JPS6364959A - 半導体磁器組成物 - Google Patents
半導体磁器組成物Info
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- JPS6364959A JPS6364959A JP61205071A JP20507186A JPS6364959A JP S6364959 A JPS6364959 A JP S6364959A JP 61205071 A JP61205071 A JP 61205071A JP 20507186 A JP20507186 A JP 20507186A JP S6364959 A JPS6364959 A JP S6364959A
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Landscapes
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- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体磁器コンデンサ、特に粒界絶縁形半導
体磁器コンデンサに適した５ｒＴｉＯｓ−ＣａＴｉＯｉ
−ＹｚＯｓ−Ｎｂ２Ｏ５系半導体磁器組成物に関するも
のである。
体磁器コンデンサに適した５ｒＴｉＯｓ−ＣａＴｉＯｉ
−ＹｚＯｓ−Ｎｂ２Ｏ５系半導体磁器組成物に関するも
のである。
従来の半導体磁器コンデンサは表面層形として還元再酸
化型、基層容量型があり、また粒界層形として粒界絶縁
型に大別される。
化型、基層容量型があり、また粒界層形として粒界絶縁
型に大別される。
しかし、これら各種半導体磁器コンデンサの中粒界絶縁
型は基層容量型に比べて各社の大きいものが得られず、
また還元再酸化型に比べて耐電圧が小さい。基層容量型
は周波数特性が悪く、誘電体損失ｔａｎδが大きく、耐
電圧が小さい。還元再酸化型は周波数特性が悪く温度特
性が大きく誘電耐損失ｔａｎδが大きい、という欠点が
夫々あった。
型は基層容量型に比べて各社の大きいものが得られず、
また還元再酸化型に比べて耐電圧が小さい。基層容量型
は周波数特性が悪く、誘電体損失ｔａｎδが大きく、耐
電圧が小さい。還元再酸化型は周波数特性が悪く温度特
性が大きく誘電耐損失ｔａｎδが大きい、という欠点が
夫々あった。
上記のように従来の各種半導体磁器コンデンサは夫々種
々の欠点があった。
々の欠点があった。
本発明は、半導体磁器コンデンサでも特に粒界絶縁形半
導体磁器コンデンサにおいて、誘電率４゜が高く、周波
数特性、温度特性が良好で、誘電体損失ｔａｎδが小さ
な半導体磁器組成物を得ようとするものである。すなわ
ち、主成分５ｒＴｉ０３に対して副成分としてＣａＴｉ
Ｏ３，ＭｎＯを添加することにより絶縁抵抗ＩＲの高い
半導体磁器組成物が、またさらにＳｉｎｇを添加するこ
とにより（ＳｒＯ＋Ｃａ０）／Ｔｉ０ｔ比の適正範囲を
広げることができたものである。
導体磁器コンデンサにおいて、誘電率４゜が高く、周波
数特性、温度特性が良好で、誘電体損失ｔａｎδが小さ
な半導体磁器組成物を得ようとするものである。すなわ
ち、主成分５ｒＴｉ０３に対して副成分としてＣａＴｉ
Ｏ３，ＭｎＯを添加することにより絶縁抵抗ＩＲの高い
半導体磁器組成物が、またさらにＳｉｎｇを添加するこ
とにより（ＳｒＯ＋Ｃａ０）／Ｔｉ０ｔ比の適正範囲を
広げることができたものである。
本発明は半導体磁器組成物として、（１００−Ｘ −ｙ
ｚ ） ・５ｒＴｉＯ：ｌを主成分とし、副成分とし
て、ｘ ・ＣａＴｉＯ３、ｙ −Ｙ２Ｏ２、ｚ−Ｎｂ２
Ｏ５を０．１≦Ｘ≦２．１）ｍｏｊ！％、０．１≦ｙ≦
０．４ ＋ｍｏ １％、０．１≦２≦０．４ ｍｏ １
％含有することを特徴とする（１００−ｘ−ｙ−ｚ）
・５ｒＴｉ０３＋ｘ −ＣａＴｉ０３＋ｙ −Ｙ＊Ｏ
ｓ＋ ｚ−Ｎｂ２Ｏ５系半導体磁器組成物を用いる。
ｚ ） ・５ｒＴｉＯ：ｌを主成分とし、副成分とし
て、ｘ ・ＣａＴｉＯ３、ｙ −Ｙ２Ｏ２、ｚ−Ｎｂ２
Ｏ５を０．１≦Ｘ≦２．１）ｍｏｊ！％、０．１≦ｙ≦
０．４ ＋ｍｏ １％、０．１≦２≦０．４ ｍｏ １
％含有することを特徴とする（１００−ｘ−ｙ−ｚ）
・５ｒＴｉ０３＋ｘ −ＣａＴｉ０３＋ｙ −Ｙ＊Ｏ
ｓ＋ ｚ−Ｎｂ２Ｏ５系半導体磁器組成物を用いる。
また前記主成分に対してマンガンをＭｎＯに換算して０
．０２〜０．２１１ｏ １２％含有すること、さらにこ
れら前記主成分に対してＳｉｎｇをＯ，０１＝０．１ｍ
ｏｆ％含有することを特徴とした半導体磁器組成物を用
いることができる。
．０２〜０．２１１ｏ １２％含有すること、さらにこ
れら前記主成分に対してＳｉｎｇをＯ，０１＝０．１ｍ
ｏｆ％含有することを特徴とした半導体磁器組成物を用
いることができる。
出発原料としてＳｒＣＯ３ＣａＣＯ３，ＴｉＯｘ、 Ｍ
ｎＣ０ｚ ５ｉｆｔおよび半導体化剤としてＹ富Ｏｓ、
Ｎｂ２Ｏ５を用い、第１表または第２表に示した配合
組成比となるように秤量し、これらの原料配合物を合成
樹脂ボールミルで、水、玉石を入れて湿式混合攪拌を２
０時間行う、その後脱水乾燥し、１２００℃、昇降温度
２００℃／ｈｒ 安定化２時間で仮焼成し、化学反応
を行わせた。これを再びボールミルで水、玉石を入れて
２０時間粉砕混合する。これを脱水乾燥して２重量％の
有機結合剤としてＰＶＡを添加し、造粒整粒を行い顆粒
粉末としこの粉末を約３ｔｏｎ／ｃａｌの成型圧力で１
０φＸ０．５ｔｍｍの円盤状に成形する。この成形物を
８００℃で１時間脱バインダし、これを還元気流中（Ｈ
□十Ｎ８雰囲気）において１４５０℃で約２時間本焼成
して半導体化する。こうして得られた半導体磁器素子は
８．５φＸ０．４ｔ＋ｎとなワており、これの両面に拡
散物質として１１１ｇ０３−ＣｕＯ系フリットペースト
を３■スクリーン印刷で塗布し、これを空気中で１１５
０℃で２時間焼成して結晶粒界に絶縁層の形成された半
導体磁器とする。この磁器素子の両面にＡｇベーストを
８００℃程度で焼付けて雪掻が形成された粒界絶縁形半
導体磁器組成物を得た。
ｎＣ０ｚ ５ｉｆｔおよび半導体化剤としてＹ富Ｏｓ、
Ｎｂ２Ｏ５を用い、第１表または第２表に示した配合
組成比となるように秤量し、これらの原料配合物を合成
樹脂ボールミルで、水、玉石を入れて湿式混合攪拌を２
０時間行う、その後脱水乾燥し、１２００℃、昇降温度
２００℃／ｈｒ 安定化２時間で仮焼成し、化学反応
を行わせた。これを再びボールミルで水、玉石を入れて
２０時間粉砕混合する。これを脱水乾燥して２重量％の
有機結合剤としてＰＶＡを添加し、造粒整粒を行い顆粒
粉末としこの粉末を約３ｔｏｎ／ｃａｌの成型圧力で１
０φＸ０．５ｔｍｍの円盤状に成形する。この成形物を
８００℃で１時間脱バインダし、これを還元気流中（Ｈ
□十Ｎ８雰囲気）において１４５０℃で約２時間本焼成
して半導体化する。こうして得られた半導体磁器素子は
８．５φＸ０．４ｔ＋ｎとなワており、これの両面に拡
散物質として１１１ｇ０３−ＣｕＯ系フリットペースト
を３■スクリーン印刷で塗布し、これを空気中で１１５
０℃で２時間焼成して結晶粒界に絶縁層の形成された半
導体磁器とする。この磁器素子の両面にＡｇベーストを
８００℃程度で焼付けて雪掻が形成された粒界絶縁形半
導体磁器組成物を得た。
このようにして得られた各試料の電気的特性を測定した
結果を第１表および第２表に示す、ここで誘電率Ｃ１お
よび誘電体損失ｔａｎδは周波数ＩＫＨｚ、ＩＶで測定
した。絶縁抵抗ＩＲは２５Ｖを印加して室温２０℃で測
定した。
結果を第１表および第２表に示す、ここで誘電率Ｃ１お
よび誘電体損失ｔａｎδは周波数ＩＫＨｚ、ＩＶで測定
した。絶縁抵抗ＩＲは２５Ｖを印加して室温２０℃で測
定した。
以下余白
第１表および第２表から明らかなように、本発明の範囲
内のものは、誘電率ε、が約７０，０００以上の高い値
を示し、誘電体損失ｔａｎδは０．３０〜０．７１％と
小さい値を示し、また絶縁抵抗ＩＲは高い値を示してい
る。次に、組成比の限定理由を述べる。
内のものは、誘電率ε、が約７０，０００以上の高い値
を示し、誘電体損失ｔａｎδは０．３０〜０．７１％と
小さい値を示し、また絶縁抵抗ＩＲは高い値を示してい
る。次に、組成比の限定理由を述べる。
副成分Ｙ２Ｏ３およびＮｂ、ｏ、のり独添加では誘電率
ε、の高い値を得ることができない（試料隘１゜２．６
，２Ｏ３２６）、またＹｔ（ｈとＮｂｚＯｓの複合添加
においても各０．１ ｓｏ １％未満では誘電率ε。
ε、の高い値を得ることができない（試料隘１゜２．６
，２Ｏ３２６）、またＹｔ（ｈとＮｂｚＯｓの複合添加
においても各０．１ ｓｏ １％未満では誘電率ε。
直流破壊電圧Ｅｂのアンプ効果が顕著でない（試料ｔｋ
３，４，５，２１．４０）、Ｙ２Ｏ５が０．４＋ｓｏｊ
！％を超えると誘電率Ｉｍが低くなる（試料隘４０゜４
１、 ４２） 、 Ｎｂ２Ｏ５が０．４ ｍｏ １％を
超えると直流破壊電圧Ｅｂが低くなる（試料嵐５，２５
．４２）ＣａＴｉＯｓが０．１ ｎｏ １％未満では絶
縁抵抗ＩＲのアップ効果が顕著でない。また２、０ｍｏ
１％を超えると誘電率ｅ、が低下する（試料ｆｆｉ？、
８．１２．１４゜１５．１９．２７．２８．３２．３４
．３５．３９）ＭｎＯが０．０２Ｉｌｏｆ％未満では絶
縁抵抗ＩＲのアップ効果が顕著でない、またＭｎＯが０
．２ ｇｏ ！！％を超えると誘電体損失ｔａｎδが高
くなり誘電率８ｓが低くなる（試料−２３，４３，４８
）−３ｉＯ宜が０．０１ｍａｉ１％未満では（ＳｒＯ＋
Ｃａｂ） ／ Ｔｉ０１比の適正範囲（０，００２）
が狭い（試料隘５０． ５１） −５ｉｆｔが０．１
ｎｏ １％を超えるとｖ！ｊ電率ε、が低くなる（試料
阻６５． ６６） −５ｉＯｚが０．０１〜０．１ ａ
ａｏ １％の範囲のときは（ＳｒＯ＋Ｃａ０）／ＴｉＯ
ｘ比の適正範囲（０，００４，０，００６）が広くなる
（試料尚５４．５５．５８，５９．６２．６３）。
３，４，５，２１．４０）、Ｙ２Ｏ５が０．４＋ｓｏｊ
！％を超えると誘電率Ｉｍが低くなる（試料隘４０゜４
１、 ４２） 、 Ｎｂ２Ｏ５が０．４ ｍｏ １％を
超えると直流破壊電圧Ｅｂが低くなる（試料嵐５，２５
．４２）ＣａＴｉＯｓが０．１ ｎｏ １％未満では絶
縁抵抗ＩＲのアップ効果が顕著でない。また２、０ｍｏ
１％を超えると誘電率ｅ、が低下する（試料ｆｆｉ？、
８．１２．１４゜１５．１９．２７．２８．３２．３４
．３５．３９）ＭｎＯが０．０２Ｉｌｏｆ％未満では絶
縁抵抗ＩＲのアップ効果が顕著でない、またＭｎＯが０
．２ ｇｏ ！！％を超えると誘電体損失ｔａｎδが高
くなり誘電率８ｓが低くなる（試料−２３，４３，４８
）−３ｉＯ宜が０．０１ｍａｉ１％未満では（ＳｒＯ＋
Ｃａｂ） ／ Ｔｉ０１比の適正範囲（０，００２）
が狭い（試料隘５０． ５１） −５ｉｆｔが０．１
ｎｏ １％を超えるとｖ！ｊ電率ε、が低くなる（試料
阻６５． ６６） −５ｉＯｚが０．０１〜０．１ ａ
ａｏ １％の範囲のときは（ＳｒＯ＋Ｃａ０）／ＴｉＯ
ｘ比の適正範囲（０，００４，０，００６）が広くなる
（試料尚５４．５５．５８，５９．６２．６３）。
本発明の（１００−ｘ−ｙ−ｚ）・５ｒＴｉＯｓ＋ｘ・
ＣａＴｉＯｓ ＋ ｙ−’１ｚｏｓ ＋ ｚ−ＮｂｚＯ
ｓ系半導体磁器組成物によると、主成分に対して、副成
分としてＣａＴｉＱｓ。
ＣａＴｉＯｓ ＋ ｙ−’１ｚｏｓ ＋ ｚ−ＮｂｚＯ
ｓ系半導体磁器組成物によると、主成分に対して、副成
分としてＣａＴｉＱｓ。
、 ＹｘＯｓおよびＮｂｚＯｓを複合添加（０，ｌＳ
Ｘ≦２．０゜０．１≦ｙ≦０．４，０．１≦２≦０．４
）することにより誘電率ε１．直流破壊電圧Ｅｂおよび
ε、・Ｅｂ積の高い半導体磁器組成物が得られるので磁
器コンデ、 ンサ素子の小形化が可能となり、即ち従来
１０φ素地で１０’ＰＦのものが８φ素地で製作できる
ようになった、また、周波数特性、温度特性および誘電
体損失も良好である。さらにＭｎＯを０．０２〜０、２
ｍｏ １％添加すると絶縁抵抗の高い半導体磁器組成
物が得られた。さらにまたＳｉＯを０．０１〜０、１
ｓｏ １％添加することにより（ＳｒＯ＋ Ｃａｂ）
／ Ｔ ｉＯ！比の適正範囲を拡大することができるの
で製造作業が容易となり量産が可能で製造コストの低下
を図ることができ工業上の利益が多大である。
Ｘ≦２．０゜０．１≦ｙ≦０．４，０．１≦２≦０．４
）することにより誘電率ε１．直流破壊電圧Ｅｂおよび
ε、・Ｅｂ積の高い半導体磁器組成物が得られるので磁
器コンデ、 ンサ素子の小形化が可能となり、即ち従来
１０φ素地で１０’ＰＦのものが８φ素地で製作できる
ようになった、また、周波数特性、温度特性および誘電
体損失も良好である。さらにＭｎＯを０．０２〜０、２
ｍｏ １％添加すると絶縁抵抗の高い半導体磁器組成
物が得られた。さらにまたＳｉＯを０．０１〜０、１
ｓｏ １％添加することにより（ＳｒＯ＋ Ｃａｂ）
／ Ｔ ｉＯ！比の適正範囲を拡大することができるの
で製造作業が容易となり量産が可能で製造コストの低下
を図ることができ工業上の利益が多大である。
Claims (4)
- （１）（１００−ｘ−ｙ−ｚ）・ＳｒＴｉＯ＿３を主成
分とし、副成分としてＣａＴｉＯ＿３を０．１〜２．０
ｍｏｌ％、イットリウムＹ＿２Ｏ＿３に換算して０．１
〜０．４ｍｏｌ％およびニオブをＮｂ＿２Ｏ＿５に換算
して０．１〜０．４ｍｏｌ％それぞれ含有することを特
徴とする（１００−ｘ−ｙ−ｚ）・ＳｒＴｉＯ＿３＋ｘ
・ＣａＴｉＯ＿３＋ｙ・Ｙ＿２Ｏ＿３＋ｚ・Ｎｂ＿２Ｏ
＿５系半導体磁器組成物。 - （２）前記主成分に対し、マンガンをＭｎＯに換算して
０．０２〜０．２ｍｏｌ％含有することを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載の半導体磁器組成物。 - （３）前記主成分に対し、ＳｉＯ＿２を０．０１〜０．
１ｍｏｌ％含有することを特徴とする特許請求の範囲第
２項記載の半導体磁器組成物。 - （４）前記主成分および副成分からなる組成を、成形焼
結してなる半導体磁器の粒界にＢｉが偏在していること
を特徴とする特許請求の範囲第１〜第３項のいずれか一
つの項記載の半導体磁器組成物。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61205071A JPS6364959A (ja) | 1986-09-02 | 1986-09-02 | 半導体磁器組成物 |
| US07/088,071 US4889837A (en) | 1986-09-02 | 1987-08-21 | Semiconductive ceramic composition |
| DE8787112285T DE3777930D1 (de) | 1986-09-02 | 1987-08-25 | Halbleitende keramische zusammensetzung. |
| EP87112285A EP0261419B1 (en) | 1986-09-02 | 1987-08-25 | Semiconductive ceramic composition |
| KR1019870009664A KR920003027B1 (ko) | 1986-09-02 | 1987-09-01 | 반도전성 세라믹 조성물 |
| CN87106154A CN1010352B (zh) | 1986-09-02 | 1987-09-02 | 半导体陶瓷的组成 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61205071A JPS6364959A (ja) | 1986-09-02 | 1986-09-02 | 半導体磁器組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6364959A true JPS6364959A (ja) | 1988-03-23 |
Family
ID=16500944
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61205071A Pending JPS6364959A (ja) | 1986-09-02 | 1986-09-02 | 半導体磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6364959A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010180116A (ja) * | 2009-02-09 | 2010-08-19 | Tdk Corp | 誘電体磁器組成物および電子部品 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57160961A (en) * | 1981-03-30 | 1982-10-04 | Murata Manufacturing Co | Intergranular insulation semiconductor ceramic composition |
| JPS5891602A (ja) * | 1981-11-26 | 1983-05-31 | 太陽誘電株式会社 | 電圧非直線磁器組成物 |
| JPS60136205A (ja) * | 1983-12-23 | 1985-07-19 | 松下電器産業株式会社 | 電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物 |
| JPS625609A (ja) * | 1985-07-02 | 1987-01-12 | 松下電器産業株式会社 | 電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物 |
-
1986
- 1986-09-02 JP JP61205071A patent/JPS6364959A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57160961A (en) * | 1981-03-30 | 1982-10-04 | Murata Manufacturing Co | Intergranular insulation semiconductor ceramic composition |
| JPS5891602A (ja) * | 1981-11-26 | 1983-05-31 | 太陽誘電株式会社 | 電圧非直線磁器組成物 |
| JPS60136205A (ja) * | 1983-12-23 | 1985-07-19 | 松下電器産業株式会社 | 電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物 |
| JPS625609A (ja) * | 1985-07-02 | 1987-01-12 | 松下電器産業株式会社 | 電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010180116A (ja) * | 2009-02-09 | 2010-08-19 | Tdk Corp | 誘電体磁器組成物および電子部品 |
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