JPH0442855A - 磁器組成物及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 り策上Ω皿里玉１ 本発明は磁器組成物及びその製造方法、より詳細には電
子機器等において発生するノイズ、パルス、静電気等か
ら回路を保護するために利用されるバリスタと呼称され
る電子部品を構成するためのＳｒ＋　−ｘＢａｘＴＩＬ
　（ｏ、　００１≦ｘ≦０．１０）を主成分とする磁器
組成物及びその製造方法に関する。

１未二孜ｌ コンピュータ及びＯＡ機器等の情報処理装置の普及にと
もない、これらデジタル機器が発生するノイズによるＩ
Ｃ、トランジスタ等の半導体部品の誤動作が問題となっ
ており、また、半導体部品はサージ、パルス、静電気等
の高電圧で破壊しゃすいという欠点があるので、電子回
路にバリスタ素子を組み込んでそれぞれの部品を保護す
ることが行なわれている。

バリスタとは、印加電圧により抵抗値が非直線的に変化
する機能素子であり、その電圧−電流特性は、Ｉ＝ＫＶ
”で表わされる。ここで、■は素子を流れる電流値、α
は非直線性を示す係数（非直線係数）である。

この電圧−電流特性は材料や動作原理により異なる。　
５ｒＴｉＯｓ系バリスタは、結晶粒界に生成する高電気
抵抗の粒界障壁を利用したものであり、同じ動作原理を
持つ機能素子には、ＳｉＣバリスタ、ＺｎＯバリスタが
ある。これらバリスタはバリスタ電圧（１ｍＡの電流が
流れた時の端子間電圧）を超える異常電圧に対しては、
急激に抵抗値が低くなるバリスタ機能により、異常電圧
をショートさせて回路内に侵入するのを防ぐ働きをする
。

しかしながら、ＳｉＣ，ＺｎＯ等の従来のバリスタは静
電容量が低いため高周波成分を持つノイズを殆ど吸収す
ることができなかった。そのためノイズの除去には、見
掛けの誘電率が３００００〜５００００程度のコンデン
サが使用されてきた。しかし、コンデンサは静電気等に
よりそのコンデンサの耐圧以上の異常電圧が印加される
と破壊されたり、コンデンサ機能が劣化する欠点があっ
た。

一方、コンデンサとＺｎＯバリスタ等で並列回路を構成
し、コンデンサで高周波ノイズを吸収し、バリスタで高
電圧を吸収することが行なわれているが、素子を小型化
できない欠点があった。

そこで、近年５ｒＴｉＯｘを主成分とするバリスタ特性
とコンデンサ特性との両方の機能を持つ複合機能素子が
開発され、実用化されている。その製造方法としては、
粒界を高抵抗化させる物質を素体表面から拡散させる方
法（特開昭６１−１３１５０１号公報）、あるいは粒界
を高抵抗化させる物質を予め主成分に混合して焼成し、
熱拡散工程を省略する方法（特開昭６２−４３１０６号
公報）がある。

現在、実用化されているＳｒＴｉＯ３系バリスタには５
ｒＴｉＣｈ系（特開昭５６−３６１０３号公報）　、　
Ｓｒ＋ｆｘＢａｘＴｉ０３系（特開昭５９−９２５０３
号公報）等がある。これらのバリスタは、Ｓｒを主成分
とし、副成分としてＢａの他に半導体化剤であるＮｂ、
　Ｙ、　Ｌａ、　Ｗ、Ｔａ、　Ｄｙ等、非直線性改善剤
としてＢ１、Ｃｕ、　Ｎａ、　Ｃｏ、　ｕｎ、Ｎｉ、■
等を元素または化合物の形で添加したものを焼成するこ
とによって製造されることが知られている。通常ＳｒＴ
ｉＯ３系バリスタは厚さ０．５〜１ｍｍ、直径０．５〜
１　ｃｍ程度の大きさの円板状焼結体に電極とリード線
をつけ、樹脂モールドを施したものが多く用いられる。

このほかに、マイクロモータのノイズ吸収のため、リン
グ状に成形し、片面に複数個の電極を付けたリングバリ
スタも多く使用されている。

明が解　しようとする課題 上記したような、従来の５ｒＴｉ０３系バリスタは、バ
リスタ特性とコンデンサ特性の両方の機能を持つ複合機
能素子であり、かつ小型であるという特徴をもつため、
ＩＣ及びＬＳＩ等が組み込まれる小型電子機器の保護に
適している。しかし、電子回路の高密度化技術の発達に
より、バリスタとしてより高い静電容量を有し、かつよ
り低いバリスタ電圧ｖ１□をもったものが望まれている
。

これまで、高静電容量で、かつ低バリスタ電圧を得るた
めには、素体の肉厚を薄（するか、あるいは結晶粒子を
大きくするか、いずれかの方法がとられていた。しかし
、素体の肉厚を薄くする方法では、強度が低下するため
に限界があり、また、結晶粒子を大きくする方法では、
焼成時に異常粒成長が起きて均一な粒子径が得られない
ので、非直線係数αが低下するという課題があった。

本発明は上記した課題に鑑み発明されたものであって、
見掛けの誘電率が大きく、すなわち、高静電容量で、か
つバリスタ電圧が低いばかりでなく、非直線係数ａが大
きい機能素子を得ることができる高誘電率バリスタ用の
磁器組成物及びその製造方法を提供することを目的とし
ている。

課１を解′するための　「１ 上記した目的を達成するために本発明に係る磁器組成物
は、Ｓｒ＋−ｘＢａｘＴｔｏｓ（０，００１≦ｘ≦０１
０）からなる主成分１００　ｍｏｌに対し、Ｎｂ２Ｏ６
あるいはＳｂ２０ｍのうちの少なくとも１種を０．００
１〜１．０ｍｏｌ　、　Ｓｎｏ□を０．００１〜３．０
ｍｏｌ，　ＣｕＯ、ＺｒＯ２あるいはＴｉＯ□のうちの
少なくとも１種を０．００１〜３．０ｍｏｌの割合で含
有していることを特徴とし、また、Ｓｒ＋−ｘＢａｘＴ
ｉｏｓ　ｆＯ，００１≦ｘ≦０．１０１からなる主成分
１００　ｍｏｌに対し、ＮｂＪｓあるいはＳｂ２Ｏ５の
うちの少なくとも１種を０．００１〜１．Ｏｍｏｌ、Ｓ
ｎＯ２を０．００１〜３．　Ｏｍｏｌ、ＣｕＯ、ＺｒＯ
ｘあるいはＴ１０ｚのうちの少なくとも１種を０００１
〜３．０　ｍｏｌの割合で含有して形成された磁器組成
物であって、その結晶粒界がＢｉ、　Ｌｉ、　Ｎａ、　
ＣｏあるいはＭｎのうち少なくとも１種を含む酸化物の
絶縁層により形成されていることを特徴としている。

さらに、上記磁器組成物の製造方法において、加圧酸素
の雰囲気中で熱処理する工程を含むことを特徴としてい
る。

■ 磁器は、固体拡散を主な過程とする焼結を経て作成され
るが、この焼結に伴う結晶粒子間の反応により、結晶粒
子が成長する。静電容量を有するバリスタの特性のうち
、バリスタとしての特性は、主として上記結晶粒子間の
粒界が持つ特性を利用するものである。従って、バリス
タ電圧■１□及び非直線係数ａは、２つの電極間に存在
する結晶粒界の性質及び数によって決定される。

一方、コンデンサとしての特性は、見掛けの誘電率ε、
°は粒界の誘電率ε１を用いて εｒ′＝εｒｇ°ｒ／ｌ で表わされ、全体の静電容量Ｃは Ｃ＝ε、°・Ｓ／ｄ　　　　　　で与えられる。

ここで、ｒ：結晶粒子径、ｔ：粒界層の厚さ、Ｓ：電極
面積、ｄ：電極間距離をそれぞれ表わしている。

従って、静電容量は結晶粒子径ｒに比例し、粒界層の厚
さｔに反比例する。

このような構造を持つ５ｒＴｘＯｓ系バリスタでは、結
晶粒子径を大きくすると、電極間に存在する結晶粒界の
数が少なくなるため、バリスタ電圧は減少し、かつ見掛
けの誘電率及び静電容量は大きくなる。しかし一般に、
５ｒＴｉＯｓ磁器は異常粒成長を起こして混粒組織にな
りやすいため、結晶粒子径の大きな組織では、電流の流
れる方向の粒界の数が場所によって異なり、かつ各粒界
層の厚さや成分分布にバラツキを生じる。その結果、個
々の粒界に印加される電圧及び個々の粒界の粒界障壁の
高さにバラツキが生じる。このような構造では印加電圧
に対する電流の立ち上がりの鋭さを表わす指標である非
直線係数αは低下する。従って、高静電容量、低バリス
タ電圧、高非直線係数のすべての要求を満足するために
は、異常粒成長を抑制し、均一で大きな結晶粒径を持つ
組織にすることが必要であり、それとともに、粒界障壁
の形成に寄与する酸素が、適当な濃度で均一に拡散しや
すい粒界を作る組成を選択する必要がある。

そこで、上記した本発明では、Ｓｒ＋−エ１３ａ、Ｔｉ
ｏｓｉＯ，００１≦ｘ≦０．１０＋からなる主成分１０
０ｍｏｌに対し、ＮｂｚＯｓあるいはＳｂ２Ｏ５のうち
の少なくとも１種を０．００１＝１．Ｏｍｏｌの割合で
含有していることにより、半導体化が促進され、５ｎｏ
２を０．００１〜３０ｍｏｌの割合で含有していること
により異常な粒成長が抑制され、均一な大きさの粒子か
ら成る組織が形成される。さらに、ＣｕＯ、ＺｒＯ□あ
るいはＴｉＯ□のうちの少なくとも１種を０．００１〜
３．０　ｍｏｌの割合で含有して形成されることにより
、酸素の均一な拡散を促進する粒界層が形成された磁器
組成物が得られる。

あるいは、前記した磁器組成物であって、その結晶粒界
が、Ｂｉ、　Ｌｉ、　Ｎａ、　ＣｏあるいはＭｎのうち
少なくとも１種を含む酸化物の絶縁層により形成される
ことにより、粒界が高抵抗化して非直線係数が改善され
る。

さらに、前記した両磁器組成物において、加圧酸素の雰
囲気中で熱処理する工程を含むので、酸素は表面より粒
界に均一に拡散し、 で示したように、粒界の酸素空孔と反応、あるいは粒界
面に化学吸着する過程で、 に示したように、粒界近傍から伝導電子を奪い、粒界近
傍に高抵抗の粒界障壁を形成し、従って、非直線係数α
が改善される。ここで、ｏｔは酸素、ｅは伝導電子、■
。は酸素空孔、０トはイオン化した酸素をそれぞれ示す
。

なお、Ｓｒ＋−ｘＢａｘＴｉｏｓのＸの範囲が０．００
１未満では、非直線係数αは改善されず、Ｘの範囲が０
、ｌＯを超えると、バリスタ電圧が急に高くなるので、
Ｘの好ましい範囲は、０．００１≦ｘ≦０．ｌＯとなる
。

また、Ｎｂ２Ｏ，あるいはｓｂ、ｏｓの含有量が０．０
０１ｍｏ１未満では、半導体化が十分に進まず、１．Ｏ
ｍｏｌを超えると未反応の半導体化剤が粒界に偏析し、
拡散工程での粒界の高抵抗化を著しく妨げることとなる
ので、Ｎｂ、Ｏ，あるいはＳｂｇＯｓの好ましい含有量
の範囲は０．００１〜１．　Ｏｍｏｌとなる。

また、Ｓｎｏｗの含有量が０．００１　ｍｏ１未満では
、異常粒成長が起き、混粒組織となるので、非直線係数
αは実質的には改善されない、　３．Ｏｍｏｌを超える
と、ＳｎＯ□が焼結体の表面に析出し、焼結体同士が融
着する。従って、　Ｓｎｏｗの好ましい含有量の範囲は
、　０．００１〜３．Ｏｍｏｌとなる。

さらに、ＣｕＯ、Ｚｒ０ｚあるいはＴｉ０ａの含有量が
０．００１　ｍｏ１未満では、酸素の拡散が不均一で、
非直線係数αは改善されない。３．０　ｍｏｌを超える
と見掛けの誘電率が低下するので、ＣｕＯ、ＺｒＯ２あ
るいはＴｉＯ□の好ましい含有量の範囲は０．００１〜
３．Ｏｍｏｌとなる。

１箔！Ｊば」１Δ廻 以下本発明に係る磁器組成物及びその製造方法の実施例
を説明する。

第１の実施例として、まず、Ｓｒ＋−ｘＢａＪｉｏ３の
Ｘが第１表に示した値になるように、原料として、純度
９９％以上の５ｒＣＯａ　、　ＢａＣ０ｚ　、　ＴｌＯ
２をそれぞれ秤量、配合し、ボールミルにて２４時間混
合した。

混合後、乾燥、粉砕し、１２００℃で２時間仮焼した０
次いで前記仮焼粉末をさらにボールミル等を用いて粉砕
して、Ｓｒ　Ｉ−＋ｔＢａｘＴｘ０３の粉末を得た。

次に、前記Ｓｒ＋−ｘＢａＪｉＯｘ　１００　ｍｏｌに
対して、純度９９．９％以上のＮｂＪｓあるいはｓｂ、
ｏ、のうちの少なくとも１種の金属酸化物粉末と、純度
９９．９％以上のＳｎＯ□と、ＣｕＯ、ＺｒＯ７あるい
はＴｉＯ□のうちの少なくとも１種の金属酸化物粉末と
を第１表に示した組成で秤量配合し、ボールミルにて２
４時間混合した。混合後、乾燥、粉砕し、１２００　’
Ｃで２時間仮焼し、さらにボールミル等を用いて粉砕し
た。この粉末に、１０ｗｔ％のポリビニルアルコール水
溶液をバイングーとして３ｗｔ％添加混合し、８０メツ
シユパスに造粒し、この造粒粉末を１０００ｋｇ／ｃｍ
２の圧力で円板形に成形した。

これら成形体を空気中において、１０００℃の温度で脱
脂した後、Ｎ、　（９０ｖｏ１％）　＋Ｈ２（１０ｖｏ
１％）の還元性雰囲気中で、１４５０°Ｃの温度で４時
間焼成し、直径的１０　ｍｍ、厚さ約０．５ｍｍの半導
体磁器組成物を得た。

さらに、前記半導体磁器組成物の特性を調べるために、
その両面に銀ペーストを塗布し、８００°Ｃの温度で焼
き付けを行ない、電極を形成し、素子を完成させた。

なお、上記した実施例においては、本発明に係るバリス
タの性質を損なわない範囲で、例えば、鉱化剤であるＡ
１１ｂｉ　、　ＳｉＯ□等を付加しても差し支えない。

また、Ｓｒ＋−＋＋Ｂａ、ｗＴｔｏｉ、ＮｂａＯｓ　、
　５ｂＪｓ　、　５ｎｏ２、ＣｕＯ、ＺｒＯ□あるいは
Ｔｉ（ｈ等は焼成後の磁器組成物の各成分に相当する金
属酸化物の形で示しているが、最終的に所定の金属酸化
物を得ることができれば良く、出発成分は、金属元素、
炭酸塩、水酸化物燐酸塩、硝酸塩、あるいはシュウ酸塩
としても良い。

第１表の組成によって得られた半導体磁器組成物につい
て、素子の特性評価として見掛けの比誘電率ε、゛、誘
電正接ｔａｎδ、バリスタ電圧Ｖ　１ｍＡ及び非直線係
数αをそれぞれ測定し、結果を第１表に示した。

なお、非直線係数αは１ｍＡの電流が流れたときの端子
間電圧Ｖ　１ｍＡと１０ｍＡの電流が流れたときの端子
間電圧■、。、とを測定し、次式によって決定した。

また、見掛けの比誘電率ε、°は２０℃、ＩＫＨ，，１
ｖで測定し、磁器素体の直径と厚みとにより算出した。

（以下余白） 第１表中＊印のものは本発明の範囲外のものを示し、そ
れ以外はすべて本発明の範囲内のものを示している。

第１表から明らかなように、本発明の範囲内のバリスタ
用半導体磁器組成物の特性として、見掛けの誘電率ε、
°は５００００以上と大きく、更に、バリスフ電圧Ｖ　
１ｆｆｉ＆は２０Ｖ以下で、かつ非直線係数αは１０以
上と、優れたコンデンサ及びバリスタの複合機能を有す
る。

さらに、第２の実施例として、純度９８％以上のＢｉ、
　Ｎａ、　Ｃｕ、　Ｌｉ及びＣｏの酸化物の粉末、すな
わち、Ｂｉ２５３３０　ｍｏｌ、Ｎａ２ＣＯｓ　３０　
ｍｏｌ　、　ＣｕＯ３０ｍｏｌ　、　ＬｉｚＣＯｘ　５
　ｍｏｌ、Ｃ０ＣＯ３５ｍｏｌの組成となるように各成
分を秤量し、これら混合物１００重量部に対し、エチル
セルロースを主成分とする有機溶剤を１００重量部混合
し、これを３時間混練して、拡散剤ペーストを得た。

次に、第１の実施例と同様の製造方法かつ、第２表に示
した組成で作成した半導体磁器組成物の主表面に前記拡
散剤ペーストを、乾燥後の重量が単位面積あたり１　ｍ
ｇ／ｃｍ”となるように塗布乾燥し、空気中において、
１１００℃で１時間熱処理して結晶粒界に拡散剤を熱拡
散させ、バリスタ用半導体磁器組成物を得た。

また、前記半導体磁器組成物の特性を調べるために、そ
の両面に銀ペーストを塗布し、８００°Ｃの温度で焼き
付けを行ない、電極を形成し、素子を完成さた。

なお、上記した実施例においては、Ｂｉ、　Ｌｉ、Ｎａ
、　Ｃｏ、　Ｃｕの金属化合物ペーストの配合を一実施
例として示したが、上記金属化合物のうちの少なくとも
１種の金属化合物を配合したペーストならば、差し支り
はない。

さらに、第１の実施例と同様の方法でバリスタ用半導体
磁器組成物の特性の評価を行ない、その結果を第２表に
示した。

（以下余白） 第２表中＊印のものは本発明の範囲外のものを示し、そ
れ以外はすべて本発明の範囲内のものを示している。

第２表から明らかなように、本発明の範囲内のバリスタ
用半導体磁器組成物は、見掛けの誘電率ε、°は５００
００以上と大きく、更に、バリスタ電圧Ｖ　＋＋ａｍは
２０Ｖ以下で、かつ非直線係数αは１０以上と、優れた
コンデンサ及びバリスタの複合機能を有する。

さらに、第３の実施例として、第１の実施例と同様の製
造方法かつ、第３表に示した組成で作成した半導体磁器
組成物を、圧力１００　ｋｇ／ｃｍ”の純酸素雰囲気中
において、８００℃で１時間熱処理し、バリスタ用半導
体磁器組成物を得た。

また、前記磁器組成物の特性を調べるために、その両面
に８００℃の温度で銀ペーストの焼き付けを行ない、電
極を形成し、素子を完成させ、第１の実施例と同様の方
法でバリスタ用半導体磁器組成物の特性の評価を行ない
、その結果を第３表に示した。

第３表から明らかなように、本発明の範囲内のバリスタ
用半導体磁器組成物は、非直線係数αが著しく大きい、
優れたバリスタ特性を有する。

さらに、第４の実施例として、純度９８％以上のＢｉ、
Ｎａ及びＣｕの酸化物の粉末、すなわちＢＩＪｓ、Ｎａ
ＣＯ５及びＣｕＯをモル比で４５：４５：１０の組成と
なるように各成分を秤量し、これら混合物１００重量部
に対し、エチルセルロースを主成分とする有機溶剤を１
００重量部混合し、これを３時間混練して、拡散剤ペー
ストを得た。

次（二第１の実施例と同様の製造方法かつ、第４表に示
した組成で作成した半導体磁器の主表面に前記拡散剤ペ
ーストを、乾燥後の重量が単位面積あたり１　ｍｇ／ｃ
ｍ”となるように塗布乾燥し、約２００℃の温度で乾燥
した。

さらに前記半導体磁器組成物を、圧力２　ｋｇ／ｃｍ”
の純酸素雰囲気中において、１０００℃で３０分間熱処
理し、バリスタ用半導体磁器組成物質を得た。

また、前記半導体磁器組成物の特性を調べるために、そ
の両面に８００℃の温度で銀ペーストの焼き付けを行な
い、電極を形成し、素子を完成させ、第１の実施例と同
様の方法でバリスタ用半導体磁器組成物の特性の評価を
行ない、その結果を第４表に示した。

（以下余白） 第４表から明らかなように、本発明の範囲内のバリスタ
用半導体磁器組成物は、非直線係数αが著しく太き（、
かつ高静電容量の優れたコンデンサ及びバリスタの複合
機能を有する。

聚肛Ω匁呈 以上の説明により明らかなように、本発明に係る磁器組
成物にあっては、Ｓｒ＋−ｘＢａＪｉＯａ　（０，００
１≦ｘ≦０．１０）からなる主成分１００　ｍｏｌに対
し、Ｎｂ２Ｏ，あるいはＳｂ２Ｏ５のうちの少なくとも
１種を０、００１〜１．ｏｍｏｌの割合で含有している
ことにより、半導体化を促進し、ＳｎＯ２を０．００１
〜３．０ｍｏｌの割合で含有していることにより異常な
粒成長を抑制し、均一な大きさの粒子から成る組織を形
成することができる。また、ＣｕＯ、ＺｒＯ□あるいは
ＴｉＯ□のうちの少なくとも１種を０．００１〜３．０
　ｍｏｌの割合で含有していることにより、酸素の均一
な拡散を促進する粒界層を有した半導体磁器組成物が得
られ、非直線係数αを改善することができる。

あるいは、前記半導体磁器組成物の結晶粒界がＢ１、Ｌ
ｉ、　Ｎａ、　ＣｏあるいはＭｎのうち少なくとも１種
を含む酸化物の絶縁層により形成されている場合には、
結晶粒界を高抵抗化してさらに非直線係数αを改善する
ことができる。

さらに、前記両生導体磁器組成物の製造方法において、
加圧酸素の雰囲気中で熱処理する工程を含む場合には、
酸素は表面より粒界に均一に拡散し、粒界の酸素空孔と
反応、あるいは粒界面に化学吸着する過程で、粒界近傍
から伝導電子を奪い、粒界近傍に高抵抗の粒界障壁を形
成することができる。

従って、見掛けの誘電率ε、゛が大きく、更に、バリス
タ電圧ｖ１□が低く、かつ非直線係数αが大きい、優れ
たコンデンサ及びバリスタの複合機能素子を形成するこ
とができるので、これら素子をＩＣ，ＬＳＩ等を組み込
んだ小型電子機器のノイズ対策に用いれば、優れた特性
を発揮させることができる。

特　許　出　願　人　：住友金属工業株式会社代　　理
　　人　：弁理士　井内龍ニ

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）Ｓｒ＿１＿−＿ｘＢａ＿ｘＴｉＯ＿３（０．００
   １≦ｘ≦０．１０）からなる主成分１００ｍｏｌに対し
   、Ｎｂ＿２Ｏ＿５あるいはＳｂ＿２Ｏ＿５のうちの少な
   くとも１種を０．００１〜１．０ｍｏｌ、ＳｎＯ＿２を
   ０．００１〜３．０ｍｏｌ、ＣｕＯ、ＺｒＯ＿２あるい
   はＴｉＯ＿２のうちの少なくとも１種を０．００１〜３
   ．０ｍｏｌの割合で含有していることを特徴とする磁器
   組成物。
2. （２）Ｓｒ＿１＿−＿ｘＢａ＿ｘＴｉＯ＿３（０．００
   １≦ｘ≦０．１０）からなる主成分１００ｍｏｌに対し
   、Ｎｂ＿２Ｏ＿５あるいはＳｂ＿２Ｏ＿５のうちの少な
   くとも１種を０．００１〜１．０ｍｏｌ、ＳｎＯ＿２を
   ０．００１〜３．０ｍｏｌ，ＣｕＯ、ＺｒＯ＿２あるい
   はＴｉＯ＿２のうちの少なくとも１種を０．００１〜３
   ．０ｍｏｌの割合で含有して形成された磁器組成物であ
   って、その結晶粒界がＢｉ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｃｏあるいは
   Ｍｎのうち少なくとも１種を含む酸化物の絶縁層により
   形成されていることを特徴とする磁器組成物。
3. （３）加圧酸素の雰囲気中で熱処理する工程を含むこと
   を特徴とする請求項１または請求項２記載の磁器組成物
   の製造方法。