JPS62230007A - 電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物 - Google Patents
電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物Info
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- JPS62230007A JPS62230007A JP61073511A JP7351186A JPS62230007A JP S62230007 A JPS62230007 A JP S62230007A JP 61073511 A JP61073511 A JP 61073511A JP 7351186 A JP7351186 A JP 7351186A JP S62230007 A JPS62230007 A JP S62230007A
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Landscapes
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は電気機器、電子機器で発生あるいは侵入する異
常高電圧、ノイズ、静電気から半導体素子及び回路を保
護するところの （ＣａｘＳｒ 、 、 ）ｙＴｉｅ３ （０、００１≦ｘ≦０．４，０．９５０≦ｙ＜１．ｏｏ
ｏ）。
常高電圧、ノイズ、静電気から半導体素子及び回路を保
護するところの （ＣａｘＳｒ 、 、 ）ｙＴｉｅ３ （０、００１≦ｘ≦０．４，０．９５０≦ｙ＜１．ｏｏ
ｏ）。
（ＢｔＬ、ＬＳｒ、−＆）ｂＴｉ０５
（０、００１≦ａ＜ｐ 、 ４ 、０ 、９５０≦ｂ＜
１．０００）。
１．０００）。
（ＭｇｃＳｒ ｊ −（Ｈ）ｄ Ｔｉ０ｓ（０、００１
−ｃ）ｄＴｉＯ３（０．００１≦ｃ≦０．４，０．９５
％ｄ＜１．０００）のうち少なくとも一つを主成分とす
る電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物に関するものであ
る。
−ｃ）ｄＴｉＯ３（０．００１≦ｃ≦０．４，０．９５
％ｄ＜１．０００）のうち少なくとも一つを主成分とす
る電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物に関するものであ
る。
従来の技術
従来、各種電気機器、電子機器における異常高電圧の吸
収、ノイズ除去、火花消去、静電気対策のために電圧依
存性非直線抵抗特性を有するＳｉＣバリスタ、ＺｎＯ系
バリスタなどが使用されていた。
収、ノイズ除去、火花消去、静電気対策のために電圧依
存性非直線抵抗特性を有するＳｉＣバリスタ、ＺｎＯ系
バリスタなどが使用されていた。
このようなバリスタの電圧−電流特性は近似的に次式の
ように表わすことができる。
ように表わすことができる。
ｘ ＝ （ｖ７ｃ ）“
ここで、工は電流、■は電圧、Ｃはバリスタ固有の定数
であり、αは電圧非直線指数である。
であり、αは電圧非直線指数である。
ＳｉＣバリスタのαは２〜７程度、ＺｎＯ系バリスタで
はαが５０にもおよぶものがある。このような′４リス
タは比較的高い電圧の吸収には優れた性能を有している
が、誘電率が低く、固有の静電・容量が小さいため、バ
リスタ電圧以下の比較的低い電圧や周波数の高いもの（
例えばノイズなど）の吸収に対してはほとんど効果を示
さず、また立上りの鋭いノイズに対しては応答遅れを生
じたり、誘電損失−δが５〜１０％と大きい。
はαが５０にもおよぶものがある。このような′４リス
タは比較的高い電圧の吸収には優れた性能を有している
が、誘電率が低く、固有の静電・容量が小さいため、バ
リスタ電圧以下の比較的低い電圧や周波数の高いもの（
例えばノイズなど）の吸収に対してはほとんど効果を示
さず、また立上りの鋭いノイズに対しては応答遅れを生
じたり、誘電損失−δが５〜１０％と大きい。
一方、これらの低電圧のノイズなどの除去には見掛けの
誘電率が５×１０ 程度で、鋤δが１％前後の半導体コ
ンデンサが利用されているが、しかしこのような半導体
コンデンサはサージなどによりある限度以上の電圧、電
流が印加されると破壊したり、コンデンサとしての機能
を果たさなくなったりする。
誘電率が５×１０ 程度で、鋤δが１％前後の半導体コ
ンデンサが利用されているが、しかしこのような半導体
コンデンサはサージなどによりある限度以上の電圧、電
流が印加されると破壊したり、コンデンサとしての機能
を果たさなくなったりする。
そこで近年、５ｒＴｉＯ３を主成分とし、バリスタ特性
とコンデンサ特性の両方の機能を有するものが開発され
ているが、バリスタ電圧が低く、αが大きく、誘電率が
大きく、サージ耐量が大きいといった特性を同時に満足
するものは未だ得られていない。
とコンデンサ特性の両方の機能を有するものが開発され
ているが、バリスタ電圧が低く、αが大きく、誘電率が
大きく、サージ耐量が大きいといった特性を同時に満足
するものは未だ得られていない。
発明が解決しようとする問題点
上記に述べたように、ＳｉＣバリスタやＺｎＯ系バリス
タではバリスタ電圧が比較的低く、周波数の高いもの（
例えばノイズなど）の吸収に対してはほとんど効果を示
さず、立上りの鋭いノイズに対しては応答遅れを生じた
シする。
タではバリスタ電圧が比較的低く、周波数の高いもの（
例えばノイズなど）の吸収に対してはほとんど効果を示
さず、立上りの鋭いノイズに対しては応答遅れを生じた
シする。
また、半導体コンデンサではある限度以上の電圧、電流
が印加されると破壊したり、コンデンサとしての機能を
果たさなくなったりするといった欠点を有していた。
が印加されると破壊したり、コンデンサとしての機能を
果たさなくなったりするといった欠点を有していた。
本発明はこのような問題真を解決するもので、バリスタ
電圧が低く、α、誘電率、サージ耐量が太きいといった
特性を同時に満足する電圧依存性非直線抵抗体磁器組成
物を提供することを目的とするものである。
電圧が低く、α、誘電率、サージ耐量が太きいといった
特性を同時に満足する電圧依存性非直線抵抗体磁器組成
物を提供することを目的とするものである。
問題点を解決するための手段
上記の問題点を解決するために本発明では、（ＣａｘＳ
ｒ、−ｘ）ｙＴｉｅ３ （０．００１≦ｘ≦０．４，０．９５０≦７＜１．００
０）。
ｒ、−ｘ）ｙＴｉｅ３ （０．００１≦ｘ≦０．４，０．９５０≦７＜１．００
０）。
（ＢａａＳｒ、ａ）ｂ”０ｓ
（０、００１≦ａ≦０．４，０．９５０≦ｂ＜１．ｏｏ
ｏ）。
ｏ）。
（ＭｇＣ８ｒ、−ｃ）６ＴｉＯ３
（０．ｏｏ１−ｃ）ｄＴｉＯ３（０．００１≦ｃ≦０．
４．０．９５０≦ｄ＜１．０００）のうち少なくとも一
種類以上を９２．０００−９９．９９７ｍｏｌ％、Ｙ２
Ｏ，、Ｙ２Ｏ３、ＹＦ３、 Ｎｂ２Ｏ５，Ｔｈ２Ｏ３，
Ｌａ２Ｏ２ノうち少なくとも一種類以上を０．００１−
．０α）ｎｏ１％、Ｃｏ２０．、 ＣｕＯ、ム１２０３
のうち少なくとも一種類。
４．０．９５０≦ｄ＜１．０００）のうち少なくとも一
種類以上を９２．０００−９９．９９７ｍｏｌ％、Ｙ２
Ｏ，、Ｙ２Ｏ３、ＹＦ３、 Ｎｂ２Ｏ５，Ｔｈ２Ｏ３，
Ｌａ２Ｏ２ノうち少なくとも一種類以上を０．００１−
．０α）ｎｏ１％、Ｃｏ２０．、 ＣｕＯ、ム１２０３
のうち少なくとも一種類。
以上をｏ、０ｏ１Ｐ−Ｊ２．ｏｏｏｍｏｌ％、Ｃｒ２Ｏ
３を０．００１〜ｅｓ、ＯＯＯｍｏｌ％ 含有してなる
電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物を得ることにより、
上記の問題点を解決しようとするものである。
３を０．００１〜ｅｓ、ＯＯＯｍｏｌ％ 含有してなる
電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物を得ることにより、
上記の問題点を解決しようとするものである。
作用
一般に５ｒＴｉＯ，を半導体化させるには半導体化促進
剤を添加し、還元焼成するが、これだけでは半導体化促
進剤の種類によってはあまり半導体化が進まない場合が
ある。
剤を添加し、還元焼成するが、これだけでは半導体化促
進剤の種類によってはあまり半導体化が進まない場合が
ある。
そこで、５ｒＴｉＯ，のＳｒ を他の元素、例えばＣａ
、Ｂａ、Ｍｇなどで置換すると結晶構造に歪を生じ、Ｔ
ｉに対するＳｒ、Ｃａ、Ｂａ、Ｍｇ０割合を化学量論よ
りＴｉ過剰にすることにより格子欠陥が発生し、半導体
化が促進されると共に粒成長が促進される。
、Ｂａ、Ｍｇなどで置換すると結晶構造に歪を生じ、Ｔ
ｉに対するＳｒ、Ｃａ、Ｂａ、Ｍｇ０割合を化学量論よ
りＴｉ過剰にすることにより格子欠陥が発生し、半導体
化が促進されると共に粒成長が促進される。
従ッテ、５ｒＴｉＯ３とＳｒの一部をＣａ、Ｂａ、Ｍｇ
などで置換したものとでは最終的に得られる焼結体の微
細構造、特性が著しく異なり、別のものと考えることが
できる。
などで置換したものとでは最終的に得られる焼結体の微
細構造、特性が著しく異なり、別のものと考えることが
できる。
次に、Ｃｏ２１）５． Ｃｕｂ、ム１２０．を添加する
ことにより、これらが粒界に偏析し、粒界を選択的に高
抵抗化させ、バリスタ特性とコンデンサ特性を発現させ
る。
ことにより、これらが粒界に偏析し、粒界を選択的に高
抵抗化させ、バリスタ特性とコンデンサ特性を発現させ
る。
また、Ｃｒ２Ｏ５を添加すると粒界における電子の移動
をスムーズにするため、印加電圧に対する応答性が改善
されると共にサージ耐量が大きくなる。
をスムーズにするため、印加電圧に対する応答性が改善
されると共にサージ耐量が大きくなる。
またさらに、３２０５． Ｎｉｐ、ＭｏＯ２，Ｂｅｄ、
Ｆｅ２Ｏ，。
Ｆｅ２Ｏ，。
Ｌｉ２Ｏ，ＰｂＯ，ＴｉＯ２，ＭｎＯ２’、Ｐ２Ｏ５、
Ｓｂ２Ｏ５を添加すると、それらが粒界に偏析し粒界に
形成されるバリヤの高さを高くするため、バリスタ特性
が改善され、αが大きくなる。
Ｓｂ２Ｏ５を添加すると、それらが粒界に偏析し粒界に
形成されるバリヤの高さを高くするため、バリスタ特性
が改善され、αが大きくなる。
実施例
以下に本発明を実施例をあげて具体的に説明する。
まず、５ｒＣＯ５、ＣａＣ０、、ＢａＣＯ３，ＭｇＣＯ
３、ＴｉＯ２を下記の第１表の組成比になるように秤量
し、ボールミルなどで３０時間混合し、乾燥した後、１
０００°Ｃで１０時間仮焼する。こうして得られた仮焼
物に添加物を下記の第１表の組成比になるように秤量し
、ボールミルなどで２４時間混合し、乾燥した後、ポリ
ビニルアルコールなどのバインダーを１０ｗｔ％添加し
て造粒した後、１ｔｆｉｄ のプレス圧力で１０φＭ
Ｗ Ｘ １ｔｆｆｌの円板状に成形する。次いで、上記
成形体を空気中で１０００’Ｃで５時間仮焼し、脱バイ
ンダーを行った後、Ｎ２： Ｎ２：９：１ ノ混合ガ
ス中で１４６０′Ｃで３時間焼成する。さらに、空気中
で１０００°Ｃで５時間焼成し、こうして得られた第１
図及び第２図に示す焼結体１の両平面に外周を残すよう
にしてＡｇなどの導電性ペーストをスクリーン印刷し、
６００’Ｃで６分間焼成し、電極２．３を形成する。
３、ＴｉＯ２を下記の第１表の組成比になるように秤量
し、ボールミルなどで３０時間混合し、乾燥した後、１
０００°Ｃで１０時間仮焼する。こうして得られた仮焼
物に添加物を下記の第１表の組成比になるように秤量し
、ボールミルなどで２４時間混合し、乾燥した後、ポリ
ビニルアルコールなどのバインダーを１０ｗｔ％添加し
て造粒した後、１ｔｆｉｄ のプレス圧力で１０φＭ
Ｗ Ｘ １ｔｆｆｌの円板状に成形する。次いで、上記
成形体を空気中で１０００’Ｃで５時間仮焼し、脱バイ
ンダーを行った後、Ｎ２： Ｎ２：９：１ ノ混合ガ
ス中で１４６０′Ｃで３時間焼成する。さらに、空気中
で１０００°Ｃで５時間焼成し、こうして得られた第１
図及び第２図に示す焼結体１の両平面に外周を残すよう
にしてＡｇなどの導電性ペーストをスクリーン印刷し、
６００’Ｃで６分間焼成し、電極２．３を形成する。
次に、半田などによりリード線を取り付け、エポキシな
どの樹脂塗装を行う。
どの樹脂塗装を行う。
このようにして得られた素子の特性を以下の第２表に示
す。
す。
なお、第２表において誘電率は１Ｋ）−１ｚでの静電容
量から計算した見掛けの誘電率であり、サージ耐量は８
Ｘ２０１１ｓｅｃのパルス電流を印加した後のｖｌ、ム
（１ｍムの電流を流した時に素子の両端にかかる電圧）
の変化率が±１０％以内である時の最大の電流値で評価
している。
量から計算した見掛けの誘電率であり、サージ耐量は８
Ｘ２０１１ｓｅｃのパルス電流を印加した後のｖｌ、ム
（１ｍムの電流を流した時に素子の両端にかかる電圧）
の変化率が±１０％以内である時の最大の電流値で評価
している。
（以下余白）
〈第１表〉
（注）会印は比較例で請求範囲外である。
く第２表〉
以上に示したように主成分の組成比を変えることにより
特性は大きく変わる。ここで、（ＣａｘＳｒ、−ｘ）ｙ
Ｔｉｏ３． （Ｂａ、５ｒ１ａ）ｂＴｉＯｓ 。
特性は大きく変わる。ここで、（ＣａｘＳｒ、−ｘ）ｙ
Ｔｉｏ３． （Ｂａ、５ｒ１ａ）ｂＴｉＯｓ 。
（ＭｇｃＳｒｌ 、）ｄＴｉＯ，のｘ、Ｙ ＋ ’ 、
ｂ！ ’ ｌ ｄの範囲を規定したのは、ｘ 、 ａ
、 ｃ ｔｄ ０．００１未満では効果を示さず、０．
４を越えると粒成長及び半導体化が抑制され、電気的特
性が劣化するためである。また、ｙ、ｂ、ｄは１．００
０では格子欠陥が発生せず、半導体化を促進する効果は
なく、０．９５より小さくなるとＴ工過剰となりすぎる
ためＴｉＯ２の結晶が生成し、組織が不均一になるため
特性が劣化することとなる。
ｂ！ ’ ｌ ｄの範囲を規定したのは、ｘ 、 ａ
、 ｃ ｔｄ ０．００１未満では効果を示さず、０．
４を越えると粒成長及び半導体化が抑制され、電気的特
性が劣化するためである。また、ｙ、ｂ、ｄは１．００
０では格子欠陥が発生せず、半導体化を促進する効果は
なく、０．９５より小さくなるとＴ工過剰となりすぎる
ためＴｉＯ２の結晶が生成し、組織が不均一になるため
特性が劣化することとなる。
さらに、主成分の組成の表示は例えば（ＣａｘＳｒ、−
ｘ）、ＴｉＯ２と示したが、これは５ｒＴｉＯ３を基本
としてＳｒの一部をＣａ で置換し、かつＴｉに対する
Ｃａ及びｓｒの原子比がｙであることを示すものであり
、配合組成から示すと、（Ｇａ ｘＳｒ １−ｚ）ｙＴ
ｉｏ ２＋７とも示すことができる。これは（Ｂａ。
ｘ）、ＴｉＯ２と示したが、これは５ｒＴｉＯ３を基本
としてＳｒの一部をＣａ で置換し、かつＴｉに対する
Ｃａ及びｓｒの原子比がｙであることを示すものであり
、配合組成から示すと、（Ｇａ ｘＳｒ １−ｚ）ｙＴ
ｉｏ ２＋７とも示すことができる。これは（Ｂａ。
Ｓｒ’ ａ）ｂＴｉ０３＋ （ＭｇｃＳｒ＋−ｃ）ａＴ
ｉｏｓについても同様のことが言える。
ｉｏｓについても同様のことが言える。
壕だ、添加物については第２成分は半導体化促進剤であ
り、０．００１ｍｏｌ％末滴では効果を示さず、１．Ｏ
ＯＯｍｏ５％を越えると再酸化抑制されるためバリスタ
電圧は低下し、−δが大きく、αが小さく、サージ耐量
も小さくなる。
り、０．００１ｍｏｌ％末滴では効果を示さず、１．Ｏ
ＯＯｍｏ５％を越えると再酸化抑制されるためバリスタ
電圧は低下し、−δが大きく、αが小さく、サージ耐量
も小さくなる。
また、第３．第４．第５成分はそれぞれ粒界に偏析し、
αを大きくするのに効果があるが、第３成分は２．ｏｏ
ｏｍｏｌ％、第４成分は５．ｏｏｏｍｏｌ％、第６成分
はｓ、ｏｏｏｍｏｌ％をそれぞれ越えると、バリスタ電
圧の上昇、誘電率の低下、サージ耐量の低下をまねくこ
とになる。
αを大きくするのに効果があるが、第３成分は２．ｏｏ
ｏｍｏｌ％、第４成分は５．ｏｏｏｍｏｌ％、第６成分
はｓ、ｏｏｏｍｏｌ％をそれぞれ越えると、バリスタ電
圧の上昇、誘電率の低下、サージ耐量の低下をまねくこ
とになる。
なお、本実施例では一部の添加物の組合せについてのみ
示したが、その他の添加物の組合せについても請求範囲
内の組合せであれば同様の効果があることを確認した。
示したが、その他の添加物の組合せについても請求範囲
内の組合せであれば同様の効果があることを確認した。
発明の効果
以上に示したように本発明によれば、バリスタ電圧が比
較的低く、誘電率が大きく、αが大きく、鋤δが小さく
、サージ耐量が大きいといった特性を同時に満足するこ
とができ、立上りの鋭いパルスやサージに対しても十分
な効果を示し、半導体製品の保護素子としての機能があ
り、実用上の効果は極めて大きい。
較的低く、誘電率が大きく、αが大きく、鋤δが小さく
、サージ耐量が大きいといった特性を同時に満足するこ
とができ、立上りの鋭いパルスやサージに対しても十分
な効果を示し、半導体製品の保護素子としての機能があ
り、実用上の効果は極めて大きい。
第１図、第２図はそれぞれ本発明による磁器組成物を用
いた素子の平面図及び正面図である。 １・・・・・・焼結体、２，３・・・・・・電極。
いた素子の平面図及び正面図である。 １・・・・・・焼結体、２，３・・・・・・電極。
Claims (2)
- （１）（Ｃａ＿ｘＳｒ＿１＿−＿ｘ）＿ｙＴｉＯ＿３（
０、００１≦ｘ≦０．４、０．９５０≦ｙ＜１．０００
）、（Ｂａ＿ａＳｒ＿１＿−＿ａ）＿ｂＴｉＯ＿３（０
．００１≦ａ≦０．４、０９５０≦ｂ＜１．０００）、
（Ｍｇ＿ｃＳｒ＿１＿−＿ｃ）＿ｄＴｉＯ＿３（０．０
０１≦ｃ≦０．４、０．９５０≦ｄ＜１．０００）、の
うち少なくとも一種類以上を９２．０００〜９９．９９
７ｍｏｌ％、Ｙ＿２Ｏ＿３、ＹＦ＿３、Ｎｂ＿２Ｏ＿５
、Ｔａ＿２Ｏ＿５、Ｌａ＿２Ｏ＿３のうち少なくとも一
種類以上を０．００１〜１，０００ｍｏｌ％、Ｃｏ＿２
Ｏ＿３、ＣｕＯ、Ａｌ＿２Ｏ＿３のうち少なくとも一種
類以上を０．００１〜２．０００ｍｏｌ％、Ｃｒ＿２Ｏ
＿３を０．００１〜５．０００ｍｏｌ％含有してなる電
圧依存性非直線抵抗体磁器組成物。 - （２）（Ｃａ＿ｘＳｒ＿１＿−＿ｘ）＿ｙＴｉＯ＿３（
０．００１≦ｘ≦０．４、０．９５０≦ｙ＜１．０００
）、（Ｂａ＿ａＳｒ＿１＿−＿ａ）＿ｂＴｉＯ＿３（０
．００１≦ａ≦０．４、０．９５０≦ｂ＜１．０００）
、（Ｍｇ＿ｃＳｒ＿１＿−＿ｃ）＿ｄＴｉＯ＿３（０．
００１≦ｃ≦０．４、０．９５０≦ｄ＜１．０００）の
うち少なくとも一種類以上を８７．０００〜９９．９９
６ｍｏｌ％、Ｙ＿２Ｏ＿３、ＹＦ＿３、Ｎｂ＿２Ｏ＿５
、Ｔａ＿２Ｏ＿５、Ｌａ＿２Ｏ＿３のうち少なくとも一
種類以上を０．００１〜１．０００ｍｏｌ％、Ｃｏ＿２
Ｏ＿３、ＣｕＯ、Ａｌ＿２Ｏ＿３のうち少なくとも一種
類以上を０．００１〜２．０００ｍｏｌ％、Ｃｒ＿２Ｏ
＿３を０．００１〜５．０００ｍｏｌ％、Ｂ＿２Ｏ＿３
、ＮｉＯ、ＭｏＯ＿３、ＢｅＯ、Ｆｅ＿２Ｏ＿３、Ｌｉ
＿２Ｏ、ＰｂＯ、ＴｉＯ＿２、ＭｎＯ＿２、Ｐ＿２Ｏ＿
５、Ｓｂ＿２Ｏ＿３、Ｖ＿２Ｏ＿５のうち少なくとも一
種類以上を０．００１〜５．０００ｍｏｌ％含有してな
る電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61073511A JPS62230007A (ja) | 1986-03-31 | 1986-03-31 | 電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61073511A JPS62230007A (ja) | 1986-03-31 | 1986-03-31 | 電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62230007A true JPS62230007A (ja) | 1987-10-08 |
Family
ID=13520345
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61073511A Pending JPS62230007A (ja) | 1986-03-31 | 1986-03-31 | 電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62230007A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02146702A (ja) * | 1988-08-12 | 1990-06-05 | Taiyo Yuden Co Ltd | 電圧依存非直線抵抗体 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57187906A (en) * | 1981-05-14 | 1982-11-18 | Taiyo Yuden Kk | Semiconductor porcelain composition with nonlinear voltage/current characteristic and method of producing same |
| JPS625610A (ja) * | 1985-07-02 | 1987-01-12 | 松下電器産業株式会社 | 電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物 |
| JPS62134903A (ja) * | 1985-12-06 | 1987-06-18 | 松下電器産業株式会社 | 電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物 |
| JPS62137806A (ja) * | 1985-12-12 | 1987-06-20 | 松下電器産業株式会社 | 電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物 |
-
1986
- 1986-03-31 JP JP61073511A patent/JPS62230007A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57187906A (en) * | 1981-05-14 | 1982-11-18 | Taiyo Yuden Kk | Semiconductor porcelain composition with nonlinear voltage/current characteristic and method of producing same |
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