JPS625612A - 電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物 - Google Patents
電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物Info
- Publication number
- JPS625612A JPS625612A JP60145616A JP14561685A JPS625612A JP S625612 A JPS625612 A JP S625612A JP 60145616 A JP60145616 A JP 60145616A JP 14561685 A JP14561685 A JP 14561685A JP S625612 A JPS625612 A JP S625612A
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- Japan
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- voltage
- ceramic composition
- resistor ceramic
- linear resistor
- voltage depending
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- Pending
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は電気機器、電子機器で発生する異常高電圧、ノ
イズ、静電気から半導体及び回路を保護スルト？ｃ ロ
ｏ Ｓｒ／Ｔｉ ＝ １ 、ｏｔｓ 〜ｏ、９６ノ５ｒ
Ｔｉ０５ 。
イズ、静電気から半導体及び回路を保護スルト？ｃ ロ
ｏ Ｓｒ／Ｔｉ ＝ １ 、ｏｔｓ 〜ｏ、９６ノ５ｒ
Ｔｉ０５ 。
Ｃ２Ｌ）（Ｓｒ１ ）（Ｔｉ０３ （０，００１−ｘＴ
ｉＯ３（０．００１≦ｘ≦Ｏ−４） 、 ＢａｙＳｒ１
−ｙＴｉＯ５（ｏ、ｏｏ１≦ｙ≦Ｑ、４） 、 Ｍｇｚ
Ｓｒｌ−２Ｔｉｏｓ （０．００１≦ｚ≦０．４）のう
ち少なくとも１種類以上を主成分とする電圧依存性非直
線抵抗体磁器組成物に関するものである。
ｉＯ３（０．００１≦ｘ≦Ｏ−４） 、 ＢａｙＳｒ１
−ｙＴｉＯ５（ｏ、ｏｏ１≦ｙ≦Ｑ、４） 、 Ｍｇｚ
Ｓｒｌ−２Ｔｉｏｓ （０．００１≦ｚ≦０．４）のう
ち少なくとも１種類以上を主成分とする電圧依存性非直
線抵抗体磁器組成物に関するものである。
従来の技術
従来、各種電気機器、電子機器における異常高電圧の吸
収、ノイズの除去、火花消去、静電気対策のために、電
圧依存性非直線抵抗特性を有するＳｉＣバリスタやＺｎ
Ｏ系バリスタなどが（重用されていた。このようなバリ
スタの電圧−電流特性は近似的に次式のように表わすこ
とができる。
収、ノイズの除去、火花消去、静電気対策のために、電
圧依存性非直線抵抗特性を有するＳｉＣバリスタやＺｎ
Ｏ系バリスタなどが（重用されていた。このようなバリ
スタの電圧−電流特性は近似的に次式のように表わすこ
とができる。
Ｉ ＝ （ｖ／ｃ ）“
ここで、工は電流、■は電圧、Ｃはバリスタ固有の定数
であり、αは電圧非直線指数である。
であり、αは電圧非直線指数である。
ＳｉＣバリスタのαは２〜７程度、ＺｎＯ系バリスタで
はαが５０にもおよぶものがある。このようなバリスタ
は比較的高い電圧の吸収には優れた性能を有しているが
、誘電率が低く固有の静電容量が小さいため、バリスタ
電圧以下の低い電圧や周波数の高いもの（例えばノイズ
など）の吸収に対してはほとんど効果を示さず、また誘
電損失−δが６〜１０％と大きい。
はαが５０にもおよぶものがある。このようなバリスタ
は比較的高い電圧の吸収には優れた性能を有しているが
、誘電率が低く固有の静電容量が小さいため、バリスタ
電圧以下の低い電圧や周波数の高いもの（例えばノイズ
など）の吸収に対してはほとんど効果を示さず、また誘
電損失−δが６〜１０％と大きい。
一方、これらの低電圧のノイズなどの除去には見掛けの
誘電率が５Ｘ１０’程度で、―δが１％前後の半導体コ
ンデンサが利用されている。しかし、このような半導体
コンデンサはサーフなどによりある限度以上の電圧、電
流が印加されると破壊したり、コンデンサとしての機能
を果たさなくなったりする。そこで近年、５ｒＴｉ０３
を主成分とし、バリスタ特性とコンデンザ特性の両方の
機能を有するものが開発されているが、バリスタ電圧が
低く、αが大きく、誘電率が大きく、サージ耐量が大き
いといった必要とされるすべての特性を満足するものは
未だ得られていない。
誘電率が５Ｘ１０’程度で、―δが１％前後の半導体コ
ンデンサが利用されている。しかし、このような半導体
コンデンサはサーフなどによりある限度以上の電圧、電
流が印加されると破壊したり、コンデンサとしての機能
を果たさなくなったりする。そこで近年、５ｒＴｉ０３
を主成分とし、バリスタ特性とコンデンザ特性の両方の
機能を有するものが開発されているが、バリスタ電圧が
低く、αが大きく、誘電率が大きく、サージ耐量が大き
いといった必要とされるすべての特性を満足するものは
未だ得られていない。
発明が解決しようとする問題点
このようなことから、半導体及び回路をノイズ。
静電気から保護するためにはバリスタ電圧が低く、α、
誘電率、サージ耐量が大きく、ノイズ減衰特性の優れた
素子が必要である。
誘電率、サージ耐量が大きく、ノイズ減衰特性の優れた
素子が必要である。
本発明はこのような必要とする特ｉ生すべてを同時に満
足させる磁器組成物を提供しようとするものである。
足させる磁器組成物を提供しようとするものである。
問題点を解決するための手段
上記の問題点を解決するために、本発明ではＳｒ／’ｒ
１＝１．０６〜０．９５の５ｒＴｉ０３ 、 Ｃａｘ５
ｒ１ｚＴｉｃ）５（○、Ｑ０１−ｘＴｉＯ３（０．００
１≦ｘ≦０．４ ） 、 Ｂ＆ｙＳｒ１ｙＴ１０５ （
０，００１≦ｙ≦０．４）、ＭｇｚＳｒｌ−ｚＴｉＯ３
（０．００１≦ｚ≦０．４）のうち少なくとも１種類以
上を主成分とし、Ｎｂ２Ｏ３、Ｎｄ２Ｏ３、 Ｙ２ｏ３
＋ ”’２０３ ＋ ”’２０５ ＊ ＷＯ３、Ｎｄ２
Ｏ３、 ＤＶ２０５＊Ｎｄ２Ｏ３、Ｃｅ１０２ 、 Ｐ
ｒ６Ｏ１１、ＴｅＯ２、ＧｅＯ２、工ｎ２０３゜５ｃ２
０５ 、 Ｇａ２Ｏ３、ＨｆＯ２のうち少なくとも１種
類以上を（ＪＯ０１〜１５．０００ ｍ０１％、５１０
２を６，０００〜１５−１５−０Ｏ０！％添加してなる
電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物を得ることにより、
上記の問題点を解決しようとするものである。
１＝１．０６〜０．９５の５ｒＴｉ０３ 、 Ｃａｘ５
ｒ１ｚＴｉｃ）５（○、Ｑ０１−ｘＴｉＯ３（０．００
１≦ｘ≦０．４ ） 、 Ｂ＆ｙＳｒ１ｙＴ１０５ （
０，００１≦ｙ≦０．４）、ＭｇｚＳｒｌ−ｚＴｉＯ３
（０．００１≦ｚ≦０．４）のうち少なくとも１種類以
上を主成分とし、Ｎｂ２Ｏ３、Ｎｄ２Ｏ３、 Ｙ２ｏ３
＋ ”’２０３ ＋ ”’２０５ ＊ ＷＯ３、Ｎｄ２
Ｏ３、 ＤＶ２０５＊Ｎｄ２Ｏ３、Ｃｅ１０２ 、 Ｐ
ｒ６Ｏ１１、ＴｅＯ２、ＧｅＯ２、工ｎ２０３゜５ｃ２
０５ 、 Ｇａ２Ｏ３、ＨｆＯ２のうち少なくとも１種
類以上を（ＪＯ０１〜１５．０００ ｍ０１％、５１０
２を６，０００〜１５−１５−０Ｏ０！％添加してなる
電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物を得ることにより、
上記の問題点を解決しようとするものである。
作用
一般に、ＳｒＴｉＯ３を半導体化させるには半導体化促
進剤を添加し還元焼成するが、半導体化と粒成長が同時
に起こらなければ電気的特性の優れたものは得られない
。そして、すべての電気的特性は焼結体の微細構造の影
響を受けるため、均一で安定した微細構造の焼結体を作
ることにより電気的特性が改善できる。
進剤を添加し還元焼成するが、半導体化と粒成長が同時
に起こらなければ電気的特性の優れたものは得られない
。そして、すべての電気的特性は焼結体の微細構造の影
響を受けるため、均一で安定した微細構造の焼結体を作
ることにより電気的特性が改善できる。
また、誘電率を大きくし、サージ耐量を上げるには、粒
径を大きくし、しかも均一な粒径にすることが必要であ
る。
径を大きくし、しかも均一な粒径にすることが必要であ
る。
５ｉ０２は５ｒＴｉ０３を液相焼結させるのに有効であ
り、均一な粒径を得るためにはかなり多量添加すること
により生じる液相の量を多くし、粒成長を促進するのに
有効である。
り、均一な粒径を得るためにはかなり多量添加すること
により生じる液相の量を多くし、粒成長を促進するのに
有効である。
また、ｋｌ 、 Ｂ 、 Ａｇ 、 Ｃｕ 、 Ｍｎ
、 Ｇｏ 、 Ｎ’ｉ。
、 Ｇｏ 、 Ｎ’ｉ。
Ｍｏ 、 Ｂｅ 、 Ｆｅ 、 Ｌｉ 、 Ｏｒ 、
Ｚｒ 、 Ｐｂ 、 Ｔｉ。
Ｚｒ 、 Ｐｂ 、 Ｔｉ。
Ｚｎ 、 Ｐ 、 Ｓｂ 、 Ｖを添加することにより
、粒界に効果的に偏析し、粒界を高抵抗化するのに有効
に作用する。そのため非直線性が大きくなり、サージ耐
量が大きくなる。
、粒界に効果的に偏析し、粒界を高抵抗化するのに有効
に作用する。そのため非直線性が大きくなり、サージ耐
量が大きくなる。
実施例
以下に本発明を実施例をあげて具体的に説明する。
５ｒＣＯ３、ＣａＣＯ３、ＢａＣＯ３、ＭｇＣＯ２、Ｔ
ｉＯ２を下記の第１表に示す組成比になるように秤量し
、ボールミルなどで５０時間混合し、乾燥した後、１０
００°Ｃで１０時間仮焼する。こうして得られた仮焼物
を下記の第１表の組成比になるように秤量し、ボールミ
ルなどで２４時間混合し、乾燥した後、ポリビニルアル
コールなどのバインダーを１０ｗｔ％添加して造粒した
後、１ ｔ／（、ａのプレス圧力で１０φ［ｌｌｍＸ１
ｍｍの円板状に成形する。この成形体を１０００’Ｃで
２時間仮焼し、脱バインダーを行った後、Ｎ２：Ｈ２＝
９：１ の混合ガス中で、１５００°Ｃ・３時間焼成
する。さらに、空気中で１２００’Ｃ・５時間焼成し、
こうして得られた第１図、第２図に示す焼結体１の内平
面に外周を残すようにしてＡｇなどの導電性ペーストを
スクリーン印刷し、６００°Ｃ・６分焼成し、電極２゜
３を形成する。
ｉＯ２を下記の第１表に示す組成比になるように秤量し
、ボールミルなどで５０時間混合し、乾燥した後、１０
００°Ｃで１０時間仮焼する。こうして得られた仮焼物
を下記の第１表の組成比になるように秤量し、ボールミ
ルなどで２４時間混合し、乾燥した後、ポリビニルアル
コールなどのバインダーを１０ｗｔ％添加して造粒した
後、１ ｔ／（、ａのプレス圧力で１０φ［ｌｌｍＸ１
ｍｍの円板状に成形する。この成形体を１０００’Ｃで
２時間仮焼し、脱バインダーを行った後、Ｎ２：Ｈ２＝
９：１ の混合ガス中で、１５００°Ｃ・３時間焼成
する。さらに、空気中で１２００’Ｃ・５時間焼成し、
こうして得られた第１図、第２図に示す焼結体１の内平
面に外周を残すようにしてＡｇなどの導電性ペーストを
スクリーン印刷し、６００°Ｃ・６分焼成し、電極２゜
３を形成する。
次に、半田などによりリード線を取付け、エポキシなど
の樹脂塗装を行う。
の樹脂塗装を行う。
このようにして得られた素子の特性を以下の第２表に示
す。
す。
なお、誘電率は１ＫＨｚでの静電容量から計算したもの
であり、サージ耐量はパルス性の電流を印加した後のｖ
＋ｍＡ （１ｍＡの電流を通した時の電圧）の変化が±
１０％以内である時の最大のパルス性電流値により評価
している。
であり、サージ耐量はパルス性の電流を印加した後のｖ
＋ｍＡ （１ｍＡの電流を通した時の電圧）の変化が±
１０％以内である時の最大のパルス性電流値により評価
している。
発明の効果
上記に示したように、Ｓｒ／Ｔ ｉの比、ｓｒをＧ？Ｌ
。
。
Ｂａ 、 Ｍｇ で置換する割合によって酸化・還元
のし易さが大きく変化する。そのため目的とするバリス
タ電圧を得るために、これらの割合を制御することによ
り特性の制御ができる。
のし易さが大きく変化する。そのため目的とするバリス
タ電圧を得るために、これらの割合を制御することによ
り特性の制御ができる。
Ｓｒ／Ｔｉ（７） 比ハ１．０Ｓ 〜０．９６ カ最適
テｈ リ、これ以外の範囲では均一な組織の焼結体が得
られず、ＳｒをＣａ 、 Ｂａ 、 Ｍｇで置換する割
合は０．ＯＯ１〜Ｑ、４が最適であり、０．ｏｏｌ
未満では効果を示さず、Ｑ、４を越えると誘電率の低下
、サージ耐量の低下を招き好ましくない。
テｈ リ、これ以外の範囲では均一な組織の焼結体が得
られず、ＳｒをＣａ 、 Ｂａ 、 Ｍｇで置換する割
合は０．ＯＯ１〜Ｑ、４が最適であり、０．ｏｏｌ
未満では効果を示さず、Ｑ、４を越えると誘電率の低下
、サージ耐量の低下を招き好ましくない。
また、５ｉ０２は５ｒＴｉＯｓ を液相焼結させる効果
があるが、５．□ｍｏ７！％未満では明瞭な液相が生じ
ず、粒成長があまり促進されない。また、１５ｍ０β％
を越えると液相の量が多くなりすぎ、粒界の幅を広く
するため誘電率の低下、バリスタ電圧の上昇、サージ耐
量の低下を招く。さらに、Ａｇ２Ｏを添加すると、αが
大きくなり、―δも小さくなり、さらに誘電率が大きく
なる。また、Ａｇ２Ｏはｏ、ｏｏｌｒｎｏＢ、３未’１
ｔｈ テはｍｒ 果ヲ示すｔ、１０．０００ ｍｏβ％
を越えるとバリスタ電圧の上昇を招き好捷しくない。さ
らに、第４成分を添加すると、これらが５ｉ０２ を介
して粒界に均一に広がり、粒界のみを高抵抗化するのに
有効となる。したがって、αを大きくし、誘電率を大き
くすると共にサージ耐量を大きくすることができる。
があるが、５．□ｍｏ７！％未満では明瞭な液相が生じ
ず、粒成長があまり促進されない。また、１５ｍ０β％
を越えると液相の量が多くなりすぎ、粒界の幅を広く
するため誘電率の低下、バリスタ電圧の上昇、サージ耐
量の低下を招く。さらに、Ａｇ２Ｏを添加すると、αが
大きくなり、―δも小さくなり、さらに誘電率が大きく
なる。また、Ａｇ２Ｏはｏ、ｏｏｌｒｎｏＢ、３未’１
ｔｈ テはｍｒ 果ヲ示すｔ、１０．０００ ｍｏβ％
を越えるとバリスタ電圧の上昇を招き好捷しくない。さ
らに、第４成分を添加すると、これらが５ｉ０２ を介
して粒界に均一に広がり、粒界のみを高抵抗化するのに
有効となる。したがって、αを大きくし、誘電率を大き
くすると共にサージ耐量を大きくすることができる。
以北述べたように本発明によれば、αが大きく、バリス
タ電圧が比較的低く、誘電率が大きく、−δが小さく、
サージ耐量が大きいといった特性を同時に満足すること
ができる。
タ電圧が比較的低く、誘電率が大きく、−δが小さく、
サージ耐量が大きいといった特性を同時に満足すること
ができる。
これらにより、比較的電圧の低いサージやノイズに対し
て有効に作用し、人力ノイズを実醍用に問題ない程度に
まで減衰することができるため、実用上の効果は極めて
大きい。
て有効に作用し、人力ノイズを実醍用に問題ない程度に
まで減衰することができるため、実用上の効果は極めて
大きい。
第１図、第２図は本発明の一実施例による電圧依存性非
直線抵抗体素子の平面図及び正面図である。 １・・・・・・焼結体、２・・・・・・電画。
直線抵抗体素子の平面図及び正面図である。 １・・・・・・焼結体、２・・・・・・電画。
Claims (2)
- （１）Ｓｒ／Ｔｉ＝１．０５〜０．９５のＳｒＴｉＯ＿
３、Ｃａ＿ｘＳｒ＿１＿−＿ｘＴｉＯ＿３（０．００１
≦ｘ≦０．４）、Ｂａ＿ｙＳｒ＿１＿−＿ｙＴｉＯ＿３
（０．００１≦ｙ≦０．４）、Ｍｇ＿ｚＳｒ＿１＿−＿
ｚＴｉＯ＿３（０．００１≦ｚ≦０．４）のうち少なく
とも１種類以上を主成分とし、Ｎｂ＿２Ｏ＿５、Ｙ＿２
Ｏ＿３、Ｌａ＿２Ｏ＿３、Ｔａ＿２Ｏ＿５、ＷＯ＿３、
Ｄｙ＿２Ｏ＿３、Ｎｄ＿２Ｏ＿３、ＣｅＯ＿２、Ｐｒ＿
６Ｏ＿１＿１、ＴｅＯ＿２、ＧｅＯ＿２、Ｉｎ＿２Ｏ＿
３、Ｓｃ＿２Ｏ＿３、Ｇａ＿２Ｏ＿３、ＨｆＯ＿２のう
ち少なくとも１種類以上を０．００１〜５．０００ｍｏ
ｌ％、ＳｉＯ＿２を５．０００〜１５．０００ｍｏｌ％
添加してなることを特徴とする電圧依存性非直線抵抗体
磁器組成物。 - （２）ＳｒＴｉＯ＿３、Ｃａ＿ｘＳｒ＿１＿−＿ｘＴｉ
Ｏ＿３（０．００１≦ｘ≦０．４）、Ｂａ＿ｙＳｒ＿１
＿−＿ｙＴｉＯ＿３（０．００１≦ｙ≦０．４）、Ｍｇ
＿ｚＳｒ＿１＿−＿ｚＴｉＯ＿３（０．００１≦ｚ≦０
．４）のうち少なくとも１種類以上を主成分とし、Ｎｂ
＿２Ｏ＿５、Ｙ＿２Ｏ＿３、Ｌａ＿２Ｏ＿３、Ｔａ＿２
Ｏ＿５、ＷＯ＿３、Ｄｙ＿２Ｏ＿３、Ｎｄ＿２Ｏ＿３、
ＣｅＯ＿２、Ｐｒ＿６Ｏ＿１＿１、ＴｅＯ＿２、ＧｅＯ
＿２、Ｉｎ＿２Ｏ＿３、Ｓｃ＿２Ｏ＿３、Ｇａ２Ｏ＿３
、ＨｆＯ＿２のうち少なくとも１種類以上を０．００１
〜５．０００ｍｏｌ％、ＳｉＯ＿２を５．０００〜１５
．０００ｍｏｌ％、Ａｌ＿２Ｏ＿３、Ｂ＿２Ｏ＿３、Ａ
ｇ＿２Ｏ、ＣｕＯ、ＭｎＯ＿２、Ｃｏ＿２Ｏ＿３、Ｎｉ
Ｏ、ＭｏＯ＿３、ＢｅＯ、Ｆｅ＿２Ｏ＿３、Ｌｉ＿２Ｏ
、Ｃｒ＿２Ｏ＿３、ＺｒＯ＿２、ＰｂＯ、ＴｉＯ＿２、
ＺｎＯ、Ｐ＿２Ｏ＿５、Ｓｂ＿２Ｏ＿３、Ｖ＿２Ｏ＿５
のうち少なくとも１種類以上を０．００１〜５．０００
ｍｏｌ％添加してなることを特徴とする電圧依存性非直
線抵抗体磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60145616A JPS625612A (ja) | 1985-07-02 | 1985-07-02 | 電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60145616A JPS625612A (ja) | 1985-07-02 | 1985-07-02 | 電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS625612A true JPS625612A (ja) | 1987-01-12 |
Family
ID=15389145
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60145616A Pending JPS625612A (ja) | 1985-07-02 | 1985-07-02 | 電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS625612A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62282413A (ja) * | 1986-05-30 | 1987-12-08 | 松下電器産業株式会社 | 電圧非直線性抵抗体磁気組成物 |
-
1985
- 1985-07-02 JP JP60145616A patent/JPS625612A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62282413A (ja) * | 1986-05-30 | 1987-12-08 | 松下電器産業株式会社 | 電圧非直線性抵抗体磁気組成物 |
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