JPH0423301A - 電圧非直線抵抗体用磁器組成物 - Google Patents
電圧非直線抵抗体用磁器組成物Info
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- JPH0423301A JPH0423301A JP2124422A JP12442290A JPH0423301A JP H0423301 A JPH0423301 A JP H0423301A JP 2124422 A JP2124422 A JP 2124422A JP 12442290 A JP12442290 A JP 12442290A JP H0423301 A JPH0423301 A JP H0423301A
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- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims description 23
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 title abstract description 6
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 title abstract 3
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 20
- 229910000272 alkali metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 8
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 abstract description 4
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 6
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 abstract 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 abstract 3
- KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N Na2O Inorganic materials [O-2].[Na+].[Na+] KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 229910008593 TiyO3 Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 5
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 5
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002370 SrTiO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N Vinyl acetate Chemical compound CC(=O)OC=C XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 230000005621 ferroelectricity Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N lanthanum oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[La+3].[La+3] MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- KTUFCUMIWABKDW-UHFFFAOYSA-N oxo(oxolanthaniooxy)lanthanum Chemical compound O=[La]O[La]=O KTUFCUMIWABKDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
この発明は電圧非直線抵抗体用磁器組成物に関し、特に
たとえば、電子機器で発生する異常電圧ノイズおよび静
電気などを吸収もしくは除去するのに用いられるバリス
タなどの電圧非直線抵抗体を得るための電圧非直線抵抗
体用磁器組成物に関する。
たとえば、電子機器で発生する異常電圧ノイズおよび静
電気などを吸収もしくは除去するのに用いられるバリス
タなどの電圧非直線抵抗体を得るための電圧非直線抵抗
体用磁器組成物に関する。
(従来技術)
従来、この種の電圧非直線抵抗体用磁器組成物には、た
とえば5rTiCh系の粒界酸化型電圧非直線抵抗体用
磁器組成物があった。この粒界酸化型電圧非直線抵抗体
用磁器組成物を用いた電圧非直線抵抗体としては、たと
えばSrTiO3系の半導体磁器の結晶粒界を空気中酸
化やNaz Oなどの酸化剤によって酸化し、結晶粒界
に絶縁層を形成したものがあった。
とえば5rTiCh系の粒界酸化型電圧非直線抵抗体用
磁器組成物があった。この粒界酸化型電圧非直線抵抗体
用磁器組成物を用いた電圧非直線抵抗体としては、たと
えばSrTiO3系の半導体磁器の結晶粒界を空気中酸
化やNaz Oなどの酸化剤によって酸化し、結晶粒界
に絶縁層を形成したものがあった。
このような電圧非直線抵抗体は、その素体がペロブスカ
イト結晶構造を有し、強誘電性を示すため、単にバリス
タとしての機能のみでな(、コンデンサとしての機能も
有する。
イト結晶構造を有し、強誘電性を示すため、単にバリス
タとしての機能のみでな(、コンデンサとしての機能も
有する。
したがって、この電圧非直線抵抗体用磁器組成物を用い
た電圧非直線抵抗体では、異常高電圧(サージ)の吸収
や電圧の安定化などを図ることができる。
た電圧非直線抵抗体では、異常高電圧(サージ)の吸収
や電圧の安定化などを図ることができる。
(発明が解決しようとする課題)
しかしながら、このような従来の電圧非直線抵抗体用磁
器組成物を用いた電圧非直線抵抗体では、磁器を構成す
る粒子間の抵抗が大きいため、その非直線係数αが小さ
い。また、5rTi03系の電圧非直線抵抗体用磁器組
成物を用いた素子では、パルス電圧が印加されることに
よって、その電気的特性が劣化してしまう。
器組成物を用いた電圧非直線抵抗体では、磁器を構成す
る粒子間の抵抗が大きいため、その非直線係数αが小さ
い。また、5rTi03系の電圧非直線抵抗体用磁器組
成物を用いた素子では、パルス電圧が印加されることに
よって、その電気的特性が劣化してしまう。
それゆえに、この発明の主たる目的は、バリスタ特性と
コンデンサ特性の両方を備え、大きなバリスタ電圧と大
きな非直線係数αを有し、かつ大きなサージ耐量を有す
る電圧非直線抵抗体を得ることができる、電圧非直線抵
抗体用磁器組成物を提供することである。
コンデンサ特性の両方を備え、大きなバリスタ電圧と大
きな非直線係数αを有し、かつ大きなサージ耐量を有す
る電圧非直線抵抗体を得ることができる、電圧非直線抵
抗体用磁器組成物を提供することである。
(課題を解決するための手段)
この発明にかかる電圧非直線抵抗体用磁器組成物は、(
S r+−x Caw ) T iy Os (ただ
し、0≦x≦0.25.0.996≦y≦1.003)
が98.0〜99.9モル%と、Nb、W、Ta、in
あるいは希土類元素の酸化物が0.1〜2.0モル%と
からなる半導体磁器に、Nag Oを除くアルカリ金属
酸化物とTi0z(ただし、0〈アルカリ金属酸化物、
0〈TlO□)をあわせて0.01〜1.0モル%含有
されてなる、電圧非直線抵抗体・用磁器組成物である。
S r+−x Caw ) T iy Os (ただ
し、0≦x≦0.25.0.996≦y≦1.003)
が98.0〜99.9モル%と、Nb、W、Ta、in
あるいは希土類元素の酸化物が0.1〜2.0モル%と
からなる半導体磁器に、Nag Oを除くアルカリ金属
酸化物とTi0z(ただし、0〈アルカリ金属酸化物、
0〈TlO□)をあわせて0.01〜1.0モル%含有
されてなる、電圧非直線抵抗体・用磁器組成物である。
(発明の効果)
この発明の電圧非直線抵抗体用磁器組成物を用いれば、
バリスタ特性とコンデンサ特性の両方を備えた電圧非直
線抵抗体を得ることができる。さらに、この電圧非直線
抵抗体は100〜300V程度の大きなバリスタ電圧を
得ることができ、15以上の大きな非直線係数αを得る
ことができる。
バリスタ特性とコンデンサ特性の両方を備えた電圧非直
線抵抗体を得ることができる。さらに、この電圧非直線
抵抗体は100〜300V程度の大きなバリスタ電圧を
得ることができ、15以上の大きな非直線係数αを得る
ことができる。
また、この電圧非直線抵抗体では、5000A/dまで
のサージに耐えることができる。
のサージに耐えることができる。
この発明の上述の目的、その他の目的、特徴および利点
は、以下の実施例の詳細な説明から一層明らかとなろう
。
は、以下の実施例の詳細な説明から一層明らかとなろう
。
(実施例)
まず、母材料である5rCO,、Tie、、CacOz
の粉末を準備した。また、半導体化剤として、Nb、W
、Ta、I nの酸化物および希土類元素の酸化物であ
るYz 03 、La2O3,Erz O:l 、HO
X 03の粉末を準備した。これらの各原料粉末を、表
に示す組成比となるように秤量して湿式混合し、混合物
を得た。そして、得られた混合物を乾燥後、1150℃
で2時間仮焼して粉砕し、粉砕物を得た。
の粉末を準備した。また、半導体化剤として、Nb、W
、Ta、I nの酸化物および希土類元素の酸化物であ
るYz 03 、La2O3,Erz O:l 、HO
X 03の粉末を準備した。これらの各原料粉末を、表
に示す組成比となるように秤量して湿式混合し、混合物
を得た。そして、得られた混合物を乾燥後、1150℃
で2時間仮焼して粉砕し、粉砕物を得た。
次いで、得られた粉砕物に酢酸ビニル系樹脂を5重量%
添加して造粒し、造粒粉を得た。さらに、得られた造粒
粉を1ton/calの圧力で直径10鶴、厚さ1.5
鶴のベレット状に成形して成形体を得た。
添加して造粒し、造粒粉を得た。さらに、得られた造粒
粉を1ton/calの圧力で直径10鶴、厚さ1.5
鶴のベレット状に成形して成形体を得た。
そして、この成形体を空気中で1000℃で2時間仮焼
した後、体積比でHz :Nt =1 : 100の
混合ガス雰囲気中において、1450℃で2時間焼成し
て半導体磁器を得た。
した後、体積比でHz :Nt =1 : 100の
混合ガス雰囲気中において、1450℃で2時間焼成し
て半導体磁器を得た。
さらに、得られた半導体磁器に、アルカリ金属酸化物で
あるKg O,Rbz O,CS z O,L i20
から選ばれる少なくとも1種類とTiO□とからなる酸
化剤を表に示す割合で添加して、空気中で1200℃で
2時間熱処理を施して磁器ユニットを得た。
あるKg O,Rbz O,CS z O,L i20
から選ばれる少なくとも1種類とTiO□とからなる酸
化剤を表に示す割合で添加して、空気中で1200℃で
2時間熱処理を施して磁器ユニットを得た。
このようにして得られた磁器ユニットの対抗面に銀電極
を形成して電圧非直線抵抗体を得た。そして、この電圧
非直線抵抗体の電気的特性を評価した。
を形成して電圧非直線抵抗体を得た。そして、この電圧
非直線抵抗体の電気的特性を評価した。
この場合、得られた電圧非直線抵抗体に1mAの電流を
流したときのバリスタ電圧V1...A (V)、非
直線係数αおよび5000A/−のサージ電流を印加し
たときのバリスタ電圧VIIIIAの変化率Δvl1%
Aと非直線係数αの変化率Δαとを測定し、表に示した
。
流したときのバリスタ電圧V1...A (V)、非
直線係数αおよび5000A/−のサージ電流を印加し
たときのバリスタ電圧VIIIIAの変化率Δvl1%
Aと非直線係数αの変化率Δαとを測定し、表に示した
。
なお、表中の試料番号に*印を付したものは、この発明
の範囲外である。
の範囲外である。
次に、この発明にかかる電圧非直線抵抗体用磁器組成物
の各成分の組成範囲を限定した理由について説明する。
の各成分の組成範囲を限定した理由について説明する。
試料番号7,29,51.73に示すように、半導体化
剤としてのNb、W、Ta、Inあるいは希土類元素の
酸化物が添加されていない場合、その電気的特性を測定
することはできなかった。
剤としてのNb、W、Ta、Inあるいは希土類元素の
酸化物が添加されていない場合、その電気的特性を測定
することはできなかった。
また、試料番号11.33,55.77に示すように、
半導体化剤が2.0モル%を超えた場合、サージ電流を
印加したときのバリスタ電圧の変化率ΔV、□および非
直線係数の変化率Δαが大きくなる。
半導体化剤が2.0モル%を超えた場合、サージ電流を
印加したときのバリスタ電圧の変化率ΔV、□および非
直線係数の変化率Δαが大きくなる。
さらに、試料番号13,35,57,79.80に示す
ように、(S r、−、CaX)T i、oxのXが0
.25を超えた場合、バリスタ電圧v1、が小さくなる
とともに、サージ電流を印加したときのバリスタ電圧の
変化率ΔV1.Aおよび非直線係数の変化率Δαが太き
(なる。
ように、(S r、−、CaX)T i、oxのXが0
.25を超えた場合、バリスタ電圧v1、が小さくなる
とともに、サージ電流を印加したときのバリスタ電圧の
変化率ΔV1.Aおよび非直線係数の変化率Δαが太き
(なる。
さらにまた、試料番号14,36.58.87に示すよ
うに、酸化剤の添加量が0.01モル%より少ない場合
、バリスタ電圧V1.Aおよび非直線係数αが小さくな
る。
うに、酸化剤の添加量が0.01モル%より少ない場合
、バリスタ電圧V1.Aおよび非直線係数αが小さくな
る。
試料番号15,16.37,38,59,6088.8
9のように、酸化剤が0.01〜1゜0モル%の範囲で
添加されているもののアルカリ金属酸化物とT i O
tの両方が添加されない場合、バリスタ電圧VIIIA
および非直線係数αが小さくなる。
9のように、酸化剤が0.01〜1゜0モル%の範囲で
添加されているもののアルカリ金属酸化物とT i O
tの両方が添加されない場合、バリスタ電圧VIIIA
および非直線係数αが小さくなる。
また、試料番号6,18,28,40,50゜62.7
0,83.86,93,94,100に示すように、酸
化剤の添加量が1.0モル%を超えた場合、サージ電流
を印加したときのバリスタ電圧の変化率Δv1□および
非直線係数の変化率Δαが大きくなる。
0,83.86,93,94,100に示すように、酸
化剤の添加量が1.0モル%を超えた場合、サージ電流
を印加したときのバリスタ電圧の変化率Δv1□および
非直線係数の変化率Δαが大きくなる。
さらに、試料番号19,41.63に示すように、yが
0.996より小さい場合は、非直線係数αが小さくな
り、試料番号22.44.66に示すように、yが1.
003より大きい場合は、サージ電流を印加したときの
バリスタ電圧の変化率Δv1.Aおよび非直線係数の変
化率Δαが大きくなる。
0.996より小さい場合は、非直線係数αが小さくな
り、試料番号22.44.66に示すように、yが1.
003より大きい場合は、サージ電流を印加したときの
バリスタ電圧の変化率Δv1.Aおよび非直線係数の変
化率Δαが大きくなる。
それに対して、この発明の電圧非直線抵抗体用磁器組成
物を用いれば、大きなバリスタ電圧を有し、サージ電流
が印加されても特性が変わりにくく、かつ大きい非直線
係数αを有する電圧非直線抵抗体を得ることができる。
物を用いれば、大きなバリスタ電圧を有し、サージ電流
が印加されても特性が変わりにくく、かつ大きい非直線
係数αを有する電圧非直線抵抗体を得ることができる。
特許出願人 株式会社 村田製作所
代理人 弁理士 岡 1) 全 啓
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 (Sr_1_−_xCa_x)Ti_yO_3(ただし
、0≦x≦0.25、0.996≦y≦1.003)が
98.0〜99.9モル%と、Nb、W、Ta、Inあ
るいは希土類元素の酸化物が0.1〜2.0モル%とか
らなる半導体磁器に、 Na_2Oを除くアルカリ金属酸化物とTiO_2(た
だし、0<アルカリ金属酸化物、0<TiO_2)をあ
わせて0.01〜1.0モル%含有されてなる、電圧非
直線抵抗体用磁器組成物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2124422A JPH0423301A (ja) | 1990-05-14 | 1990-05-14 | 電圧非直線抵抗体用磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2124422A JPH0423301A (ja) | 1990-05-14 | 1990-05-14 | 電圧非直線抵抗体用磁器組成物 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0423301A true JPH0423301A (ja) | 1992-01-27 |
Family
ID=14885093
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2124422A Pending JPH0423301A (ja) | 1990-05-14 | 1990-05-14 | 電圧非直線抵抗体用磁器組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0423301A (ja) |
-
1990
- 1990-05-14 JP JP2124422A patent/JPH0423301A/ja active Pending
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