JP2967439B2 - 粒界酸化型電圧非直線抵抗組成物 - Google Patents

粒界酸化型電圧非直線抵抗組成物

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JP2967439B2 JP3185265A JP18526591A JP2967439B2 JP 2967439 B2 JP2967439 B2 JP 2967439B2 JP 3185265 A JP3185265 A JP 3185265A JP 18526591 A JP18526591 A JP 18526591A JP 2967439 B2 JP2967439 B2 JP 2967439B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は粒界酸化型電圧非直線
抵抗組成物に関し、特にたとえば、電子機器や電気機器
で発生する異常電圧やノイズなどを吸収または除去する
ために用いられるバリスタなどの材料となる粒界酸化型
電圧非直線抵抗組成物に関する。
【0002】
【従来の技術】チタン酸ストロンチウムを主成分とする
電圧非直線抵抗体は、異常電圧やノイズを吸収するバリ
スタとしての機能のほか、コンデンサとしての機能も有
している。このようなバリスタの材料としては、たとえ
ば特開昭58−16504号公報や特開昭58−916
02号公報に開示されているように、SrTiO3 ある
いはSr1-x Cax TiO3 (0.01≦x≦0.5)
を主成分とし、これに半導体化のための成分としてNb
2 5 ,Ta2 5 ,WO3 ,La2 3 ,CeO2
Nd2 3 ,Y2 3 などの金属酸化物およびバリスタ
特性を与えるためのNa2 Oを含有したものがあった。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】これらの従来の組成物
では、アルカリ金属酸化物であるNa2 Oを粒界に拡散
させることによって非直線係数や、サージ耐量などのバ
リスタ特性を向上させることが可能である。その反面、
これらの組成物を用いたバリスタでは、耐湿性、特に高
湿度雰囲気中における特性の経時変化が大きいという欠
点がある。これは、アルカリ金属のイオン化傾向が大き
く、このため高湿度雰囲気中で外部電極あるいは電極中
のガラスフリットと反応して電極を腐食させたり、腐食
によって抵抗が大きくなり、特性が変化するためであ
る。
【0004】それゆえに、この発明の主たる目的は、高
湿度雰囲気中で使用しても特性の経時変化の少ない電圧
非直線抵抗体を得ることができる粒界酸化型電圧非直線
抵抗組成物を提供することである。
【0005】
【課題を解決するための手段】この発明は、(Sr
1-x-y Bax Cay )TiO3 (ただし、x≦0.3、
y≦0.25)を98.0〜99.9モル%と、Nb,
W,Ta,Inおよび希土類元素の中から選ばれる少な
くとも1種類の酸化物を0.1〜2.0モル%とからな
る主成分に対して、CuO,PbO,Bi2 3 ,Sb
2 3 ,V2 5 ,MoO3 の中から選ばれる少なくと
も1種類とNap q r (ただし、p=2n、q=2
n’、r=n+3n’であり、nおよびn’は1または
2)を合わせて0.01〜2.0モル%含有されてな
る、粒界酸化型電圧非直線抵抗組成物である。
【0006】
【発明の効果】この発明の粒界酸化型電圧非直線抵抗組
成物を用いれば、高湿度雰囲気中で使用しても特性の経
時変化の少ない電圧非直線抵抗体を得ることができる。
【0007】この発明の上述の目的,その他の目的,特
徴および利点は、図面を参照して行う以下の実施例の詳
細な説明から一層明らかとなろう。
【0008】
【実施例】まず、主成分を得るために、SrCO3 ,T
iO2 ,CaCO3 ,BaCO3 と、半導体化剤として
Nb,W,Ta,Inおよび希土類元素の酸化物とを準
備した。これらの各原料粉末を表1に示す組成比のもの
が得られるように秤量し、湿式混合して混合物を得た。
【0009】
【表1】 得られた混合物を乾燥後、1150℃で2時間仮焼し、
粉砕して粉砕物を得た。この粉砕物に酢酸ビニル系樹脂
を5重量%添加して造粒し、この造粒物を1ton/c
2 の圧力で成形し、直径10mm,厚さ5mmのペレ
ット状の成形体を得た。得られた成形体を空気中におい
て1000℃で2時間焼成したのち、体積比でH2 :N
2 =1:100の混合ガス雰囲気中において1450℃
で2時間焼成して、半導体磁器を得た。
【0010】一方、Na2 OとB2 3 とを一定比で溶
融させて、Na2 2 4 ,Na2 4 7 ,Na4
2 5 などの化合物を得た。これらの化合物と、Cu
O,PbO,Bi2 3 ,Sb2 3 ,V2 5 ,Mo
3 などの添加物を混合し、粉砕して混合物粉末を得
た。そして、半導体磁器と混合物粉末とを混合し、12
00℃で2時間熱処理して、磁器ユニットを得た。
【0011】この磁器ユニットの対向面に銀電極を設け
て、電圧非直線抵抗体素子を得た。そして、得られた電
圧非直線抵抗体素子の電気的特性を測定した。ここで
は、素子に1mAの電流を流したときのバリスタ電圧V
1mA (V),非直線係数α,静電容量(μF),500
0A/cm2 のサージ電流を印加した時のバリスタ電圧
の変化率ΔV1mA (%)と非直線係数の変化率Δα
(%)を測定し、表2に示した。
【0012】
【表2 】
【0013】また、表1の試料番号3に示す材料で作製
した電圧非直線抵抗体素子と、Sr 0.80Ca0.20TiO
3 99.0モル%,Y2 3 0.5モル%,Na2
0.5モル%からなる従来の電圧非直線抵抗体素子と
を、温度60℃,相対湿度95%RHの雰囲気中に放置
し、誘電損失の経時変化を調べて、図1に示した。
【0014】次に、各成分の割合を制限した理由につい
て説明する。主成分の(Sr1-x-y Bax Cay )Ti
3 において、Baの量すなわちxを0.30以下と
し、Caの量すなわちyを0.25以下としたのは、試
料番号6および試料番号11のように、xおよびyがそ
れらの範囲を超えると、サージ耐量が低下して好ましく
ないためである。
【0015】また、半導体化剤としてのNb,W,T
a,Inあるいは希土類元素の酸化物の量を0.1〜
2.0モル%とするのは、試料番号12のように、これ
らの酸化物が0モル%では、バリスタ特性を示さないた
めである。さらに、試料番号16のように、これらの酸
化物が2.0モル%を超えると、サージ耐量が低下して
好ましくないためである。
【0016】また、酸化剤として用いるCuO,Pb
O,Bi2 3 ,Sb2 3 ,V2 5 ,MoO3 の中
から選ばれる少なくとも1種類とNap q r で表さ
れる化合物の量が合わせて0.01モル%未満になる
か、試料番号24のように酸化剤のうちの一方が含まれ
ていないと、バリスタ電圧および非直線係数が小さくな
り、好ましくないためである。さらに、試料番号29の
ように、これらの量が2.0モル%を超えると、サージ
耐量が低下して、好ましくないためである。
【0017】それに対して、この発明の粒界酸化型電圧
非直線抵抗組成物を用いると、5000A/cm2 のサ
ージ電流印加後のサージ耐量に優れ、非直線係数がα>
15と高い値を得ることができ、高温高湿中における誘
電損失の経時変化が小さい、すなわち耐湿特性に優れた
電圧非直線抵抗体を得ることができる。また、Baを添
加することにより静電容量が大きくなることから、Ba
の添加量によって静電容量をコントロールすることがで
きる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の粒界酸化型電圧非直線抵抗組成物お
よび従来の電圧非直線抵抗組成物を用いた電圧非直線抵
抗体の高温高湿中での誘電損失の経時変化を示すグラフ
である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 米 田 康 信 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株 式会社 村田製作所内 (72)発明者 坂 部 行 雄 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株 式会社 村田製作所内 (56)参考文献 特開 平2−222501(JP,A) 特開 平2−146702(JP,A) 特開 平2−180750(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) C04B 35/46

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 (Sr1-x-y Bax Cay )TiO
    3 (ただし、x≦0.3、y≦0.25)を98.0〜
    99.9モル%と、Nb,W,Ta,Inおよび希土類
    元素の中から選ばれる少なくとも1種類の酸化物を0.
    1〜2.0モル%とからなる主成分に対して、CuO,
    PbO,Bi2 3 ,Sb2 3 ,V2 5 ,MoO3
    の中から選ばれる少なくとも1種類とNap q
    r (ただし、p=2n、q=2n’、r=n+3n’で
    あり、nおよびn’は1または2)を合わせて0.01
    〜2.0モル%含有されてなる、粒界酸化型電圧非直線
    抵抗組成物。
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