JPS5919442B2 - 半導体磁器材料およびその製造法 - Google Patents
半導体磁器材料およびその製造法Info
- Publication number
- JPS5919442B2 JPS5919442B2 JP54115622A JP11562279A JPS5919442B2 JP S5919442 B2 JPS5919442 B2 JP S5919442B2 JP 54115622 A JP54115622 A JP 54115622A JP 11562279 A JP11562279 A JP 11562279A JP S5919442 B2 JPS5919442 B2 JP S5919442B2
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- Japan
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- mol
- moles
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- Thermistors And Varistors (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はチタン酸バリウムの半導体磁器材料およびその
製造方法に関する。
製造方法に関する。
ＢａＴｉＯ３または、これとＳ ｒ Ｔ ｉ０３あるい
はＰ ｂ Ｔ ｒ Ｏｓとの固溶体に希土類元素である
Ｎｂや、Ｔａ 、Ｂｉ 、Ｓｂ 、Ｙ、Ｗなどを微量添
加して焼成すると、正の抵抗温度係数をもつ半導体磁器
材料を得ることができる。
はＰ ｂ Ｔ ｒ Ｏｓとの固溶体に希土類元素である
Ｎｂや、Ｔａ 、Ｂｉ 、Ｓｂ 、Ｙ、Ｗなどを微量添
加して焼成すると、正の抵抗温度係数をもつ半導体磁器
材料を得ることができる。
しかし、この様な添加物質のみでは、正の抵抗温度係数
が小さくその勾配（定義は後に説明する）は１０％１０
Ｃ前後である。
が小さくその勾配（定義は後に説明する）は１０％１０
Ｃ前後である。
そこでさらにＭｎ 、 Ｓ ｉおよびＡｌの酸化物を含
ませてその抵抗温度特性の勾配を急峻にしている。
ませてその抵抗温度特性の勾配を急峻にしている。
この正特性サーミスタは周知のように電圧依存性があり
、素子の両端に印加する電圧を大きくするに従ってその
勾配は小さくなる。
、素子の両端に印加する電圧を大きくするに従ってその
勾配は小さくなる。
この電圧依存性は焼結粒子の径に関係し、粒子径が大き
い程電圧依存性は太きい。
い程電圧依存性は太きい。
ところで、半導体磁器材料を高圧用スイッチング素子に
用いる場合には、高電界においても勾配が急峻であると
同時に信頼性が保証されなければならない。
用いる場合には、高電界においても勾配が急峻であると
同時に信頼性が保証されなければならない。
しかるに従来の半導体磁器材料を用いた素子では信頼性
に乏しく、後述のような寿命試験において抵抗値上昇が
１０係以上になり、さらに組成によっては１５係以上に
なるものもあった。
に乏しく、後述のような寿命試験において抵抗値上昇が
１０係以上になり、さらに組成によっては１５係以上に
なるものもあった。
また、従来のＢａＴｉＯｓ、あるいはＢ ａ Ｔ ｉＯ
ｓと５ｒＴｉ０３、Ｐ ｂ Ｔ ｔ Ｏｓ又はＢ ａ
Ｓ ｎ Ｏ３などとの固溶体から成る半導体磁器材料を
用いた正特性サーミースタは、素子をある温度、例えば
２０℃からキュリ一温度以上に上昇して再び２０°Ｃに
戻すと、温度上昇前と後とで抵抗値が異なり、初期値に
比べて１０係以上低くなる。
ｓと５ｒＴｉ０３、Ｐ ｂ Ｔ ｔ Ｏｓ又はＢ ａ
Ｓ ｎ Ｏ３などとの固溶体から成る半導体磁器材料を
用いた正特性サーミースタは、素子をある温度、例えば
２０℃からキュリ一温度以上に上昇して再び２０°Ｃに
戻すと、温度上昇前と後とで抵抗値が異なり、初期値に
比べて１０係以上低くなる。
逆に低温、例えば−４０℃に冷却して再び２０℃に戻す
と、抵抗値は１０係以上高くなる、いわゆる抵抗の温度
ヒステリシスが生じる。
と、抵抗値は１０係以上高くなる、いわゆる抵抗の温度
ヒステリシスが生じる。
この様に温度ヒステリシス現象が起ると、精密なスイッ
チング動作あるいは温度検出ができないという問題もあ
る。
チング動作あるいは温度検出ができないという問題もあ
る。
本発明は、電圧依存性が小さく高電界においても勾配が
急峻であると同時に負荷寿命特性が改善され、かつ抵抗
の温度ヒステリシスの小さい半導体磁器材料の提供を目
的とする。
急峻であると同時に負荷寿命特性が改善され、かつ抵抗
の温度ヒステリシスの小さい半導体磁器材料の提供を目
的とする。
以下本発明について説明する。
炭酸バリウム、炭酸カルシウム、酸化チタンおよび半導
体化物質ＭにこでＭは、Ｎｂ２Ｏ６，Ｔａ２Ｏ３゜Ｙ２
Ｏ３およびＬ ａ ２０３から成る群より選択された少
くとも１つを含む）の各原料を、Ｂａ１−ＸＣａｘＴｉ
、０１＋２．＋Ｚ−Ｍ（ここでｘ＝０．００２〜０．０
８ 、 ｙ＝ｉ、ｏｏ〜１．０２ 、 ｚ＝０．０００
５〜０．００１７）なる化学組成になるように配合し、
あるいは炭酸バリウム、炭酸カルシウム、酸化鉛、酸化
チタンおよび半導体化物質Ｍの各原料を、Ｂａトｘ１−
Ｘ２ＣａＸ１Ｐｂｘ２Ｔｉ、０１＋２．＋ｚ・Ｍ（ここ
でＸ１＝ｏ、ｏ ０２〜０．０８ 、 ｘ２＝０．Ｏ０
５〜ｏ、５ｏ、ｙ及びＺは前記に同じ）なる化学組成に
なる様に配合し、これを１０００〜１２００°Ｃの温度
範囲で仮焼し、この仮焼した配合物１００モルに対し、
Ｍｎ ０２を０．０１〜０．１モル、Ｓ ｉｏ ２を０
．２〜５モル、Ａｌ２Ｏ３を０．１〜３モルＬｉ２ＣＯ
３を０．０３〜０．３モルそれぞれ加え、これを通常の
窯業的手法に従って焼成することにより半導体磁器材料
が得られる。
体化物質ＭにこでＭは、Ｎｂ２Ｏ６，Ｔａ２Ｏ３゜Ｙ２
Ｏ３およびＬ ａ ２０３から成る群より選択された少
くとも１つを含む）の各原料を、Ｂａ１−ＸＣａｘＴｉ
、０１＋２．＋Ｚ−Ｍ（ここでｘ＝０．００２〜０．０
８ 、 ｙ＝ｉ、ｏｏ〜１．０２ 、 ｚ＝０．０００
５〜０．００１７）なる化学組成になるように配合し、
あるいは炭酸バリウム、炭酸カルシウム、酸化鉛、酸化
チタンおよび半導体化物質Ｍの各原料を、Ｂａトｘ１−
Ｘ２ＣａＸ１Ｐｂｘ２Ｔｉ、０１＋２．＋ｚ・Ｍ（ここ
でＸ１＝ｏ、ｏ ０２〜０．０８ 、 ｘ２＝０．Ｏ０
５〜ｏ、５ｏ、ｙ及びＺは前記に同じ）なる化学組成に
なる様に配合し、これを１０００〜１２００°Ｃの温度
範囲で仮焼し、この仮焼した配合物１００モルに対し、
Ｍｎ ０２を０．０１〜０．１モル、Ｓ ｉｏ ２を０
．２〜５モル、Ａｌ２Ｏ３を０．１〜３モルＬｉ２ＣＯ
３を０．０３〜０．３モルそれぞれ加え、これを通常の
窯業的手法に従って焼成することにより半導体磁器材料
が得られる。
この半導体磁器材料は粒子径が小さく電圧依存性が小さ
いため、高電界でも勾配の急峻な正の抵抗温度特性を示
し、従ってこの半導体磁器材料を高電圧にも使用するこ
とのできる高感度スイッチング素子に用いると有用であ
る。
いため、高電界でも勾配の急峻な正の抵抗温度特性を示
し、従ってこの半導体磁器材料を高電圧にも使用するこ
とのできる高感度スイッチング素子に用いると有用であ
る。
また、この磁器材料をスイッチング素子に使用した場合
、従来の磁器材料を使用した場合にくらべ特に寿命が長
く、さらに抵抗の温度に対するヒステリシスも小さいた
め、特性が安定する。
、従来の磁器材料を使用した場合にくらべ特に寿命が長
く、さらに抵抗の温度に対するヒステリシスも小さいた
め、特性が安定する。
以下に本発明の詳細な説明する。
まず、第１表及び第２表に示す組成となるように、Ｂａ
ＣＯ３，ＣａＣＯ３，ＰｂＯ及びＴ ＋ ０２を秤取し
、さらに半導体化物質としてＮｂ２０５（第１表）、又
はＴａ２０５．Ｙ２Ｏ３若しくはＬａ２０３（第２表）
、を加え、通常の窯業的手法に従って湿式混合し、１１
５０℃の温度で２時間仮焼した粉末に、ＭｎＯ２゜Ｓｉ
Ｏ２，Ａｌ２Ｏ３およびＬ Ｉ ２ ＣＯｓを加えて湿
式混合した。
ＣＯ３，ＣａＣＯ３，ＰｂＯ及びＴ ＋ ０２を秤取し
、さらに半導体化物質としてＮｂ２０５（第１表）、又
はＴａ２０５．Ｙ２Ｏ３若しくはＬａ２０３（第２表）
、を加え、通常の窯業的手法に従って湿式混合し、１１
５０℃の温度で２時間仮焼した粉末に、ＭｎＯ２゜Ｓｉ
Ｏ２，Ａｌ２Ｏ３およびＬ Ｉ ２ ＣＯｓを加えて湿
式混合した。
なお、第１表及び第２表中組成数値はモル数を示す。
これら各混合粉末を直径２４朋、厚さ２．５ ｍｍの円
板状に８００ｋｇ／、７の圧力をかけて成形し、それを
１３５０℃の温度で１時間焼成してから１時間当り５０
℃の速度で室温まで冷却した。
板状に８００ｋｇ／、７の圧力をかけて成形し、それを
１３５０℃の温度で１時間焼成してから１時間当り５０
℃の速度で室温まで冷却した。
但し、試料Ａ３，４２〜４４のＰｂＯを１０モル以上含
むものについては、ｐｂが蒸発するため１３００℃で焼
成した。
むものについては、ｐｂが蒸発するため１３００℃で焼
成した。
なお、焼成の温度は、ｐｂを含まないものについては１
３００℃〜１３８０℃の範囲にあれば良く、Ｐｂを含む
ものについてはＰｂを多く含む場合焼成温度を低くしな
ければならないことがあり、１２４０°Ｃ〜１３８０℃
の範囲にあれば良い。
３００℃〜１３８０℃の範囲にあれば良く、Ｐｂを含む
ものについてはＰｂを多く含む場合焼成温度を低くしな
ければならないことがあり、１２４０°Ｃ〜１３８０℃
の範囲にあれば良い。
得られた焼結体の表面にはオーミック接触する電極とし
て銀電極を形成した。
て銀電極を形成した。
このようにして得た各試料について電気特性を調べた結
果を第３表に示す。
果を第３表に示す。
表中において、勾配とは下記式により定義したものであ
る。
る。
１ｎＲ−１ｎＲ
勾配−Ｘ １００（係／’Ｃ）
Ｔ２−Ｔ。
ただしＴ１＝キュリ一温度
Ｔ２＝キュリ一温度より５０℃高い温度
Ｒ１一温度Ｔ、での抵抗値
Ｒ２＝温度Ｔ２での抵抗値
同じくＲ比とは最大抵抗値とキュリ一温度での抵抗値と
の比の値である。
の比の値である。
同じく寿命試験値とは試料と１５Ωの固定抵抗ととを直
列に接続したその両端に１５０Ｖで２０秒間、ＯＶで４
０秒間という様に電圧の間歇的印加を５万回くり返した
時の初期抵抗に対する抵抗上昇率−で表わしている。
列に接続したその両端に１５０Ｖで２０秒間、ＯＶで４
０秒間という様に電圧の間歇的印加を５万回くり返した
時の初期抵抗に対する抵抗上昇率−で表わしている。
同じくヒステリシス値は、２５℃の試料を一４０℃に冷
却して３０分間保持し、再び２５℃に戻したときの冷却
前に対する冷却後の抵抗値の上昇率−で表わしている。
却して３０分間保持し、再び２５℃に戻したときの冷却
前に対する冷却後の抵抗値の上昇率−で表わしている。
第３表から次のことが明らかとなる。
（１）ＢａＴｉ０３又はＢａＴｉ０３−ｐｂ’ｒｉｏ３
固溶体組成のものよりもＣａＴｉＯ３がさらに固溶して
いるものの方が寿命試験値が大巾に改善される。
固溶体組成のものよりもＣａＴｉＯ３がさらに固溶して
いるものの方が寿命試験値が大巾に改善される。
Ｃａ Ｃ０３の添加量は０．２モル係までが適当である
。
。
０．１モル係の場合（試料Ａ４及び３５）は寿命試験値
及びヒステリシス値があまり改善されていない。
及びヒステリシス値があまり改善されていない。
一方１０モル係を越えると（試料！、 １０及び３９）
、比抵抗が著しく大きく、勾配、Ｒ比が小さくなり不適
当である。
、比抵抗が著しく大きく、勾配、Ｒ比が小さくなり不適
当である。
（試料Ａ１〜３と４〜１０及び３５〜３９参照）（２）
Ｐｂ’ｒ＋０３の適当量、すなわちｐｂｏの適当な
添加量は０５〜５０モル係の範囲にあり、０．５モル係
未満（試料Ａ４０）では、キュリ一温度すなわち立ち上
り温度がＢａＴ １０３のみ（試料Ａ、４５）のそれと
ほとんど変らない。
Ｐｂ’ｒ＋０３の適当量、すなわちｐｂｏの適当な
添加量は０５〜５０モル係の範囲にあり、０．５モル係
未満（試料Ａ４０）では、キュリ一温度すなわち立ち上
り温度がＢａＴ １０３のみ（試料Ａ、４５）のそれと
ほとんど変らない。
なお、ここでＰ ｂ Ｔ １０ ｓは立ち上り温度を上
げる作用を有する。
げる作用を有する。
一方、ＰｂＴｉＯ３の量が５０モル係を越えると、比抵
抗が急激に上昇し使用できない。
抗が急激に上昇し使用できない。
（試料屋４０〜４５を参照）
（３）ＴｉＯ２の添加量はＢａ、Ｃａ、Ｐｂの合計量に
比して、同量か２モル係過剰までが適量である。
比して、同量か２モル係過剰までが適量である。
この量より不足すると全ての特性が劣ったものとなる。
（試料ＡＩ６〜１８）（４）半導体化物質であるＮｂ２
Ｏ５の適当量は０．０５〜０．１７モル係の範囲にあり
、これ以外では比抵抗が大きくなる（試料＆１１〜１５
を参照）（５）Ｍｎ０２の適当量は０．０１〜０．ＩＥ
ル係で、０．０１係未満は勾配、Ｒ比が小さく、一方０
．１モル係を越えると比抵抗が大きくなる。
Ｏ５の適当量は０．０５〜０．１７モル係の範囲にあり
、これ以外では比抵抗が大きくなる（試料＆１１〜１５
を参照）（５）Ｍｎ０２の適当量は０．０１〜０．ＩＥ
ル係で、０．０１係未満は勾配、Ｒ比が小さく、一方０
．１モル係を越えると比抵抗が大きくなる。
（試料Ａ、 １９〜２２参照）
（６） Ｓ ｉｏ ２の適当量は０２〜５モル係で、
０．２モル係未満ではＲ比が小さくかつ抵抗が大きくな
り、一方５モル係を越えると比抵抗が大きくなる。
０．２モル係未満ではＲ比が小さくかつ抵抗が大きくな
り、一方５モル係を越えると比抵抗が大きくなる。
（試料Ａ２３〜２６参照）（７） ｋ１２０３の適当
量は０，１〜３モル係で、この範囲外では比抵抗が大き
くなる。
量は０，１〜３モル係で、この範囲外では比抵抗が大き
くなる。
（試料Ａ２７〜３０参照）
（８） Ｌ ｉ ２ ＣＯ３の適当量は０．０３〜０
．３モル係で、０．０３モル係未満では勾配が小さく、
一方０．３モル係を越えると比抵抗が大きく、勾配が小
さくなる。
．３モル係で、０．０３モル係未満では勾配が小さく、
一方０．３モル係を越えると比抵抗が大きく、勾配が小
さくなる。
（試料Ａ３１〜３４参照）（９）半導体化物質としてＮ
ｂ２Ｏ５の他に、Ｔ ａ ２０５ 。
ｂ２Ｏ５の他に、Ｔ ａ ２０５ 。
Ｙ２Ｏ３，Ｌａ２Ｏ３についても試験した結果、Ｎｂ２
Ｏ５と同等の効果が得られることが確認された。
Ｏ５と同等の効果が得られることが確認された。
（試料＆４６〜５１と試料Ａ１３を参照）なお、半導体
化物質を添加するにあたっては、ＮｂやＴａやＹ、Ｌａ
などを実施例における様な酸化物の形としてだけでなく
、例えばしゆう酸塩などの他の化合物の形にして添加す
ることも可能である。
化物質を添加するにあたっては、ＮｂやＴａやＹ、Ｌａ
などを実施例における様な酸化物の形としてだけでなく
、例えばしゆう酸塩などの他の化合物の形にして添加す
ることも可能である。
また、ＭｎＯ２の代りにＭ ｎ Ｎ ０３あるいはＭｎ
Ｃ０３を添加しても同一効果を示す。
Ｃ０３を添加しても同一効果を示す。
Ｌｉ２ＣＯ３の代りにＬ ＋ ２０を用いても同様であ
るが、Ｌｉ２Ｏは空気にふれるとＣＯ２を吸収してＬｉ
２ＣＯ３となって安定する。
るが、Ｌｉ２Ｏは空気にふれるとＣＯ２を吸収してＬｉ
２ＣＯ３となって安定する。
また、抵抗の温度ヒステリシスに関し、２５℃とキュリ
一点を５０℃越えた温度との間を往復したとき、２５℃
における素子の抵抗は往復前と後で一４０°Ｃのときと
同程度の値でかつ変化率がマイナスであった。
一点を５０℃越えた温度との間を往復したとき、２５℃
における素子の抵抗は往復前と後で一４０°Ｃのときと
同程度の値でかつ変化率がマイナスであった。
さらに、仮焼温度は、１０００°Ｃ〜１２００の範囲が
適当である。
適当である。
１０００℃以上の仮焼粉末をＸ線解析すると単−相にな
っており、１０００℃未満になると寿命試験値が悪くな
った。
っており、１０００℃未満になると寿命試験値が悪くな
った。
一方１２５０℃を越えると比抵抗が大きくなる。
なお、最終的な組成になる様にすべての原料を出発時に
同時に配合して仮焼しても同等に近い特性が得られるが
、この場合は焼成時の冷却速度を２０°Ｃ〜３０℃／Ｈ
程度に遅くする必要があり、製造コストが高くなる。
同時に配合して仮焼しても同等に近い特性が得られるが
、この場合は焼成時の冷却速度を２０°Ｃ〜３０℃／Ｈ
程度に遅くする必要があり、製造コストが高くなる。
本発明によれば、以上の説明から明らかな様に、勾配が
急峻でかつ電圧依存性が小さく、しかも抵抗の温度ヒス
テリシスの小さくかつ負荷寿命特性の改善された信頼性
の高い半導体磁器材料を得ることができる。
急峻でかつ電圧依存性が小さく、しかも抵抗の温度ヒス
テリシスの小さくかつ負荷寿命特性の改善された信頼性
の高い半導体磁器材料を得ることができる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 Ｉ Ｂａ１−ｘＣａｘＴｉｙＯ１＋２ｙ＋ｚ−Ｍ（こ
こでｘ＝０．００２〜０．０８ 、 Ｙ＝ １．００〜
１．０２．Ｚ−０，０００５〜０．００１７ 、ＭはＮ
ｂ２０５ ＋ Ｔａ２０５ ｒ￥２０３およびＬａ２
Ｏ３からなる群より選ばれた少なくとも１種である）な
る組成物１００モルに対し、ＭｎＯ２を０．０１〜０．
１モル、Ｓ ｔ ０２を０．２〜５モル、Ａｌ２Ｏ３を
０，１〜３モル＋Ｌ＋２０を０．０３〜０，３モル含有
して成ることを特徴とする半導体磁器材料。 ２ Ｂａ１−Ｘｌ−Ｘ２ＣａＸ１ＰｂＸ２Ｔｉｙ０１＋
２ｙ十ｚ −Ｍ （ここでＸｌ−０，００２〜０．０８
．Ｘ２−０．００５〜０．５０ 、 Ｙ ＝１．ＯＯ〜
１．０２．Ｚ−〇、０００５〜０．００１７．ＭはＮ
ｂ２０５ ｒ Ｔ ａ ２０５ ＋￥２０３およびＬａ
２Ｏ３から成る群より選ばれた少なくとも１種である）
なる組成物１００モルに対し、Ｍ ｎ ０２を０．０１
〜０．１モル、５ｉｎ２を０，２〜５モル、Ａｌ２Ｏ３
を０．１〜３モル、Ｌ ｉ２０を０．０３〜０．３モル
を含有して成ることを特徴とする半導体磁器材料。 ３ Ｂａ１−ｘＣａｘＴｉｙＯ１＋２ｙ＋ｚ−Ｍ（こ
こでＸ＝０．００２〜０．０８．ｙ＝ｔｏｏ〜１．０２
゜ｚ＝０．０００５〜０．００１７ 、ＭはＮｂ２Ｏ５
゜Ｔａ２０５．￥２０３およびＬ ａ ２０３からなる
群より選ばれた少なくとも１種である）なる組成となる
ように炭酸バリウム、炭酸カルシウム、酸化チタンおよ
び半導体化物質Ｍを配合し、これを１０００℃〜１２０
０℃の温度で仮焼し、この仮焼した組成物１００モルに
対し、少なくとも焼成後にはＭｎＯ２の形をとるマンガ
ン化合物を０．０１〜０．１モル、ＳｉＯ□を０．２〜
５モルＡｌ２Ｏ３を０．１〜３モル、少なくとも焼成後
にはＬ １２０の形をとるリチウム化合物を０．０３〜
０．３モルそれぞれ加え、これを１３００℃〜１３８０
℃で焼成することを特徴とする半導体磁器材料の製造方
法。 ４ Ｂａ１−ｘｌ−ｘ２Ｃａｘ１Ｐｂｘ２Ｔｉｙ０１
＋２ｙ＋ ｚ −Ｍ （ここでｘｌ＝０．００２〜０．
０８ ｔ ｘ２＝０．００５〜０．５０ 、 ｙ＝１．
ｏ Ｏ〜１．０２．ｚ＝０．０００５〜０．００１７
、ＭはＮｂ２Ｏ５，Ｔａ２Ｏ，。 ￥２０およびＬａ２．０３から成る群より選ばれた少な
くとも１種である）なる組成となるように炭酸バリウム
、炭酸カルシウム、酸化鉛、酸化チタンおよび半導体化
物質Ｍを配合し、これを１０００℃〜１２００℃の温度
で仮焼し、この仮焼した組成物１００モルに対し、少な
くも焼成後にはＭｎＯ２の形をとるマンガン化合物を０
．０１〜０．１モル。 ＳｉＯを０．２〜５モル、Ａｌ２Ｏ３を０．１〜３モル
、少なくとも焼成後にはＬ Ｉ ２０の形をとるリチウ
ム化合物を０．０３〜０．３モルそれぞれ加え、これを
１２４０°Ｃ〜１３８０℃で焼成することを特徴とする
半導体磁器材料の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP54115622A JPS5919442B2 (ja) | 1979-09-07 | 1979-09-07 | 半導体磁器材料およびその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP54115622A JPS5919442B2 (ja) | 1979-09-07 | 1979-09-07 | 半導体磁器材料およびその製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5640203A JPS5640203A (en) | 1981-04-16 |
| JPS5919442B2 true JPS5919442B2 (ja) | 1984-05-07 |
Family
ID=14667205
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP54115622A Expired JPS5919442B2 (ja) | 1979-09-07 | 1979-09-07 | 半導体磁器材料およびその製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5919442B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102150347B1 (ko) | 2019-12-17 | 2020-09-01 | 후지코교 가부시기가이샤 | 릴 시트 및 이를 구비하는 낚싯대 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107910148A (zh) * | 2017-10-23 | 2018-04-13 | 孝感华工高理电子有限公司 | 一种汽车加热器用大尺寸ptc芯片制作方法 |
-
1979
- 1979-09-07 JP JP54115622A patent/JPS5919442B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102150347B1 (ko) | 2019-12-17 | 2020-09-01 | 후지코교 가부시기가이샤 | 릴 시트 및 이를 구비하는 낚싯대 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5640203A (en) | 1981-04-16 |
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