壽組成物３、 補正をする者 事件との関係 山−人 ４、代理人 ５、 補正命令の日付 目 宛 ６、 補正により増加する発明の数 ｆｉｌ 特許請求の範囲を別紙の通りに補正する。 １２１ Ｈｍ＊ｔＫ４貴第１１行の「ＣｕＬ）、 Ｊ
ｔ ｒ Ｃ”Ｌ）Ｊに補正する。 ２、特許請求の範囲 Ｉｌｌ ５ｒ（１−ｘ）ＣａｘＴｉ０３（但しＸは０
．０１〜０．５の範囲の値）１００モル部と、 Ｎｂ、０． 、Ｔａ、０． 、 ＷＯ，、Ｌａ２０．
、Ｃｅ０２． Ｎｄ２Ｏ，、Ｙ２Ｏ、，８ｍ、０． 、
Ｐｒ、０．、、及びＤＹｔｏｓの内の１種又は複数種の
金属酸化物０．０１〜３．００モル部と、Ｎａ２００．
０２〜２．５０モル部ト、を含む電圧非直線磁器組成物
。 ｆ２１ ５ｒ（ｔ−ｘ）ＣａＸ’ｌ’１０３（但しＸは
０．Ｏ１〜０．５の範囲の値）１００モル部と、 Ｎｂ、０． 、 Ｔａρ、 、ＷＯ３、Ｌａ、０． 、
ＣｅＯ２、Ｎｄ２Ｏ３、η０３．８ｍ、０．、”ｒｌ
ｌｏｌｌ、及びＤｙ２．０３の内の１種又は複数種の金
属酸化物０．０１〜３．００モル部と、Ｎａ、００．０
２〜２．５０ モル部と、Ａｇ、０、ＣｕＯ、ＭｎＯ
２、及び８ｉ０．の丙の１種又は複数種Ω酸化物０．０
１〜３．００モル部と、をゴむ電圧非直線磁器組成物。
断面図である。第２図はｖｌ、α、Δｖ１を測定てる装
置の回路図である。、第３図はサージ印加装置の回路図
である。 尚図面に用いられている符号に於いて、…を了磁器票体
、＋２１１３１は電極、１４１１ゴバリスタである。 代 理 人 高 野 則 次手続補正書（
自発） 昭和６７年２月２２日 特許庁長官 島田参伽 殿 １、事件の表示 昭和５６年 轡 計 願第１８９５９６ 号２、発明
の名称 電圧非ｌＩ線感器組成−３、補正をする者 事件との関係 出願人 ４、代理人 ５、 補正命令の日付 自 発 ６、 補正により増加する発明の数 ｉｌ＋ 特許請求の範囲會別紙の通りに４１Ａ正する
。 （２１明ｍ優Ｍ４Ｍ第１２行、及び 第３０＃ｉ！第８行の 「金属」を抹消する。 グ ２、 ＃Ｆｆｆｆｔ７ｊｊ釆の範囲 Ｉｌｌ −８ｒ（１−ｘ ） ＣａｘＴｉｅ、 （但
しＸは０．０１〜０．５の範囲の値）１００モル部と、 Ｎｂ、ｕ、 、 Ｔａ、（Ｊ、 、 ＷＯ，、Ｌａ、（
Ｊ、 、 ＣｅＯ，、ｌＮｄ、（Ｊ、、Ｙ。 Ｏｓ Ｎ ５ＱＯｓ ｓ ”’ｓ Ｕｐ、及びＤ’！＊
ｕｓの内の１種又は嶺ｅ情の金Ｍ酸化’ｔｔｌ！ｌ
０００１〜３．００ モル都ト、ＩＮａ、００，０２〜
２．５０モル部と、を宮む電圧非直巌磁器組成物。 ｔ２１ Ｓｒ（１−Ｘ ）Ｃａ）（Ｔｉｅ、 （但し
Ｘは０．Ｏ２Ｎ２．５の範囲の値）１００モル部と、 Ｎ ｂ、０． 、Ｔａｐ、 、 ＷＵ、、Ｌ ａ、０．
、ＣｅＯ，、Ｎｄ、Ｕ、、覧０１、Ｓｍ、Ｕ、、Ｐｒ＠
ＯＩＩ ｓ及びｕ ｙ！ｏ、の内の１ｍ又は引Ｉの金
属、酸化９１Ｊ ０００１〜３．００モル部と、１）ａ
、００，０２〜２．５０ モル部と、Ａｇ、０、Ｃｕ
Ｏ，、Ｍｎ Ｏｓ 、及び８ｉＵ、ノ内の１憤又は複数
種の酸化物０．０１〜３．００モル部と、を含む電圧非
ｍｓ磁器組成物。 手続補正書（自発） 昭和５７年１１月 ８日 特許庁貴官 看杉相夫 殿 １、事件の表示 昭和５６年 臀 ｔｆ １第１８９６９６号２、発明
の名称 電圧非直＃！磁壽組成物３、 補正をする者 事件との関係 山−人 ４、代理人 ５、 補正命令の日付 目 宛 ６、 補正により増加する発明の数 ｆｉｌ 特許請求の範囲を別紙の通りに補正する。 １２１ Ｈｍ＊ｔＫ４貴第１１行の「ＣｕＬ）、 Ｊ
ｔ ｒ Ｃ”Ｌ）Ｊに補正する。 ２、特許請求の範囲 Ｉｌｌ ５ｒ（１−ｘ）ＣａｘＴｉ０３（但しＸは０
．０１〜０．５の範囲の値）１００モル部と、 Ｎｂ、０． 、Ｔａ、０． 、 ＷＯ，、Ｌａ２０．
、Ｃｅ０２． Ｎｄ２Ｏ，、Ｙ２Ｏ、，８ｍ、０． 、
Ｐｒ、０．、、及びＤＹｔｏｓの内の１種又は複数種の
金属酸化物０．０１〜３．００モル部と、Ｎａ２００．
０２〜２．５０モル部ト、を含む電圧非直線磁器組成物
。 ｆ２１ ５ｒ（ｔ−ｘ）ＣａＸ’ｌ’１０３（但しＸは
０．Ｏ１〜０．５の範囲の値）１００モル部と、 Ｎｂ、０． 、 Ｔａρ、 、ＷＯ３、Ｌａ、０． 、
ＣｅＯ２、Ｎｄ２Ｏ３、η０３．８ｍ、０．、”ｒｌ
ｌｏｌｌ、及びＤｙ２．０３の内の１種又は複数種の金
属酸化物０．０１〜３．００モル部と、Ｎａ、００．０
２〜２．５０ モル部と、Ａｇ、０、ＣｕＯ、ＭｎＯ
２、及び８ｉ０．の丙の１種又は複数種Ω酸化物０．０
１〜３．００モル部と、をゴむ電圧非直線磁器組成物。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １１１ Ｓｒ （１−ｚ ） Ｃａｚ Ｔ’ｉ０ａ
（但しｘ ｔｊ ０．０１〜０．５の範囲の値）１００
モル部と、 Ｎｂ、ｏ、、 ’ｒａ、ｏ、、 ｗｏ、、Ｌｍ＠０ｇ、
Ｃｅ０１、Ｎｄ、０．、Ｙ。 ０＠、 Ｓｍ、０１ ｓ ）’ｒａＯＢ 、及びＬ）ｙ
、ｏ、の円の１ｓ又＆；複数種の金属酸化物０．０１〜
３．００モル部と、八ａ、ｏ Ｏ−９２〜２．５０モル
部と、を含む電圧非直線磁器組成物。 １２１ Ｓｒ （１−ｚ ） （、’ａｘＴｊ０１
（但しｘ ｔｊ ０．０ ］ 〜０．５の範囲の僅）１
００モル部と、 Ｎｂ、０．、Ｔａ１０ｇ、ｗｏ、、Ｌａ１Ｏ１、ｅｅｌ
、、Ｎｄρ８、Ｙ。 ０１、５ｍ１０ｇ、）’ｒ、０１１ ｓ及びＬ）ｙ、０
．の内の１種又ｔ’ｚ＊数種の金属鎖化物０．０１〜３
．００モル部と、Ｎａ１Ｏｏ、ｏ ２〜２−５０モル部
と、Ａｇ、０、ｅｕｏｌ、Ｍｎ０１．及び別０．の内の
】株又は複数種の金属酸化物０．０１〜３・００モル部
と、を含む電圧非直線磁器組成物・
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56189596A JPS5891602A (ja) | 1981-11-26 | 1981-11-26 | 電圧非直線磁器組成物 |
| DE8282110222T DE3262823D1 (en) | 1981-11-26 | 1982-11-05 | Semiconductive ceramic materials with a voltage-dependent nonlinear resistance, and process for preparation |
| EP82110222A EP0080611B1 (en) | 1981-11-26 | 1982-11-05 | Semiconductive ceramic materials with a voltage-dependent nonlinear resistance, and process for preparation |
| US06/441,219 US4438214A (en) | 1981-11-26 | 1982-11-12 | Semiconductive ceramic materials with a voltage-dependent nonlinear resistance, and process for preparation |
| US06/562,429 US4490318A (en) | 1981-11-26 | 1983-12-16 | Semiconductive ceramic materials with a voltage-dependent nonlinear resistance, and process for preparation |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56189596A JPS5891602A (ja) | 1981-11-26 | 1981-11-26 | 電圧非直線磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5891602A true JPS5891602A (ja) | 1983-05-31 |
| JPS6257245B2 JPS6257245B2 (ja) | 1987-11-30 |
Family
ID=16243956
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56189596A Granted JPS5891602A (ja) | 1981-11-26 | 1981-11-26 | 電圧非直線磁器組成物 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4438214A (ja) |
| EP (1) | EP0080611B1 (ja) |
| JP (1) | JPS5891602A (ja) |
| DE (1) | DE3262823D1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6364959A (ja) * | 1986-09-02 | 1988-03-23 | ティーディーケイ株式会社 | 半導体磁器組成物 |
Families Citing this family (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3121289A1 (de) * | 1981-05-29 | 1982-12-23 | Philips Patentverwaltung Gmbh, 2000 Hamburg | Spannungsabhaengiger widerstand und verfahren zu seiner herstellung |
| DE3121290A1 (de) * | 1981-05-29 | 1983-01-05 | Philips Patentverwaltung Gmbh, 2000 Hamburg | "nichtlinearer widerstand und verfahren zu seiner herstellung" |
| JPS5935402A (ja) * | 1982-08-24 | 1984-02-27 | 太陽誘電株式会社 | 電圧依存非直線抵抗特性を有する半導体磁器物質 |
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