JPH02222515A - バリスタ特性を有するセラミックコンデンサの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明はバリスタ特性を有するセラミックコンデンサの
製造方法に関するものである。

従来の技術 従来、この種のセラミック酸化物半導体の結晶粒界を絶
縁化することによって、これまでのセラミック誘電体と
比較して、見かけ誘電率の非常に大きなコンデンサ素体
が得られることが知られている。さらにこれらコンデン
サ素体に電極を形成するとしきい値電圧で急激に電流が
流れるいわゆるバリスタが得られることがあることも知
られている。例えば、５ｒＴｉ０３を主成分とし、これ
にＮｂｚＯｓおよびＴ　ｉ　０２−　Ａ　ｉ’　２０３
　　Ｓ　ｉ　０２系混合物を添加して成形し、還元雰囲
気中で焼結してなる多結晶セラミック半導体の粒界に、
酸化銅（Ｃｕ　Ｏ）および酸化ビスマス（ＢｉｚＯ３）
を焼結体表面から拡散せしめ、前記結晶粒界に空乏層を
形成して粒界に高抵抗層を形成して得たバリスタ特性を
有するセラミックコンデンサ材料において、１ｍＡの電
流が流れはじめる電圧、すなわち立ち上がり電圧が５０
〜２００Ｖ／ｍ、非直線抵抗指数αが１０の特性を保持
しながら、見かけ誘電率２００００〜１０００００のご
とく大きな値の材料が得られている。なお、ここで、従
来の製造方法でしばしば用いられてきた拡散物質である
Ｃｕｂ、Ｂｉ２Ｏ３の役割について記すと、十分に酸素
が供給されたＣｕＯは焼結体の結晶粒界にあって電子ト
ラップセンタを形成し、ｎ型半導体ＳｒＴｉＯ３結晶の
粒界に近い部分に存在する電子をトラップし、粒界近傍
に電子の存在しない空乏層を形成する働きをする。バリ
スタ特性を有するセラミックコンデンサはこのようにし
て形成された絶縁性空乏層の両側に電荷を蓄えてコンデ
ンサとして構成される一方、しきい値以上の電圧印加で
は急激に電流が流れバリスタ特性が現れる。

その結果、焼結体の見かけの誘電率はＳｒＴｉＯ３の誘
電率（〜２００）に焼結体中の５ｒＴｉＣ）＋の粒径と
先述した粒界空乏層の厚さの比（粒径／空乏層の厚さ）
をかけた程度の値となる。代表的なＳｒＴｉＯ３焼結体
の粒界空乏層の厚さは１つの粒界につき０．２μｍ位と
なり、ＳｒＴｉＯ３焼結体では粒径が２μｍ、２０μｍ
、２００μｍの場合に、それぞれ見かけ誘電率のめやす
としては２０００．２００００．２０００００を得る。

また、Ｂｉ２Ｏ３はβ−Ｂｉ２０３相とδ−Ｂｉ２０３
相の場合酸素の良導体として知られており、焼結体表面
にＢｉ２Ｏ：＋を塗布して熱処理を施したとき始めに焼
結体の粒界に沿ってＢｉ２Ｏ３が拡散し、次に粒界に存
在するＢ　１２０３に沿って外部より焼結体内部まで酸
素が拡散で運搬され、粒界空乏層形成に必要な酸素を供
給する働きをする。この種のバリスタ特性を有するセラ
ミックコンデンサは静電容量・対温度特性などにおいて
優れた特性を持つので産業界で広く使用されている。な
お、以上のようなバリスタ特性を有するセラミックコン
デンサは、−射的に高温で焼成して焼結体中の結晶粒を
できるだけ大きなものにし、焼結体の周囲にペースト状
にした酸化鋼含有の酸化ビスマスなどを塗布し、しかる
後に熱処理を施すことによってＢｉ２Ｏ：＋、ＣｕＯ等
を焼結体内部にまで拡散させ酸化させるという工程を経
て製造されている。

発明が解決しようとする課題 以上のような製造方法で、大きな静電容量の特に大きな
積層型のバリスタ特性を有するセラミックコンデンサを
製造しようとする場合、電極間隔を１０〜１００μｍあ
るいはもっと狭くしようとすると、焼結体の結晶粒の成
長を粒径が１μｍから十数μｍの小粒径でしかも均一な
ものに抑制されねばならず、また、工程中Ｂｉ２Ｏ３や
ＣｕＯ等を焼結体表面から内部にまで均質に拡散するこ
とが必要であり、特に金属電極の層が存在するとその影
響が大きくなり、特性にバラツキができやすく、さらに
厚みのあるものは内部迄十分にＢ１２０：＋やＣｕＯな
どを拡散させることが困難であるので、素子の大きさが
限定される等の問題があった。

また、電極間隔が狭いので、焼結体にはミクロ的にも特
性の均質性が要求され、そのため材料組成の均質性が求
められているものであった。

本発明はこれらの課題を解決した積層型等のバリスタ特
性を有するセラミックコンデンサを提供するものであっ
た。

課題を解決するための手段 これらの課題を解決するために本発明は、５ｒＴｉ０３
を主成分としたペロブスカイト型酸化物粉体に、主とし
て高温度で液相を形成する焼結促進剤、主としてペロブ
スカイト相に固溶する半導体促進剤、粒成長制御剤を兼
ねた酸素良導性固体電解質、および粒成長制御剤を兼ね
た粒界空乏層形成剤を添加し、混合・形成したのち高温
で焼結し、半導体した後、酸化雰囲気中で酸素の拡散処
理と粒界空乏層形成剤の酸化処理をほどこしてバリスタ
特性を有するセラミックコンデンサを得るものである。

作用 以上のように本発明は、５ｒＴｉ０３を主成分としたペ
ロブスカイト型酸化物粉体に、主として高温度で液相を
形成する焼結促進剤、主としてペロブスカイト相に固溶
する半導体化促進剤、粒成長制御剤を兼ねた酸素良導性
固体電解質、および粒成長制御剤を兼ねた粒界空乏層形
成剤を添加し、混合・形成したのち高温で焼結し、半導
体化した後、酸化雰囲気中で酸素の拡散処理と粒界空乏
層形成剤の酸化処理を施し粒界に沿ってキャリアの空乏
層を形成し、この空乏層によって良質なバリスタを得る
ものである。

実施例 本発明の概要について説明する。

５ｒＴｉＯ：＋を主成分としたペロブスカイト型酸化物
粉体に、主として高温度で液相を形成する焼結促進剤、
主としてペロブスカイト相に固溶する半導体化促進剤９
粒成長制御剤を兼ねた酸素良導性固体電解質、および粒
成長制御剤を兼ねた粒界空乏層形成剤を添加・混合し、
加圧成型し、還元雰囲気中高温で焼結するとき、主とし
て高温度で液相を形成する焼結促進剤は、粒成長制御剤
を兼ねた粒界空乏層形成剤と半導体化促進剤とＳｒＴｉ
Ｏ３主成分のペロブスカイト型酸化物との反応・固溶を
促進する。しかし一方５ｒＴｉＯ：＋主成分相は還元作
用によって一部の酸素を奪われ、ｎ型半導体物質となる
。粒界空乏層形成剤は５ｒＴｉ０３に比べてかなり異な
った格子定数を持つのでＳｒＴｉＯ３に対する固溶範囲
はかなり小さ（Ｓ　ｒ　Ｔ　ｉ　Ｏ３への固溶量はモル
比で数％以下である。そのため、高温では多量に５ｒＴ
ｉ０３に固溶していた粒界空乏層形成剤の一部は焼成時
の冷却過程に５ｒＴｆＯ：＋相の微結晶粒子からその周
囲の粒界に拡散して一様に析出する。かかる焼結体に酸
化雰囲気中で熱処理を施すと、粒界に存在した主成分ｚ
ｒＯ２の酸素良導性固体電解質内を酸素が自由に拡散し
、粒界に析出したマンガン等を含む酸化物は、そこへ到
達した酸素によってさらに酸化される。その結果粒界に
は酸化マンガン等を主体とした電子のトラップセンタが
形成される。これらの電子のトラップセンタは還元によ
って形成された低抵抗のｎ型の５ｒＴｉＯ：＋半導体結
晶粒内から電子を奪い、その結果粒界に沿ってキャリア
の空乏層が形成される。このようにして得た空乏層は絶
縁性がよく、焼結体に電圧が印加されると空乏層の両側
には電荷が蓄えられて良質のバリスタが得られ、また、
従来行われていた、半導体化後のＣｕｂ、ＢｉｚＯ３等
の塗布・拡散の工程を必要とせず、容易に優れたバリス
タ特性を有するセラミックコンデンサを得ることができ
るものである。

なお、第１図は本発明の一実施例であるバリスタ特性を
有する積層形セラミックコンデンサであり、１はバリス
タ特性を有する量セラミックス、２は内部電極、３は外
部電極であり、第２図は本発明の他の実施例であるバリ
スタ特性を有するセラミックコンデンサであり、４はバ
リスタ特性を有するセラミックス、５は電極、そして６
はリード線である。

以下、本発明の一実施例の具体例について説明する。

（実施例１） 蓚酸チタニルストロンチウム（ＳｒＴｉＯ（Ｃ２０４）
２・４Ｈ２０）を熱分解して得たチタン酸ストロンチウ
ム（ＳｒＴｉＯ３）に主として高温度で液相を形成する
焼結促進剤Ｔ　ｉ　０２−Ａ１２ｏ３５ｉＯｚ（２０：
３０：４５ｗｔ比）を０．０５〜（３，Ｑｗｔ％、主と
してペロブスカイト相に固溶する半導体化促進剤Ｎｂ２
Ｏ５を０．０２〜３．Ｑｗｔ％、粒成長制御剤を兼ねた
酸素良導性固体電解質ＺｒＯ２を０．０５〜１２．０ｗ
ｔ％、粒成長制御剤を兼ねた粒界空乏層形成剤Ｓ　ｒ（
Ｃｕ＋／３Ｎｂ２／３）Ｏ３（０．１〜６．０ｗｔ％）
を添加し、よく混合したのち、９００℃にて仮焼した。

湿式粉砕の後、乾燥、造粒、成型して、大気中１３００
℃にて焼結し、再び湿式粉砕の後、樹脂及び有機溶剤を
用いてペースト化してシートをつくり、内部電極用白金
ペーストを印刷して積層し、大気中１４００℃にて焼結
したあと１３００℃で水素還元し、大気中９５０℃にて
熱処理し、内部電極と外部電極を接続すべく電極を調整
して第１図の積層型のバリスタ特性を有するセラミック
コンデンサを作製し、電気特性を測定した。その測定結
果を第１表に示す。なお、焼結促進剤ＴｉＯ２Ａｉ！ｚ
０３５ｉ０２（２０：３０：４５ｗｔ比）市販のＴ　ｉ
Ｏｚ　　Ａｌ２Ｏ：＋　　Ｓ　ｉＯｚの粉体を所定の重
量比に従って秤量し、混合し、１２００℃にて仮焼し、
粉砕して得た。更に粒成長制御剤を兼ねた粒界空乏層形
成剤５ｒ（Ｃｕ１／＋＋Ｎ　ｂ　２７３）　０３は市販
のＳ　ｒ　Ｃ０３，Ｎ　ｂ２０ｓ、　Ｃｕ　Ｏなどを混
合し、１０００℃にて仮焼し、粉砕して得た。

また、焼成後の積層バリスタのサイズは、約４鴫平方で
厚みが約０．６順であり、誘電体−層の厚み約７０μｍ
で８層の誘電体より成っていた。

この材料の見かけ誘電率εは積層バリスタの静電容量値
（測定１ｋＨｚ）より計算で求めた。焼結体中の結晶粒
の粒径は切断面を研磨した後、研磨面にＢｉｚ０３系金
属石鉄金属石鹸、１０００℃で熱処理を施して粒界を鮮
明にして光学顕微鏡で観察して求めた。

（以 白） 第１表より明らかなごとく、５ｒＴｉ０３に焼結促進剤
Ｔ　ｉ　０２　　Ａｌ２Ｏ３Ｓ　ｉ　０２が０．１〜５
．０ｗｔ％、半導体化促進剤Ｎｂ２Ｏ５が０．０５〜２
，０ｗｔ％、固体電解質Ｚｒ０ｚが０．１〜１０．０ｗ
ｔ％、粒成長制御剤を兼ねた粒界空乏層形成剤Ｓ　ｒ　
（Ｃｕ＋／：＋Ｎｂ２／３）　Ｏｗｌが０．２〜４．０
ｗｔ％添加され焼成されて得た本材料は粒径が均一で極
めて優れたバリスタ特性を持ち、また高い誘電体特性を
示し、高静電容量バリスタとして使用できる。即ち顕微
鏡観察の結果、焼結体の微粒子は粒径がよくそろってい
て、約７μｍで誘電体損失は２．０％以下、見かけ誘電
率は７０００以上であった。バリスタとしての材料の立
ち上がり電圧Ｖ、ｍＡは３００〜５００　Ｖ　／　ｍｎ
で、Ｖ＋ｍＡ＝Ｖｏ、＋ｍＡ間における非直線抵抗指数
αは殆ど１０以上の値をとる。その他バリスタとしての
サージ耐量、高電流域に於ける非直線抵抗特性を表す制
限電圧比、立ち上がり電圧Ｖ、ｍＡの温度係数、静電容
量の温度係数などの測定を行ったが満足できる値を得た
。なお、焼結促進剤の添加量が５％を越えると焼結体が
変形したり、付着して実用的でない。

（実施例２） 市販の工業用チタン酸ストロンチウム （ＳｒＴｉＯ３）にＴ　ｉ　Ｏｚ　　ＭｇＯＳ　ｉ　０
２系（例えば３０　：　３０　：　４０ｗｔ％比），Ｔ
ｉＯ２−Ｍｎ０−８　ｉ０２系（例えば１０　：　５０
　：　４０ｗｔ％比）　、Ｔ　ｉ　０２　　Ａｌ２Ｏ３
Ｓ　ｉ　０２系（例えば２０　：　３５　：　４５ｗｔ
％比）から選ばれた主として高温度で液相を形成する焼
結促進剤を１゜Ｏｗ　ｔ％、主としてペロブスカイト相
に固溶する半導体化促進剤Ｙ２Ｏ３を０．４ｗｔ％、粒
成長制御剤を兼ねた酸素良導性固体電解質ＺｒＣＬを０
．２〜８．Ｑｗｔ％、粒成長制御剤を兼ねた粒界空乏層
形成剤Ｓ　ｒ　（Ｃｕ　Ｉ／３Ｎ　ｂ　２／３）　０３
を０．４〜３，０ｗｔ％添加し、よく混合したのち、９
００℃にて仮焼した。湿式粉砕の後、乾燥、造粒し、デ
ィスク状に成型して、窒素９５％−水素５％よりなる還
元雰囲気中１３８０℃にて焼成した後、大気中９５０℃
にて熱処理し、ディスクの両面に銀電極を形成して第２
図のバリスタ特性を有するセラミックコンデンサを作成
し、電気特性を測定した。測定結果を第２表に示す。

なお、焼結促進剤は、例えばＴ　ｉ　Ｏ２Ｍ　ｇ　０Ｓ
ｉＯ２系（例えば３０　：　８０　：　４０ｗｔ％比）
は、市販のＴ　ｉ　０２．ＭｇＯ，Ｓ　ｉＯｚの粉体を
所定の重量比で秤量・混合し、１２００℃にて仮焼し、
粉砕して得た。更に粒成長制御剤を兼ねた粒界空乏層形
成剤Ｓ　ｒ　（Ｃｕ＋／：＋Ｎｂ２／３）Ｏ３は、市販
のＳｒＣＯ３，Ｎｂ２Ｏ５，ＣｕＯを混合し、９００℃
にて仮焼し粉砕して得た。

（以　　下　　余　　白） 第２表より明らかなごとく、ＳｒＴｉＯ３にＴ　ｉ　０
２−ＭｇＯ−８ｉ　０２などの主として高温度で液相を
形成する焼結促進剤が１．Ｑｗｔ％、半導体化促進剤Ｙ
２Ｏ３が０．４ｗｔ％、粒成長制御剤を兼ねた酸素良導
性電解質Ｚｒ０ｚを０．２〜８、Ｑｗｔ％、粒成長制御
剤を兼ねた粒界空乏層形成剤が０．４〜３．Ｑｗｔ％添
加され焼成されて得た本材料は極めて優れたバリスタ特
性及び誘電体特性を示し、高静電容量バリスタとして使
用できる。これらのデバイスに用いられている材料の電
気特性は、はぼ第１の実施例の材料と等しい。

（実施例３） 市販の工業用チタン酸ストロンチウム （ＳｒＴｉＯ３）にＴ　ｉｏ２−ＭｇＯ−３ｉ　０２系
（例えば３０　：　３０　：　４０ｗｔ％比）の主とし
て高温度で液相を形成する焼結促進剤を３．Ｑｗｔ％、
半導体化促進剤ＷＯ３，Ｎｂ２Ｏ５，Ｌａｚｏ３゜Ｙ２
Ｏ，３を０．０５〜２，０ｗｔ％、粒成長制御剤を兼ね
た酸素良導性固体電解質ＺｒＯ２を１．５ｗｔ％、粒成
長制御剤を兼ねた粒界空乏層形成剤Ｓ　ｒｏ、、、Ｂ　
ａｏ、Ｉｃ　ａｏ、＋　（Ｃｕｔ／３Ｎｂ２／３）ｏ３
または、Ｓ　ｒｏ、ａＢ　ａｏ、２ｃ　ａｏ、ｚ　（Ｃ
ｕ　１／３Ｎ　ｂ２／３）Ｏ３を２．０ｗｔ％添加し、
よく混合したのち、９００℃にて仮焼した。湿式粉砕の
後、乾燥、造粒、成型して、窒素９５％−水素５％より
なる還元雰囲気中１３８０℃にて焼成し、大気中１０５
０℃にて熱処理し、電極を形成して第２図のバリスタ特
性を有するセラミックコンデンサを作ｔＪし、電気特性
を測定した。その測定結果を第３表に示す。

なお、焼結促進剤Ｔ　ｉｏ２−ＭｇＯ−ＳｉＯ２系（３
０：　３０　：　４０ｗｔ％比）は、市販のＴｉＯ２゜
ＭｇＯ，ＳｉＯ２の粉体を所定の重量比で秤量・混合し
、１２００℃にて仮焼し、粉砕して得た。

さらに、粒成長制御剤を兼ねた粒界空乏層形成剤は、市
販のＳｒＣＯ３，ＢａＣＯ５，ＣａＣＯ３゜Ｎ　ｂｚｏ
ｓ、　Ｃｕ　Ｏを混合し、９００℃にて仮焼し、粉砕し
て得た。

（以　　下　　余　　白） 第３表より明らかなごと＜　、Ｓ　ｒ　Ｔ　ｔ　Ｏ３に
ＴｉＯ□−ＭｇＯ５ｉｎ２系などの焼結促進剤が３．０
ｗｔ％、半導体化促進剤が０．０５〜２．０ｗｔ％、粒
成長制御剤を兼ねた固体電解質ＺｒＯ２を１．５ｗｔ％
、粒成長制御剤を兼ねた粒界空乏層形成剤が２．Ｑｗｔ
％添加され焼成されて得た本材料は優れたバリスタ特性
及び誘電体特性を示し、高静電容量バリスタとして使用
できる。これらのデバイスに用いられている材料の電気
特性は、はぼ第１の実施例の材料と等しい。

（実施例４） 実施例１の粒界空乏層形成剤５ｒ（Ｃｕ＋／：＋Ｎ　ｂ
ｚ／ｚ）　Ｏｓ　（０．１〜６．０　ｗ　ｔ％）に代え
て粒界空乏層形成剤Ｓ　ｒ　（Ｃｕ　１／３Ｔ　ａ２／
３）　０３（０．１〜６．０ｗｔ％）を使用したもので
あり、その他の材料、焼結促進剤等の材料の製造方法を
含む製造方法および測定方法も実施例１と同じである。

その測定結果を第４表に示す。

なお、粒成長制御剤を兼ねた粒界空乏層形成剤Ｓ　ｒ　
（Ｃｕ　１／３Ｔ　ａ２／３）　０３は市販のＳｒＣｏ
３Ｔａ２０５．ＣｕＯを混合し、１０００℃にて仮焼し
、粉砕して得た。

（以　下　余　白） 第４表より明らかなごとく、ＳｉＴｉＯ３に焼結促進剤
Ｔｉ０２−ＡＩ１２ｏ３−８ｉＯ２が０．１〜５、Ｑｗ
ｔ％、半導体化促進剤ＮｂｚＯｓが０．０５〜２．０ｗ
ｔ％、固体電解質ｚｒ０２が０．１〜１０．０ｗｔ％、
粒成長制御剤を兼ねた粒界空乏層形成剤Ｓ　ｒ　（Ｃｕ
　１／３Ｔ　ａ２／３）　０３が０．２〜５．０ｗｔ％
添加され焼成されて得た本材料は粒径が均一で極めて優
れたバリスタ特性を持ち、また高い誘電体特性を示し、
高静電容量バリスタとして使用できる。即ち顕微鏡観察
の結果、焼結体の微粒子は粒径がよくそろっていて平均
粒径は約６．０〜７．０μｍで、誘電体損失は２．０％
以下、見かけ誘電率は７０００以上であった。バリスタ
としての材料の立ち上がり電圧Ｖ、ｍＡは３５０〜５０
０ｖ／ｌ１１１で、Ｖ　Ｉｍ　Ａ　−Ｖ　ｏ　、　＋　
ｍ　Ａ　間における非直線抵抗指数αは殆ど１０以上の
値をとる。その他バリスタとしてのサージ耐量、高電流
域に於ける非直線抵抗特性を表す制限電圧比、立ち上が
り電圧Ｖ＋ｍＡの温度係数、静電容量の温度係数などの
測定を行ったが満足できる値を得た。

なお、焼結促進剤の添加量が５％を越えると焼結体が形
成したり、付着して実用的でない。

（実施例５） 実施例２の粒界空乏層形成剤５ｒ（Ｃｕ１／３Ｎｂｚ／
３）　０３　（０．４〜３．Ｏｗ　ｔ％）に代エテ粒界
空乏層形成剤Ｓ　ｒ　（Ｃｕ　１／３Ｔ　ａｚｙ３）　
０３（０．４〜４．０ｗｔ％）を、使用したものであり
、その他の材料、焼結促進剤等の材料の製造方法を含む
製造方法および測定方法も実施例２と同じである。その
測定結果を第５表に示す。なお、粒成長制御剤を兼ねた
粒界空乏層形成剤Ｓｒ（Ｃｕ　１／３Ｔ　ａ　２／３）
　Ｏ：ｌは市販のＳｒＣＯ３゜Ｔ　ａ２０ｓ、　Ｃｕ　
Ｏを混合し、９００℃にて仮焼し、粉砕して得た。

（以　　下　　余　　白） 第５表より明らかなごと＜、５ｒＴｉＯ，＋にＴ　ｉ　
０２−ＭｇＯ−３ｉ　Ｏ□などの主として高温度で液相
を形成する焼結促進剤が１．０ｗｔ％、半導体化促進剤
Ｙ２Ｏ３が０．４ｗｔ％、粒成長制御剤を兼ねた酸素良
導性固定電解質ＺｒＯ２を０．２〜８．０ｗｔ％、粒成
長制御剤を兼ねた粒界空乏層形成剤が０．４〜４．０ｗ
ｔ％添加され焼成されて得た本材料は極めて優れたバリ
スタ特性及び誘電体特性を示し、高静電容量バリスタと
して使用できる。これらのデバイスの材料の電気特性は
、はぼ第４の実施例の材料特性と等しい。

（実施例６） 実施例３の粒界空乏層形成剤Ｓ　ｒ　Ｏ，ｓＢ　ａｏ、
　＋ＣａＱ、Ｉ　（ＣＬｌ＋／：ＩＮ　ｂ２／＋）　０
３又は、５ｒｏ６Ｂａｏ、２Ｃａｏ、ｚ（Ｃｕ＋／３Ｎ
ｂ２／３）０３を２．０ｗｔ％添加することに代えて粒
界空乏層形成剤Ｓ　ｒｏ、ｓＢ　ａｏ、　＋Ｃａｏ、　
Ｉ　（Ｃｕ　１／３Ｔ　ａｚ／３）　０３またはＳＳ　
ｒＯ，６Ｂ　ａｏ、ｚｃ　ａｏ、２　（Ｃｕ　１／３Ｔ
　ａ２ｉ３）Ｏ３を２．０ｗｔ％添加し、また、粒成長
制御剤を兼ねた粒界空乏層形成剤は、市販のＳｒＣＯ３
゜ＢａＣｏ３．ＣａＣＯ３，ＴａｚＯｓ、ＣｕＯを混合
し、９００℃にて仮焼し、粉砕して得たものである。

なお、その他の材料、焼結促進剤等の材料の製造方法を
含む製造方法および測定方法も実施例３と同じである。

その測定結果を第６表に示す。

（以　　下　　余　　白） 第６表より明らかなごとく、ＳｒＴｉＯ３にＴ　ｉ　０
２−ＭｇＯ−８ｉ　０２系などの焼結促進剤が３．０ｗ
ｔ％、半導体化促進剤が０．０５〜２．０ｗｔ％、粒成
長制御剤を兼ねた固体電解質ＺｒＯ２を１．５ｗｔ％、
粒成長制御剤を兼ねた粒界空乏層形成剤が２．０ｗｔ％
添加され焼成されて得た本材料は優れたバリスタ特性及
び誘電体特性を示し、高静電容量バリスタとして使用で
きる。これらのデバイスの材料の電気特性は、はぼ第４
の実施例の材料特性と等しい。

（実施例７） 実施例１の粒界空乏層形成剤５ｒ（Ｃｕ＋ｙ３Ｎｂ２／
３）Ｏ３（０．１〜６．０ｗｔ％）に代えて粒界空乏層
形成剤Ｓ　ｒ　（Ｃｏ＋／３Ｎｂ２ｚ＋）　Ｏ：１（０
．１〜Ｂ、０ｗｔ％）を、使用したものであり、その他
の材料、焼結促進剤等の材料の製造方法を含む製造方法
および測定方法も実施例１と同じである。その測定結果
を第７表に示す。なお、粒成長制御剤を兼ねた粒界空乏
層形成剤Ｓｒ（Ｃｏ　Ｉ／３Ｎ　ｂ　２／ｌ）　Ｏｓは
重版の５ｒＣＯ：ｒ。

Ｎｂ２Ｏ５，ＣｕＯを混合し、１０００℃にて仮焼し、
粉砕して得た。

（以　　下　　余　　白） 第７表より明らかなごとく、ＳｒＴｉＯ３に焼結促進剤
Ｔ　ｉ　０２−Ａｊ！２０：＋　　Ｓ　ｉｏｚが０．１
〜５．０ｗｔ％、半導体化促進剤Ｎｂ２Ｏ５が０．０５
〜２．０ｗｔ％、固体電解質ＺｒＯ２が０．１〜１０．
０ｗｔ％、粒成長制御剤を兼ねた粒界空乏層形成剤Ｓ　
ｒ　（Ｃｏ＋／：＋Ｎｂｚｚ３）　Ｏ：＋が０．２〜６
、Ｑｗｔ％添加され焼成されて得た本材料は粒径が均一
で極めて優れたバリスタ特性を持ち、また高い誘電体特
性を示し、高静電容量バリスタとして使用できる。即ち
顕微鏡観察の結果、焼結体の微粒子は粒径がよくそろっ
ていて約８μｍで、誘電体損失は３．０％以下、見かけ
誘電率は８００．０００以上であった。バリスタとして
の材料の立ち上がり電圧Ｖ　＋　ｍ　Ａ　ハ３００〜４
００　Ｖ　／　ｍｍ　テ、Ｖ　Ｉｍ　Ａ　−Ｖ　ｏＩｍ
　Ａ間における非直線抵抗指数αは殆ど１０以上の値を
とる。その他のバリスタとしてのサージ耐量、高電流域
に於ける非直線抵抗特性を表す制御電圧比、立ち上がり
電圧Ｖ１ｍＡの温度係数、静電容量の温度係数などの測
定を行ったが満足できる値を得た。

なお、焼結促進剤の添加量が５％を越えると焼結体が変
形したり、付着して実用的でない。

（実施例８） 実施例２の粒界空乏層形成剤５ｒ（Ｃｕ１７３Ｎ　ｂｚ
／３）　０３　（０．４〜３．０ｗｔ％）に代えて粒界
空乏層形成剤５ｒ（ＣｏＩ／３Ｎｂ２／３）Ｏ３（０．
４〜４．０ｗｔ％）を、その他の材料、焼結促進剤等の
材料の製造方法を含む製造方法および測定方法も実施例
２と同じである。その測定結果を第８表に示す。

なお、粒成長制御剤を兼ねた粒界空乏層形成剤Ｓ　ｒ　
（Ｃｏ　１／３Ｎ　ｂ２．ｚ３）　Ｏ：ｌは市販の５ｒ
ＣＯ：＋。

Ｎ　ｂｚ０５．　ＣＯＯを混合し、９００℃にて仮焼し
、粉砕して得た。

（以　下　余　白） 第８表より明らかなごとく、ＳｒＴｉＯ３にＴ　ｉ　０
２−Ｍｇ０−Ｓ　ｊ　Ｏｚなどの生きして高温度で液相
を形成する焼結促進剤が１，０ｗｔ％、半導体化促進剤
Ｙ２Ｏ３が０．４ｗｔ％、粒成長制御剤を兼ねた酸素良
導性固体電解質ＺｒＯ□を０．２〜８．０ｗｔ％、粒成
長制御剤を兼ねた粒界空乏層形成剤が０．４〜４．０ｗ
ｔ％添加され焼成されて得た本材料は極めて優れたバリ
スタ特性及び誘電体特性を示し、高静電容量バリスタと
して使用できる。これらのデバイスに用いられている材
料の電気特性は、はぼ第７の実施例の材料と等しい。

（実施例９） 実施例３の粒界空乏層形成剤Ｓ　ｒｏ、ａＢ　ａｏ、　
ＩＣａｏ、＋　ＣＣｕ＋／３Ｎｂ２／３）Ｏ３又は、Ｓ
ｒｏ、ａＢ　　ａｏ　　２　ｃ　　ａｏ、ｚ　　（Ｃｕ
　　１／３Ｎ　　ｂｚ／３）　　０３　を　２．０ｗｔ
％添加することに代えて粒界空乏層形成剤Ｓ　　ｒｏ、
ｓＢ　　ａｏ、　　２　ｃ　　ａｏ、２　　（Ｃｏ　　
１／３Ｎ　　ｂ　　２／３）Ｏ　３又は、Ｓ　ｒｏ、ｓ
Ｂ　ａｏ、＋ｃ　ａｏ、ｌ　（Ｃｏ１／３Ｎ　ｂ２／３
）Ｏ３を２，０ｗｔ％添加し、また、粒成長制御剤を兼
ねた粒界空乏層形成剤は市販のＳｒＣＯ３゜ＢａＣＯ３
，ＣａＣ０．＋、Ｎｂ２Ｏ５，ＣｏＯを混合し、９００
℃にて仮焼し、粉砕して得たものである。

なお、その他の材料、焼結促進剤等の材料の製造方法を
含む製造方法および測定方法も実施例３と同じである。

その測定結果を第９表に示す。

（以　下　余　白） 第９表より明らかなごとく、５ｒＴｉ０３にＴ　ｉｏ２
−ＭｇＯ−Ｓ　ｉ０２系などの焼結促進剤が３、Ｑｗｔ
％、半導体化促進剤が０．０５〜２，０ｗｔ％、粒成長
制御剤を兼ねた固体電解質ＺｒＯ２を１，５ｗｔ％、粒
成長制御剤を兼ねた粒界空乏層形成剤が２．０ｗｔ％添
加され焼成されて得た本材料は優れたバリスタ特性及び
誘電体特性を示し、高静電容量バリスタとして使用でき
る。これらのデバイスに用いられている材料の電気特性
は、はぼ第７の実施例の材料と等しい。

（実施例１０） 実施例１の粒界空乏層形成剤５ｒ（Ｃｕ＋／＋Ｎ　ｂｚ
ｚ３）　０３　（０．１〜５．Ｑｗｔ％）に代えて粒界
空乏層形成剤Ｓ　ｒ　（Ｃｏ１／３Ｔ　ａ２／３）　０
３（０．１〜８．Ｑｗｔ％）を使用したものであり、そ
の他の材料、焼結促進剤等の材料の製造方法を含む製造
方法および測定方法も実施例１と同じである。その測定
結果を第１０表に示す。

なお、粒成長制御剤を兼ねた粒界空乏層形成剤Ｓ　ｒ　
（Ｃｏ１／３Ｔ　ａ２／３）　　０３は市販のＳ　ｒ　
ＣＯ３１Ｔａ２０ｓ、Ｃｏｏを混合し、１０００℃にて
仮焼し、粉砕して得た。

（以　　下　　余　　白） 第１０表より明らかなごとく、ＳｉＴｉＯ３に焼結促進
剤ＴｉＯ２Ａ１２０３−９ｉＯｚが０．１〜５．０ｗｔ
％、半導体化促進剤Ｎ　ｂ　２０５が０．０５〜２　、
　Ｏｗ　ｔ％、固体電解質ＺｒＯ２が０．１〜１０．０
ｗｔ％、粒成長制御剤を兼ねた粒界空乏層形成剤Ｓ　ｒ
　（Ｃｏ１／３Ｔ　ａ２／３）　０３が０．２〜７．０
ｗｔ％添加され焼成されて得た本材料は粒径が均一で極
めて優れたバリスタ特性を持ち、また高い誘電体特性を
示し、高静電容量バリスタとして使用できる。即ち顕微
鏡観察の結果、焼結体の微粒子は粒径がよくそろってい
て平均粒径は約７．０〜８．０μｍで、誘電体損失は２
．０％以下、見かけ誘電率は７０００以上であった。バ
リスタとしての材料の立ち上がり電圧Ｖ、ｍＡは３００
〜４００Ｖ／ｍｎ＋で、Ｖ＋ｍＡ〜Ｖｏ、＋ｍＡ間にお
ける非直線抵抗指数αは殆ど１０以上の値をとる。その
他バリスタとしてのサージ耐量、高電流域に於ける非直
線抵抗特性を表す制限電圧比、立ち上がり電圧Ｖ、ｍＡ
の温度係数、静電容量の温度係数などの測定を行ったが
満足できる値を得た。

なお、焼結促進剤の添加量が５％を越えると炉詰体が変
形したり、付着して実用的でない。

（実施例１１） 実施例２の粒界空乏層形成剤５ｒ（Ｃｕ＋／：＋Ｎｂ２
／３）　０３　（０．４〜３．０ｗｔ％）に代えて料界
空乏層形成剤Ｓ　ｒ　（Ｃｏ　Ｉ／３Ｔ　ａ２ｚ３）　
０３（０．４〜６．０ｗｔ％）を、その他の材料、焼Ｖ
促進剤等の材料の製造方法を含む製造方法およＯ測定方
法も実施例２と同じである。その測定結抹を第１１表に
示す。

なお、粒成長制御剤を兼ねた粒界空乏層形成剤Ｓ　ｒ　
（Ｃｏ１／３Ｔ　ａｚ／ａ）　０３は市販のＳｒＣＯ３
゜Ｔ　ａ２０ｓ＋　Ｃｏ　Ｏを混合し、９００℃にて仮
焼し、粉砕して得た。

（以　下　余　白） 第１１表より明らかなごと＜　、Ｓ　ｒ　Ｔ　ｉＯ３に
Ｔ　ｉ　０２−ＭｇＯ−５ｉ　０２などの主として高温
度で液相を形成する焼結促進剤が１，０ｗｔ％、半導体
化促進剤Ｙ２Ｏ３がＯ１４ｗ　ｔ％、粒成長制御剤を兼
ねた酸素良導性固体電解質ｚｒＯ２を０．２〜８．０ｗ
ｔ％、粒成長制御剤を兼ねた粒界空乏層形成剤が０．４
〜６，０ｗｔ％添加され焼成されて得た本材料は極めて
優れたバリスタ特性及び誘電体特性を示し、高静電容量
バリスタとして使用できる。これらのデバイスの材料の
電気特性は、はぼ第１０の実施例の材料特性と等しい。

（実施例１２） 実施例３の粒界空乏層形成剤Ｓｒｏ、５Ｂａｏ、＋Ｃａ
　ｏｌ（Ｃｕ　１／３Ｎ　ｂ　２／３）　０３又は、Ｓ
ｒｏ、６Ｂ　ａｏ、２ｃ　ａｏ、２　ｃｃ　ｕ　１／３
Ｎ　ｂ２／３）　０３を２．０ｗｔ％添加することに代
えて粒界空乏層形成剤Ｓ　ｒｏ、ａＢ　ａｏ、＋ｃ　ａ
ｏ、＋　（Ｃｏ１／ＩＩＴ　ａ２／３）Ｏ３または、Ｓ
　ｒｏ、ａＢ　ａｏ２ｃ　ａｏ２（Ｃｏ１／３Ｔ　ａ２
ｚ３）Ｏ３を２．０ｗｔ％添加し、また、粒成長制御剤
を兼ねた粒界空乏層形成剤は、市販のＳｒＣＯ３゜Ｂａ
ＣＯ５，ＣａＣ０：＋、ＴａｚＯｓ、ＣＯＯを混合し、
９００℃にて仮焼し、粉砕して得たものである。

なお、その他の材料、焼結促進剤等の材料の製造方法を
含む製造方法および測定方法も実施例３と同じである。

その測定結果を第１２表に示す。

（以　　下　　余　　白） 第１２表より明らかなごとく、５ｒＴｉ０３にＴ　ｉ　
０２−Ｍｇ０−Ｓ　ｉ　Ｏ２系などの焼結促進剤が３．
０ｗｔ％、半導体化促進剤が０．０５〜２．０ｗｔ％、
粒成長制御剤を兼ねた固体電解質ＺｒＯ２を１，５ｗｔ
％、粒成長制御剤を兼ねた粒界空乏層形成剤が２．Ｑｗ
ｔ％添加され焼成されて得た本材料は優れたバリスタ特
性及び誘電体特性を示し、高静電容量バリスタとして使
用できる。これらのデバイスの材料の電気特性は、はぼ
第１０の実施例の材料特性と等しい。

（実施例１３） 実施例１の粒界空乏層形成剤５ｒ（Ｃｕ１／３Ｎｂ２／
３）Ｏ３（０．１〜６，０ｗｔ％）に代えて粒界空乏層
形成剤Ｓ　ｒ　（Ｃｕ＋、ｚｚＷ＋／２）　０３　（０
．１〜６．０ｗｔ％）を使用したものであり、その他の
材料、焼結促進剤等の材料の製造方法を含む製造方法お
よび測定方法も実施例１と同じである。

その測定結果を第１３表に示す。なお、粒成長制御剤を
兼ねた粒界空乏層形成剤Ｓｒ（Ｃｕ１／２Ｗ１／２）Ｏ
３は市販のＳ　ｒｃＯ３，ＷＯ３，ＣｕＯを混合し、１
０００℃にて仮焼し、粉砕して得た。

（以　　下　　余　　白） 第１３表より明らかなごと＜　、Ｓ　ｒ　Ｔ　ｉｏ　３
　に焼結促進剤Ｔ　ｉ　０２−Ａｌ２Ｏ３Ｓ　ｉ　Ｏ２
が０．１〜５．Ｑｗｔ％、半導体化促進剤Ｎ　ｂ　２０
　ｓが０．０５〜２，０ｗｔ％、固体電解質ＺｒＯ２が
０．１〜１０．０ｗｔ％、粒成長制御剤を兼ねた粒界空
乏層形成剤Ｓ　ｒ　（Ｃｕ　１／２Ｗ＋／２）　０３が
０．２〜５．０ｗｔ％添加され焼成されて得た本材料は
粒径が均一で極めて優れたバリスタ特性を持ち、また高
い誘電体特性を示し、高静電容量バリスタとして使用で
きる。即ち顕微鏡観察の結果、焼結体の微粒子は粒径が
よくそろっていて約５．０〜６．０μｍで、誘電体損失
は２．０％以下、見かけ誘電率は５５００以上であった
。バリスタとしての材料の立ち上がり電圧Ｖ＋　ｍＡは
４５０〜６５０Ｖ／ｎｙｎで、Ｖ＋ｍＡ−Ｖｏ、＋ｍＡ
間における非直線抵抗指数αは殆ど１０以上の値をとる
。その他のバリスタとしてのサージ耐量、高電流域に於
ける非直線抵抗特性を表す制限電圧比、立ち上がりＶｌ
　ｍＡの温度係数、静電容量の温度係数などの測定を行
ったが満足できる値を得た。

なお、焼結促進剤の添加量が５％を越えると焼結体が変
形したり、付着して実用的でない。

（実施例１４） 実施例２の粒界空乏層形成剤５ｒ（Ｃｕ＋ｙ３Ｎｂｚ／
３）０３　（０．４〜３．０ｗｔ％）に代えて粒界空乏
層形成剤Ｓ　ｒ　（Ｃｕ　１／２Ｗ＋／２）　０３　（
０．４〜４．０ｗｔ％）を、その他の材料、焼結促進剤
等の材料の製造方法を含む製造方法および測定方法も実
施例２と同じある。その１１１１１定結果を第１４表に
示す。

なお、粒成長制御剤を兼ねた粒界空乏層形成剤Ｓ　ｒ　
（Ｃｕ　１／２Ｗ＋／２）　０３は市販のＳ　ｒ　ＣＯ
３１ＷＯ３、Ｃｕ　Ｏを混合し、９００℃にて仮焼し、
粉砕して得た。

（以　　下　　余　　白） 第１４表より明らかなごとく、Ｓ　ｒ　Ｔ　ｉ　Ｏ３に
Ｔ　ｉｏｚ−ＭｇＯ−３ｉｏ２などノ主とシテ高温度で
液相を形成する焼結促進剤が１．０ｗｔ％、半導体化促
進剤Ｙ　２０３が０．４ｗｔ％、粒成長制御剤を兼ねた
酸素良導性固体電解質ＺｒＯ２を０．２〜８．０ｗｔ％
、粒成長制御剤を兼ねた粒界空乏層形成剤が０．４〜４
．０ｗｔ％添加され焼成されて得た本材料は極めて優れ
たバリスタ特性及び誘電体特性を示し、高静電容量バリ
スタとして使用できる。これらのデバイスに用いられて
いる材料の電気特性は、はぼ第１３の実施例の材料と等
しい。

（実施例１５） 実施例３の粒界空乏層形成剤Ｓｒｏ、５Ｂａｏ、＋Ｃａ
ｏ、＋　（Ｃｕ＋／３Ｎｂｚ／＋）０３又は５Ｓｒｏ、
６Ｂａｏ２Ｃａｏ、ｚ　（Ｃｕ＋／：＋Ｎｂ２／３）０
３を２．０ｗｔ％添加することに代えて粒界空乏層形成
剤Ｓ　ｒＯ，ｓＢ　ａｏ、　＋Ｃａｏ、　＋（Ｃｕ−ｒ
７２Ｗ＋７２）０３又は１Ｓ　ｒｏ、ａＢ　ａｏ２ｃ　
ａｏ、ｚ　（Ｃｕ　１／２Ｗ＋／２）　０３を２、０　
ｗ　ｔ％添加し、また、粒成長制御剤を兼ねた粒界空乏
層形成剤は市販の５ｒＣＣ）＋。

ＢａＣＯ３，ＣａＣ０：＋、ＷＯ２，ＣｕＯを混合し、
９００℃にて仮焼し、粉砕して得たものである。

なお、その他の材料、焼結促進剤の材料の製造方法を含
む製造方法および測定方法も実施例３と同じである。そ
の測定結果を第１５表に示す。

（以　下　余　白） 第１５表より明らかなごとく、ＳｒＴｉＯ３にＴ　ｉ　
０２−ＭｇＯ−８ｉ　０２系などの焼結促進剤が３．０
ｗｔ％、半導体化促進剤が０．０５〜２．０ｗｔ％、粒
成長制御剤を兼ねた固体電解質Ｚｒ０ｚを１．５ｗｔ％
、粒成長制御剤を兼ねた粒界空乏層形成剤が２．０ｗｔ
％添加され焼成されて得た本材料は優れたバリスタ特性
及び誘電体特性を示し、高静電容量バリスタとして使用
できる。これらのデバイスに用いられている材料の電気
特性は、はぼ第１３の実施例の材料と等しい。

（実施例１６） 実施例１の粒界空乏層形成剤５ｒ（Ｃｕ１／３Ｎｂ２／
３）Ｏ３（０．１〜６゜０ｗｔ％）に代エテ粒界空乏層
形成剤Ｓ　ｒ　（Ｃｏ１／２Ｗ１／２）Ｏ３　（０．１
〜７．０ｗｔ％）を使用したものであり、その他の材料
、焼結促進剤等の材料の製造方法を含む製造方法および
測定方法も実施例１と同じである。その測定結果を第１
６表に示す。なお、粒成長制御剤を兼ねた粒界空乏層形
成剤５ｒ（ＣｏＩ２゜Ｗ１／２）０３は市販のＳ　ｒ　
Ｃ０３，ＷＯ３，ＣＯＯを混合し、 ０００℃にて仮焼し、粉砕して得た。

（以　　下　　余　　白） 第１６表より明らかなごとく、ＳｒＴｉＯ３に焼結促進
剤Ｔ　ｉ　０２　　Ａ　ｆ　２０３−　Ｓ　ｉ　０２が
０．１〜５．Ｑｗｔ％、半導体化促進剤Ｎｂ２Ｏ５が０
．０５〜２．０ｗｔ％、固体電解質ＺｒＯ２が０．１〜
１０．０ｗｔ％、粒成長制御剤を兼ねた粒界空乏層形成
剤Ｓ　ｒ　（Ｃｏ１／２Ｗ＋／２）　０．３が０．２〜
５．０ｗｔ％添加され焼成されて得た本材料は粒径が均
一で極めて優れたバリスタ特性を持ち、また高い誘電体
特性を示し、高静電容量バリスタとして使用できる。即
ち顕微鏡観察の結果、焼結体の微粒子は粒径がよくそろ
っていて約４．５〜５．５μｍで、誘電体損失は２．０
％以下、見かけ誘電率は５０００以上であった。バリス
タとしての材料の立ち上がり電圧Ｖ＋　ｍＡは５００〜
７００Ｖ／ｍｍで、Ｖ、ｍＡ　〜Ｖｏ、、ｍＡ間におけ
る非直線抵抗指数αは値をとる。その他のバリスタとし
てのサージ耐量、高電流域に於ける非直線抵抗特性を表
す制限電圧比、立ち上がり電圧Ｖ＋ｍＡの温度係数、静
電容量の温度係数などの測定を行ったが満足できる値を
得た。

なお、焼結促進剤の添加量が５％を越えると焼結体が変
形したり、付着して実用的でない。

（実施例１７） 実施例２の粒界空乏層形成剤５ｒ（Ｃｕｔ／３Ｎｂ２／
５）０３　（０．４〜３．０ｗｔ％）に代えて粒界空乏
層形成剤Ｓ　ｒ　（Ｃｏ１／２Ｗ＋／２）　０３　（０
．４〜４．０ｗｔ％）をその他の材料、焼結促進剤等の
材料の製造方法を含む製造方法および測定方法も実施例
２と同じである。その測定結果を第１７表に示す。

なお、粒成長制御剤を兼ねた粒界空乏層形成剤Ｓ　ｒ　
（Ｃｏ　Ｉ／３Ｗ２／３）　０３は市販のＳｒＣＯ３゜
ＷＯ３，ＣｏＯを混合し、９００℃にて仮焼し、粉砕し
て得た。

（以　　下　　余　　白） 第１７表より明らかなごとく、ＳｒＴｉＯ３にＴ　ｉ　
０２−Ｍｇ　Ｏ−Ｓ　ｉ　０２などの主として高温度で
液相を形成する焼結促進剤がｌ　、　Ｑ　ｗ　ｔ％、半
導体化促進剤Ｙ２Ｏ３が０．４ｗｔ％、粒成長制御剤を
兼ねた酸素良導性固体電解質Ｚｒ０ｚを０．２〜８．Ｑ
ｗｔ％、粒成長制御剤を兼ねた粒界空乏層形成剤が０．
４〜４．０ｗｔ％添加され焼成されて得た本材料は極め
て優れたバリスタ特性及び誘電体特性を示し、高静電容
量バリスタとして使用できる。これらのデバイスに用い
られている材料の電気特性は、はぼ第１６の実施例の材
料と等しい。

（実施例１８） 実施例３の粒界空乏層形成剤Ｓ　ｒｏ、ｓ　Ｂ　ａｏ、
＋Ｃａ　ｏ、　ｌ（Ｃｕ　１／３Ｎ　ｂ　２／３）　０
３又は、Ｓｒｏ、６ＢａＯ１２Ｃａｏ、２　（Ｃｕ　１
／３Ｎ　ｂｚ／３）　０３を２．０ｗｔ％添加すること
に代えて粒界空乏層形成剤Ｓ　ｒｏ、ｓＢ　ａｏ、　＋
Ｃａｏ、　＋（Ｃｏ　＋／ｉＷ１／２）Ｏ：＋又は１Ｓ
　ｒａ、ｅＢ　ａｏ、ｚｃ　ａａ、ｚ　（Ｃｏｔｙ２Ｗ
Ｉｙ２）　０３を２．０ｗｔ％添加し、また、粒成長制
御剤を兼ねた粒界空乏層形成剤は市販のＳｒＣＯ３゜Ｂ
ａＣＯ３，ＣａＣ０：＋　、ＷＯ３、ＣｏＯを混合し、
９００℃にて仮焼し、粉砕して得たものである。

なお、その他の材料、焼結促進剤等の材料の製造方法を
含む製造方法および測定方法も実施例３と同じである。

その測定結果を第１８表に示す。

（以　下　余　白） 第１８表より明らかなごと（，５ｒＴｉ０３　にＴ　ｉ
　０２−Ｍｇ０−Ｓ　ｉ　０２系などの焼結促進剤が３
．０ｗｔ％、半導体化促進剤が０．０５〜２．０ｗｔ％
、粒成長制御剤を兼ねた固体電解質ＺｒＯ２を１．５ｗ
ｔ％、粒成長制御剤を兼ねた粒界空乏層形成剤が２．０
ｗｔ％添加され焼成されて得た本材料は優れたバリスタ
特性及び誘電体特性を示し、高静電容量バリスタとして
使用できる。これらのデバイスに用いられている材料の
電気特性は、はぼ第１６の実施例の材料と等しい。

（実施例１９） 実施例１の粒界空乏層形成剤Ｓｒ（Ｃｕ１／２Ｎ　ｂ２
７３）　０３　（０．１〜６．０ｗ　ｔ％）に代えて粒
界空乏層形成剤Ｓ　ｒ　（Ｃｏ１／２Ｍ　Ｏ１／２）Ｏ
３　（０．１〜６，０ｗｔ％）を使用したものであり、
その他の材料、焼結促進剤等の材料の製造方法を含む製
造方法および測定方法も実施例１と同じである。

その測定結果を第１９表に示す。

なお、粒成長制御剤を兼ねた粒界空乏層形成剤Ｓ　ｒ　
（Ｃｏ　１／２Ｍ　Ｏ＋／２）　０３は市販の５ｒＣＯ
：＋。

Ｍ２Ｏ３，ＣＯＯを混合し、１０００℃にて仮焼し、粉
砕して得た。

（以　　下　　余　　白） 第１９表より明らかなごとく、ＳｒＴｉＯ３に焼結促進
剤Ｔ　ｉ　０２−Ａ１２０３−８　ｉ　０２が０．１〜
５．Ｑｗｔ％、半導体化促進剤Ｎ　ｂ　２０　ｓが０．
０５〜２．０ｗｔ％、固体電解質ＺｒＯ２が０．１〜１
０．０ｗｔ％、粒成長制御剤を兼ねた粒界空乏層形成剤
Ｓ　ｒ　（Ｃｏ　１／２Ｍ　Ｏ１／２）　０３が０．２
〜５．Ｑｗｔ％添加され焼成されて得た本材料は粒径が
均一で極めて優れたバリスタ特性を持ち、また高い誘電
体特性を示し、高静電容量バリスタとして使用できる。

即ち顕微鏡観察の結果、焼結体の微粒子は粒径がそろっ
ていて平均粒径は約９．０μｍ〜１０μｍで、誘電体損
失は５．０％以下、見かけ誘電率は１ｏｏｏｏ以上であ
った。バリスタとしての材料の立ち上がり電圧Ｖ＋　ｍ
Ａは２５０〜３５０Ｖ１０ｎで、Ｖ＋ｍＡ−＝Ｖｏ、＋
ｍＡ間における非直線抵抗指数αは殆ど１０以上の値を
とる。その他バリスタとしてのサージ耐量、高電流域に
於ける非直線抵抗特性を表す制限電圧比立ち上がり電圧
Ｖ、ｍＡの温度係数、静電容量の温度係数などの測定を
行ったが満足できる値を得た。

なお、焼結促進剤の添加量が５％を越えると焼結体が変
形したり、付着して実用的でない。

（実施例２０） 実施例２の粒界空乏層形成剤５ｒ（Ｃｕ＋／：＋Ｎｂ＋
７２）０３（０．４〜３，０ｗｔ％）に代えて粒界空乏
層形成剤Ｓ　ｒ　（Ｃｏ１／２Ｍ　Ｏ１／２）０３　（
０．４〜４．０ｗｔ％）を使用したものであり、その他
の材料、焼結促進剤等の材料の製造方法を含む製造方法
および測定方法も実施例２と同じである。

その測定結果を第２０表に示す。なお、粒成長制御剤を
兼ねた粒界空乏層形成剤Ｓｒ（６０１７２Ｍ　Ｏ！　／
２）　０３は市販のＳ　ｒｃＯ３、ＭｏＯ３。

Ｃｏｏを混合し、９００℃にて仮焼し、粉砕して得た。

（以　下　余　白） 第２０表より明らかなごとく、ＳｒＴｉＯ３にＴ　ｉ　
０２−ＭｇＯ−３ｉ　０２などの主として高温度で液相
を形成する焼結促進剤が１．０ｗｔ％、半導体化促進剤
Ｙ　２０３が０．４ｗｔ％、粒成長制御剤を兼ねた酸素
良導性固体電解質ＺｒＯ２を０．２〜８．０ｗｔ％、粒
成長制御剤を兼ねた粒界空乏層形成剤が０．４〜４．０
ｗｔ％添加され焼成されて得た本材料は極めて優れたバ
リスタ特性及び誘電体特性を示し、高静電容量バリスタ
として使用できる。これらのデバイスの材料の電気特性
は、はぼ第１９の実施例の材料特性と等しい。

（実施例２１） 実施例３の粒界空乏層形成剤Ｓｒｏ、８　Ｂ　ａｏ、＋
Ｃａｏ、＋　（Ｃｕ＋／：＋Ｎｂ２／３）Ｏ３又はｚＳ
ｒｏ、６Ｂ　ａｏ、ｚｃ　ａｏ、ｚ　（Ｃｕ　１／３Ｎ
　ｂｚ／３）　０３を２．０ｗｔ％添加することに代え
て粒界空乏層形成剤Ｓ　ｒ　ｏ、ｓＢ　ａｏ、　ＩＣａ
ｏ、　＋（Ｃｏ１／２Ｗ　Ｏ１／２）０３又は、Ｓ　ｒ
ｏ、ｓＢ　ａｏ、ｚｃ　ａｏ、ｚ（ＣｏＩ／２ＷＯ１／
２）０３を、２．０ｗｔ％添加し、また、粒成長制御剤
を兼ねた粒界空乏層形成剤は、市販の５ｒＣＯ３゜Ｂａ
ＣＯ３，ＣａＣＯ３，ＭＯ３、Ｃｏｏを混合し、９００
℃にて仮焼し、粉砕して得たものである。

なお、その他の材料、焼結促進剤等の材料の製造方法を
含む製造方法および測定方法も実施例３と同じである。

その測定結果を第２１表に示す。

（以　下　余　白） 第２１表より明らかなごとく、５ｒＴｉ０３にＴｉＯ２
−ＭｇＯ−ＳｉＯ２系などの焼結促進剤が３、Ｑｗｔ％
、半導体化促進剤が０．０５〜２．０ｗｔ％、粒成長制
御剤を兼ねた固体電解質Ｚｒ０ｚを１．５ｗｔ％、粒成
長制御剤を兼ねた粒界空乏層形成剤が２．０ｗｔ％添加
されて得た本材料は優れたバリスタ特性及び誘電体特性
を示し、高静電容量バリスタとして使用できる。これら
のデバイスの材料の電気特性は、はぼ第１９の実施例と
材料特性と等しい。

（実施例２２） 実施例１の粒界空乏層形成剤Ｓｒ（Ｃｕ１／３Ｎｂ２／
３）Ｏ３　（０．１〜６．０ｗｔ％）に代エテ粒界空乏
層形成剤Ｓｒ０・１／３Ｍｎ２０３・１／３ＭｏＯ３（
０．１〜１０．０ｗｔ％）を使用したものであり、その
他の材料、焼結促進剤等の材料の製造方法を含む製造方
法および測定方法も実施例１と同じである。その測定結
果を第２２表に示す。

なお、粒成長制御剤を兼ねた粒界空乏層形成剤Ｓｒ０・
１／３Ｍｎ２０３・１／３Ｍｏ０３は市販のＳｒＣＯ３
，ＭＯＯ３，ＭｎＣ０＋を混合し、１０００℃にて仮焼
し、粉砕して得た。

（以　下　余　白） 第２２表より明らかなごとく、５ｒＴｉＣ）＋　に焼結
促進剤Ｔｉ０ｚ−Ａｌ２Ｏ２−Ｓ　ｉ　０２が０．１〜
５．Ｑｗｔ％、半導体化促進剤Ｎ　ｂ　２０　ｓが０、
０５〜２．　Ｏｗ　ｔ％、固体電解質Ｚｒ０ｚが０．１
〜１０．０ｗｔ％、粒成長制御剤を兼ねた粒界空乏層形
成剤Ｓｒ０・１／３Ｍｎ２０３・１／３Ｍｏ０３が０．
２〜８．０ｗｔ％添加サレ焼成されす得た本材料は粒径
が均一で極めて優れたバリスタ特性を持ち、また高い誘
電体特性を示し、高静電容量バリスタとして使用できる
。即ち顕微鏡観察の結果、焼結体の微粒子は粒径がよく
そろっていて約９．０〜１０．５μｍで、誘電体損失は
３．０％以下、見かけ誘電率は１００００以上であった
。バリスタとしての材料の立ち上がり電圧Ｖ、ｍＡは３
００〜４００　Ｖ　／　ｍｍでＶ、ｍＡ〜Ｖ　ｏ、＋　
ｍ　Ａ間における非直線抵抗指数αは殆ど１０以上の値
をとる。その他のバリスタとしてのサージ耐量、高電流
域に於ける非直線抵抗特性を表す制限電圧比、立ち上が
り電圧Ｖ＋　ｍＡの温度係数、静電容量の温度係数など
の測定を行ったが満足できる値を得た。

なお、焼結促進剤の添加量が５％を越えると焼結体が変
形したり、付着して実用的でない。

（実施例２３） 実施例２の粒界空乏層形成剤Ｓｒ（Ｃｕ１／３Ｎｂｚ７
３）　０３　（０．４〜３．Ｑｗｔ％）に代えて粒界空
乏層形成剤Ｓ　ｒ　Ｏ・１　／　３　Ｍ　ｎ　ｚ　０３
　・１　／　３　Ｍ　ｏ　Ｏｙ　　（０、・４〜６．０
ｗｔ％）を使用したものであり、その他の材料、焼結促
進剤等の材料の製造方法を含む製造方法および測定方法
も実施例２と同じである。その測定結果を第２３表に示
す。

なお、粒成長制御剤を兼ねた粒界空乏層形成剤ＳｒＯ・
１／３Ｍｎ２０３・１／３ＭｏＯ３は市販のＳ　ｒ　Ｃ
Ｏ３，ＭＯ０３，ＭｎＣ０ａを混合し、９００℃にて仮
焼し、粉砕して得た。

（以　下　余　白） 第２３表より明らかなごとく、５ｒＴｉ０３　にＴ　ｉ
　Ｏ２−Ｍ　ｇ　Ｏ−Ｓ　ｉ　Ｏ２などの主として高温
度で液相を形成する焼結促進剤が１．０ｗｔ％、半導体
化促進剤Ｙ２Ｏ３が０．４ｗｔ％粒成長制御剤を兼ねた
酸素良導性固体電解質ｚｒＯ２を０．２〜８．０ｗｔ％
、粒成長制御剤を兼ねた粒界空乏層形成剤が０．４〜６
．０ｗｔ％添加され焼成されて得た本材料は極めて優れ
たバリスタ特性及び誘電体特性を示し、高静電容量バリ
スタとして使用できる。これらのデバイスに用いられて
いる材料の電気特性は、はぼ第２２の実施例の材料と等
しい。

（実施例２４） 実施例３の粒界空乏層形成剤３　ｒｏ、ＢＢ　ａｏ、、
＋Ｃａｏ、＋　（Ｃｕ１／３Ｎｂ２ｚ３）Ｏ３又は、Ｓ
ｒ０．ｅＢ　ａｏ、２ｃ　ａｏ、２　（Ｃｕ　＋／３Ｎ
、ｂｚ／３）　０３を２．０ｗｔ％添加することに代え
て粒界空乏層形成剤０．８Ｓｒ０・０゜ｌＢａＯ・０．
ｌＣａＯ・１　／　３　Ｍ　ｎ　２０３　”　１　／　
３　Ｍ　ＯＯ３又は０．６ＳｒＯ−０．２Ｂａ０・０．
２ＣａＯ・１／３Ｍｎ２０３・１　／　３　Ｍ　ｏ　Ｏ
３を２．０ｗｔ％添加し、また、粒成長制御剤を兼ねた
粒界空乏層形成剤は市販のＳ　ｒｃＯ３，ＢａＣＯ３，
ＣａＣＯ３，Ｍｏ５３゜ＭｎＣＯ３を混合し、９００℃
にて仮焼し、粉砕して得たものである。

なお、その他の材料、焼結促進剤等の材料の製造方法を
含む製造方法および測定方法も実施例３と同じである。

その測定結果を第２４表に示す。

（以　下　余　白） 第２４表より明らかなごとく、５ｒＴｉ０３　にＴ　ｉ
　０２−ＭｇＯ−８ｉ　０２系などの焼結促進剤が３、
Ｑｗｔ％、半導体化促進剤が０．０５〜２．０ｗｔ％、
粒成長制御剤を兼ねた固体電解質ＺｒＯ２を１．５ｗｔ
％、粒成長制御剤を兼ねた粒界空乏層形成剤０．８Ｓｒ
Ｏ・０．ｌＢａＯ−０．ｌＣａＯ・１　／　３　Ｍ　ｎ
　２０３　・１　／　３　Ｍ　ｏ　Ｏ３又は０．６Ｓｒ
Ｏ−０．２ＢａＯ・０．２Ｃａ０・１／３Ｍｎ２０３・
１　／　３　Ｍ　ｏ　Ｏ３が２，０ｗｔ％添加され焼成
されて得た本材料は優れたバリスタ特性及び誘電体特性
を示し、バリスタ特性を有するコンデンサとして使用で
きる。これらのデバイスに用いられている材料の電気特
性は、はぼ第２２の実施例の材料と等しい。

なお、実施例２，３，５，６，８，９，１１゜１２．１
４，１５，１７．１８．２０．２１゜２３．２４におい
て、ＳｒＴｉＯ３に焼結促進剤。

半導体化促進剤９粒成長制御剤を兼ねた酸素良導性固体
電解質および、粒成長制御剤を粒界空乏層形成剤を添加
し、混合・加圧成型したのち、８００〜１５００℃にて
焼結と還元を施し、次に酸化雰囲気中９００〜１１５０
℃にて熱処理を行なった場合も、それぞれの実施例と同
様の結果が確認された。

また、実施例１，４，７，１０．１３，１６゜１９．２
２において、Ｓ　ｒ　Ｔ　ｉ　Ｏ３に焼結促進剤。

半導体化促進剤１粒成長制御剤を兼ねた酸素良導性固体
電解質および、粒成長制御剤を粒界空乏層形成剤を添加
し、混合・加圧したのち、大気中１２００〜１５００℃
にて焼成し、これを微粉砕して貴金属内部電極材料と交
互に層状に成型し、予め大気中１２５０〜１５００℃に
て焼成し、次に水素を含む還元雰囲気中８００〜１５０
０℃にて還元し、酸化雰囲気中９００〜１１５０℃にて
熱処理を行なった場合も、それぞれの実施例と同様の結
果が確認された。

発明の効果 以上のように、本発明によれば、チタン酸ストロンチウ
ム（ＳｒＴｉＯ３）を主成分とするペロブスカイト型酸
化物粉体に、主として混合物よりなり液相を形成する焼
結促進剤を０．１〜５．０ｗｔ％、主としてペロブスカ
イト相に固溶する半導体化促進剤を０．０５〜２．０ｗ
ｔ％、粒成長制御剤を兼ねた酸素良導性固体電解質Ｚｒ
０ｚを０．１〜１０ｔ　Ｏｗ　ｔ％、および粒成長制御
剤を兼ねた粒界空乏層形成剤を加えて混合して得た粉体
を加圧成型したのち、１２５０〜１５００℃における焼
結・還元工程を施し、酸化雰囲気中９００〜１１５０℃
にて熱処理を施し電極を形成すれば、あるいは前記粉体
を貴金属内部電極材料と交互に層状に成型したのち、１
２５０〜１５００℃における焼結・還元工程を施し、次
に酸化雰囲気中９００〜１１５０℃にて熱処理を施した
後外部電極を形成すれば、良導性のバリスタ特性を有す
るセラミックコンデンサを得ることができるという効果
が得られる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例による積層形のバリスタ特性
を有するセラミックコンデンサを示す概略図であり、第
２図は本発明の他の実施例による粒界バリスタ特性を有
する静電容量セラミックコンデンサを示す概略図である
。 １．４・・・・・・バリスタ特性を有するセラミックス
、２・・・・・・内部電極、３・・・・・・外部電極、
５・・・・・・電極、６・・・・・・リード線。

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. （１）チタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ＿３）を主
   成分とするペロブスカイト型酸化物粉体に、焼結促進剤
   （０．１〜５．０ｗｔ％）、主としてペロブスカイト相
   に固溶する半導体化促進剤（０．０５〜２．０ｗｔ％）
   、粒成長制御剤を兼ねた酸素良導性固体電解質ＺｒＯ＿
   ２（０．１〜１０．０ｗｔ％）、および、粒成長制御剤
   を兼ねた粒界空乏層形成剤Ｓｒ（Ｃｕ＿１＿／＿３Ｎｂ
   ＿２＿／＿３）Ｏ＿３（０．２〜４．０ｗｔ％）を添加
   し、混合・加圧成型したのち、８００〜１５００℃にて
   焼結と還元を施し、次に酸化雰囲気中９００〜１１５０
   ℃にて熱処理を施し、電極を形成するバリスタ特性を有
   するセラミックコンデンサの製造方法。
2. （２）焼結促進剤，半導体化促進剤，粒成長制御剤を兼
   ねた粒界空乏層形成剤の内、少なくともそのいずれかで
   あり、それが焼結促進剤の場合は、少なくともＴｉＯ＿
   ２−ＭｇＯ−ＳｉＯ＿２系，ＴｉＯ＿２−ＭｎＯ−Ｓｉ
   Ｏ＿２系，ＴｉＯ＿２−Ａｌ＿２Ｏ＿３−ＳｉＯ＿２系
   のいずれかより選択され半導体化促進剤の場合は、少な
   くともＷＯ＿３，Ｎｂ＿２Ｏ＿５，Ｌａ＿２Ｏ＿３，Ｙ
   ＿２Ｏ＿２の内より選択してなる酸化物（０．０５〜２
   ．０ｗｔ％）であり、粒成長制御剤を兼ねた粒界空乏層
   形成剤の場合はＳｒ （Ｃｕ＿１＿／＿３Ｔａ＿２＿／＿３）Ｏ＿３（０．２
   〜５．０ｗｔ％）、Ｓｒ（Ｃｏ＿１＿／＿３Ｎｂ＿２＿
   ／＿３）Ｏ＿３（０．２〜６．０ｗｔ％）、Ｓｒ（Ｃｏ
   ＿１＿／＿３Ｔａ＿２＿／＿３）Ｏ＿３（０．２〜８．
   ０ｗｔ％、Ｓｒ（Ｃｕ＿１＿／＿２Ｗ＿１＿／＿２）Ｏ
   ＿３（０．２〜６．０ｗｔ％）、Ｓｒ（Ｃｏ＿１＿／＿
   ２Ｗ＿１＿／＿２）Ｏ＿３（０．２〜５．０ｗｔ％）、
   Ｓｒ（Ｃｏ＿１＿／＿２Ｍｏ＿１＿／＿２）Ｏ＿３（０
   ．２〜６．０ｗｔ％）、ＳｒＯ・１／３Ｍｎ＿２Ｏ＿３
   ・１／３ＭｏＯ＿３（０．２〜４．０ｗｔ％）、Ｓｒ＿
   １＿−＿ｘ＿−＿ｙＢａ＿ｘＣａ＿ｙ（Ｃｕ＿１＿／＿
   ３Ｎｂ＿２＿／＿３）Ｏ＿３（ただし、０＜ｘ＋ｙ≦１
   ）（０．２〜４．０ｗｔ％）、Ｓｒ＿１＿−＿ｘ＿−＿
   ｙＢａ＿ｘＣａ＿ｘ（Ｃｕ＿１＿／＿３Ｔａ＿２＿／＿
   ３）Ｏ＿３（ただし、０＜ｘ＋ｙ≦１）（０．２〜５．
   ０ｗｔ％）、Ｓｒ＿１＿−＿ｘ＿−＿ｙＢａ＿ｘＣａ＿
   ｘ（Ｃｏ＿１＿／＿３Ｎｂ＿２＿／＿３）Ｏ＿３（ただ
   し、０＜ｘ＋ｙ≦１）（０．２〜６．０ｗｔ％）、Ｓｒ
   ＿１＿−＿ｘ＿−＿ｙＢａ＿ｘＣａ＿ｘ（Ｃｏ＿１＿／
   ＿３Ｔａ＿２＿／＿３）Ｏ＿３（ただし、０＜ｘ＋ｙ≦
   １）（０．２〜７．０ｗｔ％）、Ｓｒ＿１＿−＿ｘ＿−
   ＿ｙＢａ＿ｘＣａ＿ｘ（Ｃｕ＿１＿／＿２Ｗ＿１＿／＿
   ２）Ｏ＿３（ただし、０＜ｘ＋ｙ≦１）（０．２〜６．
   ０ｗｔ％）、Ｓｒ＿１＿−＿ｘ＿−＿ｙＢａ＿ｘＣａ＿
   ｘ（Ｃｏ＿１＿／＿２Ｗ＿１＿／＿２）Ｏ＿３（ただし
   、０＜ｘ＋ｙ≦１）（０．２〜５．０ｗｔ％）、Ｓｒ＿
   １＿−＿ｘ＿−＿ｙＢａ＿ｘＣａ＿ｘ（Ｃｏ＿１＿／＿
   ３Ｍｏ＿２＿／＿３）Ｏ＿３（ただし、０＜ｘ＋ｙ≦１
   ）（０．２〜５．０ｗｔ％）、（１−Ｘ−Ｙ）ＳｒＯ・
   ＸＢａＯ・ ＹＣａＯ・１／３Ｍｎ＿２Ｏ＿３・１／３ＭｏＯ＿３（
   ただし、０＜ｘ＋ｙ≦１）（０．２〜５．０ｗｔ％）の
   いずれかより選択されて添加される請求項１記載のバリ
   スタ特性を有するセラミックコンデンサの製造方法。
3. （３）チタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ＿３）を主
   成分とするペロブスカイト型酸化物粉体に、焼結促進剤
   （０．１〜５．０ｗｔ％），半導体化促進剤（０．０５
   〜２．０ｗｔ％），粒径制御剤を兼ねた固体電解質Ｚｒ
   Ｏ＿２（０．１〜１０．０ｗｔ％）、および粒界空乏層
   形成剤兼粒径制御剤Ｓｒ（Ｃｕ＿１＿／＿３Ｎｂ＿２＿
   ／＿３）Ｏ＿３（０．２〜４．０ｗｔ％）を添加し、混
   合・加圧したのち、大気中１２００〜１５００℃にて焼
   成し、これを微粉砕して貴金属内部電極材料と交互に層
   状に成型し、予め大気中１２５０〜１５００℃にて焼成
   し、次に水素を含む還元雰囲気中８００〜１５００℃に
   て還元し、次に酸化雰囲気中９００〜１１５０℃にて熱
   処理を施す積層状のバリスタ特性を有するセラミックコ
   ンデンサの製造方法。
4. （４）少なくとも粒成長制御剤を兼ねた粒界空乏層形成
   剤として、Ｓｒ（Ｃｕ＿１＿／＿３Ｔａ＿２＿／＿３）
   Ｏ＿３（０．２〜５．０ｗｔ％）、（Ｃｏ＿１＿／＿３
   Ｎｂ＿２＿／＿３）Ｏ＿３（０．２〜６．０ｗｔ％）、
   Ｓｒ（Ｃｏ＿１＿／＿３Ｔａ＿２＿／＿３）Ｏ＿３（０
   ．２〜７．０ｗｔ％）、Ｓｒ（Ｃｕ＿１＿／＿２Ｗ＿１
   ＿／＿２）Ｏ＿３（０．２〜５．０ｗｔ％）、Ｓｒ（Ｃ
   ｏ＿１＿／＿２Ｗ＿１＿／＿２）Ｏ＿３（０．２〜５．
   ０ｗｔ％）、Ｓｒ（Ｃｏ＿１＿／＿２Ｍｏ＿１＿／＿２
   ）Ｏ＿３（０．２〜５．０ｗｔ％）、ＳｒＯ・１／３Ｍ
   ｎ＿２Ｏ＿３・１／３ＭｏＯ＿３（０．２〜８．０ｗｔ
   ％）のいずれかを添加してなる請求項３記載のバリスタ
   特性を有するセラミックコンデンサの製造方法。