JPH05326211A - 電圧非直線抵抗体用磁器組成物 - Google Patents
電圧非直線抵抗体用磁器組成物Info
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- JPH05326211A JPH05326211A JP4158722A JP15872292A JPH05326211A JP H05326211 A JPH05326211 A JP H05326211A JP 4158722 A JP4158722 A JP 4158722A JP 15872292 A JP15872292 A JP 15872292A JP H05326211 A JPH05326211 A JP H05326211A
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- Japan
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- tio
- resistance
- varistor
- resistor
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 サージ耐量や非直線係数等の優れたバリスタ
特性を得ながら、耐湿性を向上して高温雰囲気中での特
性劣化を回避できる電圧非直線抵抗体用磁器組成物を提
供する。 【構成】 主成分として（Ｓｒ1-X-Y ＢａX ＣａY ）Ｔ
ｉＯ3 （但し、Ｘ≦0.3,Ｙ≦0.25）が98.0〜99.9モル％
と、半導体化剤としてＮｂ，Ｗ，Ｔａ，Ｉｎ，Ｙ，ある
いは希土類元素から選ばれた少なくとも１種類の酸化物
が0.1 〜2.0 モル％とからなる素体を形成し、この素体
に金属酸化剤としてＣｕＯ，ＰｂＯ，Ｂｉ2 Ｏ3 ，Ｓｂ
2 Ｏ3 ，Ｖ2 Ｏ5 ，ＭｏＯ3 の中から選ばれた少なくと
も１種類と、Ｎａ2 Ｏ，ＴｉＯ2 （Ｎａ2 Ｏ＞０，Ｔｉ
Ｏ2 ＞０）とを合わせて0.01〜2.0重量％添加する。
特性を得ながら、耐湿性を向上して高温雰囲気中での特
性劣化を回避できる電圧非直線抵抗体用磁器組成物を提
供する。 【構成】 主成分として（Ｓｒ1-X-Y ＢａX ＣａY ）Ｔ
ｉＯ3 （但し、Ｘ≦0.3,Ｙ≦0.25）が98.0〜99.9モル％
と、半導体化剤としてＮｂ，Ｗ，Ｔａ，Ｉｎ，Ｙ，ある
いは希土類元素から選ばれた少なくとも１種類の酸化物
が0.1 〜2.0 モル％とからなる素体を形成し、この素体
に金属酸化剤としてＣｕＯ，ＰｂＯ，Ｂｉ2 Ｏ3 ，Ｓｂ
2 Ｏ3 ，Ｖ2 Ｏ5 ，ＭｏＯ3 の中から選ばれた少なくと
も１種類と、Ｎａ2 Ｏ，ＴｉＯ2 （Ｎａ2 Ｏ＞０，Ｔｉ
Ｏ2 ＞０）とを合わせて0.01〜2.0重量％添加する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電圧非直線抵抗体用の
磁器組成物に関し、特にサージ耐量や非直線係数等のバ
リスタ特性に優れ、かつ耐湿性を向上できるように改善
された組成物の構造に関する。
磁器組成物に関し、特にサージ耐量や非直線係数等のバ
リスタ特性に優れ、かつ耐湿性を向上できるように改善
された組成物の構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、印加電圧に応じて抵抗値が非直
線的に変化する電圧非直線抵抗体、いわゆるバリスタ
は、電気機器，電子機器で発生する異常高電圧，ノイズ
等を吸収，除去して回路を保護する素子として広く用い
られている。またチタン酸ストロンチウムを主成分とす
る電圧非直線抵抗体は、上記バリスタ特性の機能の他
に、コンデンサとしての機能も有している。このような
抵抗体素子の材料として、従来、特開昭58-16504号公
報, 特開昭58-91602号公報に開示されたものがある。こ
れは、ＳｒＴｉＯ3 ，あるいはＳｒ1-X ＣａX ＴｉＯ3
（0.01≦Ｘ≦0.5)を主成分とし、これに半導体化を促進
するためのＮｂ2 Ｏ5 ，Ｔａ2 Ｏ5 ，ＷＯ3 ，Ｌａ2 Ｏ
3 ，ＣｅＯ2 ，Ｎｄ2 Ｏ3 ，Ｙ2 Ｏ3 等の酸化物を含有
し、さらにバリスタ特性を向上させるためのＮａ2 Ｏの
アルカリ金属酸化物を含有して構成されている。この抵
抗体素子は、上記チタン酸ストロンチウム系素体を高温
焼成して半導体磁器を得た後、この半導体磁器に上記金
属酸化物を塗布し、これを熱処理して製造される。この
粒界酸化型磁器組成物では、アルカリ金属酸化物である
Ｎａ2 Ｏをセラミック粒界に拡散させたことにより、非
直線係数やサージ耐量等の優れたバリスタ特性が得られ
る。
線的に変化する電圧非直線抵抗体、いわゆるバリスタ
は、電気機器，電子機器で発生する異常高電圧，ノイズ
等を吸収，除去して回路を保護する素子として広く用い
られている。またチタン酸ストロンチウムを主成分とす
る電圧非直線抵抗体は、上記バリスタ特性の機能の他
に、コンデンサとしての機能も有している。このような
抵抗体素子の材料として、従来、特開昭58-16504号公
報, 特開昭58-91602号公報に開示されたものがある。こ
れは、ＳｒＴｉＯ3 ，あるいはＳｒ1-X ＣａX ＴｉＯ3
（0.01≦Ｘ≦0.5)を主成分とし、これに半導体化を促進
するためのＮｂ2 Ｏ5 ，Ｔａ2 Ｏ5 ，ＷＯ3 ，Ｌａ2 Ｏ
3 ，ＣｅＯ2 ，Ｎｄ2 Ｏ3 ，Ｙ2 Ｏ3 等の酸化物を含有
し、さらにバリスタ特性を向上させるためのＮａ2 Ｏの
アルカリ金属酸化物を含有して構成されている。この抵
抗体素子は、上記チタン酸ストロンチウム系素体を高温
焼成して半導体磁器を得た後、この半導体磁器に上記金
属酸化物を塗布し、これを熱処理して製造される。この
粒界酸化型磁器組成物では、アルカリ金属酸化物である
Ｎａ2 Ｏをセラミック粒界に拡散させたことにより、非
直線係数やサージ耐量等の優れたバリスタ特性が得られ
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の組成物からなる抵抗体素子では、非直線係数やサー
ジ耐量には優れているものの、耐湿性が低く、高温雰囲
気中での特性の経時変化が大きいという問題があり、こ
の点での改善が要請されている。
来の組成物からなる抵抗体素子では、非直線係数やサー
ジ耐量には優れているものの、耐湿性が低く、高温雰囲
気中での特性の経時変化が大きいという問題があり、こ
の点での改善が要請されている。
【０００４】本発明は、上記従来の状況に鑑みてなされ
たもので、非直線係数やサージ耐量等のバリスタ特性の
向上を図りながら、耐湿性に優れた電圧非直線抵抗体用
磁器組成物を提供することを目的としている。
たもので、非直線係数やサージ耐量等のバリスタ特性の
向上を図りながら、耐湿性に優れた電圧非直線抵抗体用
磁器組成物を提供することを目的としている。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本件発明者らは、上記耐
湿性が低い点について検討したところ、アルカリ金属は
イオン化傾向が大きいことから、このアルカリ金属が高
温雰囲気中で抵抗体素子の外部電極，あるいは該電極中
のガラスフリットと反応して電極を腐食させ易くしてお
り、この腐食によって抵抗値が大きくなり、その結果特
性を悪化させているのが原因となっている。そしてこの
腐食の問題を解消するために、さらに検討したところ、
組成物の選定，及び含有量を規定することによってバリ
スタ特性とともに耐湿性を向上できることが判明し、本
発明を成したものである。
湿性が低い点について検討したところ、アルカリ金属は
イオン化傾向が大きいことから、このアルカリ金属が高
温雰囲気中で抵抗体素子の外部電極，あるいは該電極中
のガラスフリットと反応して電極を腐食させ易くしてお
り、この腐食によって抵抗値が大きくなり、その結果特
性を悪化させているのが原因となっている。そしてこの
腐食の問題を解消するために、さらに検討したところ、
組成物の選定，及び含有量を規定することによってバリ
スタ特性とともに耐湿性を向上できることが判明し、本
発明を成したものである。
【０００６】そこで本発明は、（Ｓｒ1-X-Y ＢａX Ｃａ
Y ）ＴｉＯ3 （但し、Ｘ≦0.3,Ｙ≦0.25）が98.0〜99.9
モル％と、Ｎｂ，Ｗ，Ｔａ，Ｉｎ，Ｙ，あるいは希土類
元素から選ばれた少なくとも１種類の酸化物が0.1 〜2.
0 モル％とからなる素体に対して、ＣｕＯ，ＰｂＯ，Ｂ
ｉ2 Ｏ3 ，Ｓｂ2 Ｏ3 ，Ｖ2 Ｏ5 ，ＭｏＯ3 の中から選
ばれた少なくとも１種類と、Ｎａ2 Ｏ，ＴｉＯ2 （Ｎａ
2 Ｏ＞０，ＴｉＯ2 ＞０）とを合わせて0.01〜2.0 重量
％含有したことを特徴とする電圧非直線抵抗体用磁器組
成物である。
Y ）ＴｉＯ3 （但し、Ｘ≦0.3,Ｙ≦0.25）が98.0〜99.9
モル％と、Ｎｂ，Ｗ，Ｔａ，Ｉｎ，Ｙ，あるいは希土類
元素から選ばれた少なくとも１種類の酸化物が0.1 〜2.
0 モル％とからなる素体に対して、ＣｕＯ，ＰｂＯ，Ｂ
ｉ2 Ｏ3 ，Ｓｂ2 Ｏ3 ，Ｖ2 Ｏ5 ，ＭｏＯ3 の中から選
ばれた少なくとも１種類と、Ｎａ2 Ｏ，ＴｉＯ2 （Ｎａ
2 Ｏ＞０，ＴｉＯ2 ＞０）とを合わせて0.01〜2.0 重量
％含有したことを特徴とする電圧非直線抵抗体用磁器組
成物である。
【０００７】ここで、本発明の各含有量を限定した理由
について説明する。上記（Ｓｒ1-X-Y ＢａX ＣａY ）Ｔ
ｉＯ3 において、Ｂａ量，つまりＸを0.3以下とし、Ｃ
ａ量，つまりＹを0.25以下としたのは、Ｘ及びＹが上記
範囲を越えるとサージ耐量が低下して好ましくないから
である。
について説明する。上記（Ｓｒ1-X-Y ＢａX ＣａY ）Ｔ
ｉＯ3 において、Ｂａ量，つまりＸを0.3以下とし、Ｃ
ａ量，つまりＹを0.25以下としたのは、Ｘ及びＹが上記
範囲を越えるとサージ耐量が低下して好ましくないから
である。
【０００８】また、半導体化剤として、Ｎｂ，Ｗ，Ｔ
ａ，Ｉｎ，Ｙ，あるいは希土類元素の酸化物を0.1 〜2.
0 モル％としたのは、これらの酸化物を0.1 モル％以下
にするとバリスタ特性が得られないからであり、また2.
0 モル％を越えるとサージ耐量が低下するからである。
ａ，Ｉｎ，Ｙ，あるいは希土類元素の酸化物を0.1 〜2.
0 モル％としたのは、これらの酸化物を0.1 モル％以下
にするとバリスタ特性が得られないからであり、また2.
0 モル％を越えるとサージ耐量が低下するからである。
【０００９】さらに、粒界酸化剤として、上記ＣｕＯ，
ＰｂＯ，Ｂｉ2 Ｏ3 ，Ｓｂ2 Ｏ3 ，Ｖ2 Ｏ5 ，ＭｏＯ3
と、Ｎａ2 Ｏ，ＴｉＯ2 とを合わせて0.01〜2.0 重量％
としたのは、上述の高温雰囲気中での腐食の問題を解消
して耐湿性を向上できるからである。この場合、含有量
を0.01重量％以下にするとバリスタ電圧及び非直線係数
が小さくなり、また2.0 重量％を越える場合はサージ耐
量が低下することから、含有量は上記範囲内にするのが
望ましい。
ＰｂＯ，Ｂｉ2 Ｏ3 ，Ｓｂ2 Ｏ3 ，Ｖ2 Ｏ5 ，ＭｏＯ3
と、Ｎａ2 Ｏ，ＴｉＯ2 とを合わせて0.01〜2.0 重量％
としたのは、上述の高温雰囲気中での腐食の問題を解消
して耐湿性を向上できるからである。この場合、含有量
を0.01重量％以下にするとバリスタ電圧及び非直線係数
が小さくなり、また2.0 重量％を越える場合はサージ耐
量が低下することから、含有量は上記範囲内にするのが
望ましい。
【００１０】
【作用】本発明に係る電圧非直線抵抗体用の磁器組成物
によれば、（Ｓｒ1-X-Y ＢａXＣａY ）ＴｉＯ3 を主成
分とし、これに半導体化剤としてのＮｂ等や希土類元素
の酸化物を0.1 〜2.0 モル％添加して素体を形成し、こ
の素体に金属酸化物としてＣｕＯ等とＮａ2 Ｏ，ＴｉＯ
2 とを合わせて0.01〜2.0 重量％含有したので、サージ
耐量や非直線係数に優れたバリスタ特性を得ながら、耐
湿性を向上でき、ひいては高温雰囲気中における特性の
経時変化を回避できる。
によれば、（Ｓｒ1-X-Y ＢａXＣａY ）ＴｉＯ3 を主成
分とし、これに半導体化剤としてのＮｂ等や希土類元素
の酸化物を0.1 〜2.0 モル％添加して素体を形成し、こ
の素体に金属酸化物としてＣｕＯ等とＮａ2 Ｏ，ＴｉＯ
2 とを合わせて0.01〜2.0 重量％含有したので、サージ
耐量や非直線係数に優れたバリスタ特性を得ながら、耐
湿性を向上でき、ひいては高温雰囲気中における特性の
経時変化を回避できる。
【００１１】
【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。本実施例
では、本発明に係る電圧非直線抵抗体用磁器組成物を製
造し、これにより得られた抵抗体素子の効果を確認する
ために行った特性試験について説明する。まず、本実施
例の抵抗体素子を得るための一製造方法を説明する。
では、本発明に係る電圧非直線抵抗体用磁器組成物を製
造し、これにより得られた抵抗体素子の効果を確認する
ために行った特性試験について説明する。まず、本実施
例の抵抗体素子を得るための一製造方法を説明する。
【００１２】
【表１】
【００１３】表１に示す組成比（モル％）となるよう
に、母材料として、ＳｒＣＯ3 ，ＴｉＯ2 ，ＣａＣ
Ｏ3 ，ＢａＣＯ3 を準備するとともに、半導体化剤とし
て、Ｅｒ2Ｏ3 等の希土類元素等からなる酸化物粉末を
準備する。この各原料粉末を秤量し、これを湿式で混合
した後、乾燥させて1150℃で２時間仮焼成する。
に、母材料として、ＳｒＣＯ3 ，ＴｉＯ2 ，ＣａＣ
Ｏ3 ，ＢａＣＯ3 を準備するとともに、半導体化剤とし
て、Ｅｒ2Ｏ3 等の希土類元素等からなる酸化物粉末を
準備する。この各原料粉末を秤量し、これを湿式で混合
した後、乾燥させて1150℃で２時間仮焼成する。
【００１４】次に、上記仮焼成体を粉砕した後、酢酸ビ
ニル系樹脂を５重量％添加して混合し、造粒する。次い
で、この造粒物を、プレスで１ton/cm2 の圧力を加えて
直径10mmφ×厚さ1.5mm のペレット状のバリスタ素体を
形成する。次いで、このバリスタ素体を空気中にて1000
℃×２時間加熱焼成した後、続いてＨ2 ：Ｎ2 ＝１：10
0(vol 比) の還元性混合ガス雰囲気中にて1450℃で２時
間加熱焼成し、これにより半導体磁器を得る。
ニル系樹脂を５重量％添加して混合し、造粒する。次い
で、この造粒物を、プレスで１ton/cm2 の圧力を加えて
直径10mmφ×厚さ1.5mm のペレット状のバリスタ素体を
形成する。次いで、このバリスタ素体を空気中にて1000
℃×２時間加熱焼成した後、続いてＨ2 ：Ｎ2 ＝１：10
0(vol 比) の還元性混合ガス雰囲気中にて1450℃で２時
間加熱焼成し、これにより半導体磁器を得る。
【００１５】次に、表１に示す割合（重量％）となるよ
うに、Ｎａ2 Ｏ，ＴｉＯ2 及びＣｕＯの金属酸化物粉末
を準備する。この粉末を上記半導体磁器に塗布し、この
後1200℃で５時間熱処理する。これにより上記金属酸化
物が半導体磁器のセラミック粒界に拡散されることとな
る。そして、上記半導体磁器の両主面に銀電極を形成
し、これにより本実施例の電圧非直線抵抗体素子が製造
される。
うに、Ｎａ2 Ｏ，ＴｉＯ2 及びＣｕＯの金属酸化物粉末
を準備する。この粉末を上記半導体磁器に塗布し、この
後1200℃で５時間熱処理する。これにより上記金属酸化
物が半導体磁器のセラミック粒界に拡散されることとな
る。そして、上記半導体磁器の両主面に銀電極を形成
し、これにより本実施例の電圧非直線抵抗体素子が製造
される。
【００１６】
【表２】
【００１７】このようにして得られた各電圧非直線抵抗
体素子NO. 1 〜NO. 47の電気的特性を調べた。この特性
試験は、バリスタ電圧Ｖ1mA (V),非直線係数α, 静電容
量Ｃａｐ（μＦ），サージ電流印加によるバリスタ電
圧，及び非直線係数の変化率ΔＶ1mA （％),Δα（％)
を測定して行った。これは上記各抵抗体素子に１mAの電
流を流してバリスタ電圧を測定し、5000A/cm2 のサージ
電流を印加したときのバリスタ電圧の変化率と非直線係
数の変化率とを測定した。また、比較するために本発明
の範囲外の組成からなる抵抗体素子を製造し、これにつ
いても同様の試験を行った（表中、＊印で付した）。
体素子NO. 1 〜NO. 47の電気的特性を調べた。この特性
試験は、バリスタ電圧Ｖ1mA (V),非直線係数α, 静電容
量Ｃａｐ（μＦ），サージ電流印加によるバリスタ電
圧，及び非直線係数の変化率ΔＶ1mA （％),Δα（％)
を測定して行った。これは上記各抵抗体素子に１mAの電
流を流してバリスタ電圧を測定し、5000A/cm2 のサージ
電流を印加したときのバリスタ電圧の変化率と非直線係
数の変化率とを測定した。また、比較するために本発明
の範囲外の組成からなる抵抗体素子を製造し、これにつ
いても同様の試験を行った（表中、＊印で付した）。
【００１８】表２からも明らかなように、本発明の範囲
外の各試料NO. ６，１０，１１，１５，２３，２９，３
０，３５〜３７，４０〜４２の場合は、いずれも非直線
係数が１４以下、Ｖ1mA ，又はαの変化率が２桁以上と
なっており、満足できるバリスタ特性が得られていな
い。これに対して、本実施例の各試料NO. １〜５，７〜
９，１２〜１４，１６〜２２，２４〜２８，３１〜３
４，３８，３９，４３〜４７の場合は、いずれも非直線
係数が１５以上と高い値が得られている。また、サージ
電圧印加後のサージ耐量では、いずれもΔＶ1mA が＋2.
8 〜−4.3 ％内で、しかもΔαが−0.4 〜5.6 ％となっ
ており、優れたバリスタ特性が得られていることがわか
る。さらに、本実施例の各試料によれば、Ｂａを添加し
たことにより静電容量が9.3 〜17.5μF と大きくなって
おり、このことからＢａの添加量を選定することにより
静電容量がコントロールできることがわかる。
外の各試料NO. ６，１０，１１，１５，２３，２９，３
０，３５〜３７，４０〜４２の場合は、いずれも非直線
係数が１４以下、Ｖ1mA ，又はαの変化率が２桁以上と
なっており、満足できるバリスタ特性が得られていな
い。これに対して、本実施例の各試料NO. １〜５，７〜
９，１２〜１４，１６〜２２，２４〜２８，３１〜３
４，３８，３９，４３〜４７の場合は、いずれも非直線
係数が１５以上と高い値が得られている。また、サージ
電圧印加後のサージ耐量では、いずれもΔＶ1mA が＋2.
8 〜−4.3 ％内で、しかもΔαが−0.4 〜5.6 ％となっ
ており、優れたバリスタ特性が得られていることがわか
る。さらに、本実施例の各試料によれば、Ｂａを添加し
たことにより静電容量が9.3 〜17.5μF と大きくなって
おり、このことからＢａの添加量を選定することにより
静電容量がコントロールできることがわかる。
【００１９】図１は、高温雰囲気中における誘電損失の
経時変化を示す特性図である。この試験は、上記実施例
により得られた試料NO. ３を、温度60℃, 相対湿度（Ｒ
Ｈ）95％の雰囲気中に長時間放置し、この湿中での誘電
損失の経時変化を調べた。また、比較するために従来の
抵抗素子を採用し、同様の試験を行った。この従来試料
は、Ｓｒ0.80Ｃａ0.20ＴｉＯ3 99.0モル％, Ｅｒ2 Ｏ3
0.5 モル％, Ｎａ2 Ｏ0.5 重量％からなる組成で構成し
た。
経時変化を示す特性図である。この試験は、上記実施例
により得られた試料NO. ３を、温度60℃, 相対湿度（Ｒ
Ｈ）95％の雰囲気中に長時間放置し、この湿中での誘電
損失の経時変化を調べた。また、比較するために従来の
抵抗素子を採用し、同様の試験を行った。この従来試料
は、Ｓｒ0.80Ｃａ0.20ＴｉＯ3 99.0モル％, Ｅｒ2 Ｏ3
0.5 モル％, Ｎａ2 Ｏ0.5 重量％からなる組成で構成し
た。
【００２０】同図からも明らかなように、従来試料の場
合は、約10時間経過した時点から誘電損失の劣化が始ま
っており、時間の経過とともに大きくなっている。これ
に対し本実施例の試料では、1000時間経過してもほとん
ど変化がなく、耐湿性が大幅に改善されていることがわ
かる。
合は、約10時間経過した時点から誘電損失の劣化が始ま
っており、時間の経過とともに大きくなっている。これ
に対し本実施例の試料では、1000時間経過してもほとん
ど変化がなく、耐湿性が大幅に改善されていることがわ
かる。
【００２１】
【発明の効果】以上のように本発明に係る電圧非直線抵
抗体用磁器組成物によれば、（Ｓｒ1-X-Y ＢａX Ｃ
ａY ）ＴｉＯ3 を主成分とし、これに半導体化剤として
のＮｂ，Ｗ，Ｔａ，Ｉｎ，Ｙ，あるいは希土類元素から
選ばれた少なくとも１種類の酸化物を0.1 〜2.0 モル％
添加し、この素体にＣｕＯ，ＰｂＯ，Ｂｉ2 Ｏ3 ，Ｓｂ
2 Ｏ3 ，Ｖ2 Ｏ5 ，ＭｏＯ3 の中から選ばれた少なくと
も１種類と、Ｎａ2 Ｏ，ＴｉＯ2 とを合わせて0.01〜2.
0 重量％含有したので、サージ耐量や非直線係数に優れ
たバリスタ特性が得られるとともに、高温雰囲気中にお
ける耐湿性を向上でき、特性の経時変化を防止できる効
果がある。
抗体用磁器組成物によれば、（Ｓｒ1-X-Y ＢａX Ｃ
ａY ）ＴｉＯ3 を主成分とし、これに半導体化剤として
のＮｂ，Ｗ，Ｔａ，Ｉｎ，Ｙ，あるいは希土類元素から
選ばれた少なくとも１種類の酸化物を0.1 〜2.0 モル％
添加し、この素体にＣｕＯ，ＰｂＯ，Ｂｉ2 Ｏ3 ，Ｓｂ
2 Ｏ3 ，Ｖ2 Ｏ5 ，ＭｏＯ3 の中から選ばれた少なくと
も１種類と、Ｎａ2 Ｏ，ＴｉＯ2 とを合わせて0.01〜2.
0 重量％含有したので、サージ耐量や非直線係数に優れ
たバリスタ特性が得られるとともに、高温雰囲気中にお
ける耐湿性を向上でき、特性の経時変化を防止できる効
果がある。
【図１】本発明の一実施例による電圧非直線抵抗体素子
の耐湿試験の結果を示す特性図である。
の耐湿試験の結果を示す特性図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 米田 康信 京都府長岡京市天神２丁目26番10号 株式 会社村田製作所内
Claims (1)
- 【請求項１】 （Ｓｒ1-X-Y ＢａX ＣａY ）ＴｉＯ
3 （但し、Ｘ≦0.3,Ｙ≦0.25）が98.0〜99.9モル％と、
Ｎｂ，Ｗ，Ｔａ，Ｉｎ，Ｙ，あるいは希土類元素から選
ばれた少なくとも１種類の酸化物が0.1 〜2.0 モル％と
からなる素体に対して、ＣｕＯ，ＰｂＯ，Ｂｉ2 Ｏ3 ，
Ｓｂ2 Ｏ3 ，Ｖ2 Ｏ5 ，ＭｏＯ3 の中から選ばれた少な
くとも１種類と、Ｎａ2 Ｏ，ＴｉＯ2 （Ｎａ2 Ｏ＞０，
ＴｉＯ2 ＞０）とを合わせて0.01〜2.0 重量％含有した
ことを特徴とする電圧非直線抵抗体用磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4158722A JPH05326211A (ja) | 1992-05-25 | 1992-05-25 | 電圧非直線抵抗体用磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4158722A JPH05326211A (ja) | 1992-05-25 | 1992-05-25 | 電圧非直線抵抗体用磁器組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05326211A true JPH05326211A (ja) | 1993-12-10 |
Family
ID=15677918
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4158722A Pending JPH05326211A (ja) | 1992-05-25 | 1992-05-25 | 電圧非直線抵抗体用磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05326211A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114262223A (zh) * | 2021-12-29 | 2022-04-01 | 安徽工业大学 | 一种In+Ta共掺杂TiO2基巨介电陶瓷、制备方法及其应用 |
-
1992
- 1992-05-25 JP JP4158722A patent/JPH05326211A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114262223A (zh) * | 2021-12-29 | 2022-04-01 | 安徽工业大学 | 一种In+Ta共掺杂TiO2基巨介电陶瓷、制备方法及其应用 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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| A02 | Decision of refusal |
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