JPH02177505A - 粒界酸化型電圧非直線抵抗素子 - Google Patents
粒界酸化型電圧非直線抵抗素子Info
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- JPH02177505A JPH02177505A JP63333844A JP33384488A JPH02177505A JP H02177505 A JPH02177505 A JP H02177505A JP 63333844 A JP63333844 A JP 63333844A JP 33384488 A JP33384488 A JP 33384488A JP H02177505 A JPH02177505 A JP H02177505A
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- 230000003647 oxidation Effects 0.000 title claims abstract description 13
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 title claims abstract description 13
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 title abstract 2
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 abstract description 4
- KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N Na2O Inorganic materials [O-2].[Na+].[Na+] KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 6
- GNTDGMZSJNCJKK-UHFFFAOYSA-N divanadium pentaoxide Chemical compound O=[V](=O)O[V](=O)=O GNTDGMZSJNCJKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 6
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract 2
- 229910010252 TiO3 Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract 1
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 3
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 101100348017 Drosophila melanogaster Nazo gene Proteins 0.000 description 1
- XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N Vinyl acetate Chemical compound CC(=O)OC=C XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 230000005621 ferroelectricity Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明は粒界酸化型電圧非直線抵抗素子に関し、特に
たとえば電子機器や電気機器で発生する異常電圧、ノイ
ズおよび静電気などを吸収または除去するためなどに用
いられるバリスタなどのような、粒界酸化型電圧非直線
抵抗素子に関する。
たとえば電子機器や電気機器で発生する異常電圧、ノイ
ズおよび静電気などを吸収または除去するためなどに用
いられるバリスタなどのような、粒界酸化型電圧非直線
抵抗素子に関する。
（従来技術）
従来の粒界酸化型電圧非直線抵抗素子としては、たとえ
ば５ｒＴｉＯ１系の半導体磁器の結晶粒界を空気中酸化
やＮａｇ Ｏなどの酸化剤によって酸化し、結晶粒界に
絶縁層を形成したものがあった。
ば５ｒＴｉＯ１系の半導体磁器の結晶粒界を空気中酸化
やＮａｇ Ｏなどの酸化剤によって酸化し、結晶粒界に
絶縁層を形成したものがあった。
このような電圧非直線抵抗素子は、その素体がペロブス
カイト結晶構造を有し、強誘電性を示すため、単にバリ
スタとしての機能のみでなく、コンデンサとしての機能
も有する。したがって、この電圧非直線抵抗素子を用い
て、異常高電圧（サージ）の吸収や電圧の安定化などを
行うことができるという利点がある。
カイト結晶構造を有し、強誘電性を示すため、単にバリ
スタとしての機能のみでなく、コンデンサとしての機能
も有する。したがって、この電圧非直線抵抗素子を用い
て、異常高電圧（サージ）の吸収や電圧の安定化などを
行うことができるという利点がある。
（発明が解決しようとする課題）
しかしながら、従来の５ｒＴｉＯｓ系半導体磁器を用い
たものでは、磁器を構成する粒子間の抵抗が大きいため
、その非直線係数が小さい、また、５ｒＴｉＯ，系半導
体磁器を用いたものでは、パルス電圧が印加されること
によってその電気的特性が劣化してしまう。
たものでは、磁器を構成する粒子間の抵抗が大きいため
、その非直線係数が小さい、また、５ｒＴｉＯ，系半導
体磁器を用いたものでは、パルス電圧が印加されること
によってその電気的特性が劣化してしまう。
それゆえに、この発明の主たる目的は、バリス夕特性と
コンデンサ特性の両方を備え、大きなバリスタ電圧と大
きな非直線係数を有し、かつ大きなサージ耐量を有する
、粒界酸化型電圧非直線抵抗素子を提供することである
。
コンデンサ特性の両方を備え、大きなバリスタ電圧と大
きな非直線係数を有し、かつ大きなサージ耐量を有する
、粒界酸化型電圧非直線抵抗素子を提供することである
。
（課題を解決するための手段）
この発明は、（Ｓ ｒｌ−Ｘ Ｃａｘ）Ｔ ｉｏｓ
（ただし、Ｘ≦０．２５）を９８．０〜９９．９モル％
と、Ｎｂ、Ｗ、Ｔａ、Ｉｎ、Ｙおよび希土類元素の中か
ら選ばれる少なくとも１種類の酸化物を０．１〜２．０
モル％とからなる素体に対して、Ｎａ２Ｏ，Ｔｉｅ、お
よびＶ＊ Ｏｓ （０＜ＮａｇＱ、Ｑ＜Ｔｉ０１．０
＜Ｖ！ Ｏｓ ）が合わせテ０．０１〜２．０モル％含
有されてなる、粒界酸化型電圧非直線抵抗素子である。
（ただし、Ｘ≦０．２５）を９８．０〜９９．９モル％
と、Ｎｂ、Ｗ、Ｔａ、Ｉｎ、Ｙおよび希土類元素の中か
ら選ばれる少なくとも１種類の酸化物を０．１〜２．０
モル％とからなる素体に対して、Ｎａ２Ｏ，Ｔｉｅ、お
よびＶ＊ Ｏｓ （０＜ＮａｇＱ、Ｑ＜Ｔｉ０１．０
＜Ｖ！ Ｏｓ ）が合わせテ０．０１〜２．０モル％含
有されてなる、粒界酸化型電圧非直線抵抗素子である。
（発明の効果）
この発明によれば、バリスタ特性とコンデンサ特性の両
方を備えた粒界酸化型電圧非直線抵抗素子を得ることが
できる。さらに、この粒界酸化型電圧非直線抵抗素子は
、１００〜３００ｖ程度の大きなバリスタ電圧を得るこ
とができ、さらに１５以上の大きな非直線係数を得るこ
とができる。
方を備えた粒界酸化型電圧非直線抵抗素子を得ることが
できる。さらに、この粒界酸化型電圧非直線抵抗素子は
、１００〜３００ｖ程度の大きなバリスタ電圧を得るこ
とができ、さらに１５以上の大きな非直線係数を得るこ
とができる。
また、この粒界酸化型電圧非直線抵抗素子では、５００
０Ａ／−までのサージに耐えることができる。
０Ａ／−までのサージに耐えることができる。
この発明の上述の目的、その他の目的、特徴および利点
は、以下の実施例の詳細な説明から一層明らかとなろう
。
は、以下の実施例の詳細な説明から一層明らかとなろう
。
（実施例）
まず、５ｒＣＯ，、Ｔｉｅ、、ＣａＣ０，およびＮｂ、
Ｔａ、Ｙ、希土類元素の酸化物粉末を別表に示す組成比
のものが得られるように秤量して湿式混合した。この混
合物を乾燥後、１１５０℃で２時間仮焼し、粉砕した。
Ｔａ、Ｙ、希土類元素の酸化物粉末を別表に示す組成比
のものが得られるように秤量して湿式混合した。この混
合物を乾燥後、１１５０℃で２時間仮焼し、粉砕した。
この粉砕物に酢酸ビニル系樹脂を５重量％添加して造粒
し、この造粒粉を１ｔｏｎ／ｃｄの圧力で、直径１０ｍ
ｍ、厚さ１゜５龍のベレット状に成形した。この成形体
を空気中において１０００℃で２時間焼成した後、体積
比でＨ２：Ｎ！ ”１ ： １００の雰囲気中において
１４５０℃で２時間焼成し、半導体磁器を得た。
し、この造粒粉を１ｔｏｎ／ｃｄの圧力で、直径１０ｍ
ｍ、厚さ１゜５龍のベレット状に成形した。この成形体
を空気中において１０００℃で２時間焼成した後、体積
比でＨ２：Ｎ！ ”１ ： １００の雰囲気中において
１４５０℃で２時間焼成し、半導体磁器を得た。
得られた半導体磁器に、別表に示す割合でＮａｚｏ、Ｔ
ｉＯ□およびＶ！ Ｏｓの混合酸化物をフェスとともに
塗布し、空気中において１２００℃で２時間熱処理を行
って、磁器ユニットを得た。得られた磁器ユニットの対
向面に銀ペーストを塗布し、８００℃で焼き付けて銀電
極を形成し、その電気的特性を評価した。
ｉＯ□およびＶ！ Ｏｓの混合酸化物をフェスとともに
塗布し、空気中において１２００℃で２時間熱処理を行
って、磁器ユニットを得た。得られた磁器ユニットの対
向面に銀ペーストを塗布し、８００℃で焼き付けて銀電
極を形成し、その電気的特性を評価した。
ここでは、磁器ユニットに１ｍＡの電流を流した時のバ
リスタ電圧Ｖ＋−ａ （Ｖ）、非直線係数αおよび５
０００Ａ／−のサージ電流を印加した時のバリスタ電圧
の変化率ΔＶＩｍＡと非直線係数の変化率Δαとを測定
し、別表に示した。
リスタ電圧Ｖ＋−ａ （Ｖ）、非直線係数αおよび５
０００Ａ／−のサージ電流を印加した時のバリスタ電圧
の変化率ΔＶＩｍＡと非直線係数の変化率Δαとを測定
し、別表に示した。
表の試料番号３のように、半導体化剤としてのＮｂ、Ｗ
、Ｔａ、Ｉ ｎ、Ｙおよび希土類元素などの酸化物が添
加されていない場合、その電気的特性を測定することが
できなかった。
、Ｔａ、Ｉ ｎ、Ｙおよび希土類元素などの酸化物が添
加されていない場合、その電気的特性を測定することが
できなかった。
また、試料番号７のように、半導体化剤が２゜０モル％
を超えた場合、サージ電流を印加したときのバリスタ電
圧変化率および非直線係数変化率が大きくなる。
を超えた場合、サージ電流を印加したときのバリスタ電
圧変化率および非直線係数変化率が大きくなる。
さらに、試料番号１２のように、Ｘが０．２５を超えた
場合、バリスタ電圧が小さくなるとともに、サージ電流
を印加したときのバリスタ電圧変化率および非直線係数
変化率が大きくなる。
場合、バリスタ電圧が小さくなるとともに、サージ電流
を印加したときのバリスタ電圧変化率および非直線係数
変化率が大きくなる。
また、試料番号１３のように、酸化剤の添加量が０．０
１モル％より少ない場合、バリスタ電圧および非直線係
数が小さくなる。
１モル％より少ない場合、バリスタ電圧および非直線係
数が小さくなる。
さらに、試料番号１９のように、酸化剤の添加量が２．
０モル％を超えた場合、サージ電流を印加したときのバ
リスタ電圧変化率および非直線係数変化率が大きくなる
。
０モル％を超えた場合、サージ電流を印加したときのバ
リスタ電圧変化率および非直線係数変化率が大きくなる
。
それに対して、この発明の粒界酸化型電圧非直線抵抗素
子では、５０００Ａ／、ｊまでのサージ電流に耐えるこ
とができ、かつ非直線係数αが１５以上と大きい。
子では、５０００Ａ／、ｊまでのサージ電流に耐えるこ
とができ、かつ非直線係数αが１５以上と大きい。
また、酸化剤として、ＮａおよびＴｉの酸化物を用いた
場合、サージ耐量および非直線係数が従来のものの１．
５倍程度になり、安定性にも優れたものとなる。さらに
、ｖ２０．を加えた場合、静電容量が従来のものに比べ
て最大２倍にすることができるとともに、サージ耐量や
非直線係数をさらに大きくすることができる。また、静
電容量は、Ｖ、Ｏｓの添加量によってコントロールする
ことができ、粒界酸化型電圧非直線抵抗素子の生産に好
適である。
場合、サージ耐量および非直線係数が従来のものの１．
５倍程度になり、安定性にも優れたものとなる。さらに
、ｖ２０．を加えた場合、静電容量が従来のものに比べ
て最大２倍にすることができるとともに、サージ耐量や
非直線係数をさらに大きくすることができる。また、静
電容量は、Ｖ、Ｏｓの添加量によってコントロールする
ことができ、粒界酸化型電圧非直線抵抗素子の生産に好
適である。
特許出願人 株式会社 村田製作所
代理人 弁理士 岡 １） 全 啓
Claims (1)
- （Ｓｒ＿１＿−＿ｘＣａ＿ｘ）ＴｉＯ＿３（ただし、ｘ
≦０．２５）を９８．０〜９９．９モル％と、Ｎｂ，Ｗ
，Ｔａ，Ｉｎ，Ｙおよび希土類元素の中から選ばれる少
なくとも１種類の酸化物を０．１〜２．０モル％とから
なる素体に対して、Ｎａ＿２Ｏ，ＴｉＯ＿２およびＶ＿
２Ｏ＿５（０＜Ｎａ＿２Ｏ，０＜ＴｉＯ＿２，０＜Ｖ＿
２Ｏ＿５）が合わせて０．０１〜２．０モル％含有され
てなる、粒界酸化型電圧非直線抵抗素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63333844A JPH02177505A (ja) | 1988-12-28 | 1988-12-28 | 粒界酸化型電圧非直線抵抗素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63333844A JPH02177505A (ja) | 1988-12-28 | 1988-12-28 | 粒界酸化型電圧非直線抵抗素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02177505A true JPH02177505A (ja) | 1990-07-10 |
Family
ID=18270578
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63333844A Pending JPH02177505A (ja) | 1988-12-28 | 1988-12-28 | 粒界酸化型電圧非直線抵抗素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02177505A (ja) |
-
1988
- 1988-12-28 JP JP63333844A patent/JPH02177505A/ja active Pending
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