JP6075877B2 - 半導体磁器組成物およびその製造方法 - Google Patents
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- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims description 85
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 46
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 17
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 title description 6
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 50
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 38
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 claims description 33
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims description 32
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 claims description 26
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 17
- 238000001354 calcination Methods 0.000 claims description 12
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 11
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 7
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 5
- 238000005303 weighing Methods 0.000 claims description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 46
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 22
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 18
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 14
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 12
- JYPVGDJNZGAXBB-UHFFFAOYSA-N bismuth lithium Chemical compound [Li].[Bi] JYPVGDJNZGAXBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 4
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910002115 bismuth titanate Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 3
- 230000008676 import Effects 0.000 description 3
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 3
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910015902 Bi 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 2
- 101100513612 Microdochium nivale MnCO gene Proteins 0.000 description 2
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 description 2
- LJCFOYOSGPHIOO-UHFFFAOYSA-N antimony pentoxide Chemical compound O=[Sb](=O)O[Sb](=O)=O LJCFOYOSGPHIOO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 2
- 238000005469 granulation Methods 0.000 description 2
- 230000003179 granulation Effects 0.000 description 2
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 2
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052689 Holmium Inorganic materials 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052765 Lutetium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052775 Thulium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 150000004649 carbonic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 239000008187 granular material Substances 0.000 description 1
- 230000009191 jumping Effects 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Description
従来、チタン酸バリウムを半導体化させるための半導体化剤として、希土類元素(レアアース)が一般に用いられてきた。
特許文献1の実施例で用いられている半導体化剤は、Y,Er,La、またはNdの酸化物であり、いずれも希土類元素の酸化物である。
前記aは0.4950≦a≦0.9500であり、
前記Meは、SrまたはCaのいずれか1種であるか、または、Sr,CaおよびPbからなる群から選ばれる2種以上であり、
前記MeがSrであるか、または、Sr,CaおよびPbからなる群から選ばれる2種以上であるときは、前記xが0.0030≦x≦0.0070であり、
前記MeがCaであるときは、前記xが0.0050≦x≦0.0080であること
を特徴とする。
希土類元素の代わりに添加されているチタン酸ビスマスリチウムを構成する各金属元素は、国内で容易に入手できる元素であるため、本発明によれば、輸入に依存しない半導体磁器組成物の提供が可能となる。
Ba,Me,Tiをそれぞれ含む化合物を秤量、混合、仮焼して、組成式(BaaMe1-a)TiO3で表されるBT仮焼粉末を得る工程(aは0.4950≦a≦0.9500であり、Meは、SrまたはCaのいずれか1種、または、Sr,CaおよびPbからなる群から選ばれる2種以上)、
Bi,Li,Tiをそれぞれ含む化合物を秤量、混合、仮焼して、組成式(Bi,Li)TiO3で表されるBLT仮焼粉末を得る工程、
前記BT仮焼粉末とBLT仮焼粉末とを、1-x:xの重量比にて混合し、造粒して造粒粉を得る工程(xは、MeがSrであるか、または、Sr,CaおよびPbからなる群から選ばれる2種以上であるときは、0.0030≦x≦0.0070であり、MeがCaであるときは、0.0050≦x≦0.0080)、および
前記造粒粉を、成形、焼成する工程
を含むことを特徴とする。
本発明において、Meの組成値は、1.0000から前記Baの組成値aを引いたものであるため、0.0500〜0.5050の範囲となる。
・MeがSr,CaおよびPbである場合(Sr+Ca+Pb)、a,b,c,dの好ましい値は、0.4950≦a≦0.8700、b≦0.1000、0.0300≦c≦0.2000、および、0.0300≦d≦0.3250;各組成値のより好ましい値は、0.5500≦a≦0.8700、b≦0.0800、0.0700≦c≦0.1700、0.0600≦d≦0.2000;
・MeがCaおよびPbである場合(Ca+Pb)、各組成値の好ましい値は、bがゼロであることを除いて、Sr+Ca+Pbの場合と同じである。
・MeがSrおよびCaである場合(Sr+Ca)、a,b,cの好ましい値は、0.6200≦a≦0.9500、0.0500≦b≦0.2500、および、c≦0.20000;
・MeがSr単独である場合、各組成値の好ましい値は、cがゼロであることを除いて、Sr+Caの場合と同じである。
・MeがSrおよびPbである場合(Sr+Pb)、a,b,dの好ましい値は、0.7400≦a≦0.90000、0.0400≦b≦0.2000、および、0.0400≦d≦0.2000;
・MeがCa単独である場合、a,cの好ましい値は、0.8000≦a≦0.9300、および、0.0700≦c≦0.2000;
各組成値を上記範囲とすることが、低い比抵抗値、高い耐電圧性、4桁以上のPTCジャンプ特性を達成する上で好ましい。
より好ましいfの値は1.0000≦f≦1.0150である。
また、前記組成式中の(Bi,Li)TiO3を、(Big,Lih)TiO3と表した場合(g+h=1)、Biの組成値gとLiの組成値hの値はそれぞれ0.5であること(すなわちBi:Li=1:1)が好ましい。
Mnを添加することにより、電気的特性を向上させることができるが、添加量が多すぎると、比抵抗が高くなるため、(BaaMe1-a)TiO3に対し、Mnが元素換算で0.0075〜0.0230重量%となる量で添加することが好ましい。
また、Siを添加することにより、焼成温度を低くすることができ、1270〜1350℃程度の通常の焼成条件で、比抵抗が低く、良好な電気的特性を有する半導体磁器組成物を得ることができるが、添加量が多すぎると、電気的特性の劣化や、素子の融着が生じやすくなるため、(BaaMe1-a)TiO3に対し、SiO2換算で0.30〜0.75重量%となる量で添加することが好ましい。
まず、Ba,Me(Sr,Caの少なくとも1種、任意でPb),Tiをそれぞれ含む化合物を、(BaaMe1-a)TiO3の組成となるように秤量・配合し(0.4950≦a≦0.9500)、さらに任意でMn含有化合物および/またはSi含有化合物を添加する。その後、ポットミル等を用いて、純水中で混合し、濾過・乾燥・仮焼の工程を経てチタン酸バリウム系の仮焼粉末(BT仮焼粉末)を得る。仮焼は、1100〜1250℃にて、1〜2時間行うことが好ましい。
同様に、チタン酸ビスマスリチウムを得るために、Bi,Li,Tiをそれぞれ含む化合物を、好ましくは(Bi0.5Li0.5)TiO3の組成となるように秤量・配合する。その後、ポットミル等を用いて、純水中で混合し、濾過・乾燥・仮焼の工程を経てチタン酸ビスマスリチウムの仮焼粉末(BLT仮焼粉末)を得る。仮焼は、700〜900℃にて、1〜2時間行うことが好ましい。
その後、BT仮焼粉末とBLT仮焼粉末が、重量比にて1-x:xとなるよう、秤量・配合し、ポットミル等を用いて、純水中で湿式にて混合を行い、その後濾過、乾燥、造粒を行う。なお、前記Mn含有化合物および/またはSi含有化合物は、当該造粒工程で添加してもよい(BT仮焼粉末およびBLT仮焼粉末とともに混合した後、造粒する)。
この際、前記xの値は、前記Meが、Srであるか、または、Sr,CaおよびPbからなる群から選ばれる2種以上であるときは、0.0030≦x≦0.0070の範囲とし、前記MeがCaであるときは、0.0050≦x≦0.0080の範囲とする。
その後、得られた造粒粉をプレス成形機等にて成形し、焼成を行うことにより、本発明に係る半導体磁器組成物を得ることができる。焼成は、1270〜1350℃で1〜3時間行うことが好ましい。
例えば、BaはBaCO3として、SrはSrCO3として、CaはCaCO3として、PbはPb3O4として、TiはTiO2として、BiはBi2O3として、LiはLi2CO3として添加することができる。
これらの化合物を、各金属元素が、各仮焼粉末の組成式・組成値を満たすように配合し、上記手順にてBT仮焼粉末およびBLT仮焼粉末を得、その後、両者を混合し、上記手順にて焼成すればよい。なお、各金属元素が上記組成値を満たす割合で配合されていればよく、酸素の量は過剰となってもよい。
同様に、添加成分であるMnはMnCO3として、SiはSiO2やSi3N4として添加することができる。なお、焼成後の組成物において、MnやSiは主成分に固溶していてもよい。
同様に、(Bi,Li)TiO3仮焼粉末(BLT仮焼粉末)の出発原料としてBi2O3、Li2CO3、TiO2を準備し、これらを(Bi0.5Li0.5)TiO3の組成となるよう、秤量し、配合した。その後、ポットミルを用いて純水中で湿式混合し、濾過し、乾燥を行った後、約850℃で120分間仮焼して、BLT仮焼粉末を得た。
その後、BT仮焼粉末、BLT仮焼粉末を、表に示す重量比x(BT:BLT=1-x:x)で秤量、配合し、ポットミルを用いて純水中で湿式混合を行い、濾過、乾燥を行った後、ポリビニルアルコール(バインダー)を用いて造粒した。
得られた造粒粉を、プレス成形機によって、円柱状(直径18.0mm×厚さ3.0mm)に成形し、大気雰囲気下、約1300℃で60分間焼成を行い、焼成体を得た。
また、希土類元素もBLT仮焼粉末も添加しない焼成体を製造した(比較例1〜比較例3および比較例5〜比較例8それぞれの枝番2参照)。実施例のBT仮焼粉末の製造と同じ手順で仮焼を行い、得られた仮焼粉末を、BLT仮焼粉末と混合せずに造粒したこと以外は、実施例と同じ手順にて焼成し、焼成体を製造した。
また、Me(Sr,Ca,Pb)を添加しない焼成体を製造した(比較例4−1〜4−5)。BT仮焼粉末製造時に、MeおよびMn,Siを添加しないこと以外は、実施例と同じ手順にて焼成体を製造した。
表中の評価が○の試料は、希土類不使用、比抵抗500Ω・cm以下、耐電圧200V以上、PTCジャンプ桁4.0以上を全て満たしたものであり、評価が×のものは、上記条件の一つ以上を満たさないものである。
また、チタン酸ビスマスリチウムを添加した場合であっても、Meを添加していない比較例4−1〜4−5の試料は、PTCジャンプ桁が3.0以下になる、半導体化しない、比抵抗が増大する、耐電圧が低下する等の結果となり、正特性サーミスタ材料に要求される特性を満たさなかった。
また、Baの添加量が少なすぎる場合(a<0.4950である比較例1−5,3−5)、比抵抗が増大する傾向が見られ、Baの添加量が多すぎる場合(a>0.9500である比較例5−5)、耐電圧が低下する傾向が見られた。
Claims (6)
- 主成分が、組成式(1-x)(BaaMe1-a)TiO3-x(Bi,Li)TiO3で表される半導体磁器組成物であって、
前記aは0.4950≦a≦0.9500であり、
前記Meは、SrまたはCaのいずれか1種であるか、または、Sr,CaおよびPbからなる群から選ばれる2種以上であり、
前記MeがSrであるか、または、Sr,CaおよびPbからなる群から選ばれる2種以上であるときは、前記xが0.0030≦x≦0.0070であり、
前記MeがCaであるときは、前記xが0.0050≦x≦0.0080であること
を特徴とする半導体磁器組成物。 - 希土類元素を含有しないことを特徴とする、請求項1に記載の半導体磁器組成物。
- 前記半導体磁器組成物が、さらにMnおよびSiを含有することを特徴とする、請求項1または2に記載の半導体磁器組成物。
- Ba,Me,Tiをそれぞれ含む化合物を秤量、混合、仮焼して、組成式(BaaMe1-a)TiO3で表されるBT仮焼粉末を得る工程(aは0.4950≦a≦0.9500であり、Meは、SrまたはCaのいずれか1種、または、Sr,CaおよびPbからなる群から選ばれる2種以上)、
Bi,Li,Tiをそれぞれ含む化合物を秤量、混合、仮焼して、組成式(Bi,Li)TiO3で表されるBLT仮焼粉末を得る工程、
前記BT仮焼粉末とBLT仮焼粉末とを、1-x:xの重量比にて混合し、造粒して造粒粉を得る工程(xは、MeがSrであるか、または、Sr,CaおよびPbからなる群から選ばれる2種以上であるときは、0.0030≦x≦0.0070であり、MeがCaであるときは、0.0050≦x≦0.0080)、および
前記造粒粉を、成形、焼成する工程
を含む、半導体磁器組成物の製造方法。 - 希土類元素を使用しないことを特徴とする、請求項4に記載の半導体磁器組成物の製造方法。
- 前記BT仮焼粉末を得る工程において、Mn含有化合物およびSi含有化合物を添加混合した後、仮焼するか、あるいは、
前記造粒粉を得る工程において、Mn含有化合物およびSi含有化合物を添加混合した後、造粒する
ことを特徴とする、請求項4または5に記載の半導体磁器組成物の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013226128A JP6075877B2 (ja) | 2013-10-31 | 2013-10-31 | 半導体磁器組成物およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013226128A JP6075877B2 (ja) | 2013-10-31 | 2013-10-31 | 半導体磁器組成物およびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015086104A JP2015086104A (ja) | 2015-05-07 |
JP6075877B2 true JP6075877B2 (ja) | 2017-02-08 |
Family
ID=53049288
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013226128A Active JP6075877B2 (ja) | 2013-10-31 | 2013-10-31 | 半導体磁器組成物およびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6075877B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102202488B1 (ko) * | 2015-07-06 | 2021-01-13 | 삼성전기주식회사 | 유전체 자기 조성물 및 이를 포함하는 적층 세라믹 커패시터 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01242464A (ja) * | 1988-03-24 | 1989-09-27 | Mitsubishi Mining & Cement Co Ltd | 圧電性または焦電性セラミックス組成物 |
JP3793548B2 (ja) * | 1997-06-30 | 2006-07-05 | 京セラ株式会社 | 誘電体磁器および積層セラミックコンデンサ |
JP4765258B2 (ja) * | 2004-03-12 | 2011-09-07 | 日立金属株式会社 | 半導体磁器組成物 |
JP5099782B2 (ja) * | 2008-03-28 | 2012-12-19 | ニチコン株式会社 | 正特性サーミスタ磁器組成物 |
JP5267505B2 (ja) * | 2010-05-25 | 2013-08-21 | 日立金属株式会社 | 半導体磁器組成物 |
JP5988388B2 (ja) * | 2013-04-11 | 2016-09-07 | ニチコン株式会社 | 半導体磁器組成物およびその製造方法 |
-
2013
- 2013-10-31 JP JP2013226128A patent/JP6075877B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2015086104A (ja) | 2015-05-07 |
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