JPH03237058A - 電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物およびバリスタの製造方法 - Google Patents
電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物およびバリスタの製造方法Info
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- JPH03237058A JPH03237058A JP2035130A JP3513090A JPH03237058A JP H03237058 A JPH03237058 A JP H03237058A JP 2035130 A JP2035130 A JP 2035130A JP 3513090 A JP3513090 A JP 3513090A JP H03237058 A JPH03237058 A JP H03237058A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は電気機器、電子機器で発生する異常高電圧、ノ
イズ、静電気などから、機器の半導体及び回路を保護す
るためのコンデンサ特性とバリスタ特性を有する電圧依
存性非直線抵抗体磁器組成物およびバリスタの製造方法
に関するものである。
イズ、静電気などから、機器の半導体及び回路を保護す
るためのコンデンサ特性とバリスタ特性を有する電圧依
存性非直線抵抗体磁器組成物およびバリスタの製造方法
に関するものである。
従来の技術
従来、各種の電気機器、電子機器における異常高電圧の
吸収、ノイズの除去、火花消去、静電気対策のために、
電圧依存性非直線抵抗特性を有するＳｉＣバリスタや、
ＺｎＯ系バリスタなどが使用されている。このようなバ
リスタの電圧−電流特性は近似的に次式のように表すこ
とができる。
吸収、ノイズの除去、火花消去、静電気対策のために、
電圧依存性非直線抵抗特性を有するＳｉＣバリスタや、
ＺｎＯ系バリスタなどが使用されている。このようなバ
リスタの電圧−電流特性は近似的に次式のように表すこ
とができる。
α
Ｔ＝ （Ｖ／Ｃ）
ここで、Ｉは電流、■は電圧、Ｃはバリスフ固有の定数
、αは電圧−電流非直線指数である。
、αは電圧−電流非直線指数である。
ＳｉＣバリスタのαは２〜７程度、ＺｎＯ系バリスタで
ばαが５０にもおよぶものがある。このようなバリスタ
は比較的高い電圧の吸収には優れた性能を有しているが
、誘電率が低く、固有の静電容量が小さいため、バリス
タ電圧以下の比較的低い電圧の吸収にはほとんど効果を
示さず、また誘電損失ｔａｎδが５〜１０％と大きい。
ばαが５０にもおよぶものがある。このようなバリスタ
は比較的高い電圧の吸収には優れた性能を有しているが
、誘電率が低く、固有の静電容量が小さいため、バリス
タ電圧以下の比較的低い電圧の吸収にはほとんど効果を
示さず、また誘電損失ｔａｎδが５〜１０％と大きい。
一方、これらの低電圧のノイズなどの除去には見かけの
誘電率が５×１０″程度で、ｔａｎδが１％前後の半導
体コンデンサが利用されている。しかし、このような半
導体コンデンサは、サージなどによりある限度以上の電
圧または電流が印加されると静電容量が減少したり、破
壊したりしてコンデンサとしての機能を果たさなくなっ
たりする。
誘電率が５×１０″程度で、ｔａｎδが１％前後の半導
体コンデンサが利用されている。しかし、このような半
導体コンデンサは、サージなどによりある限度以上の電
圧または電流が印加されると静電容量が減少したり、破
壊したりしてコンデンサとしての機能を果たさなくなっ
たりする。
そこで最近になって５ｒＴｉ０３を主成分とし、バリス
タ特性とコンデンサ特性の両方の機能を有するものが開
発され、コンピュータなどの電子機器におけるＩＣ，Ｌ
ＳＩなどの半導体素子の保護に利用されている。
タ特性とコンデンサ特性の両方の機能を有するものが開
発され、コンピュータなどの電子機器におけるＩＣ，Ｌ
ＳＩなどの半導体素子の保護に利用されている。
発明が解決しようとする課題
上記の５ｒＴｉＯ：＋を主成分とするバリスタとコンデ
ンサの両方の機能を有する素子は、ＺｎＯ系バリスタに
比べ誘電率が約１０倍と大きいが、αやサージ耐量が小
さく、バリスタ電圧を低くすると特性が劣化しゃずいと
いった欠点を有していた。
ンサの両方の機能を有する素子は、ＺｎＯ系バリスタに
比べ誘電率が約１０倍と大きいが、αやサージ耐量が小
さく、バリスタ電圧を低くすると特性が劣化しゃずいと
いった欠点を有していた。
そこで本発明では、誘電率が大きく、バリスタ電圧が低
く、αが大きいと共にサージ耐量が大きい電圧依存性非
直線抵抗体磁器組成物およびバリスタの製造方法を提供
することを目的とするものである。
く、αが大きいと共にサージ耐量が大きい電圧依存性非
直線抵抗体磁器組成物およびバリスタの製造方法を提供
することを目的とするものである。
課題を解決するための手段
上記の問題点を解決するために本発明では、（Ｓｒｌ−
ｘＣａｘ）ａＴｉＯ３（０．００１≦χ≦０．３００．
０．９５０≦ａ＜１．０００）（以下第１成分と呼ぶ）
を９０．０００〜９９．９９８ｍｏＨ１ＮｂｚＯ５，Ｔ
ａ２０５． ｌＡｏ、、 ＤｙｚＯ：＋＋ ’ｌ’ｚｏ
ｓ＋ ＬａｚＯｚ、 Ｃｅ０２ＳｍｚＯ：＋、Ｐｒ６０
＋ｚＮｄｚＯ３のうち少なくとも１種類以上（以下第２
成分と呼ぶ）を０．００１〜５．０００ ｍｏｌχ、Ａ
ｌ ２０３１ Ｓｂ ２ｏｚ ＋ ＢａＯＩ Ｂｅｄ
、 ｐｂｏ、 Ｂ ２０３１ Ｃｒ ２０３１ Ｆ ｅ
ｇｏ、、 ｌ Ｃｄ０Ｋ２０． Ｃａｂ、 ＣＯ２Ｏ３
、Ｃｕｂ、 Ｃ１１２０．Ｌｉ、Ｏ，ＬｉＦ、 ＭｇＯ
，ＭｎＯ２，ＭｏＯ３Ｎａ ２０１ ＮａＦ ＋ Ｎ
＋Ｏ＋ Ｒｈ ２０３１ ＳｅＯ２、Ａｇ２ｏ Ｉ Ｓ
ｉｏ ｚ ＋ Ｓ ｉＣ＋ ＳｒＯ。
ｘＣａｘ）ａＴｉＯ３（０．００１≦χ≦０．３００．
０．９５０≦ａ＜１．０００）（以下第１成分と呼ぶ）
を９０．０００〜９９．９９８ｍｏＨ１ＮｂｚＯ５，Ｔ
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ｓ＋ ＬａｚＯｚ、 Ｃｅ０２ＳｍｚＯ：＋、Ｐｒ６０
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成分と呼ぶ）を０．００１〜５．０００ ｍｏｌχ、Ａ
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ｇｏ、、 ｌ Ｃｄ０Ｋ２０． Ｃａｂ、 ＣＯ２Ｏ３
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，ＭｎＯ２，ＭｏＯ３Ｎａ ２０１ ＮａＦ ＋ Ｎ
＋Ｏ＋ Ｒｈ ２０３１ ＳｅＯ２、Ａｇ２ｏ Ｉ Ｓ
ｉｏ ｚ ＋ Ｓ ｉＣ＋ ＳｒＯ。
ＴＩｚＯ：＋、Ｔｈ０ｚ、Ｔｉ０ｚ、Ｖ２Ｏ５＋Ｂｉ２
Ｏ３，ＺｎＯ，Ｚｒ０ｚ、５ｎＯｚのうち少なくとも１
種類以上（以下第３成分と呼ぶ）を０．００１〜５．Ｏ
ＯＯｍｏｌχ含のうち少なくとも１種類以上を００重量
部と、５ｒＴｉＯ＋ ６０．０００〜５．００ｍｏ１
％、５ｉ０２４０、０００６７、５ｍｏｌＸからなるン
昆合物を、１２００〜１３００°Ｃで焼成してなる添加
物（以下第４戒分と呼ぶ）０．００１〜１０．０００重
量部とからなる電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物を得
ることにより問題を解決しようとするものである。
Ｏ３，ＺｎＯ，Ｚｒ０ｚ、５ｎＯｚのうち少なくとも１
種類以上（以下第３成分と呼ぶ）を０．００１〜５．Ｏ
ＯＯｍｏｌχ含のうち少なくとも１種類以上を００重量
部と、５ｒＴｉＯ＋ ６０．０００〜５．００ｍｏ１
％、５ｉ０２４０、０００６７、５ｍｏｌＸからなるン
昆合物を、１２００〜１３００°Ｃで焼成してなる添加
物（以下第４戒分と呼ぶ）０．００１〜１０．０００重
量部とからなる電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物を得
ることにより問題を解決しようとするものである。
作用
上記の発明において、第１戒分は主たる成分であり、５
ｒＴｉ０３のＳｒの一部をＣａで置換することにより、
粒界に形成される高抵抗層がサージに対して強くなる。
ｒＴｉ０３のＳｒの一部をＣａで置換することにより、
粒界に形成される高抵抗層がサージに対して強くなる。
また、Ｓｒ、 ＣａからなるＡサイトの化学量論比とＴ
ｉからなるＢサイトの化学量論比をＴｉ過剰にすること
により、粒子内部の抵抗を低くし、粒界に形成される誘
電体の誘電率を大きくすることがてきる。また、第２戒
分は主に第１戒分の半導体化を促進する金属酸化物であ
る。さらに、第３戒分は誘電率、α、サージ耐量の改善
に寄与するものであり、第４成分はバリスタ電圧の低下
、誘電率の改善に有効なものである。特に、第４Ｉｌｊ
。
ｉからなるＢサイトの化学量論比をＴｉ過剰にすること
により、粒子内部の抵抗を低くし、粒界に形成される誘
電体の誘電率を大きくすることがてきる。また、第２戒
分は主に第１戒分の半導体化を促進する金属酸化物であ
る。さらに、第３戒分は誘電率、α、サージ耐量の改善
に寄与するものであり、第４成分はバリスタ電圧の低下
、誘電率の改善に有効なものである。特に、第４Ｉｌｊ
。
分は融点が１２３０〜１２５０°Ｃと比較的低いため、
融点前後の温度で焼成すると液相となり、その他の成分
の反応を促進すると共に粒子の成長を促進する。
融点前後の温度で焼成すると液相となり、その他の成分
の反応を促進すると共に粒子の成長を促進する。
そのため粒界部分に第３成分が偏析しやすくなり、粒界
が高抵抗化されやすくなり、バリスタ機能および：１ン
デンサ機能が改善される。また、粒成長が促進されるた
めバリスタ電圧が低（なり、粒径の均一性が向上するた
め特性の安定性がよくなり、特にサージ耐量が改善され
ることとなる。
が高抵抗化されやすくなり、バリスタ機能および：１ン
デンサ機能が改善される。また、粒成長が促進されるた
めバリスタ電圧が低（なり、粒径の均一性が向上するた
め特性の安定性がよくなり、特にサージ耐量が改善され
ることとなる。
実施例
以下に実施例を挙げて本発明を具体的に説明する。
ます、５ｒＴｉＯ＝、 ＳｉＯ□を下記の第１表に示す
ようにｍ酸比を種々変えて秤量し、ボールミルなどで２
Ｈｒ混合する。次に、乾燥した後、下記の第１表に示す
ように温度を種々変えて焼威し、再びポルミルなどで２
０８ｒ粉砕した後、乾燥し、第４戒分とする。次いで、
第１戒分、第２戒分、第３戒分、第４威分を下記の第１
表に示した組成比になるように秤量し、ボールジルなど
で２４Ｈｒ混合した後、乾燥し、ポリビニルアルコール
などの有機バインダーを１０岨％添加して造粒した後、
ｌ（ｔ／ｃ＋ｆｌ）のプレス圧力で１０φＸＩｔ（ｍｍ
）の円板状に底形し、１０００’Ｃで１０Ｈｒ焼威し、
脱バインダーする。次に、第１表に示したように温度と
時間を種々変えで焼成（第１焼戒）し、その後還元性雰
囲気、例えばＮｚ：１Ｉｚ＝９・１のガス中で温度と時
間を種々変えて焼成（第２焼威）する。さらにその後、
酸化性雰囲気中で温度と時間を種々変えて焼威（第３焼
威）する。
ようにｍ酸比を種々変えて秤量し、ボールミルなどで２
Ｈｒ混合する。次に、乾燥した後、下記の第１表に示す
ように温度を種々変えて焼威し、再びポルミルなどで２
０８ｒ粉砕した後、乾燥し、第４戒分とする。次いで、
第１戒分、第２戒分、第３戒分、第４威分を下記の第１
表に示した組成比になるように秤量し、ボールジルなど
で２４Ｈｒ混合した後、乾燥し、ポリビニルアルコール
などの有機バインダーを１０岨％添加して造粒した後、
ｌ（ｔ／ｃ＋ｆｌ）のプレス圧力で１０φＸＩｔ（ｍｍ
）の円板状に底形し、１０００’Ｃで１０Ｈｒ焼威し、
脱バインダーする。次に、第１表に示したように温度と
時間を種々変えで焼成（第１焼戒）し、その後還元性雰
囲気、例えばＮｚ：１Ｉｚ＝９・１のガス中で温度と時
間を種々変えて焼成（第２焼威）する。さらにその後、
酸化性雰囲気中で温度と時間を種々変えて焼威（第３焼
威）する。
こうして得られた第１図、第２図に示す焼結体１の周平
面に外周を残すようにしてＡｇなとの導電性ペーストを
スクリーン印刷などにより塗布し、６００°Ｃ５５ｍ１
ｎで焼威し、電極２．３を形成する。
面に外周を残すようにしてＡｇなとの導電性ペーストを
スクリーン印刷などにより塗布し、６００°Ｃ５５ｍ１
ｎで焼威し、電極２．３を形成する。
次に、半田などによりリード線（図示せず）を取付け、
エポキシなどの樹脂（図示せず）を塗装する。このよう
にして得られた素子の特性を下記の第２表に示す。
エポキシなどの樹脂（図示せず）を塗装する。このよう
にして得られた素子の特性を下記の第２表に示す。
なお、誘電率はＩＫＨｚでの静電容量から計算したもの
であり、αは α−１／ Ｌｏｇ （ＶＩＯＩＩＡ／ ＶＩＩＩＩＡ
）（ただし、■＋０１ ■１ｏ、１．Ａは１ ｍＡ、
１０ｍＡの電流を流した時に素子の両端にかかる電圧で
ある。）で評価した。また、サージ耐量はパルス性の電
流を印加した後のＶＩｆｆｉＡの変化率が±１０％以内
である時の最大のパルス性電流値により評価している。
であり、αは α−１／ Ｌｏｇ （ＶＩＯＩＩＡ／ ＶＩＩＩＩＡ
）（ただし、■＋０１ ■１ｏ、１．Ａは１ ｍＡ、
１０ｍＡの電流を流した時に素子の両端にかかる電圧で
ある。）で評価した。また、サージ耐量はパルス性の電
流を印加した後のＶＩｆｆｉＡの変化率が±１０％以内
である時の最大のパルス性電流値により評価している。
（以下余白）
また、第１威分の（Ｓｒ＋−ｘＣａｘ）ａＴ＋ｏ：＋の
Ｘの範囲を規定したのは、Ｘが０．００１よりも小さい
と効果を示さず、０．３００を超えると格子欠陥が発生
しにくくなるため半導体化が促進されず、粒界にＣａが
単一相として析出するため、組織が不均一になり、Ｖｌ
ｍＡが高くなりすぎて特性が劣化するためである。次に
、ａの範囲を規定したのは、ａが０．９５０よりも小さ
いとＴｉ単体の結晶が析出して組織が不均一になり、１
．０００を超えると誘電率が小さくなるためである。さ
らに、第２戒分は０．００１ｍｏ＋χ未満では効果を示
さず、５．ＯＯＯｍｏｌχを超えると粒界に偏析して粒
界の高抵抗化を抑制し、粒界に第２相を形成するため、
特性が劣化するものである。
Ｘの範囲を規定したのは、Ｘが０．００１よりも小さい
と効果を示さず、０．３００を超えると格子欠陥が発生
しにくくなるため半導体化が促進されず、粒界にＣａが
単一相として析出するため、組織が不均一になり、Ｖｌ
ｍＡが高くなりすぎて特性が劣化するためである。次に
、ａの範囲を規定したのは、ａが０．９５０よりも小さ
いとＴｉ単体の結晶が析出して組織が不均一になり、１
．０００を超えると誘電率が小さくなるためである。さ
らに、第２戒分は０．００１ｍｏ＋χ未満では効果を示
さず、５．ＯＯＯｍｏｌχを超えると粒界に偏析して粒
界の高抵抗化を抑制し、粒界に第２相を形成するため、
特性が劣化するものである。
また、第３成分はＯ，ＯＯ１ｍｏｌχ未満では効果を示
さず、５．ＯＯＱｍｏｌχを超えると粒界に偏析して第
２相を形成するため、特性が劣化するものである。さら
に、第４成分は５ｒＴｉ０３とＳｉＯ□の２威分系の相
図のなかで最も融点の低い領域の物質であり、その範囲
外では融点が高くなるものである。また、第４戒分の添
加量は、０００１重量部未満では効果を示さす、１０．
０００重量部を超えると粒界の抵抗は高くなるが粒界の
幅が厚くなるため、静電容量が小さくなると共に■１、
が高くなり、サージに対して弱くなるものである。そし
て、第４戒分の焼成温度を規定したのは、低融点の第４
戒分が合成される温度が１２００°Ｃ以上であるためで
ある。また、第１焼成の温度を規定したのは、第４成分
の融点が１２３０〜■２５０°Ｃであるため１２００℃
以上で焼成してなる添加物００’Ｃ以上の温度で焼成す
ると第４成分が液相に近い状態になって焼結が促進され
るためであり１２００℃以上で焼成してなる添加物００
’Ｃ未満では第４威分の液相焼結効果がないためである
。さらに、第２焼成の温度を規定したのは、 １２００
°Ｃ未満では第１焼威後の焼結体が十分に還元されず、
バリスタ特性、コンデンサ特性共に劣化するためである
。また、第３焼成の温度を規定したのは、９００°Ｃ未
満では粒界の高抵抗化が十分に進まないため、ＶＩｆｆ
ｌＡが低くなりすぎバリスタ特性が劣化するためであり
、１３００°Ｃを超えると静電容量が小さくなりすぎコ
ンデンサ特性が劣化するためである。さらに、第１焼成
の雰囲気は酸化性雰囲気でも還元性雰囲気でも同様の効
果があることを確認した。
さず、５．ＯＯＱｍｏｌχを超えると粒界に偏析して第
２相を形成するため、特性が劣化するものである。さら
に、第４成分は５ｒＴｉ０３とＳｉＯ□の２威分系の相
図のなかで最も融点の低い領域の物質であり、その範囲
外では融点が高くなるものである。また、第４戒分の添
加量は、０００１重量部未満では効果を示さす、１０．
０００重量部を超えると粒界の抵抗は高くなるが粒界の
幅が厚くなるため、静電容量が小さくなると共に■１、
が高くなり、サージに対して弱くなるものである。そし
て、第４戒分の焼成温度を規定したのは、低融点の第４
戒分が合成される温度が１２００°Ｃ以上であるためで
ある。また、第１焼成の温度を規定したのは、第４成分
の融点が１２３０〜■２５０°Ｃであるため１２００℃
以上で焼成してなる添加物００’Ｃ以上の温度で焼成す
ると第４成分が液相に近い状態になって焼結が促進され
るためであり１２００℃以上で焼成してなる添加物００
’Ｃ未満では第４威分の液相焼結効果がないためである
。さらに、第２焼成の温度を規定したのは、 １２００
°Ｃ未満では第１焼威後の焼結体が十分に還元されず、
バリスタ特性、コンデンサ特性共に劣化するためである
。また、第３焼成の温度を規定したのは、９００°Ｃ未
満では粒界の高抵抗化が十分に進まないため、ＶＩｆｆ
ｌＡが低くなりすぎバリスタ特性が劣化するためであり
、１３００°Ｃを超えると静電容量が小さくなりすぎコ
ンデンサ特性が劣化するためである。さらに、第１焼成
の雰囲気は酸化性雰囲気でも還元性雰囲気でも同様の効
果があることを確認した。
また、本実施例では添加物の組み合わせは、第１戒分と
して（Ｓｒ１−ｘＣａｘ）＠Ｔｉ０３（０．００１≦ｘ
≦０．３０００．９５０≦ａ≦１．０００）、第２戒分
としてＮｂ２Ｏ５，ＴａｚＯｓＷＯ３，Ｄｙ２Ｏ３＋
’ｌ’ ２０３． ＬａｚＯ：＋、 Ｃｅ０ｚ、 Ｓｍ
ｚＯｚ、 Ｐｒ６０＋ Ｉ 、 Ｎｄ２Ｏ３、第３成分
としてＡｌｚ０３．ＰｂＯ，Ｂｚ０３．Ｃｒ２Ｏ３，Ｆ
ｅｚＯ３，Ｃｄ０Ｋ２０．Ｃ０ｚ０３．ＣｕＯ，Ｃｕ２
Ｏ，Ｌｉ□Ｏ，ＭｇＯ，Ｍｎ０ｚ、ＭＯＯ３，Ｎｉ０５
ｅ０２． ＡｇｚＯ＋ ｓｉｃ、 Ｔｌ２Ｏ３，［２ｏ
３． Ｚｒ０ｚ、第４成分として５ｒＴｉ０３． Ｓｉ
Ｏ□についてのみ示したが、その他の組み合わせとして
第３威分として５ｂ２０３．ＢａＯ，Ｂｅ０Ｃａ Ｏ、
Ｌ ｉ Ｆ ＩＮ ａ ２０ ＋ Ｎ ａ Ｆ 、Ｒｈ
ｚ Ｏ３１Ｓ ＋ ０２１ Ｓ ｒ Ｏ、Ｔ ｈ Ｏ
ｚ ＋ Ｔ １ＯV Ｖ Ｚ Ｏ、＋ Ｚ ｎ Ｏ＋ Ｓ ｎ Ｏ□を用いた
組成の組み合わせでも同様の効果が得られることを確認
した。また、第１成分、第２成分、第３戒分、第４戒分
を第１焼威しただけでもバリスタ電圧が低く、誘電率ε
を大きくするのに有効であることを確認した。
して（Ｓｒ１−ｘＣａｘ）＠Ｔｉ０３（０．００１≦ｘ
≦０．３０００．９５０≦ａ≦１．０００）、第２戒分
としてＮｂ２Ｏ５，ＴａｚＯｓＷＯ３，Ｄｙ２Ｏ３＋
’ｌ’ ２０３． ＬａｚＯ：＋、 Ｃｅ０ｚ、 Ｓｍ
ｚＯｚ、 Ｐｒ６０＋ Ｉ 、 Ｎｄ２Ｏ３、第３成分
としてＡｌｚ０３．ＰｂＯ，Ｂｚ０３．Ｃｒ２Ｏ３，Ｆ
ｅｚＯ３，Ｃｄ０Ｋ２０．Ｃ０ｚ０３．ＣｕＯ，Ｃｕ２
Ｏ，Ｌｉ□Ｏ，ＭｇＯ，Ｍｎ０ｚ、ＭＯＯ３，Ｎｉ０５
ｅ０２． ＡｇｚＯ＋ ｓｉｃ、 Ｔｌ２Ｏ３，［２ｏ
３． Ｚｒ０ｚ、第４成分として５ｒＴｉ０３． Ｓｉ
Ｏ□についてのみ示したが、その他の組み合わせとして
第３威分として５ｂ２０３．ＢａＯ，Ｂｅ０Ｃａ Ｏ、
Ｌ ｉ Ｆ ＩＮ ａ ２０ ＋ Ｎ ａ Ｆ 、Ｒｈ
ｚ Ｏ３１Ｓ ＋ ０２１ Ｓ ｒ Ｏ、Ｔ ｈ Ｏ
ｚ ＋ Ｔ １ＯV Ｖ Ｚ Ｏ、＋ Ｚ ｎ Ｏ＋ Ｓ ｎ Ｏ□を用いた
組成の組み合わせでも同様の効果が得られることを確認
した。また、第１成分、第２成分、第３戒分、第４戒分
を第１焼威しただけでもバリスタ電圧が低く、誘電率ε
を大きくするのに有効であることを確認した。
発明の効果
以上に示したように本発明によれば、粒子径が大きいた
めバリスタ電圧が低く、誘電率εおよびαが大きく、粒
子径のばらつきが小さいためサー５ ジ電流が素子に均一に流れ、またＣａによって粒界が効
果的に高抵抗化されるため、サージ耐量が大きくなると
いう効果が得られる。
めバリスタ電圧が低く、誘電率εおよびαが大きく、粒
子径のばらつきが小さいためサー５ ジ電流が素子に均一に流れ、またＣａによって粒界が効
果的に高抵抗化されるため、サージ耐量が大きくなると
いう効果が得られる。
６
１・・・・・・焼結体、２．３・・・・・・電極。
Claims (3)
- （１）（Ｓｒ＿１＿−＿ｘＣａ＿ｘ）＿ａＴｉＯ＿３（
０．００１≦ｘ≦０．３００、０．９５０≦ａ＜１．０
００）を９０．０００〜９９．９９８ｍｏｌ％、Ｎｂ＿
２Ｏ＿５、Ｔａ＿２Ｏ＿５、≦ａ＜１．０００）を９０
．０００〜９９．９９８ｍｏｌ％、Ｎｂ＿２Ｏ＿５、Ｔ
ａ＿２Ｏ＿５ａ、のうち少なくとも１種類以上を０．０
０１〜５．００ｍｏｌ％Ａｌ＿Ｏ＿３、Ｓｂ＿２Ｏ＿３
、ＢａＯ、ＢｅＯ、ＰｂＯ、Ｂ＿２Ｏ＿３，Ｃｒ＿２Ｏ
＿３、Ｆｅ＿２Ｏ＿３、ＣｄＯ、Ｋ＿２Ｏ、ＣａＯ、Ｃ
ｏ＿２＿Ｏ＿３、ＣｕＯ、Ｃｕ＿２Ｏ、Ｌｉ＿２Ｏ、Ｌ
ｉＦ、ＭｇＯ、ＭｎＯ＿２、ＭｏＯ＿３、Ｎａ＿２Ｏ、
ＮａＦ、ＮｉＯ、Ｒｈ＿２Ｏ＿３、ＳｅＯ＿２、Ａｇ＿
２Ｏ、ＳｉＯ＿２、ＳｉＣ、ＳｒＯ、Ｔｌ＿２Ｏ＿３、
ＴｈＯ＿２、ＴｉＯ＿２、Ｖ＿２Ｏ＿５、Ｂｉ＿２Ｏ＿
３、ＺｎＯ＿２、ＺｒＯ＿２、ＳｎＯ＿２のうち少なく
とも１種類以上を０．００１〜５．０００ｍｏｌ％含有
してなる主成分１００重量部と、ＳｒＴｉＯ＿３ ６０
．０００〜３２．５００ｍｏｌ％、ＳｉＯ＿２ ４０．
０００〜６７．５ｍｏｌ％からなる混合物を１２００℃
以上で焼成してなる添加物０．００１〜１０．０００重
量部とからなることを特徴とする電圧依存性非直線抵抗
体磁器組成物。 - （２）（Ｓｒ＿１＿−＿ｘＣａ＿ｘ）＿ａＴｉＯ＿３（
０．００１≦ｘ≦０．３００，０．９５０≦ａ＜１．０
００）を９０．０００〜９９．９９８ｍｏｌ％、Ｎｂ＿
２Ｏ＿５、Ｔａ＿２Ｏ＿５、ＷＯ＿３、Ｄｙ＿２Ｏ＿３
、Ｙ＿２Ｏ＿３、Ｌａ＿２Ｏ＿３、ＣｅＯ＿２、Ｓｍ＿
２Ｏ＿３、Ｐｒ＿６Ｏ＿１＿１、Ｎｄ＿２Ｏ＿３のうち
少なくとも１種類以上を０．００１〜５．０００ｍｏｌ
％、Ａｌ＿２＿Ｏ＿３、Ｓｂ＿２Ｏ＿３、ＢａＯ、Ｂｅ
Ｏ、ＰｂＯ、Ｂ＿２Ｏ＿３，Ｃｒ＿２Ｏ＿３、Ｆｅ＿２
Ｏ＿３、ＣｄＯ、Ｋ＿２Ｏ、ＣａＯ、Ｃｏ＿２＿Ｏ＿３
、ＣｕＯ、Ｃｕ＿２Ｏ、Ｌｉ＿２Ｏ、ＬｉＦ、ＭｇＯ、
ＭｎＯ＿２、ＭｏＯ＿２、ＭｏＯ＿２、ＭｏＯ＿３、Ｎ
ａ＿２Ｏ、ＮａＦ、ＮｉＯ、Ｒｈ＿２Ｏ＿３、ＳｅＯ＿
２、Ａｇ＿２Ｏ、ＳｉＯ＿２、ＳｉＣ、ＳｒＯ、Ｔｌ＿
２Ｏ＿３、Ｔｈｏ＿２、ＴｉＯ＿２、Ｖ＿２Ｏ＿５、Ｂ
ｉ＿２Ｏ＿３、ＺｎＯ＿２、ＺｒＯ＿２、ＳｎＯ＿２の
うち少なくとも１種類以上を０．００１〜５．０００ｍ
ｏｌ％含有してなる主成分１００重量部と、ＳｒＴｉＯ
＿３ ６０．０００〜３２．５００ｍｏｌ％、ＳｉＯ＿
２ ４０．０００〜６７．５ｍｏｌ％からなる混合物を
１２００℃以上で焼成してなる添加物０．００１〜１０
．０００重量部とからなる組成物を、１１００℃以上で
焼成したことを特徴とするバリスタの製造方法。 - （３）（Ｓｒ＿１＿−＿ｘＣａｘ）＿ａＴｉＯ＿３（０
．００１≦ｘ≦０．３００，０．９５０≦ａ＜１．００
０）を９０．０００〜９９．９９８ｍｏｌ％、Ｎｂ＿２
Ｏ＿５、Ｔａ＿２Ｏ＿５、ＷＯ＿３、Ｄｙ＿２Ｏ＿３、
Ｙ＿２Ｏ＿３、Ｌａ＿２Ｏ＿３、ＣｅＯ＿２、Ｓｍ＿２
Ｏ＿３、Ｐｒ＿６Ｏ＿１＿１、Ｎｂ＿２Ｏ＿３のうち少
なくとも１種類以上を０．００１〜５．０００ｍｏｌ％
、Ａｌ＿Ｏ＿３、Ｓｂ＿２Ｏ＿３、ＢａＯ、ＢｅＯ、Ｐ
ｂＯ、Ｂ＿２Ｏ＿３，Ｃｒ＿２Ｏ＿３、Ｆｅ＿２Ｏ＿３
、ＣｄＯ、Ｋ＿２Ｏ、ＣａＯ、Ｃｏ＿２＿Ｏ＿３、Ｃｕ
Ｏ、Ｃｕ＿２Ｏ、Ｌｉ＿２Ｏ、ＬｉＦ、ＭｇＯ、ＭｎＯ
＿２、ＭｏＯ＿２、ＭｏＯ＿２、ＭｏＯ＿３、Ｎａ＿２
Ｏ、ＮａＦ、ＮｉＯ、Ｒｈ＿２Ｏ＿３、ＳｅＯ＿２、Ａ
ｇ＿２Ｏ、ＳｉＯ＿２、ＳｉＣ、ＳｒＯ、Ｔｌ＿２Ｏ＿
３、ＴｈＯ＿２，ＴｉＯ＿２、Ｖ＿２Ｏ＿５、Ｂｉ＿２
＿Ｏ＿３、ＺｎＯ、ＺｒＯ＿２、ＳｎＯ＿２のうち少な
くとも１種類以上を０．００１〜５．０００ｍｏｌ％含
有してなる主成分１００重量部と、ＳｒＴｉＯ＿３ ６
０．０００〜３２．５００ｍｏｌ％、ＳｉＯ＿２ ４０
．０００〜６７．５ｍｏｌ％からなる混合物を１２００
℃以上で焼成してなる添加物０．００１〜１０．０００
重量部とからなる組成物を、１１００℃以上で焼成した
後、還元性雰囲気中で１２００℃以上で焼成し、その後
酸化性雰囲気中で９００〜１３００℃で焼成したことを
特徴とするバリスタの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2035130A JPH03237058A (ja) | 1990-02-15 | 1990-02-15 | 電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物およびバリスタの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2035130A JPH03237058A (ja) | 1990-02-15 | 1990-02-15 | 電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物およびバリスタの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03237058A true JPH03237058A (ja) | 1991-10-22 |
Family
ID=12433350
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2035130A Pending JPH03237058A (ja) | 1990-02-15 | 1990-02-15 | 電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物およびバリスタの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03237058A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1125904A1 (en) * | 2000-02-09 | 2001-08-22 | TDK Corporation | Dielectric ceramic composition, electronic device, and method for producing the same |
| KR100319059B1 (ko) * | 1999-01-26 | 2002-01-09 | 박호군 | 저전압 바리스터-커패시터 복합소자 제조방법 |
-
1990
- 1990-02-15 JP JP2035130A patent/JPH03237058A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100319059B1 (ko) * | 1999-01-26 | 2002-01-09 | 박호군 | 저전압 바리스터-커패시터 복합소자 제조방법 |
| EP1125904A1 (en) * | 2000-02-09 | 2001-08-22 | TDK Corporation | Dielectric ceramic composition, electronic device, and method for producing the same |
| US6627570B2 (en) | 2000-02-09 | 2003-09-30 | Tdk Corporation | Dielectric ceramic composition, electronic device, and method of producing the same |
| US6933256B2 (en) | 2000-02-09 | 2005-08-23 | Tdk Corporation | Dielectric ceramic composition, electronic device, and method for producing same |
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