JPH01289204A

JPH01289204A - 電圧依存性非直線抵抗体素子及びその製造方法

Info

Publication number: JPH01289204A
Application number: JP63119512A
Authority: JP
Inventors: Iwao Ueno; 巌上野; Yasuo Wakahata; 康男若畑
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1988-05-17
Filing date: 1988-05-17
Publication date: 1989-11-21

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】童業上の利用分野本発明は、電子機器、電気機器で発生する異常高電圧、
ノイズ、パルス、静電気から半導体及び回路を保護する
ところのＳｒＴｉＯ，を主成分とする電圧依存性非直線
抵抗体素子及びその製造方法に関するものである。

従来の技術従来、各種電子機器、電気機器で発生する異常高ｉｌ正
圧。イズ、パルス、静電気除去のためにノ（リスク特性
を有するＳｉＣバリスタやＺｎＯ系）（リスクが使用さ
れてきた。このようなバリスタの電圧−ｇ売時ａｄ近似
的に次式のように表すことができる。

Ｉ＝（Ｖ／Ｃ）α ここで、Ｘｄ電流、Ｖは電圧、Ｃはバリスタ固有の定数
であり、αは電圧非直線指数である。

８１Ｇバリスタの電圧非直線指数αは２〜７程度。

ＺｎＯ系バリスタではａが６０にも及ぶものがある。

このようなバリスタは、比較的高い電圧の吸収には優れ
た性能を有しているが、誘電率が低く、固有の静電容量
が小さＡため、バリスタ電圧以下の低いぼ圧や周波数の
高いものの吸収に対してはほとんど効果を示さない。ま
た、誘電損失ｔａｎδが６〜１０イと大きい。

一方、低電圧のノイズなどの除去には、見掛けの誘電率
εが５Ｘ１０’程度で、誘電損失ｔａｎδが１π前後の
半導体コンデンサが利用されている。

しかし、このような半導体コンデンサは、サージなどに
よシある限度以上の電圧、電流が印加されると破壊した
り、コンデンサとしての機能を果たさなくなる。そこで
近年、　８ｒＴｉＯ，を主成分としバリスタ特注と、コ
ンデンサ特性の両方の機能を有するものが開発されてき
ている。

発明が解決しようとする課題ＳｒＴｉＯ，を主成分とする容量性バリスタは、バリス
タ電圧が高い、電圧非直線指数αが小さい、見掛は誘電
率εが小さい、容量温変特性が良くないと言う問題を有
しており、全ての特性を同時に満足するものは未だに得
られていない。さらに。

・焼結温変、再酸化温変が高いことから、エネルギー竜
の消費が多いと言う問題を有している。従って、ＳｒＴ
ｉＯ，を主成分とする容量性バリスタにおいて、バリス
タ電圧が低い、電圧非直線指数αが大きい、見掛けｉｔ
率εが大きい、容量温変特性が良いと言う条件を同時に
満たし、さらに焼成温変や再酸化温変が低温で行える・
ら要がある。

本発明は、このような点に濫みてなされたもので、低電
圧のノイズなどの除去が可能なＳｒＴｉＯ。

を主成分とする電圧依存性非直線抵抗体素子及びその製
造方法を提供することを目的とするものである。

課題を解決するための手段上記のような問題点を解決するために本発明は、Ｓｒと
Ｔｉの比が１．００１≦Ｓｒ／Ｔｉ≦１．０５となるよ
うに過剰のＳｒを含有し、さらにＬｉとｙを合計で０．
００７〜０．５００　ｗｔ％含有したＳｒＴｉＯ。

にＷｂ　Ｏ、Ｔａ、Ｏ，のうち少なくとも一種類以上を
０．１〜ｓ、ｏ　ｍｏｌ’Ｘと、Ｓｉｎ□、　ＣｕＯ、
Ｇａ２Ｏ，。

ＭｎＣ０，のうち少なくとも一種類以上を０．１〜２、
Ｏｍｏ１％と、　　ＳｎＯ□、　ＺｒＯ２のうち少なく
とも一種類以上を０．１〜１．ｏｒａｏｌに含ませてな
る電圧依存性非直線抵抗体素子を提供するものであり、
またその内部に含まれる水溶性塩が０．ｏｓｏ　ｗｔ′
に以下（但し、Ｏｗｔ′！Ｘ　　は含まず）とした電圧
依存性非直線抵抗体素子を提供するものである。さらに
、本発明は平均粒径がＯ，Ｓμｍ以下のＳｒＴｉＯ。

粉末を原料として１．００１≦Ｓｒ／τ１≦１６０５　
　となるようにＳｒ化合物を添加し、さらに　ＬｌＦ０
．７〜７．０！ａＯ１％と、　Ｗｂ、Ｏ３，τ１２０５
　　のうち少なくとも一種類以上を０．１〜Ｂ、Ｏｍｏ
１％と、８１゜Ｃｕ　、　Ｃｏ　、　Ｍｎのうち少なく
とも一種類以上の元素を酸化物、炭酸化物などの形にし
て０．１〜２．０ｒａｏｌにと、８ｎ　、　Ｚｒのうち
少なくとも一種類以上を藪化物などの形にして０．１〜
ｊ、０ｒａｏｌ％添加した混合粉末を成形し、還元雰囲
気中や窒素雰囲気中で１０００〜１４ｏＯ℃の温変で焼
成し、その後、８００〜９００　℃で焼付は可能な導電
性ベーストを用い、上記焼成後の素子に６００〜９００
℃で焼付けて電極を形成するか、または上記焼成後の素
子を空気中で５００〜１ｏｏＯ℃の熱処理を行った後に
６ｏｏ〜９００　”Ｃで焼付けて電極を形成し、内部に
含まれる水溶性塩が０．ｏ　ａ　ｏ　ｗｔ％以下（但し
、ＯＷｔに　は含まず）とした電圧依存性非直線低抗体
素子の製造方法を提供するものである。

作用一般にＳｒＴｉＯ５を半導体化させるには１強制還元す
るか、もしくは半導体化促穏剤を添加し還元雰囲気焼成
するかである。しかし、これだけでは半導体化促眞剤の
種類によって半導体化が進まない場合がある。そこで、
ＳｒＴｉＯ，を化学量論よシＳｒ過剰、また・はで１過
剰にすると、格子欠陥が増加し半導体化が促進される。

さらに、Ｔ１を他の元素、例えばＮｂ　、τａで置換す
ると、原子化制御により半導体化が促進される。また、
ａｎ。

Ｚｒで置換すると、結晶構造に歪みを生じ半導体化が促
進される。

次に、　Ｓｉｎ□、　ＯｕＯ、Ｃｏ２０．　、　ＭｎＣ
０，を添加すると、これらが粒界に偏析し、粒界を高抵
抗化させ、バリスタ特性を発現させる。

またさらに、この時、本発明のようにＬｉＦを添加し、
還元雰囲気や窒素雰囲気中で焼成すると、５８０℃付近
テ８ｒＯ−ＴｉＯ２−Ｉ、ｉＦ系ｏｉ相ｔ−形成し、液
相焼結によシ焼結が装置される。また。

この液相を介してＳｒτ１０．が溶解析出し粒成長が起
こる。これによシ低温焼結が可能な焼結体素子を得るこ
とができ、焼結のためのエネルギー量を削減することが
できることとなる。しかし、ここでＴｉ過剰であるとＬ
１２τ１０．を形成するため。

ＳｒＴｉＯ，の焼結性が抑制される。従って、Ｓｒ過剰
が望まれる。しかし、８ｒ過剰もある限度を超すと、粒
成長が抑制され焼結性が低下することや、焼結体素子に
水溶性塩を過剰に含むため、信頼性や寿命特性に影響を
与える。

また、　ＳｒＴｉＯ，に対する　ＬｉＦの添加量は焼成
温変と密接に関係しておシ、低温焼結のためには、ある
程度以上のＬｉＦを添加しなければならない。

そして、この場合、添加したＬｉＦが焼成中に飛散し、
これによって焼成用のサヤ、炉壁９発熱体などが浸され
たシ、信項性や寿命特性を著しく低下させるという実用
上の間嘔点を有している。しかし１本発明者らは研究の
結果、後述するように８ｒＴｉＯ，の原料粒径を微’ａ
化して０．５μｍ以下の原料を用いることにより、Ｌｉ
Ｆ　　の添加量を低減しても低温焼結が可能であること
を見出した。従って、このこれらとから１ｓ＝ａ時のＬ
ｉＦの飛散。

残存量の抑制、及び焼結体素子の信頼性や寿命特性゛を
向上させることが可能である。

次に、雰囲気焼成の温変を１０ｏｏ〜１４ｏＯ℃に規定
したのは、同じく後述するように１０００℃未満では焼
結体素子に含まれるＬｌとＦの残存量が０．ｅｉ　ｏ　
ｏｗｔによシも多いため、信頼性や電気特性に影響を与
えることと、焼結密度が低いためである。また、１００
０℃を超えると多孔質となシ、焼成密度が低下するため
である。

従って、　Ｓｒ過剰の８ｒτ１０．にＮｂ２Ｏ５，Ｔａ
２Ｏ５．　Ｔａ２０５のうち少なくとも一種類以上と、
　５ｉｎ２．　ＣｕＯ。

Ｃｏ２０．　、　ＭｎＣ０，のうち少なくとも一種類以
上と、ＳｎＯ□、　ＺｒＯ２のうち少なくとも一種類以
上を添加して得られた焼結体と、Ｓｒ過剰のＳｒＴｉＯ
，にＮｂＯ，τ１□０５　　のうち少なくとも一種類以
上と、ＳｉＯ、ＯｕＯ、Ｃｏ　Ｏ、ＭｎＣ０，のうち少
なくとも一種類以上と、ＳｎＯ，、ＺｒＯ，のうち少な
くとも一種類以上及びＬｉＦを添加し最終的に得られる
焼結体とでは、微細構造、電気特性が著しく異なり、互
いに全く別の組成物であると考えられる。

実施例以下に本発明について、実施例を挙げて具体的に説明す
る。

（実施例１）まず、ＳｒＴｉＯ，（平均位径０．５　ｐｍ　）　、Ｓ
ｒＣＯ，。

第１成分のＮｂ２Ｏ５，Ｔａ２Ｏ５．　Ｔａ２０５．第
２成分のＳｉｎ。

と第３成分のＺｒＯ，及びＬｉＦを下記第１表に示す組
成比になるように秤量し、混合した。これを乾燥後、０
．ｅｓｗｔにポリビニルアルコール溶液のバインダーを
添加し、１時間混合し造粒した。造拉後。

１ｔＯｎ／ｃ！！ｌの圧力で１２φＸ１．０（ｕ）の円
板状に成形し、次に空気中で４００℃、１時間説バイン
ダーを行った。その後、Ｎ２：Ｈ２＝１０：１の暑元雰
囲気中で１０ｏＯ〜１４ｏＯ℃、２時間焼成した。この
よってして得られた第１図、第２図に示す焼結ｆＩＩ−
１の両面に、外周を残すようにしてム（などの導電性ペ
ーストをスクリーン印刷し、５ｏＯ〜９００℃１１ｏ〜
６ｏ分の条件で焼付け、焼結体素子の再酸化を行うと同
時に電極２．３を形成した。

このようにして得られた還元雰囲気中で１３００℃２時
間焼成した素子（電極はムｇペーストを８００℃１６分
の条件で焼付けて形成）の電気特性、さらに素子内部に
含まれるＬｉと２の残存量、同じく素子内部に含まれる
Ｌｉ、　Ｆ、　Ｓｒ　原子を含む水溶性塩の含有量及び
信頼性試験の結果を下記第２表に示す。ここで、素子内
部に含まれる水溶性塩の含有量は１次の方法てより解析
した。まず、焼結した素子を粉砕し、それに水を加え１
０分間煮沸し、ろ過後、Ｌｉ、Ｓｒはフレーム原子吸光
、Ｆはイオン電極法によシ調べた。さらに、信頼性試験
の評価法としては、焼結した素子を温変９０℃。

湿度９０〜９５％の耐湿負荷雰囲気中に５０Ｑ時間放置
し、素子を室温中に４８時間放置した後、試・倹前と後
での容量変化率を比較した。

（以下余白）まず、上記第１．第２表について解説すると。

試料点１〜９，１６．１　？、２６．２６，３１　。

３２．３５，３６．４３〜６１は比較例であり。

本発明の請求範囲外である。これらの焼結体素子では、
密度が３．６〜４．９　ｇ／ｉ　（理論密度の６７〜９
４π）と低いため、バリスタとしての特性に適していな
いもの、または容量変化高が大きく、信頼性や電気特性
に影響し、バリスタとしての特性に適していないもので
ある。これに対し、その他の本発明にかかる試料＆１０
〜１５．１８〜２４．２７〜３０，３３，３４．３７〜
４２では、焼結体の密度が５．Ｏｇ／ｉ以上（理論密度
の９６に以）、）と高くバリスタとしての特性に適して
いるものである。さらに、容量変化率が小さく、信頼性
や電気特性に影響せず、バリスタとしての特性に適して
いるものである。

ここで、第３図はＳｒτ１０．の平均粒径を変え、その
他の組成比、焼成温変などの条件は全て上記試料Ａ１０
と同一にした場合において、　ＳｒＴｉＯ。

の平均粒径と焼結体素子の焼結密度との関係を示す図で
あシ、ＳｒＴｉＯ，の平均粒径が０．６μｍ以下の場合
には、ＬｉＦ　　の添加量が０．ｙｍｏ／％と少なくと
も低温焼結が可能であることを示している。

しかし、ＳｒＴｉＯ５の平均粒径が０．５μｍを超える
と、低温焼結では完結体素子の焼結密度が低く、バリス
タとしての特性に適していないものである。

また、ＬｉとＦの残存量を規定したのは、ＬｉとＦはＳ
ｒＴｉＯ，と反応し、ＳｒＯ−ＴｉＯ２−ＬｉＦ系°の
液相を形成する。そして、液相焼結により焼結性を促進
させる効果があるが、ＬｉとＦの残存量が０．００７ｗ
ｔ％未満では、焼、結体の密度が向上せず、ＬｉＦの添
加効果が得られないためである。

一方、残存量が０．ｓ　ｏ　ｏ　ｗｔにを超えると素子
が多孔質となり、焼結密度が低下することと、素子内部
にＬｉ、Ｆ原子を含む水溶性塩の含有量が増加し、信頼
性や電気特性に影響するためである。

また、言い換えれば製造過程において、添加する　Ｌｉ
Ｆの添加量もこのＬｉとＦの残存量から自ずと規制され
るものである。すなわち、　ＬｉＦの添加量は０．７〜
７．０ｙａｏ１％となる。

次に、ＳｒＴｉＯ、のＳｒ／Ｔｉ比を１．ｏｏ１〜１．
０５に規定したのは、　Ｓｒ／Ｔｉ比が１．００１未満
では試料悪１〜８に示すように焼結体密度が向上しない
ためである。これは焼結過程でＬｉＦ　とＳｒＴｉＯ，
が反応し、Ｉ、１２ＴｉＯ，を形成し、８ｒＴｉＯ。

の焼結性を抑制するためと考えられる。一方、１．０５
を超えると試料五４４〜６１に示すように焼結体素子の
密度が向上しない。これは、Ｓｒの含有量が増え過ぎた
ためにａｔ長が抑制され、焼結性が低下するためである
。またこの場合、素子内部にＳｒ原子を含む水溶性塩の
含有量が増加し。

信頼性や電気特性に影響するためである。

また、第１成分のＷｂ、０５．　Ｔａ２０５の添加量を
規定したのは、Ｎｂ２Ｏ５，Ｔａ２０５　　はＳｒＴｉ
Ｏ，中のＴ１と置換し、＠子化制御によシ半導体化を促
進させる効果を示すが，Ｎｂ２Ｏ５，Ｔａ２Ｏ５．　Ｔ
ａ２０５の少なくとも一種類以上が０．１　ｍｏｐ％未
満では、試料点２５．２６に示すように添加効果が得ら
れず、半導体化が抑制され、誘電率εが劣化し、またバ
リスタ電圧が高いため、高容量、低バリスタ電圧の特徴
を示さないためである。一方、ｓ、ｏ　ｍｏ１％を超え
ると、試料Ａ３１．３２に示すように半導体化が抑制さ
れることと、焼結密度が低下するためである。

さらに、・素子内部に含まれる水溶性塩の含有量を０．
ｏ　ｅｓ　ｏ　ｗｔ％以下と規定したのは、０．０５０
ｗｔ％を超えると第４図に示すように耐湿負荷雰囲気中
での容量変化高が上昇し、信頼性や電気特性に影響を与
えるためである。

次に、焼成温変を１ｏＯｏ〜１４００℃に規定したのは
、第６図に示すように１ｏｏＯ℃未満では焼結体素子に
含まれるＬｌと１の残存量が０．５　／）　Ｏｗｔによ
シも多くなるため、信頼性や電気特注に影響を与えるこ
とと、焼結密度が低いためである。また、１４００℃を
超えると多孔質となシ、焼結密度が低下するためである
。

この第６図は試料点３４をベースとして焼成温変とＬｉ
、Ｆの残存量との関係を見たものである。

（実施例２）次に、Ｓｒ／Ｔｉ比、　ＬｉＦ　、　Ｎｂ２Ｏ５，Ｔａ
２０５の添加量を固定し、下記第３表に示すように第２
成分の５ｉｎ２．　（３ｕＯ、（３ｏ２０．　、　Ｍｎ
Ｃ０，の組成を変えて、その他’を上記実施例１と同様
の方法で混合、造粒。

成形８焼成、電極焼付けを行＾、下記第４表に示すよう
に各種特性を測定した。

（、頃下余　白）まず、上記第３．第４表について解説すると、試料＆１
〜４，１６〜１８は比較例であり１本発明の請求範囲外
である。これに対し、その他の本発明にかかる試料点６
〜１４はＳｉＯ□、Ｃｕｂ。

Ｃｏ２０．　、　ＭｎＣ０，の添加効果が得られるもの
である。ここで、第２成分の５ｉｎ２．　ＯｕＯ，Ｃｏ
２０．　。

Ｍｎ（０５の添加量を規定したのは、これらの添加剤を
添加すると、これらが粒界に偏析し、粒界を高抵抗化さ
せ、バリスタ特性を発現または改善させる効果を示すが
、０．１　ｒｎｏ１％未満では、試料点１〜４に示すよ
うにバリスタ特性を改善する効果がなｈためである。一
方、２．０重Ｏ１％を超えると試料ＡＩ５〜１８に示す
ように粒界にこの添加剤が極端に偏析し、バリスタ電圧
が上昇すると共に誘電率や焼結密度が低下するためであ
る。

（実施例３）次に、　Ｓｒ／Ｔｉ比、　ＬｉＦ　、第１成分のＮｂ２
Ｏ５゜Ｔａ２０５．第２成分の５ｉｎ２．　ＣｕＯ、Ｃ
ｏ２０．　。

ＭｎＣＯ３の添加量を固定し、下記第６表に示すよって
第３成分のＳｎＯ□、　ＺｒＯ□　の組成を変えて。

その池は上記実施例１．２と同様の方法で混合。

造位、成形、電擺焼付けを行い、下記第６表に示すよう
に各種特性を測定した。

（以下余　白）まず、上記第６．第６表について解説すると。

試料糸１〜２．９〜１ｏは比較例であり、本発明の請求
範囲外である。これに対し、その他の本発明にかかる試
料ＩＰＦ１３〜ＢはＳｎＯ２，Ｚｒ０２ｏ添加効果が得
られるものである。ここで、第３戊分のＳｎＯ２，Ｚｒ
Ｏ２の添加量を規定したのは、これらの添加剤を添加す
ると、　８ｒＴｉＯ５中のＴｉと置換し、結晶構造に歪
みを生じ半導本化が促値され、結果として誘電率が増加
する効果が期待されるが、ｏ・１ｍｏｌｄ（未満では、
試料悪１〜２に示すように誘電率を増加する効果がない
ためである。一方、１．Ｏｍｏｐにを超えると試料五９
〜１ｏに示すように半導体化及び粒成長が抑制され、誘
電率、　ｔａｎδ。

焼結密度などの特性が劣化するためである。

なお、本発明の実施例では、一部の−組み合わせにつＡ
て示したが、他の組み合わせでも同様の効果があること
を確認した。さらに、本発明の実施例では、Ｌｉ、Ｆの
添加剤としてＬｉＦを用＾だが、他のＬｌとＦ化合吻を
添加し複合反応させだＬｉＦでも同様の効果を得られる
ことは言うまでもない。そして、Ｓｒ過剰のＳｒで１０
．を作成するに当たシ、ＳｒＯＯ，を添加したが、＃化
物や水酸化物などの形で用いても良く、さらにはＳｒを
含む各１塩類の形で用いても同様の効果を得られること
は言うまでもない。

さらにまた、第２成分としてのＣｕＯ、Ｃｏ２０．　。

ＭｎＣ０，、第３成分としてのＳｎＯ２，ＺｒＯ，にラ
イても、これら捩化物、炭酸化物以外の形で使用しても
良く１例えば水層化物や、さらには各種塩類の形で用い
ても良いものである。

そして、上記の実施例では、焼成を還元雰囲気中で行う
場合について説明したが、これは窒素雰囲気中で焼成を
行うようにしても良いものである。

しかし、窒素雰囲気中で焼成を行った場合ｌま、半導体
化が若干しにぐい面があるため、還元雰囲気中で焼成を
行うよりも若干高温変（１３００〜１４００℃）側で焼
成する方が特注上は好ましいものである。

さらに、上記の実施例では、焼結体の両面にムｇベース
トなどの５００〜９００　℃で焼付は可能な導電性ペー
ストを印刷し、５ｏＯ〜９ｏ　ｏ　℃で焼付け、焼結体
素子の再酸化を行うと同時に電極を形成する場合につい
て説明したが、これは従来より一般的に行われているよ
うに、焼成後の素子を空気中で５００〜１０ｏｏ℃の熱
処理を行い、焼結体素子の再酸化を行った後に、上記導
電性ペーストを６００〜９００　℃で焼付けて電極を形
成するようにしても良いものである。

ここで、本発明において、上記実施例に示すように焼結
体素子の再浚化逸理と電標形成が同時に行えることとな
った理由は、一つにはＬｉＦの添加によって低＠暁結が
可能になったことにより、再酸化が低温で起こり易いた
めである。また、今一つはＦイオンの影響により、焼結
体素子の酸素欠陥が多いために、ムｇペーストなどを印
刷し低温で焼付けても再設化が起こり易いことによるも
のである。

このようにして得られた素子“はバリスタ電圧が比較的
低く、α、誘電率が大きく、信頼性に優れているといっ
た特性を同時に満足するため、ノイズや静電気の抑制に
有効であり、誘電基が大きいことから、立ち上がりの鋭
い急峻波パルスに対しても優れた応答性を示す。

発明の効果以上に示したように本発明によれば、バリスタ電圧が比
較的低く、α、誘電率が太き（、ｔａｎδが小さく、信
頼性に優れているといった特性を同時に満足することが
できる。

従来のＺｎＯ系バリスタに比べ、バリスタ電圧が比較的
低く、α、誘電率が大きいため、ノイズや静電気といっ
た立ち上がりの鋭い急峻波パルスに対して甑めて有効で
ある。

従って１本発明によればノイズ、静電気から半導体及び
回路を保護することのできる素子を得ることができ、そ
の実用上の効果は極めて大きいものである。

また、従来のＳｒＴｉＯ、系バリスタの焼結温変が１４
００℃以上であったのに比べ、本発明では１０００〜１
４００℃の比較的低温で焼結が可能となり、焼結過程の
エネルギー量の削減が期待されるものである。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明による素子を示す上面図、第２図は同ｌ
ｆｒ面図、第３図・は本発明を説明するためのＳｒＴλ
０．の平均位１杢と焼結密度との関係を示す図、第４図
は同じく水４曲塩の含有量と容量変化率との関係を示す
図、第５図は同じく焼成温変とＬｉ。Ｆの残存量との関係を示す図である。１・・・・・・焼結体、２．３・・・・・−電極。代理人の氏名　弁理士　中　尾　敏　男　ほか１名第１
図第３図 →平均ｆ立径（メ四 −８ｉ変化率４％（岬　　　“

Claims

【特許請求の範囲】

（１）ＳｒとＴｉの比が１．００１≦Ｓｒ／Ｔｉ≦１．
０５となるように過剰のＳｒを含有し、さらにＬｉとＦ
を合計で０．００７〜０．５００ｗｔ％含有したＳｒＴ
ｉＯ＿３に，Ｎｂ＿２Ｏ＿５，Ｔａ＿２Ｏ＿５のうち少
なくとも一種類以上を０．１〜５．０ｍｏｌ％にと、Ｓ
ｉ，Ｃｕ，Ｃｏ，Ｍｎのうち少なくとも一種類以上の元
素を酸化物，炭酸化物などの各種の形のいずれかの形に
して０．１〜２．０ｍｏｌ％と、Ｓｎ，Ｚｒのうち少な
くとも一種類以上の元素を酸化物などの各種の形のいず
れかの形にして０．１〜１．０ｍｏｌ％含ませてなる電
圧依存性非直線抵抗体素子。
（２）請求項１記載の電圧依存性非直線抵抗体素子に含
まれる水溶性塩が０．０５０ｗｔ％以下（但し、０ｗｔ
％は含まず）であることを特徴とする電圧依存性非直線
抵抗体素子。
（３）ＳｒＴｉＯ＿３の平均粒径が０．５μｍ以下の粉
末を原料として１．００１≦Ｓｒ／Ｔｉ≦１．０５とな
るようにＳｒ化合物を添加し、さらにＬｉＦ０．７〜７
．０ｍｏｌ％と、Ｎｂ＿２Ｏ＿５，Ｔａ＿２Ｏ＿５のう
ち少なくとも一種類以上を０．１〜５．０ｍｏｌ％と、
Ｓｉ，Ｃｕ，Ｃｏ，Ｍｎのうち少なくとも一種類以上の
元素を酸化物，炭酸化物などの形のいずれかの形にして
０．１〜２．０ｍｏｌ％と、Ｓｎ，Ｚｒのうち少なくと
も一種類以上を酸化物などの形のいずれかの形にして０
．１〜１．０ｍｏｌ％添加した混合粉末を成形し、環元
雰囲気中や窒素雰囲気中で１０００〜１４００℃の温変
で焼成し、その後５００〜９００℃で焼付け可能な導電
性ペーストを用い、上記焼成後の素子に５００〜９００
℃で焼付けて電極を形成するか、または上記焼成後の素
子を空気中で５００〜１０００℃の熱処理を行った後に
５００〜９００℃で焼付けて電極を形成し、内部に含ま
れる水溶性塩が０．０５０ｗｔ％以下（但し、０ｗｔ％
は含まず）であることを特徴とする電圧依存性非直線抵
抗体素子の製造方法。