JPH0450164A - 電圧非直線抵抗体用磁器組成物 - Google Patents
電圧非直線抵抗体用磁器組成物Info
- Publication number
- JPH0450164A JPH0450164A JP2158404A JP15840490A JPH0450164A JP H0450164 A JPH0450164 A JP H0450164A JP 2158404 A JP2158404 A JP 2158404A JP 15840490 A JP15840490 A JP 15840490A JP H0450164 A JPH0450164 A JP H0450164A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- porcelain
- nonlinear
- composition
- electric voltage
- resistor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title abstract description 20
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 title abstract description 11
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 abstract description 7
- KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N Na2O Inorganic materials [O-2].[Na+].[Na+] KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 5
- ADCOVFLJGNWWNZ-UHFFFAOYSA-N antimony trioxide Inorganic materials O=[Sb]O[Sb]=O ADCOVFLJGNWWNZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 abstract description 4
- VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N strontium titanate Chemical group [Sr+2].[O-][Ti]([O-])=O VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 abstract description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 6
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract 3
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract 3
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract 3
- YEAUATLBSVJFOY-UHFFFAOYSA-N tetraantimony hexaoxide Chemical compound O1[Sb](O2)O[Sb]3O[Sb]1O[Sb]2O3 YEAUATLBSVJFOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 3
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 10
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N niobium pentoxide Chemical compound O=[Nb](=O)O[Nb](=O)=O ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 3
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N Vinyl acetate Chemical compound CC(=O)OC=C XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N ceric oxide Chemical compound O=[Ce]=O CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000422 cerium(IV) oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N lanthanum oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[La+3].[La+3] MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- PLDDOISOJJCEMH-UHFFFAOYSA-N neodymium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Nd+3].[Nd+3] PLDDOISOJJCEMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KTUFCUMIWABKDW-UHFFFAOYSA-N oxo(oxolanthaniooxy)lanthanum Chemical compound O=[La]O[La]=O KTUFCUMIWABKDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 1
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- DZKDPOPGYFUOGI-UHFFFAOYSA-N tungsten dioxide Inorganic materials O=[W]=O DZKDPOPGYFUOGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
この発明は電圧非直線抵抗体用磁器組成物に関し、特に
、たとえば電子機器で発生する異常電圧、ノイズを吸収
もしくは除去するバリスタとして用いられる電圧非直線
抵抗体を得るための電圧非直線抵抗体用磁器組成物に関
する。
、たとえば電子機器で発生する異常電圧、ノイズを吸収
もしくは除去するバリスタとして用いられる電圧非直線
抵抗体を得るための電圧非直線抵抗体用磁器組成物に関
する。
(従来技術)
従来、この種の磁器組成物からなる電圧非直線抵抗体に
は、粒界酸化型電圧非直線抵抗体と、チタン酸ストロン
チウムを主成分とする電圧非直線抵抗体とがあった。
は、粒界酸化型電圧非直線抵抗体と、チタン酸ストロン
チウムを主成分とする電圧非直線抵抗体とがあった。
粒界酸化型電圧非直線抵抗体では、粒界を酸化すること
によってバリスタ特性を得ている。このように粒界を酸
化する方法としては、空気中で粒界を酸化する方法ある
いはNa2Oなどの酸化剤を粒界に拡散する方法が知ら
れている。
によってバリスタ特性を得ている。このように粒界を酸
化する方法としては、空気中で粒界を酸化する方法ある
いはNa2Oなどの酸化剤を粒界に拡散する方法が知ら
れている。
また、チタン酸ストロンチウムを主成分とする電圧非直
線抵抗体は、異常電圧、ノイズを吸収するバリスタとし
ての機能のほかにコンデンサとしての機能を有している
。この種の材料としては、特開昭58−16504号公
報、特開昭58−91602号公報に開示されているよ
うに、5rTi03あるいは5rl−x CaXTic
):+ (0,01≦X≦0.5)を主成分とし、こ
れに半導体化のための成分としてNb2O5,Taz○
9.WO2、La2O3、Ce O2、Nd203.
Y203などの金属酸化物およびサージ劣化防止のため
のNa2Oを含有したものがあった。
線抵抗体は、異常電圧、ノイズを吸収するバリスタとし
ての機能のほかにコンデンサとしての機能を有している
。この種の材料としては、特開昭58−16504号公
報、特開昭58−91602号公報に開示されているよ
うに、5rTi03あるいは5rl−x CaXTic
):+ (0,01≦X≦0.5)を主成分とし、こ
れに半導体化のための成分としてNb2O5,Taz○
9.WO2、La2O3、Ce O2、Nd203.
Y203などの金属酸化物およびサージ劣化防止のため
のNa2Oを含有したものがあった。
(発明が解決しようとする課題)
しかしながら、粒界酸化型電圧非直線抵抗体において、
空気中で粒界を酸化する前者の方法では、バリスタ特性
が総体的に低く、一方、酸化剤を粒界に拡散する後者の
方法では、静電容量が大きいこと、非直線係数αが大き
いこと、あるいはサージ耐量が大きいことの何れかの特
性を満足させることができても、これらの特性のすべて
を1つの組成物で満足させることができなかった。
空気中で粒界を酸化する前者の方法では、バリスタ特性
が総体的に低く、一方、酸化剤を粒界に拡散する後者の
方法では、静電容量が大きいこと、非直線係数αが大き
いこと、あるいはサージ耐量が大きいことの何れかの特
性を満足させることができても、これらの特性のすべて
を1つの組成物で満足させることができなかった。
また、チタン酸ストロンチウムを主成分とする電圧非直
線抵抗体でも、大きな非直線係数αを得ながら、サージ
が印加されても非直線係数αおよびバリスタ電圧の劣化
の小さいものが得られないという欠点があった。
線抵抗体でも、大きな非直線係数αを得ながら、サージ
が印加されても非直線係数αおよびバリスタ電圧の劣化
の小さいものが得られないという欠点があった。
それゆえに、この発明の主たる目的は、任意のバリスタ
電圧を有し、かつ大きい非直線係数αおよび高いサージ
耐量を有する電圧非直線抵抗体を得ることができる、電
圧非直線抵抗体用磁器組成物を提供することである。
電圧を有し、かつ大きい非直線係数αおよび高いサージ
耐量を有する電圧非直線抵抗体を得ることができる、電
圧非直線抵抗体用磁器組成物を提供することである。
(課題を解決するための手段)
この発明にかかる電圧非直線抵抗体用磁器組成物は、(
Srl−X−y Bax Cay )Tio3 (ただ
し、X≦0.30、y≦0.25)が98.0〜99.
9モル%と、Nb、W、Ta、Inあるいは希土類元素
の中から選ばれる少なくとも1種類の酸化物が0.1〜
2.0モル%とからなる半導体磁器に、Na2o、S
i 02およびsb、。
Srl−X−y Bax Cay )Tio3 (ただ
し、X≦0.30、y≦0.25)が98.0〜99.
9モル%と、Nb、W、Ta、Inあるいは希土類元素
の中から選ばれる少なくとも1種類の酸化物が0.1〜
2.0モル%とからなる半導体磁器に、Na2o、S
i 02およびsb、。
:+(0〈Na2O、O<5iOZ 、O<Sb203
)を合わせて0.01〜2.0モル%含有されてなる、
電圧非直線抵抗体用磁器組成物である。
)を合わせて0.01〜2.0モル%含有されてなる、
電圧非直線抵抗体用磁器組成物である。
(発明の効果)
この発明によれば、任意のバリスタ電圧を有し、大きい
非直線係数αおよび高いサージ耐量を有する電圧非直線
抵抗体を得ることができる、電圧非直線抵抗体用磁器組
成物を得ることができる。
非直線係数αおよび高いサージ耐量を有する電圧非直線
抵抗体を得ることができる、電圧非直線抵抗体用磁器組
成物を得ることができる。
この発明の上述の目的、その他の目的、特徴および利点
は、以下の実施例の詳細な説明から一層明らかとなろう
。
は、以下の実施例の詳細な説明から一層明らかとなろう
。
(実施例)
別表に示す組成比(モル%)となるように、母材料であ
るS r CO31T iOz 、Ca CO31f3
acc)+および半導体化剤であるE r z 03
。
るS r CO31T iOz 、Ca CO31f3
acc)+および半導体化剤であるE r z 03
。
Nb205 、WO* 、 Taz os 、I nz
Ox 。
Ox 。
Y、O,、Ho、O,、La、o3の各原料粉末を秤量
して湿式混合し、混合物を得た。得られた混合物を乾燥
した後、1150℃で2時間仮焼して仮焼物を得た。次
いで、得られた仮焼物を粉砕後、それに酢酸ビニル系樹
脂を5重量%添加して造粒し、造粒粉を得た。得られた
造粒粉をl ton/dの圧力で直径10鶴、厚さ1
.5fiのベレット状に成形して成形体を得た。
して湿式混合し、混合物を得た。得られた混合物を乾燥
した後、1150℃で2時間仮焼して仮焼物を得た。次
いで、得られた仮焼物を粉砕後、それに酢酸ビニル系樹
脂を5重量%添加して造粒し、造粒粉を得た。得られた
造粒粉をl ton/dの圧力で直径10鶴、厚さ1
.5fiのベレット状に成形して成形体を得た。
そして、この成形体を空気中で1000℃で2時間焼成
した後、体積比でN2 :N2 =1 : 100の
混合ガス雰囲気中において1450℃で2時間焼成して
半導体磁器を得た。
した後、体積比でN2 :N2 =1 : 100の
混合ガス雰囲気中において1450℃で2時間焼成して
半導体磁器を得た。
それから、得られた半導体磁器に、N a 20 。
5in2および5b203の酸化剤を表に示す割合で添
加して、1200℃で5時間熱処理を行つて、磁器ユニ
ットを得た。このようにして得られた磁器ユニットの対
向面に銀電極を形成して電圧非直線抵抗体素子を得た。
加して、1200℃で5時間熱処理を行つて、磁器ユニ
ットを得た。このようにして得られた磁器ユニットの対
向面に銀電極を形成して電圧非直線抵抗体素子を得た。
そして、電圧非直線抵抗体素子の静電容量C(nF)、
バリスタ電圧V1□ (■)、非直線係数α、バリスタ
電圧の変化率ΔV1..A (%)および非直線係数
の変化率Δα(%)などの電気的特性を調べた。この場
合、電圧非直線抵抗体素子に1mAの電流を流してバリ
スタ電圧V、□ (V)を測定し、5000A/cdの
サージ電流を印加してバリスタ電圧の変化率ΔV、□
(%)と非直線係数の変化率Δα(%)とを測定した。
バリスタ電圧V1□ (■)、非直線係数α、バリスタ
電圧の変化率ΔV1..A (%)および非直線係数
の変化率Δα(%)などの電気的特性を調べた。この場
合、電圧非直線抵抗体素子に1mAの電流を流してバリ
スタ電圧V、□ (V)を測定し、5000A/cdの
サージ電流を印加してバリスタ電圧の変化率ΔV、□
(%)と非直線係数の変化率Δα(%)とを測定した。
そして、それらの測定結果を表に示した。
なお、表中の試料番号に*印の付したものはこの発明の
範囲外である。
範囲外である。
次に、この発明にかかる電圧非直線抵抗体用磁器組成物
の各成分の組成範囲を限定した理由について説明する。
の各成分の組成範囲を限定した理由について説明する。
この発明で主成分として用いる(Sr、−□、BaXC
ay)T i Owlにおいて、BaO量すなわちXを
X≦0.30とし、CaO量すなわちyをy≦0.25
とするのは、Xとyがこれらの範囲を超えると、試料番
号8.15.16のように、サージ耐量が低下して好ま
しくないためである。
ay)T i Owlにおいて、BaO量すなわちXを
X≦0.30とし、CaO量すなわちyをy≦0.25
とするのは、Xとyがこれらの範囲を超えると、試料番
号8.15.16のように、サージ耐量が低下して好ま
しくないためである。
また、半導体化剤としてのNb、W、Ta、Inあるい
は希土類元素の酸化物の量を0.1〜20モル%とする
のは、試料番号17のようにこれらの酸化物が0モル%
ではバリスタ特性を示さず、試料番号22のように2.
0モル%を超えるとサージ耐量が低下するからである。
は希土類元素の酸化物の量を0.1〜20モル%とする
のは、試料番号17のようにこれらの酸化物が0モル%
ではバリスタ特性を示さず、試料番号22のように2.
0モル%を超えるとサージ耐量が低下するからである。
さらに、試料番号30のように酸化剤としての1’Ja
z o、 S i OzおよびS bz Oz (0
< N az O,O<5iOz 、0<Sbz ow
l )の合計が0.01モル%未満では、サージ耐量が
低下するためである。一方、試料番号35.40.44
のように、酸化剤の合計が2.0モル%を超えると、サ
ージ耐量が低下するためである。
z o、 S i OzおよびS bz Oz (0
< N az O,O<5iOz 、0<Sbz ow
l )の合計が0.01モル%未満では、サージ耐量が
低下するためである。一方、試料番号35.40.44
のように、酸化剤の合計が2.0モル%を超えると、サ
ージ耐量が低下するためである。
また、試料番号31.36のように、酸化剤の中のどれ
かが添加されていない場合、非直線係数が小さくなった
り、サージ耐量が低下するためである。
かが添加されていない場合、非直線係数が小さくなった
り、サージ耐量が低下するためである。
それに対して、この発明にかかる電圧非直線抵抗体用磁
器組成物を用いれば、任意のバリスタ電圧ををし、かつ
大きい非直線係数αおよび高いサージ耐量を有する電圧
非直線抵抗体を得ることができる。
器組成物を用いれば、任意のバリスタ電圧ををし、かつ
大きい非直線係数αおよび高いサージ耐量を有する電圧
非直線抵抗体を得ることができる。
上述の実施例では、たとえば、5000A/CIl+の
サージ電圧印加後のサージ耐量に優れ、非直線係数αが
α〉15と大きい電圧非直線抵抗体を得ることができた
。
サージ電圧印加後のサージ耐量に優れ、非直線係数αが
α〉15と大きい電圧非直線抵抗体を得ることができた
。
また、母材料にBaを添加した場合には、Baを添加し
ない場合に比べて静電容量が大きくなり、Baの添加量
によって静電容量をコントロールすることができる。
ない場合に比べて静電容量が大きくなり、Baの添加量
によって静電容量をコントロールすることができる。
特許出願人 株式会社 村田製作所
代理人 弁理士 岡 1) 全 啓
Claims (1)
- (Sr_1_−_x_−_yBa_xCa_y)TiO
_3(ただし、x≦0.30、y≦0.25)が98.
0〜99.9モル%と、Nb,W,Ta,Inあるいは
希土類元素の中から選ばれる少なくとも1種類の酸化物
が0.1〜2.0モル%とからなる半導体磁器に、Na
_2O、SiO_2およびSb_2O_3(0<Na_
2O、0<SiO_2、0<Sb_2O_3)を合わせ
て0.01〜2.0モル%含有されてなる、電圧非直線
抵抗体用磁器組成物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2158404A JPH0450164A (ja) | 1990-06-15 | 1990-06-15 | 電圧非直線抵抗体用磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2158404A JPH0450164A (ja) | 1990-06-15 | 1990-06-15 | 電圧非直線抵抗体用磁器組成物 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0450164A true JPH0450164A (ja) | 1992-02-19 |
Family
ID=15671012
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2158404A Pending JPH0450164A (ja) | 1990-06-15 | 1990-06-15 | 電圧非直線抵抗体用磁器組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0450164A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6146907A (en) * | 1999-10-19 | 2000-11-14 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Method of forming a dielectric thin film having low loss composition of Bax Sry Ca1-x-y TiO3 : Ba0.12-0.25 Sr0.35-0.47 Ca0.32-0.53 TiO3 |
-
1990
- 1990-06-15 JP JP2158404A patent/JPH0450164A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6146907A (en) * | 1999-10-19 | 2000-11-14 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Method of forming a dielectric thin film having low loss composition of Bax Sry Ca1-x-y TiO3 : Ba0.12-0.25 Sr0.35-0.47 Ca0.32-0.53 TiO3 |
US6285049B1 (en) * | 1999-10-19 | 2001-09-04 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Low loss composition of BaxSryCa1-x-yTiO3: Ba0.12-0.25Sr0.35-0.47Ca0.32-0.53TiO3 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP0080611B1 (en) | Semiconductive ceramic materials with a voltage-dependent nonlinear resistance, and process for preparation | |
EP0137044B1 (en) | Composition of porcelain for voltage-dependent, non-linear resistor | |
JPH0450164A (ja) | 電圧非直線抵抗体用磁器組成物 | |
JPH0450165A (ja) | 電圧非直線抵抗体用磁器組成物 | |
JPH04119601A (ja) | 電圧非直線抵抗体用磁器組成物 | |
JPH0450163A (ja) | 電圧非直線抵抗体用磁器組成物 | |
JP3036128B2 (ja) | 粒界酸化型電圧非直線抵抗組成物 | |
JPH0450166A (ja) | 電圧非直線抵抗体用磁器組成物 | |
JPH0547589A (ja) | 粒界絶縁型半導体磁器コンデンサ | |
JP2967439B2 (ja) | 粒界酸化型電圧非直線抵抗組成物 | |
JPH04120703A (ja) | 電圧非直線抵抗体用磁器組成物 | |
JP3273468B2 (ja) | チタン酸バリウム系半導体磁器組成物 | |
JP3036051B2 (ja) | チタン酸バリウム系半導体磁器組成物 | |
JP2573466B2 (ja) | 電圧非直線性抵抗体磁器組成物 | |
JPH03215354A (ja) | チタン酸バリウム系半導体磁器組成物 | |
JPH038760A (ja) | 電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物およびバリスタの製造方法 | |
JP2555790B2 (ja) | 磁器組成物及びその製造方法 | |
JPH03109260A (ja) | 粒界酸化型電圧非直線抵抗組成物 | |
JPH03109257A (ja) | 粒界酸化型電圧非直線抵抗組成物 | |
JPH0529110A (ja) | 粒界酸化型電圧非直線抵抗素子 | |
JPH02265216A (ja) | 粒界酸化型電圧非直線低抗素子 | |
JPH03261658A (ja) | 電圧非直線抵抗体用磁器組成物 | |
JPH0423301A (ja) | 電圧非直線抵抗体用磁器組成物 | |
JPH04144961A (ja) | 磁器組成物及びその製造方法 | |
JPH0459656A (ja) | 磁器組成物及びその製造方法 |