JP2585121B2 - 電圧依存非直線抵抗体の製造方法 - Google Patents
電圧依存非直線抵抗体の製造方法Info
- Publication number
- JP2585121B2 JP2585121B2 JP2076777A JP7677790A JP2585121B2 JP 2585121 B2 JP2585121 B2 JP 2585121B2 JP 2076777 A JP2076777 A JP 2076777A JP 7677790 A JP7677790 A JP 7677790A JP 2585121 B2 JP2585121 B2 JP 2585121B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- voltage
- mol
- powder
- dependent
- varistor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、チタン酸ストロンチウム（SrTiO3）を主成
分とする電圧依存非直線抵抗体の製造方法に関する。
分とする電圧依存非直線抵抗体の製造方法に関する。
［従来の技術］ 電圧依存非直線抵抗体、いわゆるバリスタは、非直線
的な電圧−電流特性を有することから、各種電気機器や
電子機器における異常高電圧（サージ）の吸収、雑音の
除去、火花消去等のために使用されてきた。
的な電圧−電流特性を有することから、各種電気機器や
電子機器における異常高電圧（サージ）の吸収、雑音の
除去、火花消去等のために使用されてきた。
この電圧依存非直線抵抗体の電圧−電流特性は、近似
的に次式のように表わすことができる。
的に次式のように表わすことができる。
Ｉ＝（V/C）α ここで、Ｉは電流、Ｖは電圧、Ｃは電圧依存非直線抵
抗体固有の定数、αは非直線係数である。
抗体固有の定数、αは非直線係数である。
電圧依存非直線抵抗体の一般特性はαの大きさで表わ
すことができ、α値が大きいほど電圧非直線特性がよい
ことになる。また、Ｃは電圧依存非直線抵抗体の材料や
製法等により定まる定数であるが、通常は電流Ｉが1mA
のときの電圧E1の値が用いられる。
すことができ、α値が大きいほど電圧非直線特性がよい
ことになる。また、Ｃは電圧依存非直線抵抗体の材料や
製法等により定まる定数であるが、通常は電流Ｉが1mA
のときの電圧E1の値が用いられる。
従来、この種の電圧依存非直線抵抗体としては、チタ
ン酸ストロンチウム（SrTiO3）を主成分とする組成物か
らなるものが知られており、非直線係数αの値が3.5〜
8.0と比較的大きいことが特徴であった。
ン酸ストロンチウム（SrTiO3）を主成分とする組成物か
らなるものが知られており、非直線係数αの値が3.5〜
8.0と比較的大きいことが特徴であった。
このようなチタン酸ストロンチウムを主成分とする電
圧依存非直線抵抗体の製造方法の一例を示すと、まずSr
TiO3を主成分とするチタン酸金属酸化物粉末の混合物
に、酢酸ビニル系バインダーを添加、混合してこれを原
料粉末とする。この原料粉末を高圧にて所定形体に成型
した後、還元的雰囲気下又は酸化的雰囲気下で熱処理工
程を数回繰返す。通常は８回ないし10回以上繰返して焼
結体を得る。この焼結体に電極を配して電圧依存非直線
抵抗体とするものである。
圧依存非直線抵抗体の製造方法の一例を示すと、まずSr
TiO3を主成分とするチタン酸金属酸化物粉末の混合物
に、酢酸ビニル系バインダーを添加、混合してこれを原
料粉末とする。この原料粉末を高圧にて所定形体に成型
した後、還元的雰囲気下又は酸化的雰囲気下で熱処理工
程を数回繰返す。通常は８回ないし10回以上繰返して焼
結体を得る。この焼結体に電極を配して電圧依存非直線
抵抗体とするものである。
［発明が解決しようとする課題］ しかし、従来のチタン酸ストロンチウムを主成分とし
た電圧依存非直線抵抗体は、バリスタ電圧が比較的低い
ものが主であった。
た電圧依存非直線抵抗体は、バリスタ電圧が比較的低い
ものが主であった。
ここでバリスタ電圧とは、印加電圧を増加させていっ
たときに電流が急激に流れ始める電圧、すなわち抵抗が
急激に減少し始める電圧を意味し、通常は電流Ｉが10mA
のときの電圧E10として把握される。このバリスタ電圧
の値より大きな電圧が印加されると、急激に電圧依存非
直線抵抗体の抵抗が減少し、電圧依存非直線抵抗体はバ
イパスとして機能するようになり、サージの吸収や雑音
の除去等が行えるものである。従って、用途によってバ
リスタ電圧E10の異なる電圧依存非直線抵抗体が求めら
れる。
たときに電流が急激に流れ始める電圧、すなわち抵抗が
急激に減少し始める電圧を意味し、通常は電流Ｉが10mA
のときの電圧E10として把握される。このバリスタ電圧
の値より大きな電圧が印加されると、急激に電圧依存非
直線抵抗体の抵抗が減少し、電圧依存非直線抵抗体はバ
イパスとして機能するようになり、サージの吸収や雑音
の除去等が行えるものである。従って、用途によってバ
リスタ電圧E10の異なる電圧依存非直線抵抗体が求めら
れる。
しかし、従来のチタン酸ストロンチウムを主成分とし
た電圧依存非直線抵抗体は、大きな非直線係数αを有す
るものの、バリスタ電圧E10は２〜60v程度のものが主で
あり、あまり高くはなかった。高バリスタ電圧E10特性
を得るためには、熱処理工程すなわち焼成を何度も繰返
せばよいが、焼成コストがかさむことから実用的ではな
かった。
た電圧依存非直線抵抗体は、大きな非直線係数αを有す
るものの、バリスタ電圧E10は２〜60v程度のものが主で
あり、あまり高くはなかった。高バリスタ電圧E10特性
を得るためには、熱処理工程すなわち焼成を何度も繰返
せばよいが、焼成コストがかさむことから実用的ではな
かった。
また、このようにして得られる電圧依存非直線抵抗体
の非直線係数αは３〜５と比較的小さく、電子機器や部
品の異常なサージやノイズからの保護、あるいは回路電
圧の安定化という用途に用いるには、非直線係数αの値
が十分でない。
の非直線係数αは３〜５と比較的小さく、電子機器や部
品の異常なサージやノイズからの保護、あるいは回路電
圧の安定化という用途に用いるには、非直線係数αの値
が十分でない。
本発明は上記のような問題点に鑑みてなされたもので
あり、大きな非直線係数αを有するとともにバリスタ電
圧E10が十分に高いチタン酸ストロンチウム系の電圧依
存非直線抵抗体を提供することを目的とする。
あり、大きな非直線係数αを有するとともにバリスタ電
圧E10が十分に高いチタン酸ストロンチウム系の電圧依
存非直線抵抗体を提供することを目的とする。
［課題を解決するための手段］ 本発明は、前記目的を達成すべく、チタン酸ストロン
チウム（SrTiO3）及びチタン酸カルシウム（CaTiO3）の
各粉末と、ニオブ（Nb）、ランタン（La）及びタンタル
（Ta）の各元素のグループから選択した１種又は２種以
上の元素の酸化物粉末と、銅（Cu）、モリブデン（M
o）、鉄（Fe）及びマンガン（Mn）の各元素のグループ
から選択した１種又は２種以上の酸化物粉末と、二酸化
ケイ素（SiO2）粉末とを、 チタン酸カルシウム（CaTiO3）が15.00〜26.00モル％、
ニオブ（Nb）、ランタン（La）及びタンタル（Ta）の各
元素のグループから選択した１種又は２種以上の元素の
酸化物粉末が総量で0.05〜0.50モル％、銅（Cu）、モリ
ブデン（Mo）、鉄（Fe）及びマンガン（Mn）の各元素の
グループから選択した１種又は２種以上の酸化物粉末が
総量で0.05〜0.50モル％、二酸化ケイ素（SiO2）粉末が
0.50〜1.00モル％、となるように各々秤量準備する工程
と、これらの酸化物粉末全てを混合する工程と、この混
合によって得られた混合物を成形する工程と、この成形
によって得られた成形体を非酸化性雰囲気中において加
熱焼結させる工程と、この加熱焼結によって得られた焼
結体を酸化性雰囲気中において熱処理する工程とを備え
た。
チウム（SrTiO3）及びチタン酸カルシウム（CaTiO3）の
各粉末と、ニオブ（Nb）、ランタン（La）及びタンタル
（Ta）の各元素のグループから選択した１種又は２種以
上の元素の酸化物粉末と、銅（Cu）、モリブデン（M
o）、鉄（Fe）及びマンガン（Mn）の各元素のグループ
から選択した１種又は２種以上の酸化物粉末と、二酸化
ケイ素（SiO2）粉末とを、 チタン酸カルシウム（CaTiO3）が15.00〜26.00モル％、
ニオブ（Nb）、ランタン（La）及びタンタル（Ta）の各
元素のグループから選択した１種又は２種以上の元素の
酸化物粉末が総量で0.05〜0.50モル％、銅（Cu）、モリ
ブデン（Mo）、鉄（Fe）及びマンガン（Mn）の各元素の
グループから選択した１種又は２種以上の酸化物粉末が
総量で0.05〜0.50モル％、二酸化ケイ素（SiO2）粉末が
0.50〜1.00モル％、となるように各々秤量準備する工程
と、これらの酸化物粉末全てを混合する工程と、この混
合によって得られた混合物を成形する工程と、この成形
によって得られた成形体を非酸化性雰囲気中において加
熱焼結させる工程と、この加熱焼結によって得られた焼
結体を酸化性雰囲気中において熱処理する工程とを備え
た。
CaTiO3の添加量を15.00〜26.00モル％の範囲内とした
理由は、添加量が15.00モル％以下の場合、所望の高バ
リスタ電圧E10を得るために焼成を多数行わなければな
らず、また非直線係数α値も低下し、さらにバリスタ電
圧E10の温度変化率ΔE10も大きくなるという問題がある
からである。一方、添加量が26.00モル％以上の場合、
α値が低下するとともにバリスタ電圧E10の温度変化率
ΔE10も大きくなるという問題がある。
理由は、添加量が15.00モル％以下の場合、所望の高バ
リスタ電圧E10を得るために焼成を多数行わなければな
らず、また非直線係数α値も低下し、さらにバリスタ電
圧E10の温度変化率ΔE10も大きくなるという問題がある
からである。一方、添加量が26.00モル％以上の場合、
α値が低下するとともにバリスタ電圧E10の温度変化率
ΔE10も大きくなるという問題がある。
また、Nb、La、Taの各元素の酸化物から選択した１種
又は２種以上の酸化物の添加量の総量を0.05〜0.50モル
％の範囲内としたこと、Cu、Mo、Fe、Mnの各元素の酸化
物から選択した１種又は２種以上の酸化物の添加量の総
量を0.05〜0.50モル％の範囲内としたこと、及びSiO2の
添加量を0.50〜1.00モル％の範囲内としたことの理由
は、いずれも各範囲を外れる量の添加量では、非直線係
数α値が低下してしまうとともに、バリスタ電圧E10の
温度変化率ΔE10が大きくなってしまうという問題があ
るためである。
又は２種以上の酸化物の添加量の総量を0.05〜0.50モル
％の範囲内としたこと、Cu、Mo、Fe、Mnの各元素の酸化
物から選択した１種又は２種以上の酸化物の添加量の総
量を0.05〜0.50モル％の範囲内としたこと、及びSiO2の
添加量を0.50〜1.00モル％の範囲内としたことの理由
は、いずれも各範囲を外れる量の添加量では、非直線係
数α値が低下してしまうとともに、バリスタ電圧E10の
温度変化率ΔE10が大きくなってしまうという問題があ
るためである。
なお、バリスタ電圧E10の温度変化率ΔE10の値は、バ
リスタ電圧が高い場合には0.1以下が望ましいが、従来
の電圧依存非直線抵抗体の温度変化率ΔE10の値は0.2〜
0.3程度であった。しかし、上記組成からなる本発明の
電圧依存非直線抵抗体の温度変化率ΔE10は十分低く、
安定したバリスタ電圧E10が得られるものである。
リスタ電圧が高い場合には0.1以下が望ましいが、従来
の電圧依存非直線抵抗体の温度変化率ΔE10の値は0.2〜
0.3程度であった。しかし、上記組成からなる本発明の
電圧依存非直線抵抗体の温度変化率ΔE10は十分低く、
安定したバリスタ電圧E10が得られるものである。
このように、上記本発明による電圧依存非直線抵抗体
の製造方法は、熱処理工程が大幅に短縮され、高い非直
線係数αが得られるとともに、バリスタ電圧E10の温度
変化率ΔE10も小さい安定した特性の電圧依存非直線抵
抗体を得ることができる。
の製造方法は、熱処理工程が大幅に短縮され、高い非直
線係数αが得られるとともに、バリスタ電圧E10の温度
変化率ΔE10も小さい安定した特性の電圧依存非直線抵
抗体を得ることができる。
［実施例］ 次に、本発明の実施例について、組成比の異なる電圧
依存非直線抵抗体の試料を作製し、その特性を評価しな
がら説明する。
依存非直線抵抗体の試料を作製し、その特性を評価しな
がら説明する。
（試料の作製） まず、SrTiO2及びCaTiO3の各チタン酸金属酸化物粉末
と、Nb、La、Taの各元素の酸化物のうち少なくとも１種
類の粉末と、Cu、Mo、Fe、Mnの各元素の酸化物のうち少
なくとも１種類の粉末と、Cu、Mo、Fe、Mnの各元素の酸
化物粉末のうち少なくとも１種類の粉末を、試料１から
試料56までの56種類それぞれ所定の組成比となるように
秤量し、これらを湿式ボールミルにより15時間混合し
た。
と、Nb、La、Taの各元素の酸化物のうち少なくとも１種
類の粉末と、Cu、Mo、Fe、Mnの各元素の酸化物のうち少
なくとも１種類の粉末と、Cu、Mo、Fe、Mnの各元素の酸
化物粉末のうち少なくとも１種類の粉末を、試料１から
試料56までの56種類それぞれ所定の組成比となるように
秤量し、これらを湿式ボールミルにより15時間混合し
た。
上記のようにして得られた各混合物を大気中で温度15
0℃で乾燥した後、酢酸ビニル系バインダーを添加して
混合、造粒して原料粉末とした。
0℃で乾燥した後、酢酸ビニル系バインダーを添加して
混合、造粒して原料粉末とした。
さらに上記各原料粉末を、金型を用いて所定形状に成
型した。具体的には、乾式プレスにより、1,500Kg/cm2
の圧力で外径12.25mm、内径7.75mm、厚さ1.04mm、成形
体密度3.30g/cm3のリング状成形体に成型した。
型した。具体的には、乾式プレスにより、1,500Kg/cm2
の圧力で外径12.25mm、内径7.75mm、厚さ1.04mm、成形
体密度3.30g/cm3のリング状成形体に成型した。
続いて、これらのリング状成形体を、窒素ガス96容積
％と水素ガス４容積％とからなる混合ガス雰囲気中で温
度1410℃で６時間焼成し（これを「第１熱処理」とい
う。）、焼結体を得た。
％と水素ガス４容積％とからなる混合ガス雰囲気中で温
度1410℃で６時間焼成し（これを「第１熱処理」とい
う。）、焼結体を得た。
さらに、これらの焼結体を、950ないし1000℃で３時
間の熱処理（これを「第２熱処理」という。）を２ない
し数回施し、バリスタ電圧が70〜100vの範囲内となるよ
うに調整した。
間の熱処理（これを「第２熱処理」という。）を２ない
し数回施し、バリスタ電圧が70〜100vの範囲内となるよ
うに調整した。
このようにして得られた電圧依存非直線抵抗体の各試
料の上下両面に銀電極材を塗布後、温度180℃で10分間
乾燥し、さらに温度780℃で10分間焼付けて銀電極を形
成した。
料の上下両面に銀電極材を塗布後、温度180℃で10分間
乾燥し、さらに温度780℃で10分間焼付けて銀電極を形
成した。
（試料の特性評価） 次に、各試料の特性評価を行うために、バリスタ電圧
E10、非直線抵抗係数α、バリスタ電圧E10の温度変化率
ΔE10を測定した。
E10、非直線抵抗係数α、バリスタ電圧E10の温度変化率
ΔE10を測定した。
なお、非直線係数αと、バリスタ電圧E10の変化率の
測定は、定電流電源装置で行った。
測定は、定電流電源装置で行った。
また、非直線係数αは、次式により求めた。
ここでE1は電流Ｉが1mAのときの電圧Ｖの値である。
さらに、バリスタ電圧E10の温度変化率ΔE10は、温度
変化１℃当たりのバリスタ電圧E10値の変化率（％／
℃）であり、次式により求めた。
変化１℃当たりのバリスタ電圧E10値の変化率（％／
℃）であり、次式により求めた。
ここでE10（at 25℃）は25℃におけるバリスタ電圧E
10であり、E10（at 50℃）は50℃におけるバリスタ電圧
である。
10であり、E10（at 50℃）は50℃におけるバリスタ電圧
である。
第１表（１）ないし第１表（11）は、組成比の異なる
試料１ないし56について、組成比、試料作製時における
第２熱処理の回数、バリスタ電圧E10、非直線係数α及
びバリスタ電圧の温度変化率ΔE10を示したものであ
る。なお各表は、所定成分の添加量の変化に注目し、添
加量を変えた所定成分ごとに（１）ないし（11）に分け
て示している。従って、他の成分の添加量は一定とし、
残余はSrTiO3となっている。
試料１ないし56について、組成比、試料作製時における
第２熱処理の回数、バリスタ電圧E10、非直線係数α及
びバリスタ電圧の温度変化率ΔE10を示したものであ
る。なお各表は、所定成分の添加量の変化に注目し、添
加量を変えた所定成分ごとに（１）ないし（11）に分け
て示している。従って、他の成分の添加量は一定とし、
残余はSrTiO3となっている。
まず第１表（１）から分かるように、CaTiO3のみの添
加量を変化させ、その他の添加剤の添加量を一定とし、
残りをSrTiO3としたときには、CaTiO3の添加量が15.00
モル％より少ない場合には、所定のバリスタ電圧値を得
るための熱処理回数が５ないし８回と多く、非直線係数
αも比較的小さく、バリスタ電圧の温度変化率ΔE10の
絶対値も大きい。
加量を変化させ、その他の添加剤の添加量を一定とし、
残りをSrTiO3としたときには、CaTiO3の添加量が15.00
モル％より少ない場合には、所定のバリスタ電圧値を得
るための熱処理回数が５ないし８回と多く、非直線係数
αも比較的小さく、バリスタ電圧の温度変化率ΔE10の
絶対値も大きい。
また、CaTiO3の添加量が26.00モル％より大きい場合
には、やはり非直線係数αは比較的小さく、バリスタ電
圧の温度変化率ΔE10の絶対値も大きい。
には、やはり非直線係数αは比較的小さく、バリスタ電
圧の温度変化率ΔE10の絶対値も大きい。
以上から、CaTiO3の添加量は15.00〜26.00モル％の範
囲が適当である。
囲が適当である。
次に、第１表（２）ないし第１表（４）から分かるよ
うに、Nb2O5、La2O3及びTa2O3のうちの１種類を添加す
る場合の添加量は、いずれも0.05〜0.50モル％の範囲が
適当である。Nb2O5、La2O3及びTa2O3の添加量が上記の
範囲外であると、非直線係数αが低く、バリスタ電圧の
温度変化率ΔE10の絶対値も大きくなるからである。
うに、Nb2O5、La2O3及びTa2O3のうちの１種類を添加す
る場合の添加量は、いずれも0.05〜0.50モル％の範囲が
適当である。Nb2O5、La2O3及びTa2O3の添加量が上記の
範囲外であると、非直線係数αが低く、バリスタ電圧の
温度変化率ΔE10の絶対値も大きくなるからである。
次に、第１表（５）ないし第１表（８）から分かるよ
うに、CuO、Fe2O3、MnO2、MoO3のうちの１種類を添加す
る場合の添加量についても、いずれも0.05〜0.50モル％
の範囲が適当である。CuO、Fe2O3、MnO2、MoO3の添加量
が上記の範囲外であると、やはり非直線係数αが低く、
バリスタ電圧の温度変化率ΔE10の絶対値も大きくなる
からである。
うに、CuO、Fe2O3、MnO2、MoO3のうちの１種類を添加す
る場合の添加量についても、いずれも0.05〜0.50モル％
の範囲が適当である。CuO、Fe2O3、MnO2、MoO3の添加量
が上記の範囲外であると、やはり非直線係数αが低く、
バリスタ電圧の温度変化率ΔE10の絶対値も大きくなる
からである。
次に、第１表（９）から分かるように、SiO2の添加量
は、0.50〜1.00モル％の範囲が適当である。この範囲外
であると、やはり非直線係数αが低く、バリスタ電圧の
温度変化率ΔE10の絶対値も大きくなるからである。
は、0.50〜1.00モル％の範囲が適当である。この範囲外
であると、やはり非直線係数αが低く、バリスタ電圧の
温度変化率ΔE10の絶対値も大きくなるからである。
さらに、第１表（10）及び第１表（11）から、Nb
2O5、La2O3及びTa2O3のうちの２種又は全種を添加する
場合、及びCuO、Fe2O3、MnO2、MoO3のうちの２種又は全
種を添加する場合でも、相互に影響を及ぼすことなく大
きな非直線係数αが得られ、バリスタ電圧の温度変化率
ΔE10も十分低いものであることが分かる。
2O5、La2O3及びTa2O3のうちの２種又は全種を添加する
場合、及びCuO、Fe2O3、MnO2、MoO3のうちの２種又は全
種を添加する場合でも、相互に影響を及ぼすことなく大
きな非直線係数αが得られ、バリスタ電圧の温度変化率
ΔE10も十分低いものであることが分かる。
以上のように、各添加剤の添加量が上述の所定の範囲
内であれば、製作時に必要な熱処理の回数も２ないし３
回と少なくて済み、バリスタ電圧も８以上を確保しつつ
非直線係数も高く、バリスタ電圧の温度変化率も十分低
い電圧依存非直線抵抗体として使用することができるも
のである。
内であれば、製作時に必要な熱処理の回数も２ないし３
回と少なくて済み、バリスタ電圧も８以上を確保しつつ
非直線係数も高く、バリスタ電圧の温度変化率も十分低
い電圧依存非直線抵抗体として使用することができるも
のである。
［発明の効果］ このように本発明により、非直線係数が大きく、かつ
バリスタ電圧も高いチタン酸ストロンチウム系電圧依存
非直線抵抗体を、従来の製造方法より少ない回数の熱処
理で短時間に製造することができた。
バリスタ電圧も高いチタン酸ストロンチウム系電圧依存
非直線抵抗体を、従来の製造方法より少ない回数の熱処
理で短時間に製造することができた。
Claims (1)
- 【請求項１】チタン酸ストロンチウム（SrTiO3）及びチ
タン酸カルシウム（CaTiO3）の各粉末と、ニオブ（N
b）、ランタン（La）及びタンタル（Ta）の各元素のグ
ループから選択した１種又は２種以上の元素の酸化物粉
末と、銅（Cu）、モリブデン（Mo）、鉄（Fe）及びマン
ガン（Mn）の各元素のグループから選択した１種又は２
種以上の酸化物粉末と、二酸化ケイ素（SiO2）粉末と
を、 チタン酸カルシウム（CaTiO3）が15.00〜26.00モル％、
ニオブ（Nb）、ランタン（La）及びタンタル（Ta）の各
元素のグループから選択した１種又は２種以上の元素の
酸化物粉末が総量で0.05〜0.50モル％、銅（Cu）、モリ
ブデン（Mo）、鉄（Fe）及びマンガン（Mn）の各元素の
グループから選択した１種又は２種以上の酸化物粉末が
総量で0.05〜0.50モル％、二酸化ケイ素（SiO2）粉末が
0.50〜1.00モル％、となるように各々秤量準備する工程
と、これらの酸化物粉末全てを混合する工程と、この混
合によって得られた混合物を成形する工程と、この成形
によって得られた成形体を非酸化性雰囲気中において加
熱焼結させる工程と、この加熱焼結によって得られた焼
結体を酸化性雰囲気中において熱処理する工程とを備え
たことを特徴とする電圧依存非直線抵抗体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2076777A JP2585121B2 (ja) | 1990-03-28 | 1990-03-28 | 電圧依存非直線抵抗体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2076777A JP2585121B2 (ja) | 1990-03-28 | 1990-03-28 | 電圧依存非直線抵抗体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03278403A JPH03278403A (ja) | 1991-12-10 |
| JP2585121B2 true JP2585121B2 (ja) | 1997-02-26 |
Family
ID=13615025
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2076777A Expired - Fee Related JP2585121B2 (ja) | 1990-03-28 | 1990-03-28 | 電圧依存非直線抵抗体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2585121B2 (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01226120A (ja) * | 1988-03-07 | 1989-09-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物 |
-
1990
- 1990-03-28 JP JP2076777A patent/JP2585121B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03278403A (ja) | 1991-12-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS6325685B2 (ja) | ||
| JPS5823722B2 (ja) | 電圧非直線性抵抗体磁器の製造法 | |
| JPS5935402A (ja) | 電圧依存非直線抵抗特性を有する半導体磁器物質 | |
| JP2585121B2 (ja) | 電圧依存非直線抵抗体の製造方法 | |
| JP2572310B2 (ja) | サーミスタ用組成物 | |
| KR920005155B1 (ko) | 산화아연 바리스터의 제조방법 | |
| JPS606535B2 (ja) | 磁器組成物 | |
| JP2572312B2 (ja) | サーミスタ用組成物 | |
| JP2638599B2 (ja) | 電圧非直線性抵抗体磁器組成物 | |
| JP2830321B2 (ja) | 電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物およびバリスタの製造方法 | |
| JP2573466B2 (ja) | 電圧非直線性抵抗体磁器組成物 | |
| JP4183100B2 (ja) | 電圧非直線性抵抗体磁器組成物 | |
| JP2940182B2 (ja) | 正の抵抗温度係数を有する半導体磁器の製造方法 | |
| JPH03278402A (ja) | 電圧非直線磁器組成物とその製造方法 | |
| JPH02146702A (ja) | 電圧依存非直線抵抗体 | |
| JPH01289205A (ja) | 電圧依存性非直線抵抗体素子及びその製造方法 | |
| JP2662740B2 (ja) | チタン酸バリウム系半導体磁器の製造方法 | |
| JP2990627B2 (ja) | バリスタの製造方法 | |
| JPS61271802A (ja) | 電圧非直線抵抗体磁器組成物 | |
| JPH0450164A (ja) | 電圧非直線抵抗体用磁器組成物 | |
| JPH0521210A (ja) | サーミスタ用組成物 | |
| JPH04144961A (ja) | 磁器組成物及びその製造方法 | |
| JPH02177401A (ja) | ＳｒＴｉＯ↓３系電圧依存非直線抵抗体の製造方法 | |
| JPS62229602A (ja) | 還元再酸化型半導体コンデンサ用磁器組成物 | |
| JPH0562808A (ja) | 磁器組成物及びその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |