JPH0345559A - 電圧非直線性抵抗体磁器組成物 - Google Patents
電圧非直線性抵抗体磁器組成物Info
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- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 21
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims abstract description 11
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims abstract description 9
- -1 Tb2O3 Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N lanthanum oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[La+3].[La+3] MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N yttrium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Y+3].[Y+3] RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- VQCBHWLJZDBHOS-UHFFFAOYSA-N erbium(III) oxide Inorganic materials O=[Er]O[Er]=O VQCBHWLJZDBHOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- FKTOIHSPIPYAPE-UHFFFAOYSA-N samarium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Sm+3].[Sm+3] FKTOIHSPIPYAPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- WMWLMWRWZQELOS-UHFFFAOYSA-N bismuth(iii) oxide Chemical compound O=[Bi]O[Bi]=O WMWLMWRWZQELOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N ceric oxide Chemical compound O=[Ce]=O CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 229910000422 cerium(IV) oxide Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- QDOXWKRWXJOMAK-UHFFFAOYSA-N dichromium trioxide Chemical compound O=[Cr]O[Cr]=O QDOXWKRWXJOMAK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- NLQFUUYNQFMIJW-UHFFFAOYSA-N dysprosium(III) oxide Inorganic materials O=[Dy]O[Dy]=O NLQFUUYNQFMIJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- JYTUFVYWTIKZGR-UHFFFAOYSA-N holmium oxide Inorganic materials [O][Ho]O[Ho][O] JYTUFVYWTIKZGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- KTUFCUMIWABKDW-UHFFFAOYSA-N oxo(oxolanthaniooxy)lanthanum Chemical compound O=[La]O[La]=O KTUFCUMIWABKDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- ZIKATJAYWZUJPY-UHFFFAOYSA-N thulium (III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Tm+3].[Tm+3] ZIKATJAYWZUJPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- RSEIMSPAXMNYFJ-UHFFFAOYSA-N europium(III) oxide Inorganic materials O=[Eu]O[Eu]=O RSEIMSPAXMNYFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- CMIHHWBVHJVIGI-UHFFFAOYSA-N gadolinium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Gd+3].[Gd+3] CMIHHWBVHJVIGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 229910003443 lutetium oxide Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- FIXNOXLJNSSSLJ-UHFFFAOYSA-N ytterbium(III) oxide Inorganic materials O=[Yb]O[Yb]=O FIXNOXLJNSSSLJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- IVMYJDGYRUAWML-UHFFFAOYSA-N cobalt(II) oxide Inorganic materials [Co]=O IVMYJDGYRUAWML-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N lead(II) oxide Inorganic materials [Pb]=O YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N nickel(II) oxide Inorganic materials [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- ZNOKGRXACCSDPY-UHFFFAOYSA-N tungsten(VI) oxide Inorganic materials O=[W](=O)=O ZNOKGRXACCSDPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N niobium pentoxide Chemical compound O=[Nb](=O)O[Nb](=O)=O ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 229910002637 Pr6O11 Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910021541 Vanadium(III) oxide Inorganic materials 0.000 abstract 1
- BVCHZEOVPXACBQ-UHFFFAOYSA-N [Ca][Ba][Sr] Chemical compound [Ca][Ba][Sr] BVCHZEOVPXACBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- GHPGOEFPKIHBNM-UHFFFAOYSA-N antimony(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Sb+3].[Sb+3] GHPGOEFPKIHBNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 229910052454 barium strontium titanate Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- VASIZKWUTCETSD-UHFFFAOYSA-N manganese(II) oxide Inorganic materials [Mn]=O VASIZKWUTCETSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 abstract 1
- PLDDOISOJJCEMH-UHFFFAOYSA-N neodymium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Nd+3].[Nd+3] PLDDOISOJJCEMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N tantalum pentoxide Inorganic materials O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 abstract 1
- AYJRCSIUFZENHW-UHFFFAOYSA-L barium carbonate Chemical compound [Ba+2].[O-]C([O-])=O AYJRCSIUFZENHW-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 10
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 description 9
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 6
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 6
- VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L Calcium carbonate Chemical compound [Ca+2].[O-]C([O-])=O VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 4
- 229910000018 strontium carbonate Inorganic materials 0.000 description 4
- LEDMRZGFZIAGGB-UHFFFAOYSA-L strontium carbonate Chemical compound [Sr+2].[O-]C([O-])=O LEDMRZGFZIAGGB-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N Na2O Inorganic materials [O-2].[Na+].[Na+] KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 3
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N Iron oxide Chemical compound [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WCUXLLCKKVVCTQ-UHFFFAOYSA-M Potassium chloride Chemical compound [Cl-].[K+] WCUXLLCKKVVCTQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 229910000019 calcium carbonate Inorganic materials 0.000 description 2
- 235000010216 calcium carbonate Nutrition 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L hydroxy(oxo)manganese;manganese Chemical compound [Mn].O[Mn]=O.O[Mn]=O AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 229910001953 rubidium(I) oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002226 La2O2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910019704 Nb2O Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WOIHABYNKOEWFG-UHFFFAOYSA-N [Sr].[Ba] Chemical compound [Sr].[Ba] WOIHABYNKOEWFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 229910000410 antimony oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 229910000416 bismuth oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000417 bismuth pentoxide Inorganic materials 0.000 description 1
- KOPBYBDAPCDYFK-UHFFFAOYSA-N caesium oxide Chemical compound [O-2].[Cs+].[Cs+] KOPBYBDAPCDYFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001942 caesium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- AOWKSNWVBZGMTJ-UHFFFAOYSA-N calcium titanate Chemical compound [Ca+2].[O-][Ti]([O-])=O AOWKSNWVBZGMTJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000428 cobalt oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N dibismuth;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Bi+3].[Bi+3] TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003440 dysprosium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010891 electric arc Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229910001940 europium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- AEBZCFFCDTZXHP-UHFFFAOYSA-N europium(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Eu+3].[Eu+3] AEBZCFFCDTZXHP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001938 gadolinium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229940075613 gadolinium oxide Drugs 0.000 description 1
- OWCYYNSBGXMRQN-UHFFFAOYSA-N holmium(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ho+3].[Ho+3] OWCYYNSBGXMRQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000464 lead oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N lithium oxide Chemical compound [Li+].[Li+].[O-2] FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001947 lithium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000480 nickel oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 1
- 229910000484 niobium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MPARYNQUYZOBJM-UHFFFAOYSA-N oxo(oxolutetiooxy)lutetium Chemical compound O=[Lu]O[Lu]=O MPARYNQUYZOBJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VTRUBDSFZJNXHI-UHFFFAOYSA-N oxoantimony Chemical compound [Sb]=O VTRUBDSFZJNXHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MMKQUGHLEMYQSG-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);praseodymium(3+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Pr+3].[Pr+3] MMKQUGHLEMYQSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UZLYXNNZYFBAQO-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);ytterbium(3+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Yb+3].[Yb+3] UZLYXNNZYFBAQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 239000001103 potassium chloride Substances 0.000 description 1
- 235000011164 potassium chloride Nutrition 0.000 description 1
- 229910003447 praseodymium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010405 reoxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910001952 rubidium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- CWBWCLMMHLCMAM-UHFFFAOYSA-M rubidium(1+);hydroxide Chemical compound [OH-].[Rb+].[Rb+] CWBWCLMMHLCMAM-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910001954 samarium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229940075630 samarium oxide Drugs 0.000 description 1
- 229910052654 sanidine Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 229910001948 sodium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000029305 taxis Effects 0.000 description 1
- 229910003451 terbium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- SCRZPWWVSXWCMC-UHFFFAOYSA-N terbium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Tb+3].[Tb+3] SCRZPWWVSXWCMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001935 vanadium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005303 weighing Methods 0.000 description 1
- 229910003454 ytterbium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229940075624 ytterbium oxide Drugs 0.000 description 1
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はSr(s −x−y) BaxCayT fo
3を主成分とする電圧非直線性抵抗体(以下バリスタ
と称する)を得るための磁器組成物に関する。
3を主成分とする電圧非直線性抵抗体(以下バリスタ
と称する)を得るための磁器組成物に関する。
バリスタは、ある電圧値以上の電圧が印加されたとき急
激に抵抗が変化し電流が流れるような特性を有する。従
って、電子機器で発生する異常電圧やノイズ等を吸収も
しくは除去するために、従来種々のバリスタが使用され
ている。
激に抵抗が変化し電流が流れるような特性を有する。従
って、電子機器で発生する異常電圧やノイズ等を吸収も
しくは除去するために、従来種々のバリスタが使用され
ている。
例えば、特公昭55−49404号公報に記載されてい
る、5rTiO3を主成分とするバリスタは、バリスタ
機能のみならずコンデンサ機能も有するので、グロー放
電、アーク放電、異常電圧、ノイズ等の吸収またはバイ
パスを良好に達成することができる利点がある。
る、5rTiO3を主成分とするバリスタは、バリスタ
機能のみならずコンデンサ機能も有するので、グロー放
電、アーク放電、異常電圧、ノイズ等の吸収またはバイ
パスを良好に達成することができる利点がある。
しかし、5rTiQ3を主成分とするバリスタにおいて
は、温度上昇に伴いバリスタ電圧が低下していくという
現象が存在する。このため周囲温度の上昇あるいは、ノ
イズ吸収時における自己発熱等により、バリスタ電圧が
低下する。またバリスタが使用される際に、常時バリス
タ電圧値以下の一定の電圧値が印加されるのが一般的で
あるが、この場合、温度上昇に伴うバリスタ電圧の低下
によりバリスタ電圧値が低下して常時印加電圧値付近に
達すると、バリスタに過大な電流が流れたり、最悪の場
合は熱暴走に至る危険性がある。
は、温度上昇に伴いバリスタ電圧が低下していくという
現象が存在する。このため周囲温度の上昇あるいは、ノ
イズ吸収時における自己発熱等により、バリスタ電圧が
低下する。またバリスタが使用される際に、常時バリス
タ電圧値以下の一定の電圧値が印加されるのが一般的で
あるが、この場合、温度上昇に伴うバリスタ電圧の低下
によりバリスタ電圧値が低下して常時印加電圧値付近に
達すると、バリスタに過大な電流が流れたり、最悪の場
合は熱暴走に至る危険性がある。
従って、本発明の目的は、このような問題点を改善する
ため、温度上昇に伴いバリスタ電圧が低下せず、逆にバ
リスタ電圧が上昇あるいは変動のない温度特性を持つ電
圧非直線性抵抗体磁器m酸物を提供することである。
ため、温度上昇に伴いバリスタ電圧が低下せず、逆にバ
リスタ電圧が上昇あるいは変動のない温度特性を持つ電
圧非直線性抵抗体磁器m酸物を提供することである。
〔課題を解決するための手段及び作用〕前記目的を達成
するための、本発明の第1番目の発明は、チタン酸カル
シウムバリウムストロンチウム5r(x−x−y)Ba
xCayTiO3(但し、0.30〈X≦0.99 、
0.01≦y≦0.50 、0.31< x + y≦
1.00の範囲の値)(以下第1戒分という)100重
量部に対し、酸化ニオブNbzOs、酸化タンタルTa
z○5、酸化タングステンWO3、酸化ランタンLa2
O3、酸化セリウムCeO2、H化ネオジウムNd20
a、酸化プラセオジウムPraO0、酸化イツトリウム
Y 203 、酸化ユーロピウムELI203、酸化エ
ルビウムEr2O3、酸化ジスプロシウムDy2O3、
酸化ガドリニウムGd2O3、酸化テルビウムTb2O
3、酸化ホルミウムHo2O3、酸化ツリウムTm20
s、酸化イッテルビウムYba03、酸化ルテチウムL
L+203及び酸化サマリウムSm2O3からなる群か
ら選択された少なくとも1種の金属酸化物(以下第2戒
分という)を0.005〜5.0重量部と、酸化コバル
トCoO、酸化クロムCrxO3、酸化ニッケルNi○
、酸化鉄Fez○3、酸化マンガンM n O。
するための、本発明の第1番目の発明は、チタン酸カル
シウムバリウムストロンチウム5r(x−x−y)Ba
xCayTiO3(但し、0.30〈X≦0.99 、
0.01≦y≦0.50 、0.31< x + y≦
1.00の範囲の値)(以下第1戒分という)100重
量部に対し、酸化ニオブNbzOs、酸化タンタルTa
z○5、酸化タングステンWO3、酸化ランタンLa2
O3、酸化セリウムCeO2、H化ネオジウムNd20
a、酸化プラセオジウムPraO0、酸化イツトリウム
Y 203 、酸化ユーロピウムELI203、酸化エ
ルビウムEr2O3、酸化ジスプロシウムDy2O3、
酸化ガドリニウムGd2O3、酸化テルビウムTb2O
3、酸化ホルミウムHo2O3、酸化ツリウムTm20
s、酸化イッテルビウムYba03、酸化ルテチウムL
L+203及び酸化サマリウムSm2O3からなる群か
ら選択された少なくとも1種の金属酸化物(以下第2戒
分という)を0.005〜5.0重量部と、酸化コバル
トCoO、酸化クロムCrxO3、酸化ニッケルNi○
、酸化鉄Fez○3、酸化マンガンM n O。
酸化アンチモン5b203、酸化ビスマスBi2O3、
酸化バナジウムV105、酸化鉛pbo、酸化シリコン
5in2及び酸化アルミニウムAls。
酸化バナジウムV105、酸化鉛pbo、酸化シリコン
5in2及び酸化アルミニウムAls。
3からなる群から選択された少なくとも1種の酸化物(
以下第3威分という〉を0.005〜5.0重量部とを
含んでいることを特徴とする電圧非直線性抵抗体磁器組
成物である。
以下第3威分という〉を0.005〜5.0重量部とを
含んでいることを特徴とする電圧非直線性抵抗体磁器組
成物である。
上記発明において、第1戒分は磁器の主成分であり、主
にバリスタ電圧の温度特性に寄与し、第2成分は主に半
導体化に寄与する金属酸化物であり、第3戒分は主に非
直線性係数の改善に寄与するものである。
にバリスタ電圧の温度特性に寄与し、第2成分は主に半
導体化に寄与する金属酸化物であり、第3戒分は主に非
直線性係数の改善に寄与するものである。
従って、第1戒分、第2戒分、第3戒分を含む磁器組成
物でバリスタを作成すると、バリスタ電圧の温度特性が
改善されるばかりでなく、非直線性係数の改善されたバ
リスタを得ることができる。
物でバリスタを作成すると、バリスタ電圧の温度特性が
改善されるばかりでなく、非直線性係数の改善されたバ
リスタを得ることができる。
また、本発明の第2番目の発明は、上記第1番目の発明
の磁器U戒に、更に、酸化リチウムLix Os il
l化カリウムに20、酸化ナトリウムNa20、酸化セ
シウムC320及び酸化ルビジウムRb2Oからなる群
から選択された少なくとも1種の酸化物(以下第4戒分
という)を0.005〜2゜5重量部とを含んでいるこ
とを特徴とする電圧非直線性抵抗体磁器組成物である。
の磁器U戒に、更に、酸化リチウムLix Os il
l化カリウムに20、酸化ナトリウムNa20、酸化セ
シウムC320及び酸化ルビジウムRb2Oからなる群
から選択された少なくとも1種の酸化物(以下第4戒分
という)を0.005〜2゜5重量部とを含んでいるこ
とを特徴とする電圧非直線性抵抗体磁器組成物である。
この第2番目の発明における第4成分は、主としてサー
ジに対するバリスタ電圧、非直線性係数の劣化防止に寄
与するものであり、これを添加することによりバリスタ
電圧の温度特性が改善され、かつサニジ印加による特性
劣化が少ないバリスタを提供することが可能となる。
ジに対するバリスタ電圧、非直線性係数の劣化防止に寄
与するものであり、これを添加することによりバリスタ
電圧の温度特性が改善され、かつサニジ印加による特性
劣化が少ないバリスタを提供することが可能となる。
次に本発明の第1番目の発明に係る実施例1、実施例2
を説明する。
を説明する。
(実施例1)
出発原料としてSrCO3、BaCO3、CaCO3、
TiO2、NtlOs、Cooを焼成後が第1表の組成
になるように、但しSrCO3、BaCO3、CaCO
3、Ti1tから得られる5r(t−x−y)BaxC
ayTi○3の組成はいずれも100重量部とするよう
に、それぞれ換算秤量配合し、ポリエチレンポット及び
メノウ石を用いて10〜20時間混合した後、脱水、乾
燥する。その後、1150〜1250℃で仮焼成し、粗
粉砕の後、再び脱水、乾燥する。このようにして得られ
た材料に10〜15重量%のポリビニールアルコールを
有機結合剤として混入して造粒し、成型約20t/cn
”で直径10(1)、厚さ1flの成形棒を作成した。
TiO2、NtlOs、Cooを焼成後が第1表の組成
になるように、但しSrCO3、BaCO3、CaCO
3、Ti1tから得られる5r(t−x−y)BaxC
ayTi○3の組成はいずれも100重量部とするよう
に、それぞれ換算秤量配合し、ポリエチレンポット及び
メノウ石を用いて10〜20時間混合した後、脱水、乾
燥する。その後、1150〜1250℃で仮焼成し、粗
粉砕の後、再び脱水、乾燥する。このようにして得られ
た材料に10〜15重量%のポリビニールアルコールを
有機結合剤として混入して造粒し、成型約20t/cn
”で直径10(1)、厚さ1flの成形棒を作成した。
これらの円板をN1 (95容積%) +Na (5
容積%)の還元雰囲気中で約1350℃、4時間の焼成
を行い、半導体磁器を得た。次にこれを空気中すなわち
酸化性雰囲気中において1000〜1300℃の温度範
囲で3時間の熱処理すなわち再酸化処理を行った。この
ようにして第1表にそれぞれ示す通りの組成の試料No
1〜32の磁器を得た。
容積%)の還元雰囲気中で約1350℃、4時間の焼成
を行い、半導体磁器を得た。次にこれを空気中すなわち
酸化性雰囲気中において1000〜1300℃の温度範
囲で3時間の熱処理すなわち再酸化処理を行った。この
ようにして第1表にそれぞれ示す通りの組成の試料No
1〜32の磁器を得た。
次に、これらの磁器の特性を測定するため、第1図に示
す如く、磁器lの両主面に銀ペーストを塗布し、800
℃で焼付けることにより銀電極2.3を形威し、バリス
タ4を完成させた。それから、このバリスタ4の特性評
価を行うために、バリスタ電圧V1、非直線性係数α、
バリスタ電圧v1の温度変化率ΔV 1 、静電容量C
、サージ電圧印加によるバリスタ電圧V1及び非直線性
係数αの変化率ΔVrp、Δαpを測定したところ、第
1表の電気特性の項に示す結果が得られた。
す如く、磁器lの両主面に銀ペーストを塗布し、800
℃で焼付けることにより銀電極2.3を形威し、バリス
タ4を完成させた。それから、このバリスタ4の特性評
価を行うために、バリスタ電圧V1、非直線性係数α、
バリスタ電圧v1の温度変化率ΔV 1 、静電容量C
、サージ電圧印加によるバリスタ電圧V1及び非直線性
係数αの変化率ΔVrp、Δαpを測定したところ、第
1表の電気特性の項に示す結果が得られた。
これら各特性の測定方法を更に詳しく説明すると、バリ
スタ電圧Vlは、第2図に示す回路を使用して測定した
。即ち、直流定電流源5とバリスタ4との間に電流計6
を接続し、バリスタ4に並列に電圧計7を接続し、バリ
スタ4に1mAの電流■!を流し、その時の電圧を測定
してバリスタ電圧Vtとした。またこの電圧v1の他に
バリスタ4に10mAの電流h0を流したときの印加電
圧v1゜を測定し、これらにより非直線性係数αを次式
fl)により求めた。
スタ電圧Vlは、第2図に示す回路を使用して測定した
。即ち、直流定電流源5とバリスタ4との間に電流計6
を接続し、バリスタ4に並列に電圧計7を接続し、バリ
スタ4に1mAの電流■!を流し、その時の電圧を測定
してバリスタ電圧Vtとした。またこの電圧v1の他に
バリスタ4に10mAの電流h0を流したときの印加電
圧v1゜を測定し、これらにより非直線性係数αを次式
fl)により求めた。
fog(V+o/V+) Aog(V+o/V+
)また温度変化率ΔV!は、第2図の測定回路において
恒温槽13を一40〜+85℃の範囲で温度変化させ、
各温度T (”C)においてバリスタ電圧Vltを測定
し、20℃のバリスタ電圧V!に対してどの程度変化し
たかを次式(2)で求めることにより決定した。なお、
各表には前記温度範囲の中のΔv1の最大値のみを示し
た。
)また温度変化率ΔV!は、第2図の測定回路において
恒温槽13を一40〜+85℃の範囲で温度変化させ、
各温度T (”C)においてバリスタ電圧Vltを測定
し、20℃のバリスタ電圧V!に対してどの程度変化し
たかを次式(2)で求めることにより決定した。なお、
各表には前記温度範囲の中のΔv1の最大値のみを示し
た。
次に過電圧の鋭いパルス即ちサージ電圧が印加さた時に
バリスタ4の各特性がどの様に変化するのかを模擬的に
測定するために、第3図に示す如く、2KVの直流定電
圧電源8に並列に電圧計9を接続し、この直流定電圧電
源8に電圧計9を接続する。そして直流定電圧電源8に
5Ωの抵抗10と、単極処理スイッチ11の接点11a
とを介して2.5μFのコンデンサ12を接続し、その
接点11bにバリスタ4を接続する。このバリスタ4に
、コンデンサ12の充電エネルギーを5秒間隔で印加す
ることを5回繰り返し、その後バリスタ電圧Vxp及び
非直線性係数αpを、第2図の回路で測定し、次式(3
)、(4)によりバリスタ電圧の変化率ΔV1p (%
)及び非直線性係数αの変化率Δαp(%)を求めた。
バリスタ4の各特性がどの様に変化するのかを模擬的に
測定するために、第3図に示す如く、2KVの直流定電
圧電源8に並列に電圧計9を接続し、この直流定電圧電
源8に電圧計9を接続する。そして直流定電圧電源8に
5Ωの抵抗10と、単極処理スイッチ11の接点11a
とを介して2.5μFのコンデンサ12を接続し、その
接点11bにバリスタ4を接続する。このバリスタ4に
、コンデンサ12の充電エネルギーを5秒間隔で印加す
ることを5回繰り返し、その後バリスタ電圧Vxp及び
非直線性係数αpを、第2図の回路で測定し、次式(3
)、(4)によりバリスタ電圧の変化率ΔV1p (%
)及び非直線性係数αの変化率Δαp(%)を求めた。
α
また、各試料の静電容量(n F)はIKHz 、 D
。
。
C,1voltで測定した。
この第1表において試料NO31はバリスタの温度特性
ΔV1がマイナスであり、試料NO,9,14,15,
22.23,32は非直線性係数αが7.0未満か、バ
リスタ電圧の変化率ΔV1pが10%を越えるか、また
は非直線性係数αの変化率Δαpが一10%を越えてお
り、本発明の範囲外のものである。
ΔV1がマイナスであり、試料NO,9,14,15,
22.23,32は非直線性係数αが7.0未満か、バ
リスタ電圧の変化率ΔV1pが10%を越えるか、また
は非直線性係数αの変化率Δαpが一10%を越えてお
り、本発明の範囲外のものである。
即ち、第1表において、試料N011に示すように、B
aのモル分率Xが0.3以下であれば、バリスタの温度
特性ΔVtがマイナスとなる。
aのモル分率Xが0.3以下であれば、バリスタの温度
特性ΔVtがマイナスとなる。
またCaのモル分率yが0.01未満であるか、または
0.5を越えると試料No、9やNo、14に示す如く
非直線性係数αが7.0未満となり、バリスタ電圧の変
化率ΔVlpや非直線性係数の変化率Δαpが一10%
を越える。
0.5を越えると試料No、9やNo、14に示す如く
非直線性係数αが7.0未満となり、バリスタ電圧の変
化率ΔVlpや非直線性係数の変化率Δαpが一10%
を越える。
そして第1威分100重量部に対しNbaOsの含有量
が0.005重量部未満であるか、または5゜0重量部
を越えると、試料NO,15やNo、22に示す如く非
直線性係数αが7.0未満となり、バリスタ電圧の変化
率ΔVlpや非直線性係数の変化率Δαpが一1O%を
越える。
が0.005重量部未満であるか、または5゜0重量部
を越えると、試料NO,15やNo、22に示す如く非
直線性係数αが7.0未満となり、バリスタ電圧の変化
率ΔVlpや非直線性係数の変化率Δαpが一1O%を
越える。
さらにCoOの含有量が0.005重量部未満であるか
、または5.0重量部を越えると、試料No、23に示
す如く、非直線性係数αが7゜0未満となり、または試
料No、32に示す如く、バリスタ電圧の変化率ΔV+
pや非直線性係数の変化率Δαpが一10%を越えるも
のとなる。
、または5.0重量部を越えると、試料No、23に示
す如く、非直線性係数αが7゜0未満となり、または試
料No、32に示す如く、バリスタ電圧の変化率ΔV+
pや非直線性係数の変化率Δαpが一10%を越えるも
のとなる。
従って、第1表に示される如く、第1e、分5r(t
−x−y) BaxCayTio 3 (0,30<
x≦0.99 、0゜01≦y≦0.50 、0.31
< x + y≦1.00;x、 yはその成分のモ
ル分率)100重量部と、半導体化に寄与する第2e、
分0.005〜5.0重量部と、第3成分0.005〜
5.0重量部とから成る磁器組成物でバリスタを構成す
れば、バリスタの温度特性ΔV】がプラスまたはOとな
り、非直線性係数αは7以上の優れたものとなる。
−x−y) BaxCayTio 3 (0,30<
x≦0.99 、0゜01≦y≦0.50 、0.31
< x + y≦1.00;x、 yはその成分のモ
ル分率)100重量部と、半導体化に寄与する第2e、
分0.005〜5.0重量部と、第3成分0.005〜
5.0重量部とから成る磁器組成物でバリスタを構成す
れば、バリスタの温度特性ΔV】がプラスまたはOとな
り、非直線性係数αは7以上の優れたものとなる。
またサージ電圧印加によりバリスタ電圧の変化率ΔVt
pの絶対値が10%以下の小さなものとなり、サージ電
圧印加による非直線性係数の変化率Δαpの絶対値も1
0%以下の小さなものとなる。
pの絶対値が10%以下の小さなものとなり、サージ電
圧印加による非直線性係数の変化率Δαpの絶対値も1
0%以下の小さなものとなる。
以下余白
(実施例2)
本発明において、第2戒分をNb2O以外のもの、即ち
Ta1ls、WO3、La2O3、CeO2、Nd2O
3、Pr@O++、Y2O3、Eu2O3、Erx03
、Dy2O3、Gd2Os、TbxOs、H0103、
Tm2O3、Yb2O3、Lu1O3,511103の
内の少なくとも1種の金属酸化物に代えても、上記同様
の良好な結果が得られることを確かめるために、出発原
料としてSrCO3、BaCO3、CaCO3、TiO
!、Taxes、WO3、La2O2、CeO!、Nd
aOs、Pr・○0、Y2O3、Eua03、Er2O
3、D1103、Gd2Os、Tb2O3、Ho2O3
、Tl112O3、Yb2O3、LuxO3,5Ila
03と、Crxo3、N1pSFe!Os 、MnO,
Sb*Os、B1103、■105、PbO1S2O*
、A11sO3を最終焼成時に、第2表の組成になるよ
うに、それぞれ換算秤量配合し、前記実施例1と同じ方
法でバリスタ、を作り、同一方法で特性測定を行った。
Ta1ls、WO3、La2O3、CeO2、Nd2O
3、Pr@O++、Y2O3、Eu2O3、Erx03
、Dy2O3、Gd2Os、TbxOs、H0103、
Tm2O3、Yb2O3、Lu1O3,511103の
内の少なくとも1種の金属酸化物に代えても、上記同様
の良好な結果が得られることを確かめるために、出発原
料としてSrCO3、BaCO3、CaCO3、TiO
!、Taxes、WO3、La2O2、CeO!、Nd
aOs、Pr・○0、Y2O3、Eua03、Er2O
3、D1103、Gd2Os、Tb2O3、Ho2O3
、Tl112O3、Yb2O3、LuxO3,5Ila
03と、Crxo3、N1pSFe!Os 、MnO,
Sb*Os、B1103、■105、PbO1S2O*
、A11sO3を最終焼成時に、第2表の組成になるよ
うに、それぞれ換算秤量配合し、前記実施例1と同じ方
法でバリスタ、を作り、同一方法で特性測定を行った。
その結果を第2表の電気特性の項に示す。
この第2表から、第2威分をNbzOs以外のTa!O
s、WOs、La2O3、CeO2、NdaOs、Pr
* O,、% Y2O3、Eu2O3、Er5O3、D
yz03、Gd2Os、TbxOs、Hoa○3、Tm
2O3、Yb20t、Lu2O3、Sm2O3の内の少
なくとも1種の金属酸化物に代えても、バリスタ電圧の
温度係数Δ■1がプラスまたはOになり、非直線性係数
αが7以上になること、またバリスタ電圧の変化率ΔV
+p及び非直線性係数の変化率Δαpの絶対値が10%
以下になることがわかる。
s、WOs、La2O3、CeO2、NdaOs、Pr
* O,、% Y2O3、Eu2O3、Er5O3、D
yz03、Gd2Os、TbxOs、Hoa○3、Tm
2O3、Yb20t、Lu2O3、Sm2O3の内の少
なくとも1種の金属酸化物に代えても、バリスタ電圧の
温度係数Δ■1がプラスまたはOになり、非直線性係数
αが7以上になること、またバリスタ電圧の変化率ΔV
+p及び非直線性係数の変化率Δαpの絶対値が10%
以下になることがわかる。
さらに第3威分をCoo以外のもの、即ちCr2O3、
N i O% F e 203 、MnO,5b2O3
、Bi2O5、v205、PbO1SiO2、A I!
203の内の少なくとも1種の酸化物に代えても、そ
の添加量が前記限定範囲内であれば前記同様の良好な結
果が得られることが確認できた。
N i O% F e 203 、MnO,5b2O3
、Bi2O5、v205、PbO1SiO2、A I!
203の内の少なくとも1種の酸化物に代えても、そ
の添加量が前記限定範囲内であれば前記同様の良好な結
果が得られることが確認できた。
次に本発明の第2番目の発明に係る実施例3、実施例4
を説明する。
を説明する。
(実施例3)
出発原料としてSrCO2、BaCO3、CaCO2、
Ti0z、Nbt ○5、WO3、La2O3、Ce0
2、Nd209、Pr808、Y2O3、Er2O3、
Sm2O3、KIO,Li2O3、Na2O3、C32
0、Rb2Oを、最終焼成時に第3表の組成になるよう
にそれぞれ換算秤量配合し、前記実施例1と同じ方法で
バリスタを作り、同一方法で特性を測定した。おな、前
記出発原料でに20以下のものは第4威分である。この
測定結果を第3表に示す。
Ti0z、Nbt ○5、WO3、La2O3、Ce0
2、Nd209、Pr808、Y2O3、Er2O3、
Sm2O3、KIO,Li2O3、Na2O3、C32
0、Rb2Oを、最終焼成時に第3表の組成になるよう
にそれぞれ換算秤量配合し、前記実施例1と同じ方法で
バリスタを作り、同一方法で特性を測定した。おな、前
記出発原料でに20以下のものは第4威分である。この
測定結果を第3表に示す。
試料No、71に示すように、第4Tffc分が0.0
1重量部未満の場合は、そのバリスタ電圧の変化率ΔV
lp及び非直線性係数の変化率Δαpの絶対値が3%を
越えており、第4e、分を添加しない第1表、第2表の
場合より特別すぐれているとは認められないため、第4
戊分を添加した効果が認められない。
1重量部未満の場合は、そのバリスタ電圧の変化率ΔV
lp及び非直線性係数の変化率Δαpの絶対値が3%を
越えており、第4e、分を添加しない第1表、第2表の
場合より特別すぐれているとは認められないため、第4
戊分を添加した効果が認められない。
また試料No、79に示すように、第4戒分が2゜5重
量部を越える場合は、その非直線性係数αが7未満と小
さく、しかもバリスタ電圧の変化率ΔVrp及び非直線
性係数の変化率Δαpの絶対値が3%を越えるため、こ
れまた本発明の範囲外である。
量部を越える場合は、その非直線性係数αが7未満と小
さく、しかもバリスタ電圧の変化率ΔVrp及び非直線
性係数の変化率Δαpの絶対値が3%を越えるため、こ
れまた本発明の範囲外である。
それ故、第3表に示す如く、第4戒分を特許請求の範囲
の第2項に明示した範囲内の添加量で加えれば、バリス
タ電圧の温度係数Δv1がプラスまたはOになり、非直
線性係数αが7以上の優れたものとなる。しかもバリス
タ電圧の変化率Δ■1p及び非直線性係数の変化率Δα
pの絶対値が3%以下の小さなものとなり、特許請求の
範囲に記載された第1番目の発明よりも優れた耐サージ
性を有することがわかる。
の第2項に明示した範囲内の添加量で加えれば、バリス
タ電圧の温度係数Δv1がプラスまたはOになり、非直
線性係数αが7以上の優れたものとなる。しかもバリス
タ電圧の変化率Δ■1p及び非直線性係数の変化率Δα
pの絶対値が3%以下の小さなものとなり、特許請求の
範囲に記載された第1番目の発明よりも優れた耐サージ
性を有することがわかる。
以下余白
(実施例4)
第4戒分の添加を出発原料に対して行わず、焼成後に行
っても差支えないことを確かめるため、出発原料として
SrCO3、BaCO3、CaCO2、TiO!、Nb
*Os、Cooをその焼成後に第4表の組成になるよう
に換算秤量配合し、前記実施例と同じ方法で磁器組成物
を製作した。
っても差支えないことを確かめるため、出発原料として
SrCO3、BaCO3、CaCO2、TiO!、Nb
*Os、Cooをその焼成後に第4表の組成になるよう
に換算秤量配合し、前記実施例と同じ方法で磁器組成物
を製作した。
それから、前記実施例1における空気中の熱処理の工程
の代わりに、上記磁器円板の一方の主面に、第4表に示
す第4tc分のペーストを塗布し、大気中で1000〜
1300℃で3時間の熱処理を施して第4戒分を磁器円
板中に熱拡散させた後、前記実施例1と同じ方法でバリ
スタを作り、同一の方法で特性を測定した。その結果を
第4表に示す。
の代わりに、上記磁器円板の一方の主面に、第4表に示
す第4tc分のペーストを塗布し、大気中で1000〜
1300℃で3時間の熱処理を施して第4戒分を磁器円
板中に熱拡散させた後、前記実施例1と同じ方法でバリ
スタを作り、同一の方法で特性を測定した。その結果を
第4表に示す。
この第4表から明らかなように、その電気特性は、第3
表に示す本発明の範囲のものと同様に、バリスタ電圧の
温度係数ΔVlがプラス又はほぼ0であり非直線性係数
αが大きく、しかもバリスタ電圧の変化率ΔVtp及び
非直線性係数の変化率Δαpの絶対値が小さい、優れた
耐サージ性を有する磁器組成物が得られることがわかる
。
表に示す本発明の範囲のものと同様に、バリスタ電圧の
温度係数ΔVlがプラス又はほぼ0であり非直線性係数
αが大きく、しかもバリスタ電圧の変化率ΔVtp及び
非直線性係数の変化率Δαpの絶対値が小さい、優れた
耐サージ性を有する磁器組成物が得られることがわかる
。
このように本発明の特許請求の範囲の第1番目の発明に
よれば、温度上昇に伴ってもバリスタ電圧が低下すると
いう従来の5rTiOaを主成分とするバリスタの欠点
を改善するのみならずバリスタ電圧を上昇あるいは変動
のほとんどない温度特性を有する電圧非直線抵抗体磁器
組成物を提供することができる。
よれば、温度上昇に伴ってもバリスタ電圧が低下すると
いう従来の5rTiOaを主成分とするバリスタの欠点
を改善するのみならずバリスタ電圧を上昇あるいは変動
のほとんどない温度特性を有する電圧非直線抵抗体磁器
組成物を提供することができる。
さらに本発明の特許請求の範囲の第2番目の発明によれ
ば、第1番目の発明よりもサージ電圧を印加したときの
バリスタ電圧の変化率ΔVIp及び非直線性係数αの変
化率Δαpの非常に小さい、即ち耐サージ性の優れた電
圧非直線抵抗体磁器組成物を提供することができる。
ば、第1番目の発明よりもサージ電圧を印加したときの
バリスタ電圧の変化率ΔVIp及び非直線性係数αの変
化率Δαpの非常に小さい、即ち耐サージ性の優れた電
圧非直線抵抗体磁器組成物を提供することができる。
第1図は特性測定用のために銀電極が形成されたバリス
タを示し、 第2図はバリスタ電圧特性測定回路を示し、第3図はバ
リスタのサージ電圧特性測定回路を示す。 1−磁器 4−バリスタ 6・・−電流計 8−・直流定電圧電源 10・−抵抗 12−・−コンデンサ 2.3−・銀電極 5−直流定電流源 7・−電圧計 9−電圧計 11−単極双投スイソチ 13−恒温槽
タを示し、 第2図はバリスタ電圧特性測定回路を示し、第3図はバ
リスタのサージ電圧特性測定回路を示す。 1−磁器 4−バリスタ 6・・−電流計 8−・直流定電圧電源 10・−抵抗 12−・−コンデンサ 2.3−・銀電極 5−直流定電流源 7・−電圧計 9−電圧計 11−単極双投スイソチ 13−恒温槽
Claims (2)
- (1)Sr_(_1_−_x_−_y_)Ba_xCa
_yTiO_3(但し、0.30<x≦0.99,0.
01≦y≦0.50,0.31<x+y≦1.00の範
囲の値;x、yはその成分のモル分率)100重量部に
対し、 Nb_2O_5、Ta_2O_5、WO_3、La_2
O_3、CeO_2、Nd_2O_3、Pr_6O_1
_1、Y_2O_3、Eu_2O_3、Er_2O_3
、Dy_2O_3、Gd_2O_3、Tb_2O_3、
Ho_2O_3、Tm_2O_3、Yb_2O_3、L
u_2O_3及びSm_2O_3からなる群から選択さ
れた少なくとも1種の金属酸化物0.005〜5.0重
量部と、 CoO、Cr_2O_3、NiO、Fe_2O_3、M
nO、Sb_2O_3、Bi_2O_3、V_2O_5
、PbO、SiO_2及びAl_2O_3からなる群か
ら選択された少なくとも1種の酸化物0.005〜5.
0重量部とを含んでいることを特徴とする電圧非直線性
抵抗体磁器組成物。 - (2)Sr_(_1_−_x_−_y_)Ba_xCa
_yTiO_3(但し、0.30<x≦0.99,0.
01≦y≦0.50,0.31<x+y≦1.00の範
囲の値;x、yはその成分のモル分率)100重量部に
対し、 Nb_2O_5、Ta_2O_5、WO_3、La_2
O_3、CeO_2、Nd_2O_3、Pr_6O_1
_1、Y_2O_3、Eu_2O_3、Er_2O_3
、Dy_2O_3、Gd_2O_3、Tb_2O_3、
Ho_2O_3、Tm_2O_3、Yb_2O_3、L
u_2O_3及びSm_2O_3からなる群から選択さ
れた少なくとも1種の金属酸化物0.005〜5.0重
量部と、 CoO、Cr_2O_3、NiO、Fe_2O_3、M
nO、Sb_2O_3、Bi_2O_3、V_2O_5
、PbO、SiO_2及びAl_2O_3からなる群か
ら選択された少なくとも1種類の酸化物0.005〜5
.0重量部と、 Li_2O、K_2O、Na_2O、Cs_2O及びR
b_2Oからなる群から選択された少なくとも1種の酸
化物0.005〜2.5重量部とを含んでいることを特
徴とする電圧非直線性抵抗体磁器組成物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1178282A JPH0345559A (ja) | 1989-07-11 | 1989-07-11 | 電圧非直線性抵抗体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1178282A JPH0345559A (ja) | 1989-07-11 | 1989-07-11 | 電圧非直線性抵抗体磁器組成物 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0345559A true JPH0345559A (ja) | 1991-02-27 |
Family
ID=16045745
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1178282A Pending JPH0345559A (ja) | 1989-07-11 | 1989-07-11 | 電圧非直線性抵抗体磁器組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0345559A (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5248640A (en) * | 1991-09-25 | 1993-09-28 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Non-reducible dielectric ceramic composition |
US5264402A (en) * | 1992-05-01 | 1993-11-23 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Non-reducible dielectric ceramic composition |
US5635436A (en) * | 1995-07-21 | 1997-06-03 | Tdk Corporation | Voltage-dependent nonlinear resistor ceramics |
CN100442400C (zh) * | 2000-11-15 | 2008-12-10 | Tdk株式会社 | 压敏非线性电阻器陶瓷,制造方法和压敏非线性电阻器 |
US8273675B2 (en) | 2008-09-30 | 2012-09-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Ferroelectric ceramic material |
US20190057798A1 (en) * | 2017-08-18 | 2019-02-21 | Phoenix Contact Gmbh & Co Kg | Overvoltage protection device with varistors |
CN111029069A (zh) * | 2019-12-26 | 2020-04-17 | 广东爱晟电子科技有限公司 | Tm2O3稀土元素改性耐高温高可靠NTC半导体陶瓷热敏芯片材料 |
-
1989
- 1989-07-11 JP JP1178282A patent/JPH0345559A/ja active Pending
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