JPH0547589A - 粒界絶縁型半導体磁器コンデンサ - Google Patents
粒界絶縁型半導体磁器コンデンサInfo
- Publication number
- JPH0547589A JPH0547589A JP3031671A JP3167191A JPH0547589A JP H0547589 A JPH0547589 A JP H0547589A JP 3031671 A JP3031671 A JP 3031671A JP 3167191 A JP3167191 A JP 3167191A JP H0547589 A JPH0547589 A JP H0547589A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- grain boundary
- insulating layer
- ceramic capacitor
- thickness
- semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 磁器コンデンサの比誘電率と絶縁破壊電圧と
の積の値を大きくする。 【構成】 チタン酸ストロンチウム系磁器基体２におけ
る半導体粒子５の相互間の粒界絶縁層６の厚さを５００
オングストローム以下にする。
の積の値を大きくする。 【構成】 チタン酸ストロンチウム系磁器基体２におけ
る半導体粒子５の相互間の粒界絶縁層６の厚さを５００
オングストローム以下にする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はチタン酸ストロンチウム
系磁器コンデンサ等の粒界絶縁型半導体磁器コンデンサ
に関する。
系磁器コンデンサ等の粒界絶縁型半導体磁器コンデンサ
に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＳｒＴｉＯ3 又はＳｒ1-x Ｂａx ＴｉＯ
3 、又はＳｒ1-y Ｃａy ＴｉＯ3 、又はＳｒ1-x-y Ｂａ
x Ｃａy ＴｉＯ3 を主成分とし、Ｙ2 Ｏ3 、Ｌａ
2Ｏ3 、Ｎｂ2 Ｏ5 等の内の少なくとも１種を半導体化
成分とし、Ｂｉ2 Ｏ3 、ＰｂＯ、ＣｕＯ、Ｂ2 Ｏ3 等の
内の少なくとも１種を粒界絶縁化物質とする粒界絶縁型
半導体磁器コンデンサは公知である。この種の粒界絶縁
型半導体磁器コンデンサは、磁器基体と少なくとも２つ
の電極とを有し、磁器基体は多数の半導体粒子と、半導
体粒子相互間の絶縁層とから成る。
3 、又はＳｒ1-y Ｃａy ＴｉＯ3 、又はＳｒ1-x-y Ｂａ
x Ｃａy ＴｉＯ3 を主成分とし、Ｙ2 Ｏ3 、Ｌａ
2Ｏ3 、Ｎｂ2 Ｏ5 等の内の少なくとも１種を半導体化
成分とし、Ｂｉ2 Ｏ3 、ＰｂＯ、ＣｕＯ、Ｂ2 Ｏ3 等の
内の少なくとも１種を粒界絶縁化物質とする粒界絶縁型
半導体磁器コンデンサは公知である。この種の粒界絶縁
型半導体磁器コンデンサは、磁器基体と少なくとも２つ
の電極とを有し、磁器基体は多数の半導体粒子と、半導
体粒子相互間の絶縁層とから成る。
【０００３】また、上記粒界絶縁層は、０．１〜０．２
μｍの厚さを有している。
μｍの厚さを有している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、粒界絶縁型
半導体磁器コンデンサにおいては、一対の電極間に、微
小コンデンサの電極として働く半導体粒子と誘電体とし
て働く粒界絶縁層とから成る微小コンデンサが複数個直
列に配置されている。従って、一対の電極間の微小コン
デンサの数が多くなると、結果としてコンデンサの容量
が低下する。従って、高い比誘電率を得ようとする時に
は、半導体粒子の径が比較的大きくされるか、或いは磁
器素体の厚みが小さくされ、一対の電極間に存在する半
導体粒子ならびに粒界絶縁層の数、即ち微小コンデンサ
の数が抑えられる。この様に一対の電極間に介在する粒
界絶縁層の数が少なくなると、絶縁破壊電圧の低下を招
くという問題点があった。
半導体磁器コンデンサにおいては、一対の電極間に、微
小コンデンサの電極として働く半導体粒子と誘電体とし
て働く粒界絶縁層とから成る微小コンデンサが複数個直
列に配置されている。従って、一対の電極間の微小コン
デンサの数が多くなると、結果としてコンデンサの容量
が低下する。従って、高い比誘電率を得ようとする時に
は、半導体粒子の径が比較的大きくされるか、或いは磁
器素体の厚みが小さくされ、一対の電極間に存在する半
導体粒子ならびに粒界絶縁層の数、即ち微小コンデンサ
の数が抑えられる。この様に一対の電極間に介在する粒
界絶縁層の数が少なくなると、絶縁破壊電圧の低下を招
くという問題点があった。
【０００５】そこで、本発明の目的は、コンデンサの評
価に使用される比誘電率と絶縁破壊電圧との積が大きい
粒界絶縁型コンデンサを提供することにある。
価に使用される比誘電率と絶縁破壊電圧との積が大きい
粒界絶縁型コンデンサを提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の本発明は、多数の半導体粒子と、前記多数の半導体粒
子の相互間の粒界絶縁層とから成る半導体磁器基体と、
前記半導体磁器基体に設けられた少なくとも２つの電極
とから成る粒界絶縁型半導体磁器コンデンサにおいて、
前記粒界絶縁層の厚みが５００オングストローム以下で
ある粒界絶縁型半導体磁器コンデンサに係わるものであ
る。
の本発明は、多数の半導体粒子と、前記多数の半導体粒
子の相互間の粒界絶縁層とから成る半導体磁器基体と、
前記半導体磁器基体に設けられた少なくとも２つの電極
とから成る粒界絶縁型半導体磁器コンデンサにおいて、
前記粒界絶縁層の厚みが５００オングストローム以下で
ある粒界絶縁型半導体磁器コンデンサに係わるものであ
る。
【０００７】
【作用】本発明に従って、粒界絶縁層の厚みを５００オ
ングストロ−ム（０．０５μｍ）以下に抑えることによ
り、１つの粒界絶縁層の容量を増大させることができ
る。これにより、一対の電極間の粒界絶縁層の数を小さ
く抑えることなく高い比誘電率が得られ、さらには該一
対の電極間により多くの半導体粒子と粒界絶縁層とを配
置しても、粒界絶縁層の数の増加に基づく容量の低下を
比誘電率の増加で打ち消すことが可能になるため、一対
の電極間の絶縁破壊電圧を高めて信頼性を向上させるこ
とができる。従って、誘電率εと絶縁破壊電圧Ｅとの積
εＥの値の大きい磁器コンデンサが得られる。
ングストロ−ム（０．０５μｍ）以下に抑えることによ
り、１つの粒界絶縁層の容量を増大させることができ
る。これにより、一対の電極間の粒界絶縁層の数を小さ
く抑えることなく高い比誘電率が得られ、さらには該一
対の電極間により多くの半導体粒子と粒界絶縁層とを配
置しても、粒界絶縁層の数の増加に基づく容量の低下を
比誘電率の増加で打ち消すことが可能になるため、一対
の電極間の絶縁破壊電圧を高めて信頼性を向上させるこ
とができる。従って、誘電率εと絶縁破壊電圧Ｅとの積
εＥの値の大きい磁器コンデンサが得られる。
【０００８】なお、粒界絶縁層の厚みは１００〜５００
オングストロ−ム程度の範囲にすることが望ましい。も
し、粒界絶縁層の厚みが５００オングストロ−ムよりも
大きくなると、磁器基体の比誘電率が小さくなり過ぎる
ため、もし所望の容量を取得するためには一対の電極間
の半導体粒子の数を少なくしなければならず、これに伴
って絶縁破壊電圧Ｅが低下し、結局εＥの値も小さくな
る。
オングストロ−ム程度の範囲にすることが望ましい。も
し、粒界絶縁層の厚みが５００オングストロ−ムよりも
大きくなると、磁器基体の比誘電率が小さくなり過ぎる
ため、もし所望の容量を取得するためには一対の電極間
の半導体粒子の数を少なくしなければならず、これに伴
って絶縁破壊電圧Ｅが低下し、結局εＥの値も小さくな
る。
【０００９】
【実施例】図には実施例及び比較例に係わる粒界絶縁型
半導体磁器コンデンサ１が原理的に示されている。この
磁器コンデンサ１は円板状磁器基体２と一対の電極３、
４とから成る。磁器基体２は、多数の半導体粒子５と、
これ等の相互間の粒界絶縁層６とから成る。半導体粒子
５は導電体として機能し、粒界絶縁層６が誘電体として
機能する。従って、一対の電極３、４間には複数の微小
コンデンサが配置される。磁器基体２の焼成前の寸法
は、直径１０ｍｍ、厚さ０．４５ｍｍである。
半導体磁器コンデンサ１が原理的に示されている。この
磁器コンデンサ１は円板状磁器基体２と一対の電極３、
４とから成る。磁器基体２は、多数の半導体粒子５と、
これ等の相互間の粒界絶縁層６とから成る。半導体粒子
５は導電体として機能し、粒界絶縁層６が誘電体として
機能する。従って、一対の電極３、４間には複数の微小
コンデンサが配置される。磁器基体２の焼成前の寸法
は、直径１０ｍｍ、厚さ０．４５ｍｍである。
【００１０】磁器基体２の組成、半導体粒子５の径、及
び粒界絶縁層６の厚さは異なるが、外形および寸法は同
一の１５種類の磁器コンデンサを作成した。第１表は１
５種類の磁器コンデンサの組成を示す。
び粒界絶縁層６の厚さは異なるが、外形および寸法は同
一の１５種類の磁器コンデンサを作成した。第１表は１
５種類の磁器コンデンサの組成を示す。
【００１１】本実施例における磁器コンデンサの磁器基
体２は、主成分と半導体成分と粒界絶縁化物質とから成
る。主成分と半導体化成分とを合わせて次式で示すこと
ができる。 Ｓｒ1-x-y Ｂａx Ｃａy ＴｉａＯ3 ＋ｂＭ 上式の第１項のＳｒ1-x-y Ｂａx Ｃａy ＴｉａＯ3 は主
成分を示す。この主成分中のＳｒはストロンチウム、Ｂ
ａはバリウム、Ｃａはカルシウム、Ｔｉはチタン、Ｏは
酸素を示し、1-x-y 、ｘ、ｙはＳｒ、Ｂａ、Ｃａの割合
を示す数値である。ａはＴｉのＳｒ1-x-y Ｂａx ＣａY
に対する割合を示す数値である。
体２は、主成分と半導体成分と粒界絶縁化物質とから成
る。主成分と半導体化成分とを合わせて次式で示すこと
ができる。 Ｓｒ1-x-y Ｂａx Ｃａy ＴｉａＯ3 ＋ｂＭ 上式の第１項のＳｒ1-x-y Ｂａx Ｃａy ＴｉａＯ3 は主
成分を示す。この主成分中のＳｒはストロンチウム、Ｂ
ａはバリウム、Ｃａはカルシウム、Ｔｉはチタン、Ｏは
酸素を示し、1-x-y 、ｘ、ｙはＳｒ、Ｂａ、Ｃａの割合
を示す数値である。ａはＴｉのＳｒ1-x-y Ｂａx ＣａY
に対する割合を示す数値である。
【００１２】半導体化成分を示すｂＭのＭは半導体化成
分の酸化物であるＹ2 Ｏ3 、Ｌａ2 Ｏ3 、Ｎｂ2 Ｏ3 等
の内の少なくとも１種を示す。ｂは主成分に対する半導
体化成分Ｍの割合をモルで示す数値である。
分の酸化物であるＹ2 Ｏ3 、Ｌａ2 Ｏ3 、Ｎｂ2 Ｏ3 等
の内の少なくとも１種を示す。ｂは主成分に対する半導
体化成分Ｍの割合をモルで示す数値である。
【００１３】粒界絶縁化物質は、Ｂｉ2 Ｏ3 （酸化ビス
マス）、ＰｂＯ（酸化鉛）、ＣｕＯ（酸化銅）、Ｂ2 Ｏ
3 （酸化ほう素）から選択された１つから成る。この実
施例では後述から明らかになるように、粒界絶縁化物質
は半導体磁器基体に塗布して熱処理することにより磁器
基体中に拡散する。
マス）、ＰｂＯ（酸化鉛）、ＣｕＯ（酸化銅）、Ｂ2 Ｏ
3 （酸化ほう素）から選択された１つから成る。この実
施例では後述から明らかになるように、粒界絶縁化物質
は半導体磁器基体に塗布して熱処理することにより磁器
基体中に拡散する。
【００１４】第１表には主成分を示す式のｘ、ｙ、ａの
値と半導体化成分Ｍの割合ｂを示す値とＭの内容とが示
されている。また、粒界絶縁化物質Ｂｉ2 Ｏ3 とＰｂＯ
とＣｕＯとＢ2 Ｏ3 の組成がモル％で示されている。
値と半導体化成分Ｍの割合ｂを示す値とＭの内容とが示
されている。また、粒界絶縁化物質Ｂｉ2 Ｏ3 とＰｂＯ
とＣｕＯとＢ2 Ｏ3 の組成がモル％で示されている。
【００１５】
【表１】
【００１６】次に、試料No. １の磁器コンデンサ及びそ
の製造方法を説明する。試料No. １の磁器コンデンサの
主成分は、ｘ＝０、ｙ＝０であってＢａ、Ｃａを含んで
いない。従って、この主成分はＳｒＴｉＯ3 （チタン酸
ストロンチウム）である。このＳｒＴｉＯ3 を得るため
に、出発原料として ＳｒＣＯ3 （炭酸ストロンチウム） ＴｉＯ2 （酸化チタン） の各粉末を用意し、更に組成式におけるｂが０．００１
となるような割合にＹ2 Ｏ3 （酸化イットリウム）の粉
末を用意した。即ち、ＳｒＴｉＯ3 ＋０．００１Ｙ2 Ｏ
3 を得ることができるように、ＳｒＣＯ3 、ＴｉＯ2 、
Ｙ2 Ｏ3 を用意した。
の製造方法を説明する。試料No. １の磁器コンデンサの
主成分は、ｘ＝０、ｙ＝０であってＢａ、Ｃａを含んで
いない。従って、この主成分はＳｒＴｉＯ3 （チタン酸
ストロンチウム）である。このＳｒＴｉＯ3 を得るため
に、出発原料として ＳｒＣＯ3 （炭酸ストロンチウム） ＴｉＯ2 （酸化チタン） の各粉末を用意し、更に組成式におけるｂが０．００１
となるような割合にＹ2 Ｏ3 （酸化イットリウム）の粉
末を用意した。即ち、ＳｒＴｉＯ3 ＋０．００１Ｙ2 Ｏ
3 を得ることができるように、ＳｒＣＯ3 、ＴｉＯ2 、
Ｙ2 Ｏ3 を用意した。
【００１７】次に、ＳｒＣＯ3 とＴｉＯ2 とＹ2 Ｏ3 と
を混合し、１１５０℃で３時間の仮焼を行った。次に、
この仮焼物に有機バインダとしてポリビニールアルコー
ル溶液を５重量％加えて造粒した。
を混合し、１１５０℃で３時間の仮焼を行った。次に、
この仮焼物に有機バインダとしてポリビニールアルコー
ル溶液を５重量％加えて造粒した。
【００１８】次に、造粒された材料を１．５トン／ｃｍ
2 の成形圧力で直径１０ｍｍ、肉厚０．４５ｍｍの円板
を成形した。次に、この成形体に大気中、１１００℃、
１時間の熱処理を施し、更に、Ｎ2 （９９％）＋Ｈ
2 （１％）の混合ガスから成る還元性雰囲気中で１４５
０℃、２時間の焼成を施して半導体磁器基体を得た。
2 の成形圧力で直径１０ｍｍ、肉厚０．４５ｍｍの円板
を成形した。次に、この成形体に大気中、１１００℃、
１時間の熱処理を施し、更に、Ｎ2 （９９％）＋Ｈ
2 （１％）の混合ガスから成る還元性雰囲気中で１４５
０℃、２時間の焼成を施して半導体磁器基体を得た。
【００１９】次に、半導体磁器基体（焼結体）の粒界層
を絶縁化するために、 Ｂｉ2 Ｏ3 ８０モル％ Ｂ2 Ｏ3 ２０モル％ の組成の粒界絶縁化物質を用意し、この粒界絶縁化物質
に対してニトロセルロース系有機バインダ及びブチルカ
ルビトールを加えてペーストを作った。
を絶縁化するために、 Ｂｉ2 Ｏ3 ８０モル％ Ｂ2 Ｏ3 ２０モル％ の組成の粒界絶縁化物質を用意し、この粒界絶縁化物質
に対してニトロセルロース系有機バインダ及びブチルカ
ルビトールを加えてペーストを作った。
【００２０】次に、この粒界絶縁化物質のペーストを磁
器基体に対して５重量％の割合で塗布し、これを空気
中、１１５０℃で２時間熱処理することによって粒界層
６に粒界絶縁化物質（Ｂｉ2 Ｏ3 、Ｂ2 Ｏ3 ）を拡散
（浸透）させ、図に示す粒界絶縁層６の絶縁性を高め
た。
器基体に対して５重量％の割合で塗布し、これを空気
中、１１５０℃で２時間熱処理することによって粒界層
６に粒界絶縁化物質（Ｂｉ2 Ｏ3 、Ｂ2 Ｏ3 ）を拡散
（浸透）させ、図に示す粒界絶縁層６の絶縁性を高め
た。
【００２１】次に、磁器基体２の両主面に銀ペーストを
塗布し、８００℃で３０分間焼付けて図に示す一対の電
極３、４を形成して磁器コンデンサ１を完成させた。
塗布し、８００℃で３０分間焼付けて図に示す一対の電
極３、４を形成して磁器コンデンサ１を完成させた。
【００２２】試料No. ２〜１５においても、主成分又は
半導体化成分又は粒界絶縁化物質の内容又は割合を変え
た他は、試料No. １と同様に磁器コンデンサを作った。
半導体化成分又は粒界絶縁化物質の内容又は割合を変え
た他は、試料No. １と同様に磁器コンデンサを作った。
【００２３】なお、試料No. ３の場合には、ｘが０．０
５であるので、主成分は Ｓｒ0.95Ｂａ0.05ＴｉＯ3 で表される。この主成分を得るためには、出発原料とし
てＳｒＣＯ3 、ＢａＣＯ3 （炭酸バリウム）、ＴｉＯ2
を用意する。
５であるので、主成分は Ｓｒ0.95Ｂａ0.05ＴｉＯ3 で表される。この主成分を得るためには、出発原料とし
てＳｒＣＯ3 、ＢａＣＯ3 （炭酸バリウム）、ＴｉＯ2
を用意する。
【００２４】また、試料No. １４ではｙが０．０５であ
るので、主成分は Ｓｒ0.95Ｃａ0.05ＴｉＯ3 で表される。この主成分を得るためには、出発原料とし
てＳｒＣＯ3 とＣａＣＯ3 （炭酸カルシウム）とＴｉＯ
2 を用意する。、
るので、主成分は Ｓｒ0.95Ｃａ0.05ＴｉＯ3 で表される。この主成分を得るためには、出発原料とし
てＳｒＣＯ3 とＣａＣＯ3 （炭酸カルシウム）とＴｉＯ
2 を用意する。、
【００２５】試料No. １５ではａが０．９９５であるの
で、主成分はＳｒＴｉ0.995 Ｏ3 になる。
で、主成分はＳｒＴｉ0.995 Ｏ3 になる。
【００２６】次に、各試料No. の磁器コンデンサの見掛
けの比誘電率εと絶縁破壊電圧Ｅを測定した。なお、見
掛けの比誘電率εは、＋２０℃、周波数１ｋＨｚ、電圧
０．５Ｖの条件で測定した。また、絶縁破壊電圧Ｅは一
対の電極３、４に直流電圧を印加し、これを徐々に増加
させ、電流が急増した点（破壊点）の電圧を測定するこ
とによって決定した。
けの比誘電率εと絶縁破壊電圧Ｅを測定した。なお、見
掛けの比誘電率εは、＋２０℃、周波数１ｋＨｚ、電圧
０．５Ｖの条件で測定した。また、絶縁破壊電圧Ｅは一
対の電極３、４に直流電圧を印加し、これを徐々に増加
させ、電流が急増した点（破壊点）の電圧を測定するこ
とによって決定した。
【００２７】また、完成した磁器コンデンサと同一磁器
基体から薄片を作り、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）によ
って半導体粒子５の大きさと、粒界絶縁層６の厚さを測
定した。なお、半導体粒子５は完全な球ではなく、不規
則な多角形であるので、半導体粒子５が内接する円の直
径で半導体粒子５の粒径を決定した。また、１つの磁器
基体２中の多数の半導体粒子５の径は同一ではないの
で、平均粒径を求めた。粒界絶縁層６の厚さは、多数の
半導体粒子５の相互間の平均の厚さである。
基体から薄片を作り、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）によ
って半導体粒子５の大きさと、粒界絶縁層６の厚さを測
定した。なお、半導体粒子５は完全な球ではなく、不規
則な多角形であるので、半導体粒子５が内接する円の直
径で半導体粒子５の粒径を決定した。また、１つの磁器
基体２中の多数の半導体粒子５の径は同一ではないの
で、平均粒径を求めた。粒界絶縁層６の厚さは、多数の
半導体粒子５の相互間の平均の厚さである。
【００２８】第２表は試料No. １〜１５の半導体粒子５
の平均粒径と、粒界絶縁層６の厚さと、比誘電率εと、
絶縁破壊電圧Ｅと、比誘電率εと絶縁破壊電圧Ｅとの積
ε×Ｅを示す。
の平均粒径と、粒界絶縁層６の厚さと、比誘電率εと、
絶縁破壊電圧Ｅと、比誘電率εと絶縁破壊電圧Ｅとの積
ε×Ｅを示す。
【００２９】
【表２】
【００３０】第２表から明らかなように、試料 No.１の
磁器コンデンサにおいては、半導体粒子５の平均粒径が
４０μｍ、粒界絶縁層６の厚さが５００オングストロー
ム（０．０５μｍ）、比誘電率εが７０，０００、絶縁
破壊電圧Ｅが１９０Ｖ、εＥの値が１．３×１０7 であ
る。
磁器コンデンサにおいては、半導体粒子５の平均粒径が
４０μｍ、粒界絶縁層６の厚さが５００オングストロー
ム（０．０５μｍ）、比誘電率εが７０，０００、絶縁
破壊電圧Ｅが１９０Ｖ、εＥの値が１．３×１０7 であ
る。
【００３１】本発明では、εＥ値が１．３×１０7 以上
の磁器コンデンサを目標としている。従って、試料 No.
２、６、８、９、１０で示すものは本発明の目標を満足
していない。
の磁器コンデンサを目標としている。従って、試料 No.
２、６、８、９、１０で示すものは本発明の目標を満足
していない。
【００３２】第２表におけるεＥ値と粒界絶縁層の厚さ
との関係から明らかなように、粒界絶縁層の厚さが５０
０オングストローム以下の試料ではすべてεＥ値が１．
３×１０7 以上である。これに対して、粒界絶縁層の厚
さが５００オングストロームを越えるものではεＥ値が
１．３×１０7 よりも小さい。また、εＥ値が１．３×
１０7 以上の試料においては平均粒径が１０〜１００μ
ｍの範囲に収まっている。
との関係から明らかなように、粒界絶縁層の厚さが５０
０オングストローム以下の試料ではすべてεＥ値が１．
３×１０7 以上である。これに対して、粒界絶縁層の厚
さが５００オングストロームを越えるものではεＥ値が
１．３×１０7 よりも小さい。また、εＥ値が１．３×
１０7 以上の試料においては平均粒径が１０〜１００μ
ｍの範囲に収まっている。
【００３３】
【変形例】本発明は上述の実施例に限定されるものでな
く、例えば次の変形が可能なものである。
く、例えば次の変形が可能なものである。
【００３４】主成分におけるＳｒの一部をＢａとＣａの
両方で置き換えた組成としてもよい。即ち、主成分をＳ
ｒとＢａとＣａとＴｉとの全てを含む組成とすることが
できる。
両方で置き換えた組成としてもよい。即ち、主成分をＳ
ｒとＢａとＣａとＴｉとの全てを含む組成とすることが
できる。
【００３５】半導体化成分ＭはＹ2 Ｏ3 、Ｌａ2 Ｏ3 、
Ｎｂ2 Ｏ3 の複数の組み合わせとすることができる。更
に、半導体化成分として、Ｎｄ2 Ｏ3 、Ｄｙ2 Ｏ3 、Ｓ
ｍ2 Ｏ4 、Ｐｒ2 Ｏ3 、Ｇｄ2 Ｏ3 、Ｈｏ2 Ｏ3 等の３
価の金属酸化物、Ｔａ2 Ｏ5 等の５価の金属酸化物及び
これ等の組合わせを使用することができる。
Ｎｂ2 Ｏ3 の複数の組み合わせとすることができる。更
に、半導体化成分として、Ｎｄ2 Ｏ3 、Ｄｙ2 Ｏ3 、Ｓ
ｍ2 Ｏ4 、Ｐｒ2 Ｏ3 、Ｇｄ2 Ｏ3 、Ｈｏ2 Ｏ3 等の３
価の金属酸化物、Ｔａ2 Ｏ5 等の５価の金属酸化物及び
これ等の組合わせを使用することができる。
【００３６】粒界絶縁化物質としてＢｉ2 Ｏ3 、Ｐｂ
Ｏ、ＣｕＯ、Ｂ2 Ｏ3 の他に、ＭｎＯ2 、Ｔｌ2 Ｏ3 、
Ｓｂ2 Ｏ3 、Ｆｅ2 Ｏ3 等の金属酸化物及びこれ等の組
合わせを使用することができる。
Ｏ、ＣｕＯ、Ｂ2 Ｏ3 の他に、ＭｎＯ2 、Ｔｌ2 Ｏ3 、
Ｓｂ2 Ｏ3 、Ｆｅ2 Ｏ3 等の金属酸化物及びこれ等の組
合わせを使用することができる。
【００３７】粒界絶縁化物質をペーストで塗布して供給
する代りに、主成分と半導体化成分との仮焼物に対し
て、粒界絶縁化物質を付加し、これを成形して還元又は
中性雰囲気中で焼成し、しかる後酸化性雰囲気中で熱処
理を施して粒界絶縁層６の絶縁化を行ってもよい。また
粒界絶縁化物質を原料組成物に混入する方法とそれをペ
−ストで塗布する方法とを組み合せて絶縁化することも
できる。
する代りに、主成分と半導体化成分との仮焼物に対し
て、粒界絶縁化物質を付加し、これを成形して還元又は
中性雰囲気中で焼成し、しかる後酸化性雰囲気中で熱処
理を施して粒界絶縁層６の絶縁化を行ってもよい。また
粒界絶縁化物質を原料組成物に混入する方法とそれをペ
−ストで塗布する方法とを組み合せて絶縁化することも
できる。
【００３８】
【発明の効果】上述から明らかなように本発明によれ
ば、比誘電率と絶縁破壊電圧との積の大きい磁器コンデ
ンサを提供することができる。
ば、比誘電率と絶縁破壊電圧との積の大きい磁器コンデ
ンサを提供することができる。
図は本発明の実施例に係わる磁器コンデンサを原理的に
示す断面図である。
示す断面図である。
２ 磁器基体 ３，４ 電極 ５ 半導体粒子 ６ 粒界絶縁層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 増山 勝 東京都台東区上野６丁目16番20号 太陽誘 電株式会社内
Claims (1)
- 【請求項１】 多数の半導体粒子と、前記多数の半導体
粒子の相互間の粒界絶縁層とから成る半導体磁器基体
と、前記半導体磁器基体に設けられた少なくとも２つの
電極とから成る粒界絶縁型半導体磁器コンデンサにおい
て、 前記粒界絶縁層の厚みが５００オングストローム以下で
あることを特徴とする粒界絶縁型半導体磁器コンデン
サ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3031671A JPH0785459B2 (ja) | 1991-01-31 | 1991-01-31 | 粒界絶縁型半導体磁器コンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3031671A JPH0785459B2 (ja) | 1991-01-31 | 1991-01-31 | 粒界絶縁型半導体磁器コンデンサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0547589A true JPH0547589A (ja) | 1993-02-26 |
| JPH0785459B2 JPH0785459B2 (ja) | 1995-09-13 |
Family
ID=12337589
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3031671A Expired - Fee Related JPH0785459B2 (ja) | 1991-01-31 | 1991-01-31 | 粒界絶縁型半導体磁器コンデンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0785459B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2136380A2 (en) | 2008-06-20 | 2009-12-23 | Fujitsu Limited | A spraying method for manufacturing a capacitor, and capacitor obtained by the method |
| US8213159B2 (en) | 2007-04-20 | 2012-07-03 | Fujitsu Limited | Electrode foil, method of manufacturing electrode foil, and electrolytic capacitor |
| US8373966B2 (en) | 2008-11-17 | 2013-02-12 | Fujitsu Limited | Structural body, capacitor, and method of fabricating the capacitor |
| CN113135750A (zh) * | 2020-01-16 | 2021-07-20 | 太原科技大学 | 一种提高晶界层电容器电阻的绝缘化剂及其使用方法 |
-
1991
- 1991-01-31 JP JP3031671A patent/JPH0785459B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8213159B2 (en) | 2007-04-20 | 2012-07-03 | Fujitsu Limited | Electrode foil, method of manufacturing electrode foil, and electrolytic capacitor |
| EP2136380A2 (en) | 2008-06-20 | 2009-12-23 | Fujitsu Limited | A spraying method for manufacturing a capacitor, and capacitor obtained by the method |
| US8373966B2 (en) | 2008-11-17 | 2013-02-12 | Fujitsu Limited | Structural body, capacitor, and method of fabricating the capacitor |
| CN113135750A (zh) * | 2020-01-16 | 2021-07-20 | 太原科技大学 | 一种提高晶界层电容器电阻的绝缘化剂及其使用方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0785459B2 (ja) | 1995-09-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0123434B2 (ja) | ||
| JPS634339B2 (ja) | ||
| JPH06302403A (ja) | 積層型半導体セラミック素子 | |
| JPH0226775B2 (ja) | ||
| JPH0547589A (ja) | 粒界絶縁型半導体磁器コンデンサ | |
| US3987347A (en) | Temperature stable monolithic ceramic capacitor with base metal electrodes | |
| JPS6249977B2 (ja) | ||
| JPH07309661A (ja) | セラミック組成物、焼結方法、焼結セラミック体及び多層コンデンサー | |
| KR910001347B1 (ko) | 초저온에서 소결되는 세라믹 조성물 및 그 제조방법 | |
| JPH0652718A (ja) | 誘電体磁器及び磁器コンデンサ | |
| EP0047815B1 (en) | Grain boundary layer dielectric ceramic compositions | |
| JPH08124781A (ja) | 半導体磁器の製造方法 | |
| JP2616372B2 (ja) | 半導体磁器素子の製造方法 | |
| JPS6249976B2 (ja) | ||
| JP2972052B2 (ja) | 半導体磁器及びその製造方法 | |
| JP2970405B2 (ja) | 粒界絶縁型半導体磁器組成物及びその製造方法 | |
| JP2506286B2 (ja) | 粒界絶縁型半導体磁器の製造方法 | |
| JP2934388B2 (ja) | 半導体磁器の製造方法 | |
| KR920009172B1 (ko) | 반도체 세라믹 축전기 및 그 제조방법 | |
| JPH07240342A (ja) | コンデンサ | |
| JPS6029211B2 (ja) | 半導体磁器コンデンサの製造方法 | |
| JPS6126207B2 (ja) | ||
| JPH02213101A (ja) | 粒界バリア型高静電容量セラミックバリスタの製造方法 | |
| JPH02222515A (ja) | バリスタ特性を有するセラミックコンデンサの製造方法 | |
| JPS6030094B2 (ja) | 半導体磁器コンデンサの製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19960312 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080913 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080913 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090913 Year of fee payment: 14 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |