JP2573466B2 - 電圧非直線性抵抗体磁器組成物 - Google Patents
電圧非直線性抵抗体磁器組成物Info
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- JP2573466B2 JP2573466B2 JP6009363A JP936394A JP2573466B2 JP 2573466 B2 JP2573466 B2 JP 2573466B2 JP 6009363 A JP6009363 A JP 6009363A JP 936394 A JP936394 A JP 936394A JP 2573466 B2 JP2573466 B2 JP 2573466B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、各種の電気機器や電子
機器において発生する異常電圧すなわちサージを吸収
し、またノイズを吸収する場合等に利用される電圧非直
線性抵抗体（以下単にバリスタと云う。）用の磁器組成
物に関し、特に電圧依存性非直線抵抗特性と誘電特性と
を備えたバリスタ素子用のチタン酸ストロンチウム磁器
組成物に関するものである。
機器において発生する異常電圧すなわちサージを吸収
し、またノイズを吸収する場合等に利用される電圧非直
線性抵抗体（以下単にバリスタと云う。）用の磁器組成
物に関し、特に電圧依存性非直線抵抗特性と誘電特性と
を備えたバリスタ素子用のチタン酸ストロンチウム磁器
組成物に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、各種の電気機器や電子機器のサー
ジの吸収や、ノイズの除去、そして火花の消去等のため
に用いられる電圧依存性非直線抵抗特性を有するバリス
タとしては、ＳｉＣバリスタやＺｎＯ系バリスタが使用
されていた。このようなバリスタの電圧―電流特性は近
似的に次式の関係式で表わされる。
ジの吸収や、ノイズの除去、そして火花の消去等のため
に用いられる電圧依存性非直線抵抗特性を有するバリス
タとしては、ＳｉＣバリスタやＺｎＯ系バリスタが使用
されていた。このようなバリスタの電圧―電流特性は近
似的に次式の関係式で表わされる。
【０００３】Ｉ＝（Ｖ／Ｃ）α 上記式において、Ｉは電流、Ｖは電圧、そしてＣはバリ
スタ材料の特性によって定まるバリスタ固有の定数であ
る。またαは電圧非直線性を示す電圧非直線指数であ
る。一般的にはバリスタに１０ｍＡの電流を流したとき
のバリスタ素子端子間の電圧を測定して、この電圧をバ
リスタ電圧Ｖ 10 と呼んで電圧―電流特性の目安としてい
る。
スタ材料の特性によって定まるバリスタ固有の定数であ
る。またαは電圧非直線性を示す電圧非直線指数であ
る。一般的にはバリスタに１０ｍＡの電流を流したとき
のバリスタ素子端子間の電圧を測定して、この電圧をバ
リスタ電圧Ｖ 10 と呼んで電圧―電流特性の目安としてい
る。
【０００４】従来用いられていたＳｉＣバリスタのα値
は２〜４程度であり、またＺｎＯ系バリスタのα値は２
０〜６０程度であるから、これらのバリスタではサージ
のように比較的高い電圧の吸収には優れた性能を有して
いる。しかしながら、これらのバリスタは誘電率が低
く、静電容量が小さいために、ノイズの吸収効果を殆ん
ど得ることができない。
は２〜４程度であり、またＺｎＯ系バリスタのα値は２
０〜６０程度であるから、これらのバリスタではサージ
のように比較的高い電圧の吸収には優れた性能を有して
いる。しかしながら、これらのバリスタは誘電率が低
く、静電容量が小さいために、ノイズの吸収効果を殆ん
ど得ることができない。
【０００５】そこでサージの吸収特性に優れ、なおかつ
ノイズの吸収特性に優れたバリスタとしてＳｒＴｉＯ3
系の半導体磁器を素材としたバリスタが開発された。こ
の種のバリスタとしては、例えば特公昭５８−２１８０
６号公報に示されるように、ＳｒＴｉＯ3 又はＳｒ
(1-x) Ｃａx ＴｉＯ3 を主成分とし、この主成分に半導
体化を促進する金属酸化物として例えばＮａ2 Ｏ5 ，Ｔ
ａ2 Ｏ3 ，Ｌａ2 Ｏ3 等を添加し、そして非直線性を改
善するための金属酸化物として、例えばＣｕＯ，ＭｎＯ
2 等を添加したものを組成物として用いたものが知られ
ている。このような素材を用いたバリスタは、誘電率が
高いために、バリスタ本来の機能の外にコンデンサとし
ての機能も備えており、サージ電圧の抑制とノイズの除
去機能に優れた性能を有している。
ノイズの吸収特性に優れたバリスタとしてＳｒＴｉＯ3
系の半導体磁器を素材としたバリスタが開発された。こ
の種のバリスタとしては、例えば特公昭５８−２１８０
６号公報に示されるように、ＳｒＴｉＯ3 又はＳｒ
(1-x) Ｃａx ＴｉＯ3 を主成分とし、この主成分に半導
体化を促進する金属酸化物として例えばＮａ2 Ｏ5 ，Ｔ
ａ2 Ｏ3 ，Ｌａ2 Ｏ3 等を添加し、そして非直線性を改
善するための金属酸化物として、例えばＣｕＯ，ＭｎＯ
2 等を添加したものを組成物として用いたものが知られ
ている。このような素材を用いたバリスタは、誘電率が
高いために、バリスタ本来の機能の外にコンデンサとし
ての機能も備えており、サージ電圧の抑制とノイズの除
去機能に優れた性能を有している。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記組成
物を用いて製造したバリスタは、バリスタ電圧Ｖ10の変
動係数が大きくなり、歩留まりが悪くなるという問題が
あった。また上記バリスタは、特にこのバリスタを未被
覆の状態で湿中に放置した場合には、バリスタ電圧Ｖ10
と静電容量の変化率を±２％以内まで抑えることが極め
て難しいという問題があった。
物を用いて製造したバリスタは、バリスタ電圧Ｖ10の変
動係数が大きくなり、歩留まりが悪くなるという問題が
あった。また上記バリスタは、特にこのバリスタを未被
覆の状態で湿中に放置した場合には、バリスタ電圧Ｖ10
と静電容量の変化率を±２％以内まで抑えることが極め
て難しいという問題があった。
【０００７】バリスタ電圧Ｖ10の変動係数が大きくなる
問題は、上記組成物が製造工程の条件の微小な変動に影
響を受け易いことに起因しているものと考えられる。す
なわち上記組成物を用いてバリスタ用の磁器を製造する
場合には、まず成形体を中性又は還元性雰囲気で焼成し
て半導体化磁器を作る。その後この半導体化磁器を大気
中で熱処理して再酸化させることにより結晶粒界に絶縁
層を形成させるか、またはＰｂＯ，Ｂｉ2 Ｏ3 又はＮａ
2 Ｏを含む絶縁層形成用ペーストを半導体化磁器の表面
に塗布して、熱処理を行って上記成分を拡散させること
により結晶粒界に絶縁層を形成させて、バリスタ特性と
コンデンサ特性とを有する半導体化磁器を得ている。従
来の組成物では、上記製造工程における半導体化の際の
焼成条件の微小な変化や、再酸化を行ったり絶縁層形成
用ペーストの成分を拡散させる際の熱処理条件の微小な
変化によって、半導体化及び絶縁層形成の程度に差が生
じて、バリスタ電圧Ｖ10の変動係数が大きくなるものと
考えられる。尚この条件の微小な変化は、通常の製造工
程において必然的に発生する変化であり、条件の変化を
小さくすることは難しい。また湿中放置後のバリスタ電
圧Ｖ10と静電容量の値の変化率が大きくなることは、こ
の組成物の成分の素性に原因があるものと考えられる。
問題は、上記組成物が製造工程の条件の微小な変動に影
響を受け易いことに起因しているものと考えられる。す
なわち上記組成物を用いてバリスタ用の磁器を製造する
場合には、まず成形体を中性又は還元性雰囲気で焼成し
て半導体化磁器を作る。その後この半導体化磁器を大気
中で熱処理して再酸化させることにより結晶粒界に絶縁
層を形成させるか、またはＰｂＯ，Ｂｉ2 Ｏ3 又はＮａ
2 Ｏを含む絶縁層形成用ペーストを半導体化磁器の表面
に塗布して、熱処理を行って上記成分を拡散させること
により結晶粒界に絶縁層を形成させて、バリスタ特性と
コンデンサ特性とを有する半導体化磁器を得ている。従
来の組成物では、上記製造工程における半導体化の際の
焼成条件の微小な変化や、再酸化を行ったり絶縁層形成
用ペーストの成分を拡散させる際の熱処理条件の微小な
変化によって、半導体化及び絶縁層形成の程度に差が生
じて、バリスタ電圧Ｖ10の変動係数が大きくなるものと
考えられる。尚この条件の微小な変化は、通常の製造工
程において必然的に発生する変化であり、条件の変化を
小さくすることは難しい。また湿中放置後のバリスタ電
圧Ｖ10と静電容量の値の変化率が大きくなることは、こ
の組成物の成分の素性に原因があるものと考えられる。
【０００８】このようなことから、製造条件の変化があ
る場合でも、各成分の配合比率の選択の幅を広くしてな
おかつバリスタ電圧Ｖ10の変動係数を小さくすることが
でき、しかも湿中放置後のバリスタ電圧Ｖ10及び静電容
量の変化率が大きくならない耐湿性の良好な新規な組成
物が望まれている。
る場合でも、各成分の配合比率の選択の幅を広くしてな
おかつバリスタ電圧Ｖ10の変動係数を小さくすることが
でき、しかも湿中放置後のバリスタ電圧Ｖ10及び静電容
量の変化率が大きくならない耐湿性の良好な新規な組成
物が望まれている。
【０００９】本発明の目的は、このような新規な組成物
を提供することにある。
を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の非直線性抵抗体
磁器組成物は、上記課題を解消するために、ＳｒＴｉＯ
3 を７０．０〜９９．９モル％含み、残りの成分がＭｇ
ＴｉＯ3 からなる主組成物に、Ｇｄ2 Ｏ3 ，Ｔｂ4 Ｏ7
及びＹｂ2 Ｏ3 から選択した少なくとも１種の金属酸化
物を０．０１〜２．０モル％と、ＮｉＯ及びＣｒ2 Ｏ3
から選択した少なくとも１種の金属酸化物を０．０１〜
２．０モル％含有させて構成される。
磁器組成物は、上記課題を解消するために、ＳｒＴｉＯ
3 を７０．０〜９９．９モル％含み、残りの成分がＭｇ
ＴｉＯ3 からなる主組成物に、Ｇｄ2 Ｏ3 ，Ｔｂ4 Ｏ7
及びＹｂ2 Ｏ3 から選択した少なくとも１種の金属酸化
物を０．０１〜２．０モル％と、ＮｉＯ及びＣｒ2 Ｏ3
から選択した少なくとも１種の金属酸化物を０．０１〜
２．０モル％含有させて構成される。
【００１１】
【作用】この種の組成物は、理論的な根拠に基づいて発
明されるというよりはむしろ、種々の材料の中から材料
を取捨選択して所望の性能が得られるか否かを実験で確
認しながら開発されるのが一般的である。したがって、
使用する材料成分が個別にどのような作用を果たしてい
るのか、また各成分の配合比率を所定の範囲に限定する
根拠が何であるのかを明確に説明できない場合が多々あ
ることは当業者に明らかであろう。またこの種の組成物
においては、各成分が有する作用の単純な集合結果とし
て所望の性能が得られるというよりはむしろ、各成分が
複雑に絡みあって相互に作用することによって所望の結
果が得られるものであることも当業者には明らかであろ
う。
明されるというよりはむしろ、種々の材料の中から材料
を取捨選択して所望の性能が得られるか否かを実験で確
認しながら開発されるのが一般的である。したがって、
使用する材料成分が個別にどのような作用を果たしてい
るのか、また各成分の配合比率を所定の範囲に限定する
根拠が何であるのかを明確に説明できない場合が多々あ
ることは当業者に明らかであろう。またこの種の組成物
においては、各成分が有する作用の単純な集合結果とし
て所望の性能が得られるというよりはむしろ、各成分が
複雑に絡みあって相互に作用することによって所望の結
果が得られるものであることも当業者には明らかであろ
う。
【００１２】本発明も、前述の一般的な開発手法で発明
されたものであるから、明確に各成分の作用を説明する
ことはできないが、推測される各成分の一般的な作用に
ついて概略的に説明する。本発明において、７０．０〜
９９．９モル％のＳｒＴｉＯ3 と一緒になって主組成物
を構成するＭｇＴｉＯ3 は、半導体化を容易にする成分
であると考えられる。実験結果からはＭｇＴｉＯ3 が
０．１モル％未満になると、半導体化が困難となり、３
０モル％より多くなると熱処理の際に生じる条件の変化
によってバリスタ電圧Ｖ 10 の変動係数が大きくなること
が確認されている。
されたものであるから、明確に各成分の作用を説明する
ことはできないが、推測される各成分の一般的な作用に
ついて概略的に説明する。本発明において、７０．０〜
９９．９モル％のＳｒＴｉＯ3 と一緒になって主組成物
を構成するＭｇＴｉＯ3 は、半導体化を容易にする成分
であると考えられる。実験結果からはＭｇＴｉＯ3 が
０．１モル％未満になると、半導体化が困難となり、３
０モル％より多くなると熱処理の際に生じる条件の変化
によってバリスタ電圧Ｖ 10 の変動係数が大きくなること
が確認されている。
【００１３】また上記主組成物に添加される０．０１〜
２．０モル％のＧｄ2 Ｏ3 ，Ｔｂ4Ｏ7 及びＹｂ2 Ｏ3
から選択した少なくとも１種の金属酸化物（第１添加成
分）は、電圧非直線指数αの値に影響を与える。この成
分が０．０１モル％未満になると電圧非直線指数αが小
さくなり過ぎる。またこの成分が２モル％より大きくな
ると、熱処理の際に生じる条件の変化によって湿中のバ
リスタ電圧Ｖ10及び静電容量の変化率が大きくなる。
２．０モル％のＧｄ2 Ｏ3 ，Ｔｂ4Ｏ7 及びＹｂ2 Ｏ3
から選択した少なくとも１種の金属酸化物（第１添加成
分）は、電圧非直線指数αの値に影響を与える。この成
分が０．０１モル％未満になると電圧非直線指数αが小
さくなり過ぎる。またこの成分が２モル％より大きくな
ると、熱処理の際に生じる条件の変化によって湿中のバ
リスタ電圧Ｖ10及び静電容量の変化率が大きくなる。
【００１４】そしてＮｉＯ及びＣｒ2 Ｏ3 から選択した
少なくとも１種の金属酸化物（第２添加成分）は、主と
して焼結性に影響を与える。この成分が、０．０１モル
％〜２．０モル％の範囲外では、湿中放置におけるバリ
スタ電圧Ｖ10及び静電容量の変化率が大きくなる。
少なくとも１種の金属酸化物（第２添加成分）は、主と
して焼結性に影響を与える。この成分が、０．０１モル
％〜２．０モル％の範囲外では、湿中放置におけるバリ
スタ電圧Ｖ10及び静電容量の変化率が大きくなる。
【００１５】本発明によれば、上記主組成物、第１添加
成分及び第２添加成分を所定の成分比とした結果、バリ
スタ電圧Ｖ10の低いバリスタ用の磁器組成物において、
通常の製造工程において生じる焼成条件及び熱処理条件
の微小な変化に対しても、バリスタ電圧Ｖ10の変動係数
を１０％前後またはそれより小さくすることができる。
また湿中におけるバリスタ電圧Ｖ10及び静電容量の変化
率を大幅に抑制できるバリスタ用の磁器組成物を得られ
る。
成分及び第２添加成分を所定の成分比とした結果、バリ
スタ電圧Ｖ10の低いバリスタ用の磁器組成物において、
通常の製造工程において生じる焼成条件及び熱処理条件
の微小な変化に対しても、バリスタ電圧Ｖ10の変動係数
を１０％前後またはそれより小さくすることができる。
また湿中におけるバリスタ電圧Ｖ10及び静電容量の変化
率を大幅に抑制できるバリスタ用の磁器組成物を得られ
る。
【００１６】
【実施例】以下、本発明の実施例について説明する。
【００１７】まず本発明の磁器組成物を用いて、該組成
物の特性を測定するための試験用のバリスタを製造する
方法について説明する。まず７０．０〜９９．９モル％
のＳｒＴｉＯ3 とＭｇＴｉＯ3 とを混合して主組成物を
作る。そしてこの主組成物と、Ｇｄ2 Ｏ3 ，Ｔｂ4 Ｏ7
及びＹｂ2 Ｏ3 から選択した少なくとも１種の金属酸化
物（第１添加成分）及びＮｉＯ及びＣｒ2 Ｏ3 から選択
した少なくとも１種の金属酸化物（第２添加成分）が所
定の組成比に入るように秤量したのちボールミル等の粉
砕混合機を用いて１０〜１６時間湿式混合する。そして
混合後に、乾燥器で乾燥させたのち、所定の容器に入れ
て空気雰囲気中で１０００〜１１５０℃の温度で仮焼す
る。仮焼後、再度ボールミル等の粉砕混合機を用いて１
０〜１６時間湿式混合し、乾燥させる。次に乾燥させた
材料に、ポリビニルアルコール等のバインダを約２重量
％加えて造粒したのち、造粒粉末を０．５〜１．５ｔ／
cm2 のプレス圧で圧縮して直径１０mm、厚さ約１．２mm
の円板形状の成形体を形成する。
物の特性を測定するための試験用のバリスタを製造する
方法について説明する。まず７０．０〜９９．９モル％
のＳｒＴｉＯ3 とＭｇＴｉＯ3 とを混合して主組成物を
作る。そしてこの主組成物と、Ｇｄ2 Ｏ3 ，Ｔｂ4 Ｏ7
及びＹｂ2 Ｏ3 から選択した少なくとも１種の金属酸化
物（第１添加成分）及びＮｉＯ及びＣｒ2 Ｏ3 から選択
した少なくとも１種の金属酸化物（第２添加成分）が所
定の組成比に入るように秤量したのちボールミル等の粉
砕混合機を用いて１０〜１６時間湿式混合する。そして
混合後に、乾燥器で乾燥させたのち、所定の容器に入れ
て空気雰囲気中で１０００〜１１５０℃の温度で仮焼す
る。仮焼後、再度ボールミル等の粉砕混合機を用いて１
０〜１６時間湿式混合し、乾燥させる。次に乾燥させた
材料に、ポリビニルアルコール等のバインダを約２重量
％加えて造粒したのち、造粒粉末を０．５〜１．５ｔ／
cm2 のプレス圧で圧縮して直径１０mm、厚さ約１．２mm
の円板形状の成形体を形成する。
【００１８】そしてこの円板形状の成形体を還元雰囲気
（８０〜９７％Ｎ2 ，３−２０％Ｈ2 ）中で約１３００
〜１４５０℃の範囲の温度で１〜６時間焼成したのち、
この焼成体を空気雰囲気中で９００〜１２５０℃の範囲
の温度で１〜８時間熱処理して再酸化させることによっ
て円板状の焼成体を得る。更にこの焼成体の両面にオー
ミック接触を形成する銀等の導電性金属膜電極を公知の
方法で形成することによりバリスタを完成する。
（８０〜９７％Ｎ2 ，３−２０％Ｈ2 ）中で約１３００
〜１４５０℃の範囲の温度で１〜６時間焼成したのち、
この焼成体を空気雰囲気中で９００〜１２５０℃の範囲
の温度で１〜８時間熱処理して再酸化させることによっ
て円板状の焼成体を得る。更にこの焼成体の両面にオー
ミック接触を形成する銀等の導電性金属膜電極を公知の
方法で形成することによりバリスタを完成する。
【００１９】［測定結果］ 下記の表１及び表２は、それぞれ主組成物の混合材料と
してＭｇＴｉＯ3 を用いた磁器組成物の各配合成分の組
成比を変えて上記の方法により作ったバリスタ素子の測
定結果が示してある。なお各表中の電圧非直線指数α
は、バリスタ素子に１ｍＡ及び１０ｍＡの電流を流した
時のバリスタ素子両端の電圧Ｖ1 及びＶ10を用いてα＝
１／ｌｏｇ（Ｖ10／Ｖ1 ）の式より求めた値である。ま
た静電容量は、ＬＣＲメータを使用し、測定周波数を１
ＫＨｚ，測定電圧を１０mVとして測定した値である。更
にバリスタ電圧Ｖ10の変動係数（％）は、Ｖ10のバラツ
キを表すもので、Ｖ10の標準偏差と平均値との比を百分
率で示してある。また湿中放置によるバリスタ電圧Ｖ 10
及び静電容量の変化率は、未被覆のバリスタ素子を湿度
９５％，温度６０℃の雰囲気中に２４０時間放置したの
ちにバリスタ電圧及び静電容量を測定し、その値を初期
値に対する百分率で示したものである。
してＭｇＴｉＯ3 を用いた磁器組成物の各配合成分の組
成比を変えて上記の方法により作ったバリスタ素子の測
定結果が示してある。なお各表中の電圧非直線指数α
は、バリスタ素子に１ｍＡ及び１０ｍＡの電流を流した
時のバリスタ素子両端の電圧Ｖ1 及びＶ10を用いてα＝
１／ｌｏｇ（Ｖ10／Ｖ1 ）の式より求めた値である。ま
た静電容量は、ＬＣＲメータを使用し、測定周波数を１
ＫＨｚ，測定電圧を１０mVとして測定した値である。更
にバリスタ電圧Ｖ10の変動係数（％）は、Ｖ10のバラツ
キを表すもので、Ｖ10の標準偏差と平均値との比を百分
率で示してある。また湿中放置によるバリスタ電圧Ｖ 10
及び静電容量の変化率は、未被覆のバリスタ素子を湿度
９５％，温度６０℃の雰囲気中に２４０時間放置したの
ちにバリスタ電圧及び静電容量を測定し、その値を初期
値に対する百分率で示したものである。
【００２０】なお表１及び表２の特性値は、再酸化温度
１１００℃の場合を示している。また各表中の試料番号
の前の「・」印は、比較例であることを示している。
１１００℃の場合を示している。また各表中の試料番号
の前の「・」印は、比較例であることを示している。
【００２１】
【表１】
【表２】 上記表１及び表２の結果から判るように、７０．０〜９
９．９モル％のＳｒＴｉＯ3 に３０〜０．１モル％のＭ
ｇＴｉＯ3 を含有させた主組成物に、Ｇｄ2 Ｏ3 ，Ｔｂ
4 Ｏ7 及びＹｂ2 Ｏ3 から選択した少なくとも１種の金
属酸化物を０．０１〜２．０モル％と、ＮｉＯ及びＣｒ
2 Ｏ3 から選択した少なくとも１種の金属酸化物を０．
０１〜２．０モル％含有させた組成物（試料番号１〜２
５）を用いた場合には、各成分を広い範囲で選択しても
製造工程において当然に発生する条件の変化に対して、
バリスタ電圧Ｖ10の変動係数が４．９〜１３．８％の範
囲内に入る。また、湿中放置によるバリスタ電圧及び静
電容量も±２％以内に入る測定結果が得られた。したが
って本発明によれば従来の組成物と比べて、優れた特性
を得ることができる。一般的にこのバリスタ素子に用い
る組成物としては、ＭｇＴｉＯ3 が１０モル％前後で、
第１及び第２の添加成分がそれぞれ１モル％以下である
のが好ましい。なおバリスタの特性条件に応じて、適宜
の配合成分の組成物を用いてバリスタを製造することが
できるのは勿論である。
９．９モル％のＳｒＴｉＯ3 に３０〜０．１モル％のＭ
ｇＴｉＯ3 を含有させた主組成物に、Ｇｄ2 Ｏ3 ，Ｔｂ
4 Ｏ7 及びＹｂ2 Ｏ3 から選択した少なくとも１種の金
属酸化物を０．０１〜２．０モル％と、ＮｉＯ及びＣｒ
2 Ｏ3 から選択した少なくとも１種の金属酸化物を０．
０１〜２．０モル％含有させた組成物（試料番号１〜２
５）を用いた場合には、各成分を広い範囲で選択しても
製造工程において当然に発生する条件の変化に対して、
バリスタ電圧Ｖ10の変動係数が４．９〜１３．８％の範
囲内に入る。また、湿中放置によるバリスタ電圧及び静
電容量も±２％以内に入る測定結果が得られた。したが
って本発明によれば従来の組成物と比べて、優れた特性
を得ることができる。一般的にこのバリスタ素子に用い
る組成物としては、ＭｇＴｉＯ3 が１０モル％前後で、
第１及び第２の添加成分がそれぞれ１モル％以下である
のが好ましい。なおバリスタの特性条件に応じて、適宜
の配合成分の組成物を用いてバリスタを製造することが
できるのは勿論である。
【００２２】なお試料番号２６〜２８は第２添加成分が
含まれないものであり、試料番号２９及び３０は第１添
加成分が含まれないものである。両者を対比すると判る
ように、第２添加成分がない場合には湿中放置による特
性の変化率が大きくなり、また第１添加成分がない場合
には電圧非直線指数αが大幅に小さくなる。また試料番
号３１〜３３には、何れかの成分が好ましい成分範囲外
にある場合を示してある。これらから判るように、何れ
かの成分が好ましい成分範囲外にある場合には、静電容
量及び電圧非直線指数αが小さくなる上、バリスタ電圧
の変動係数が大きくなるとともに湿中放置による特性の
変化率が大きくなる。
含まれないものであり、試料番号２９及び３０は第１添
加成分が含まれないものである。両者を対比すると判る
ように、第２添加成分がない場合には湿中放置による特
性の変化率が大きくなり、また第１添加成分がない場合
には電圧非直線指数αが大幅に小さくなる。また試料番
号３１〜３３には、何れかの成分が好ましい成分範囲外
にある場合を示してある。これらから判るように、何れ
かの成分が好ましい成分範囲外にある場合には、静電容
量及び電圧非直線指数αが小さくなる上、バリスタ電圧
の変動係数が大きくなるとともに湿中放置による特性の
変化率が大きくなる。
【００２３】
【発明の効果】本発明の組成物を用いれば、バリスタ電
圧Ｖ10の低いバリスタ用の磁器組成物において、バリス
タ電圧Ｖ10の変動係数を小さくすることができるので、
製品の歩留りを高くすることができる。また本発明の組
成物を用いれば、各種の特性を有するものが得られ且つ
湿中におけるバリスタ電圧Ｖ10及び静電容量の変化率が
小さいバリスタ素子を得ることができるので、バリスタ
素子の信頼性を大幅に向上させることができる。
圧Ｖ10の低いバリスタ用の磁器組成物において、バリス
タ電圧Ｖ10の変動係数を小さくすることができるので、
製品の歩留りを高くすることができる。また本発明の組
成物を用いれば、各種の特性を有するものが得られ且つ
湿中におけるバリスタ電圧Ｖ10及び静電容量の変化率が
小さいバリスタ素子を得ることができるので、バリスタ
素子の信頼性を大幅に向上させることができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 石割 均 富山県上新川郡大沢野町下大久保3158番 地 北陸電気工業株式会社内 (72)発明者 大沢 準一 富山県上新川郡大沢野町下大久保3158番 地 北陸電気工業株式会社内 (56)参考文献 特開 昭62−179103（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−5606（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−282412（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−252904（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−43107（ＪＰ，Ａ) 特公 昭58−21806（ＪＰ，Ｂ２)
Claims (1)
- 【請求項１】 ＳｒＴｉＯ3 を７０．０〜９９．９モル
％含み、残りの成分がＭｇＴｉＯ3 からなる主組成物
に、 Ｇｄ2 Ｏ3 ，Ｔｂ4 Ｏ7 及びＹｂ2 Ｏ3 から選択した少
なくとも１種の金属酸化物を０．０１〜２．０モル％
と、 ＮｉＯ及びＣｒ2 Ｏ3 から選択した少なくとも１種の金
属酸化物を０．０１〜２．０モル％含有させたことを特
徴とする電圧非直線性抵抗体磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6009363A JP2573466B2 (ja) | 1994-01-31 | 1994-01-31 | 電圧非直線性抵抗体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6009363A JP2573466B2 (ja) | 1994-01-31 | 1994-01-31 | 電圧非直線性抵抗体磁器組成物 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62200033A Division JP2638599B2 (ja) | 1987-08-12 | 1987-08-12 | 電圧非直線性抵抗体磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06302407A JPH06302407A (ja) | 1994-10-28 |
| JP2573466B2 true JP2573466B2 (ja) | 1997-01-22 |
Family
ID=11718403
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6009363A Expired - Lifetime JP2573466B2 (ja) | 1994-01-31 | 1994-01-31 | 電圧非直線性抵抗体磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2573466B2 (ja) |
-
1994
- 1994-01-31 JP JP6009363A patent/JP2573466B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06302407A (ja) | 1994-10-28 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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