JPH03109258A - 粒界酸化型電圧非直線抵抗組成物 - Google Patents
粒界酸化型電圧非直線抵抗組成物Info
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- JPH03109258A JPH03109258A JP1245816A JP24581689A JPH03109258A JP H03109258 A JPH03109258 A JP H03109258A JP 1245816 A JP1245816 A JP 1245816A JP 24581689 A JP24581689 A JP 24581689A JP H03109258 A JPH03109258 A JP H03109258A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明は粒界酸化型電圧非直線抵抗組成物に関し、特
にたとえば電子機器や電気機器で発生する異常電圧、ノ
イズおよび静電気などを吸収または除去するためなどに
用いられるバリスタなどを製造するための、粒界酸化型
電圧非直線抵抗組成物に関する。
にたとえば電子機器や電気機器で発生する異常電圧、ノ
イズおよび静電気などを吸収または除去するためなどに
用いられるバリスタなどを製造するための、粒界酸化型
電圧非直線抵抗組成物に関する。
（従来技術）
従来の粒界酸化型電圧非直線抵抗組成物としては、たと
えば５ｒＴｉＯｓ系の組成物が使用されていた。このよ
うな５ｒＴｉＯ３系組成物を用いてバリスタなどの電圧
非直線抵抗素子を製造する場合、５ｒＴｉ○３系半導体
磁器の結晶粒界を空気中酸化やＮａ２Ｏなどの酸化剤に
よって酸化し、結晶粒界に絶縁層を形成していた。
えば５ｒＴｉＯｓ系の組成物が使用されていた。このよ
うな５ｒＴｉＯ３系組成物を用いてバリスタなどの電圧
非直線抵抗素子を製造する場合、５ｒＴｉ○３系半導体
磁器の結晶粒界を空気中酸化やＮａ２Ｏなどの酸化剤に
よって酸化し、結晶粒界に絶縁層を形成していた。
このような電圧非直線抵抗素子は、その素体がペロブス
カイト結晶構造を有し、強誘電性を示すため、単にバリ
スタとしての機能のみでなく、コンデンサとしての機能
も有する。したがって、この電圧非直線抵抗素子を用い
て、異常高電圧（サージ）の吸収や電圧の安定化などを
行うことができるという利点がある。
カイト結晶構造を有し、強誘電性を示すため、単にバリ
スタとしての機能のみでなく、コンデンサとしての機能
も有する。したがって、この電圧非直線抵抗素子を用い
て、異常高電圧（サージ）の吸収や電圧の安定化などを
行うことができるという利点がある。
（発明が解決しようとする課題）
しかしながら、従来の５ｒＴｉＯ，系半導体磁器を用い
たものでは、磁器を構成する粒子間の抵抗が大きいため
、その非直線係数が小さい。また、ＳｒＴｉＯ３系半導
体磁器を用いたものでは、ＺｎＯを用いたものに比べて
サージによる電気的特性の劣化が激しい。
たものでは、磁器を構成する粒子間の抵抗が大きいため
、その非直線係数が小さい。また、ＳｒＴｉＯ３系半導
体磁器を用いたものでは、ＺｎＯを用いたものに比べて
サージによる電気的特性の劣化が激しい。
それゆえに、この発明の主たる目的は、バリスタ特性と
コンデンサ特性の両方を備え、大きなバリスタ電圧と大
きな非直線係数を有し、かつ大きなサージ耐量を有する
電圧非直線抵抗素子を得ることができる、粒界酸化型電
圧非直線抵抗組成物を提供することである。
コンデンサ特性の両方を備え、大きなバリスタ電圧と大
きな非直線係数を有し、かつ大きなサージ耐量を有する
電圧非直線抵抗素子を得ることができる、粒界酸化型電
圧非直線抵抗組成物を提供することである。
（課題を解決するための手段）
この発明は、（Ｓｒｌ−Ｘ−ｙ ＢａＸ Ｃａ、）Ｔｉ
０、（ただし、ｘ十ｙ≦０．２５．ｘ＞０）を９８．０
〜９９．９モル％と、Ｎｂ、Ｗ、Ｔａ、Ｉｎ、Ｙおよび
希土類元素の中から選ばれる少なくとも１種類の酸化物
を０．１〜２．０モル％とからなる主成分に対して、Ｎ
ａ、Ｏ，Ｔｉ０ｚおよび３ｂ２０ｉ（ただし、Ｏ＜Ｎａ
２＝０．Ｏ＜ＴｉＯ□、Ｑ＜Ｓｂ２Ｏ，）が合わせて０
．０１〜２．０モル％含有されてなる、粒界酸化型電圧
非直線抵抗組成物である。
０、（ただし、ｘ十ｙ≦０．２５．ｘ＞０）を９８．０
〜９９．９モル％と、Ｎｂ、Ｗ、Ｔａ、Ｉｎ、Ｙおよび
希土類元素の中から選ばれる少なくとも１種類の酸化物
を０．１〜２．０モル％とからなる主成分に対して、Ｎ
ａ、Ｏ，Ｔｉ０ｚおよび３ｂ２０ｉ（ただし、Ｏ＜Ｎａ
２＝０．Ｏ＜ＴｉＯ□、Ｑ＜Ｓｂ２Ｏ，）が合わせて０
．０１〜２．０モル％含有されてなる、粒界酸化型電圧
非直線抵抗組成物である。
（発明の効果）
この発明の粒界酸化型電圧非直線抵抗組成物を用いれば
、バリスタ特性とコンデンサ特性の両方を備えた電圧非
直線抵抗素子を得ることができる。
、バリスタ特性とコンデンサ特性の両方を備えた電圧非
直線抵抗素子を得ることができる。
さらに、この電圧非直線抵抗素子は、大きなバリスタ電
圧を得ることができ、さらに１５以上の大きな非直線係
数を得ることができる。また、この電圧非直線抵抗素子
では、５０００Ａ／ｃＡまでのサージに耐えることがで
きる。
圧を得ることができ、さらに１５以上の大きな非直線係
数を得ることができる。また、この電圧非直線抵抗素子
では、５０００Ａ／ｃＡまでのサージに耐えることがで
きる。
この発明の上述の目的、その他の目的、特徴および利点
は、以下の実施例の詳細な説明から一層明らかとなろう
。
は、以下の実施例の詳細な説明から一層明らかとなろう
。
（実施例）
まず、５ｒｃｏ、、’ｒｉ○２．ＣａＣ０：＋およびＮ
ｂ、Ｔａ、Ｙ、希土類元素の酸化物粉末を表１に示す組
成比のものが得られるように秤量し、湿式混合して混合
物を得た。この得られた混合物を乾燥後、１１５０℃で
２時間仮焼し、粉砕して粉砕物を得た。この得られた粉
砕物に酢酸ビニル系のバインダを５．０重量％添加して
造粒し、この造粒粉を１ｔｏｎ／ｃＩ１１の圧力で加圧
成形し、直径Ｉｏｎ、厚さ１．５１ｍのペレット状の成
形体を得た。この成形体を空気中において１０００℃で
２時間仮焼した後、体積比でＨ２： Ｎ２ ＝１ ：
ｌ ００の雰囲気中において１４５０℃で２時間焼成し
、半導体磁器を得た。
ｂ、Ｔａ、Ｙ、希土類元素の酸化物粉末を表１に示す組
成比のものが得られるように秤量し、湿式混合して混合
物を得た。この得られた混合物を乾燥後、１１５０℃で
２時間仮焼し、粉砕して粉砕物を得た。この得られた粉
砕物に酢酸ビニル系のバインダを５．０重量％添加して
造粒し、この造粒粉を１ｔｏｎ／ｃＩ１１の圧力で加圧
成形し、直径Ｉｏｎ、厚さ１．５１ｍのペレット状の成
形体を得た。この成形体を空気中において１０００℃で
２時間仮焼した後、体積比でＨ２： Ｎ２ ＝１ ：
ｌ ００の雰囲気中において１４５０℃で２時間焼成し
、半導体磁器を得た。
得られた半導体磁器の表面に、表１に示す量のＮａ２Ｏ
，Ｔｉｅ□および５ｂ２ｏ、の混合酸化物をフェスとと
もに塗布し、空気中において１２００℃で２時間熱処理
を行って、磁器ユニットを得た。得られた磁器ユニット
の対向面に銀ペーストを塗布し、８００℃で焼き付けて
銀電極を形成し、その電気的特性を評価した。
，Ｔｉｅ□および５ｂ２ｏ、の混合酸化物をフェスとと
もに塗布し、空気中において１２００℃で２時間熱処理
を行って、磁器ユニットを得た。得られた磁器ユニット
の対向面に銀ペーストを塗布し、８００℃で焼き付けて
銀電極を形成し、その電気的特性を評価した。
ここでは、磁器ユニットに１ｍＡの電流を流した時のバ
リスタ電圧Ｖ＋ｍａ （Ｖ） 、非直線係数αおよび
５０００ Ａ／、ｆｆｌのサージ電流を印加した時のバ
リスタ電圧の変化率ΔＶｌ＋＋＋Ａと非直線係数の変化
率Δαとを測定し、表２に示した。なお、サージ耐量の
試験を行う際、エツジ部分における放電を防止するため
、磁器ユニット全面にエポキシ系樹脂をコーティングし
て試験を行った。
リスタ電圧Ｖ＋ｍａ （Ｖ） 、非直線係数αおよび
５０００ Ａ／、ｆｆｌのサージ電流を印加した時のバ
リスタ電圧の変化率ΔＶｌ＋＋＋Ａと非直線係数の変化
率Δαとを測定し、表２に示した。なお、サージ耐量の
試験を行う際、エツジ部分における放電を防止するため
、磁器ユニット全面にエポキシ系樹脂をコーティングし
て試験を行った。
表１および表２の試料番号４のように、半導体化剤とし
てのＮｂ、 Ｗ、 Ｔａ、 Ｉ ｎ、 Ｙおよび希土
類元素の酸化物が添加されていない場合、その電気的特
性を測定することができなかった。
てのＮｂ、 Ｗ、 Ｔａ、 Ｉ ｎ、 Ｙおよび希土
類元素の酸化物が添加されていない場合、その電気的特
性を測定することができなかった。
また、試料番号８のように、半導体化剤が２゜０モル％
を超えた場合、サージ電流を印加したときのバリスタ電
圧変化率および非直線係数変化率が大きくなる。
を超えた場合、サージ電流を印加したときのバリスタ電
圧変化率および非直線係数変化率が大きくなる。
さらに、試料番号１３のように、ｘ十ｙが０゜２５を超
えた場合、バリスタ電圧が小さくなるとともに、サージ
電流を印加したときのバリスタ電圧変化率および非直線
係数変化率が大きくなる。
えた場合、バリスタ電圧が小さくなるとともに、サージ
電流を印加したときのバリスタ電圧変化率および非直線
係数変化率が大きくなる。
また、試料番号１４のように、酸化剤の添加量が０．０
１モル％より少ない場合、バリスタ電圧および非直線係
数が小さくなる。
１モル％より少ない場合、バリスタ電圧および非直線係
数が小さくなる。
さらに、試料番号１５〜１７のように、ＮａｚＯ，Ｔｉ
Ｏ□、５ｂｚＣ）＋をそれぞれ単独で添加した場合、バ
リスタ電圧および非直線係数が小さくなる。
Ｏ□、５ｂｚＣ）＋をそれぞれ単独で添加した場合、バ
リスタ電圧および非直線係数が小さくなる。
また、試料番号２０のように、酸化剤の添加量が２．０
モル％を超えた場合、サージ電流を印加したときのバリ
スタ電圧変化率および非直線係数変化率が大きくなる。
モル％を超えた場合、サージ電流を印加したときのバリ
スタ電圧変化率および非直線係数変化率が大きくなる。
それに対して、この発明の粒界酸化型電圧非直線抵抗組
成物を用いた電圧非直線抵抗素子では、５０００Ａ／ｃ
Ｊまでのサージ電流に耐えることができ、かつ非直線係
数αが１５以上と大きい。
成物を用いた電圧非直線抵抗素子では、５０００Ａ／ｃ
Ｊまでのサージ電流に耐えることができ、かつ非直線係
数αが１５以上と大きい。
また、静電容量およびバリスタ電圧は、５ｂｚＯ１の添
加量によってコントロールすることができ、電圧非直線
抵抗素子の生産に好適である。
加量によってコントロールすることができ、電圧非直線
抵抗素子の生産に好適である。
Claims (1)
- （Ｓｒ＿１＿−＿ｘ＿−＿ｙＢａ＿ｘＣａ＿ｙ）ＴｉＯ
＿３（ただし、ｘ＋ｙ≦０．２５，ｘ＞０）を９８．０
〜９９．９モル％と、Ｎｂ，Ｗ，Ｔａ，Ｉｎ，Ｙおよび
希土類元素の中から選ばれる少なくとも１種類の酸化物
を０．１〜２．０モル％とからなる主成分に対して、Ｎ
ａ＿２Ｏ，ＴｉＯ＿２およびＳｂ＿２Ｏ＿３（ただし、
０＜Ｎａ＿ｚＯ，０＜Ｔｉ０＿ｚ，０＜Ｓｂ＿２Ｏ＿３
，）が合わせて０．０１〜２．０モル％含有されてなる
、粒界酸化型電圧非直線抵抗組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1245816A JPH03109258A (ja) | 1989-09-20 | 1989-09-20 | 粒界酸化型電圧非直線抵抗組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1245816A JPH03109258A (ja) | 1989-09-20 | 1989-09-20 | 粒界酸化型電圧非直線抵抗組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03109258A true JPH03109258A (ja) | 1991-05-09 |
Family
ID=17139280
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1245816A Pending JPH03109258A (ja) | 1989-09-20 | 1989-09-20 | 粒界酸化型電圧非直線抵抗組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03109258A (ja) |
-
1989
- 1989-09-20 JP JP1245816A patent/JPH03109258A/ja active Pending
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