JP2638599B2 - 電圧非直線性抵抗体磁器組成物 - Google Patents
電圧非直線性抵抗体磁器組成物Info
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- H01C7/10—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material voltage responsive, i.e. varistors
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Description
【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、各種の電気機器や電子機器において発生す
る異常電圧すなわちサージを吸収し、またノイズを吸収
する場合等に利用される電圧非直線性抵抗体(以下単に
バリスタと云う。)用の磁器組成物に関し、特に電圧依
存性非直線抵抗特性と誘電特性とを備えたバリスタ素子
用のチタン酸ストロンチウム磁器組成物に関するもので
ある。
る異常電圧すなわちサージを吸収し、またノイズを吸収
する場合等に利用される電圧非直線性抵抗体(以下単に
バリスタと云う。)用の磁器組成物に関し、特に電圧依
存性非直線抵抗特性と誘電特性とを備えたバリスタ素子
用のチタン酸ストロンチウム磁器組成物に関するもので
ある。
[従来の技術] 従来、各種の電気機器や電子機器のサージの吸収や、
ノイズの除去、そして火花の消去等のために用いられる
電圧依存性非直線抵抗特性を有するバリスタとしては、
SiCバリスタやZnO系バリスタが使用されていた。このよ
うなバリスタの電圧−電流特性は近似的に次式の関係式
で表わされる。
ノイズの除去、そして火花の消去等のために用いられる
電圧依存性非直線抵抗特性を有するバリスタとしては、
SiCバリスタやZnO系バリスタが使用されていた。このよ
うなバリスタの電圧−電流特性は近似的に次式の関係式
で表わされる。
I=(V/C)α 上記式において、Iは電流、Vは電圧、そしてCはバ
リスタ材料の特性によって定まるバリスタ固有の定数で
ある。またαは電圧非直線性を示す電圧非直線指数であ
る。一般的にはバリスタに10mAの電流を流したときのバ
リスタ素子端子間の電圧を測定して、この電圧をバリス
タ電圧V10と呼んで電圧−電流特性の目安としている。
リスタ材料の特性によって定まるバリスタ固有の定数で
ある。またαは電圧非直線性を示す電圧非直線指数であ
る。一般的にはバリスタに10mAの電流を流したときのバ
リスタ素子端子間の電圧を測定して、この電圧をバリス
タ電圧V10と呼んで電圧−電流特性の目安としている。
従来用いられていたSiCバリスタのα値は2〜4程度
であり、またZnO系バリスタのα値は20〜60程度である
から、これらのバリスタではサージのように比較的高い
電圧の吸収には優れた性能を有している。しかしなが
ら、これらのバリスタは誘電率が低く、静電容量が小さ
いために、ノイズの吸収効果を殆んど得ることができな
い。
であり、またZnO系バリスタのα値は20〜60程度である
から、これらのバリスタではサージのように比較的高い
電圧の吸収には優れた性能を有している。しかしなが
ら、これらのバリスタは誘電率が低く、静電容量が小さ
いために、ノイズの吸収効果を殆んど得ることができな
い。
そこでサージの吸収特性に優れ、なおかつノイズの吸
収特性に優れたバリスタとしてSrTiO3系の半導体磁器を
素材としたバリスタが開発された。この種のバリスタと
しては、例えば特公昭58−21806号公報に示されるよう
に、SrTiO3又はSr(1-x)CaxTiO3を主成分とし、この主成
分に半導体化を促進する金属酸化物として例えばNb2O5,
Ta2O3,La2O3等を添加し、そして非直線性を改善するた
めの金属酸化物として、例えばCuO,MnO2等を添加したも
のを組成物として用いたものが知られている。このよう
な素材を用いたバリスタは、誘電率が高いために、バリ
スタ本来の機能の外にコンデンサとしての機能も備えて
おり、サージ電圧の抑制とノイズの除去機能に優れた性
能を有している。
収特性に優れたバリスタとしてSrTiO3系の半導体磁器を
素材としたバリスタが開発された。この種のバリスタと
しては、例えば特公昭58−21806号公報に示されるよう
に、SrTiO3又はSr(1-x)CaxTiO3を主成分とし、この主成
分に半導体化を促進する金属酸化物として例えばNb2O5,
Ta2O3,La2O3等を添加し、そして非直線性を改善するた
めの金属酸化物として、例えばCuO,MnO2等を添加したも
のを組成物として用いたものが知られている。このよう
な素材を用いたバリスタは、誘電率が高いために、バリ
スタ本来の機能の外にコンデンサとしての機能も備えて
おり、サージ電圧の抑制とノイズの除去機能に優れた性
能を有している。
[発明が解決しようとする問題点] しかしながら上記組成物を用いて製造したバリスタ
は、バリスタ電圧V10の変動係数が大きくなり、歩留ま
りが悪くなるという問題があった。また上記バリスタ
は、特にこのバリスタを未被覆の状態で湿中に放置した
場合には、バリスタ電圧V10と静電容量の変化率を±2
%以内まで抑えることが極めて難しいという問題があっ
た。
は、バリスタ電圧V10の変動係数が大きくなり、歩留ま
りが悪くなるという問題があった。また上記バリスタ
は、特にこのバリスタを未被覆の状態で湿中に放置した
場合には、バリスタ電圧V10と静電容量の変化率を±2
%以内まで抑えることが極めて難しいという問題があっ
た。
バリスタ電圧V10の変動係数が大きくなる問題は、上
記組成物が製造工程の条件の微小な変動に影響を受け易
いことに起因しているものと考えられる。すなわち上記
組成物を用いてバリスタ用の磁器を製造する場合には、
まず成形体を中性又は還元性雰囲気で焼成して半導体化
磁器を作る。その後この半導体化磁器を大気中で熱処理
して再酸化させることにより結晶粒界に絶縁層を形成さ
せるか、またはPbO,Bi2O3又はNa2Oを含む絶縁相形成用
ペーストを半導体化磁器の表面に塗布して、熱処理を行
って上記成分を拡散させることにより結晶粒界に絶縁相
を形成させて、バリスタ特性とコンデンサ特性とを有す
る半導体化磁器を得ている。従来の組成物では、上記製
造工程における半導体化の際の焼成条件の微小な変化
や、再酸化を行ったり絶縁層形成用ペーストの成分を拡
散させる際の熱処理条件の微小な変化によって、半導体
化及び絶縁層形成の程度に差が生じて、バリスタ電圧V
10の変動係数を大きくなるものと考えられる。尚この条
件の微小な変化は、通常の製造工程において必然的に発
生する変化であり、条件の変化を小さくすることは難し
い。また湿中放置後のバリスタ電圧V10と静電容量の値
の変化率が大きくなることは、この組成物の成分の素性
に原因があるものと考えられる。
記組成物が製造工程の条件の微小な変動に影響を受け易
いことに起因しているものと考えられる。すなわち上記
組成物を用いてバリスタ用の磁器を製造する場合には、
まず成形体を中性又は還元性雰囲気で焼成して半導体化
磁器を作る。その後この半導体化磁器を大気中で熱処理
して再酸化させることにより結晶粒界に絶縁層を形成さ
せるか、またはPbO,Bi2O3又はNa2Oを含む絶縁相形成用
ペーストを半導体化磁器の表面に塗布して、熱処理を行
って上記成分を拡散させることにより結晶粒界に絶縁相
を形成させて、バリスタ特性とコンデンサ特性とを有す
る半導体化磁器を得ている。従来の組成物では、上記製
造工程における半導体化の際の焼成条件の微小な変化
や、再酸化を行ったり絶縁層形成用ペーストの成分を拡
散させる際の熱処理条件の微小な変化によって、半導体
化及び絶縁層形成の程度に差が生じて、バリスタ電圧V
10の変動係数を大きくなるものと考えられる。尚この条
件の微小な変化は、通常の製造工程において必然的に発
生する変化であり、条件の変化を小さくすることは難し
い。また湿中放置後のバリスタ電圧V10と静電容量の値
の変化率が大きくなることは、この組成物の成分の素性
に原因があるものと考えられる。
このようなことから、製造条件の変化がある場合で
も、各成分の配合比率の選択の幅を広くしてなおかつバ
リスタ電圧V10の変動係数を小さくすることができ、し
かも湿中放置後のバリスタ電圧V10及び静電容量の変化
率が大きくならない耐湿性の良好な新規な組成物が望ま
れている。
も、各成分の配合比率の選択の幅を広くしてなおかつバ
リスタ電圧V10の変動係数を小さくすることができ、し
かも湿中放置後のバリスタ電圧V10及び静電容量の変化
率が大きくならない耐湿性の良好な新規な組成物が望ま
れている。
本発明の目的は、このような新規な組成物を提供する
ことにある。
ことにある。
[問題点を解決するための手段] 本発明の非直線性抵抗体磁器組成物は、上記問題点を
解消するために、本発明ではSrTiO3を70.0〜99.9モル%
含み、残りの成分がCaTiO3からなる主組成物に、Tb4O7
及びYb2O3から選択した少なくとも1種の金属酸化物、
またはこの少なくとも1種の金属酸化物にGd2O3を加え
たものを0.01〜2.0モル%と、NiO及びCr2O3から選択し
た少なくとも1種の金属酸化物を0.01〜2.0モル%含有
させて構成される。
解消するために、本発明ではSrTiO3を70.0〜99.9モル%
含み、残りの成分がCaTiO3からなる主組成物に、Tb4O7
及びYb2O3から選択した少なくとも1種の金属酸化物、
またはこの少なくとも1種の金属酸化物にGd2O3を加え
たものを0.01〜2.0モル%と、NiO及びCr2O3から選択し
た少なくとも1種の金属酸化物を0.01〜2.0モル%含有
させて構成される。
[発明の作用] この種の組成物は、理論的な根拠に基づいて発明され
るというよりはむしろ、種々の材料の中から材料を取捨
選択して所望の性能が得られるか否かを実験で確認しな
がら開発されるのが一般的である。したがって、使用す
る材料成分が個別にどのような作用を果たしているの
か、また各成分の配合比率を所定の範囲に限定する根拠
が何であるのかを明確に説明できない場合が多々あるこ
とは当業者に明らかであろう。またこの種の組成物にお
いては、各成分が有する作用の単純な集合結果として所
望の性能が得られるというよりはむしろ、各成分が複雑
に絡みあって相互に作用することによって所望の結果が
得られるものであることも当業者には明らかであろう。
るというよりはむしろ、種々の材料の中から材料を取捨
選択して所望の性能が得られるか否かを実験で確認しな
がら開発されるのが一般的である。したがって、使用す
る材料成分が個別にどのような作用を果たしているの
か、また各成分の配合比率を所定の範囲に限定する根拠
が何であるのかを明確に説明できない場合が多々あるこ
とは当業者に明らかであろう。またこの種の組成物にお
いては、各成分が有する作用の単純な集合結果として所
望の性能が得られるというよりはむしろ、各成分が複雑
に絡みあって相互に作用することによって所望の結果が
得られるものであることも当業者には明らかであろう。
本発明も、前述の一般的な開発手法で発明されたもの
であるから、明確に各成分の作用を説明することはでき
ないが、推測される各成分の一般的な作用について概略
的に説明する。本発明において、70.0〜99.9モル%のSr
TiO3と一緒になって主組成物を構成するCaTiO3は、半導
体化を容易にする成分であると考えられる。実験結果か
らはCaTiO3が0.1モル%未満になると、半導体化が困難
となり、30モル%より多くなると熱処理の際に生じる条
件の変化によってバリスタ電圧V10の変動係数が大きく
なることが確認されている。
であるから、明確に各成分の作用を説明することはでき
ないが、推測される各成分の一般的な作用について概略
的に説明する。本発明において、70.0〜99.9モル%のSr
TiO3と一緒になって主組成物を構成するCaTiO3は、半導
体化を容易にする成分であると考えられる。実験結果か
らはCaTiO3が0.1モル%未満になると、半導体化が困難
となり、30モル%より多くなると熱処理の際に生じる条
件の変化によってバリスタ電圧V10の変動係数が大きく
なることが確認されている。
また上記主組成物に添加されるGd2O3,Tb4O7またはYb2
O3の金属酸化物(第1添加成分)は、電圧非直線指数α
の値に影響を与える。この成分が0.01モル%未満になる
と電圧非直線指数αが小さくなり過ぎる。またこの成分
が2モル%より大きくなると、熱処理の際に生じる条件
の変化によって湿中のバリスタ電圧V10及び静電容量の
変化率が大きくなる。
O3の金属酸化物(第1添加成分)は、電圧非直線指数α
の値に影響を与える。この成分が0.01モル%未満になる
と電圧非直線指数αが小さくなり過ぎる。またこの成分
が2モル%より大きくなると、熱処理の際に生じる条件
の変化によって湿中のバリスタ電圧V10及び静電容量の
変化率が大きくなる。
そしてNiO及びCr2O3から選択した少なくとも1種の金
属酸化物(第2添加成分)は、主として焼結性に影響を
与える。この成分が、0.01モル%〜2.0モル%の範囲外
では、湿中放置におけるバリスタ電圧V10及び静電容量
の変化率が大きくなる。
属酸化物(第2添加成分)は、主として焼結性に影響を
与える。この成分が、0.01モル%〜2.0モル%の範囲外
では、湿中放置におけるバリスタ電圧V10及び静電容量
の変化率が大きくなる。
本発明によれば、上記主組成物、第1添加成分及び第
2添加成分を所定の成分比とした結果、バリスタ電圧V
10の低いバリスタ用の磁器組成物において、通常の製造
工程において生じる焼成条件及び熱処理条件の微小な変
化に対しても、バリスタ電圧V10の変動係数を10%前後
またはそれより小さくすることができる。また湿中にお
けるバリスタ電圧V10及び静電容量の変化率を大幅に抑
制できるバリスタ用の磁器組成物を得られる。
2添加成分を所定の成分比とした結果、バリスタ電圧V
10の低いバリスタ用の磁器組成物において、通常の製造
工程において生じる焼成条件及び熱処理条件の微小な変
化に対しても、バリスタ電圧V10の変動係数を10%前後
またはそれより小さくすることができる。また湿中にお
けるバリスタ電圧V10及び静電容量の変化率を大幅に抑
制できるバリスタ用の磁器組成物を得られる。
[実施例] 以下、本発明の実施例について説明する。
まず本発明の磁器組成物を用いて、該組成物の特性を
測定するための試験用のバリスタを製造する方法につい
て説明する。まず70.0〜99.9モル%のSrTiO3と30〜0.1
モル%のCaTiO3とを混合して主組成物を作る。そしてこ
の主組成物と、Tb4O7及びYb2O3から選択した少なくとも
1種の金属酸化物またはこの金属酸化物にGd2O3を加え
た金属酸化物(第1添加成分)及びNiO及びCr2O3から選
択した少なくとも1種の金属酸化物(第2添加成分)が
所定の組成比に入るように秤量したのちボールミル等の
粉砕混合機を用いて10〜16時間湿式混合する。
測定するための試験用のバリスタを製造する方法につい
て説明する。まず70.0〜99.9モル%のSrTiO3と30〜0.1
モル%のCaTiO3とを混合して主組成物を作る。そしてこ
の主組成物と、Tb4O7及びYb2O3から選択した少なくとも
1種の金属酸化物またはこの金属酸化物にGd2O3を加え
た金属酸化物(第1添加成分)及びNiO及びCr2O3から選
択した少なくとも1種の金属酸化物(第2添加成分)が
所定の組成比に入るように秤量したのちボールミル等の
粉砕混合機を用いて10〜16時間湿式混合する。
そして混合後に、乾燥器で乾燥させたのち、所定の容
器に入れて空気雰囲気中で1000〜1150℃の温度で仮焼す
る。仮焼後、再度ボールミル等の粉砕混合機を用いて10
〜16時間湿式混合し、乾燥させる。次に乾燥させた材料
に、ポリビニルアルコール等のバインダを約2重量%加
えて造粒したのち、造粒粉末を0.5〜1.5t/cm2のプレス
圧で圧縮して直径10mm,厚さ約1.2mmの円板形状の成形体
を形成する。
器に入れて空気雰囲気中で1000〜1150℃の温度で仮焼す
る。仮焼後、再度ボールミル等の粉砕混合機を用いて10
〜16時間湿式混合し、乾燥させる。次に乾燥させた材料
に、ポリビニルアルコール等のバインダを約2重量%加
えて造粒したのち、造粒粉末を0.5〜1.5t/cm2のプレス
圧で圧縮して直径10mm,厚さ約1.2mmの円板形状の成形体
を形成する。
そしてこの円板形状の成形体を還元雰囲気(80〜97%
N2,3−20%H2)中で約1300〜1450℃の範囲の温度で1〜
6時間焼成したのち、この焼成体を空気雰囲気中で900
〜1250℃の範囲の温度で1〜8時間熱処理して再酸化さ
せることによって円板状の焼成体を得る。更にこの焼成
体の両面にオーミック接触を形成する銀等の導電性金属
膜電極を公知の方法で形成することによりバリスタを完
成する。
N2,3−20%H2)中で約1300〜1450℃の範囲の温度で1〜
6時間焼成したのち、この焼成体を空気雰囲気中で900
〜1250℃の範囲の温度で1〜8時間熱処理して再酸化さ
せることによって円板状の焼成体を得る。更にこの焼成
体の両面にオーミック接触を形成する銀等の導電性金属
膜電極を公知の方法で形成することによりバリスタを完
成する。
[測定結果] 下記の第1表の1及び2は、それぞれ主組成物の混合
材料してCaTiO3を用いた磁器組成物の各配合成分の組成
比を変えて上記の方法により作ったバリスタ素子の測定
結果が示してある。なお各表中の電圧非直線指数αは、
バリスタ素子に1mA及び10mAの電流を流した時のバリス
タ素子両端の電圧V1及びV10を用いてα=1/log(V10/
V1)の式より求めた値である。また静電容量は、LCRメ
ータを使用し、測定周波数を1KHz,測定電圧を10mVとし
て測定した値である。更にバリスタ電圧V10の変動係数
(%)は、V10のバラツキを表すもので、V10の標準偏差
と平均値との比を百分率で示してある。また湿中放置に
よるバリスタ電圧V10及び静電容量の変化率は、未被覆
のバリスタ素子を湿度95%,温度60℃の雰囲気中に240
時間放置したのちにバリスタ電圧及び静電容量を測定
し、その値を初期値に対する百分率で示したものであ
る。
材料してCaTiO3を用いた磁器組成物の各配合成分の組成
比を変えて上記の方法により作ったバリスタ素子の測定
結果が示してある。なお各表中の電圧非直線指数αは、
バリスタ素子に1mA及び10mAの電流を流した時のバリス
タ素子両端の電圧V1及びV10を用いてα=1/log(V10/
V1)の式より求めた値である。また静電容量は、LCRメ
ータを使用し、測定周波数を1KHz,測定電圧を10mVとし
て測定した値である。更にバリスタ電圧V10の変動係数
(%)は、V10のバラツキを表すもので、V10の標準偏差
と平均値との比を百分率で示してある。また湿中放置に
よるバリスタ電圧V10及び静電容量の変化率は、未被覆
のバリスタ素子を湿度95%,温度60℃の雰囲気中に240
時間放置したのちにバリスタ電圧及び静電容量を測定
し、その値を初期値に対する百分率で示したものであ
る。
なお第1表の1及び2の特性値は、再酸化温度1100℃
の場合を示している。また各表中の試料番号の前の
「・」印は、比較例であることを示している。
の場合を示している。また各表中の試料番号の前の
「・」印は、比較例であることを示している。
上記第1表の結果から判るように、70.0〜99.9モル%
のSrTiO3に30〜0.1モル%のCaTiO3を含有させた主組成
物に、Tb4O7及びYb2O3から選択した少なくとも1種の金
属酸化物またはこの少なくとも1種の金属酸化物にGd2O
3を加えたものを0.01〜2.0モル%と、NiO及びCr2O3から
選択した少なくとも1種の金属酸化物を0.01〜2.0モル
%含有させた組成物(試料番号1〜18)を用いると、各
成分を広い範囲で選択しても製造工程において当然に発
生する条件の変化に対して、バリスタ電圧V10の変動係
数が5.3〜13.3%の範囲内に入る。また、湿中放置によ
るバリスタ電圧及び静電容量も±2%以内に入る測定結
果が得られた。したがって本発明によれば従来の組成物
と比べて、優れた特性を得ることができる。なおバリス
タの用途によって異なるが、例えば、LSIやマイクロコ
ンピュータの電源回路等に用いるバリスタ素子のよう
に、バリスタ電圧V10の値が低く、静電容量がある程度
大きく、また湿中放置の変化率が±1%以内のバリスタ
素子が必要な場合には、試料番号2,10,11,14及び15の配
合成分のものが好ましい。一般的にこのバリスタ素子に
用いる組成物としては、CaTiO3が10モル%前後で、第1
及び第2の添加成分がそれぞれ1モル%以下であるのが
好ましい。なおバリスタの特性条件に応じて、適宜の配
合成分の組成物を用いてバリスタを製造することができ
るのは勿論である。
のSrTiO3に30〜0.1モル%のCaTiO3を含有させた主組成
物に、Tb4O7及びYb2O3から選択した少なくとも1種の金
属酸化物またはこの少なくとも1種の金属酸化物にGd2O
3を加えたものを0.01〜2.0モル%と、NiO及びCr2O3から
選択した少なくとも1種の金属酸化物を0.01〜2.0モル
%含有させた組成物(試料番号1〜18)を用いると、各
成分を広い範囲で選択しても製造工程において当然に発
生する条件の変化に対して、バリスタ電圧V10の変動係
数が5.3〜13.3%の範囲内に入る。また、湿中放置によ
るバリスタ電圧及び静電容量も±2%以内に入る測定結
果が得られた。したがって本発明によれば従来の組成物
と比べて、優れた特性を得ることができる。なおバリス
タの用途によって異なるが、例えば、LSIやマイクロコ
ンピュータの電源回路等に用いるバリスタ素子のよう
に、バリスタ電圧V10の値が低く、静電容量がある程度
大きく、また湿中放置の変化率が±1%以内のバリスタ
素子が必要な場合には、試料番号2,10,11,14及び15の配
合成分のものが好ましい。一般的にこのバリスタ素子に
用いる組成物としては、CaTiO3が10モル%前後で、第1
及び第2の添加成分がそれぞれ1モル%以下であるのが
好ましい。なおバリスタの特性条件に応じて、適宜の配
合成分の組成物を用いてバリスタを製造することができ
るのは勿論である。
なお試料番号19〜21は第2添加成分が含まれないもの
であり、試料番号22及び23は第1添加成分が含まれない
ものである。両者を対比すると判るように、第2添加成
分がない場合には湿中放置による特性の変化率が大きく
なり、また第1添加成分がない場合には電圧非直線指数
αが大幅に小さくなる。また試料番号24〜26には、何れ
かの成分が好ましい成分範囲外にある場合を示してあ
る。これらから判るように、何れかの成分が好ましい成
分範囲外にある場合には、静電容量及び電圧非直線指数
αが小さくなる上、バリスタ電圧の変動係数が大きくな
るとともに湿中放置による特性の変化率が大きくなる。
であり、試料番号22及び23は第1添加成分が含まれない
ものである。両者を対比すると判るように、第2添加成
分がない場合には湿中放置による特性の変化率が大きく
なり、また第1添加成分がない場合には電圧非直線指数
αが大幅に小さくなる。また試料番号24〜26には、何れ
かの成分が好ましい成分範囲外にある場合を示してあ
る。これらから判るように、何れかの成分が好ましい成
分範囲外にある場合には、静電容量及び電圧非直線指数
αが小さくなる上、バリスタ電圧の変動係数が大きくな
るとともに湿中放置による特性の変化率が大きくなる。
[発明の効果] 本発明の組成物を用いれば、バリスタ電圧V10の低い
バリスタ用の磁器組成物において、バリスタ電圧V10の
変動係数を小さくすることができるので、製品の歩留り
を高くすることができる。また本発明の組成物を用いれ
ば、各種の特性を有するものが得られ且つ湿中における
バリスタ電圧V10及び静電容量の変化率が小さいバリス
タ素子を得ることができるので、バリスタ素子の信頼性
を大幅に向上させることができる。
バリスタ用の磁器組成物において、バリスタ電圧V10の
変動係数を小さくすることができるので、製品の歩留り
を高くすることができる。また本発明の組成物を用いれ
ば、各種の特性を有するものが得られ且つ湿中における
バリスタ電圧V10及び静電容量の変化率が小さいバリス
タ素子を得ることができるので、バリスタ素子の信頼性
を大幅に向上させることができる。
フロントページの続き (72)発明者 寺林 充紀 富山県上新川郡大沢野町下大久保3158番 地 北陸電気工業株式会社内 (72)発明者 石割 均 富山県上新川郡大沢野町下大久保3158番 地 北陸電気工業株式会社内 (72)発明者 大沢 準一 富山県上新川郡大沢野町下大久保3158番 地 北陸電気工業株式会社内 (56)参考文献 特開 昭62−282412(JP,A) 特開 昭62−43107(JP,A)
Claims (1)
- 【請求項1】SrTiO3を70.0〜99.9モル%含み、残りの成
分がCaTiO3からなる主組成物に、 Tb4O7及びYb2O3から選択した少なくとも1種の金属酸化
物または前記少なくとも1種の金属酸化物にGd2O3を加
えたものを0.01〜2.0モル%と、 NiO及びCr2O3から選択した少なくとも1種の金属酸化物
を0.01〜2.0モル%含有させたことを特徴とする電圧非
直線性抵抗体磁器組成物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62200033A JP2638599B2 (ja) | 1987-08-12 | 1987-08-12 | 電圧非直線性抵抗体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62200033A JP2638599B2 (ja) | 1987-08-12 | 1987-08-12 | 電圧非直線性抵抗体磁器組成物 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6009363A Division JP2573466B2 (ja) | 1994-01-31 | 1994-01-31 | 電圧非直線性抵抗体磁器組成物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6444003A JPS6444003A (en) | 1989-02-16 |
JP2638599B2 true JP2638599B2 (ja) | 1997-08-06 |
Family
ID=16417704
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62200033A Expired - Lifetime JP2638599B2 (ja) | 1987-08-12 | 1987-08-12 | 電圧非直線性抵抗体磁器組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2638599B2 (ja) |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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JPS6243107A (ja) * | 1985-08-21 | 1987-02-25 | 太陽誘電株式会社 | バリスタ用磁器組成物 |
JPS62252904A (ja) * | 1986-04-25 | 1987-11-04 | 松下電器産業株式会社 | 電圧非直線性抵抗体磁器組成物及びその製造方法 |
JPS62282412A (ja) * | 1986-05-30 | 1987-12-08 | 松下電器産業株式会社 | 電圧非直線性抵抗体磁器組成物 |
-
1987
- 1987-08-12 JP JP62200033A patent/JP2638599B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS6444003A (en) | 1989-02-16 |
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