JPS6364959A - 半導体磁器組成物 - Google Patents

半導体磁器組成物

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JPS6364959A
JPS6364959A JP61205071A JP20507186A JPS6364959A JP S6364959 A JPS6364959 A JP S6364959A JP 61205071 A JP61205071 A JP 61205071A JP 20507186 A JP20507186 A JP 20507186A JP S6364959 A JPS6364959 A JP S6364959A
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JP
Japan
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semiconductor ceramic
ceramic composition
mol
semiconductor
main component
Prior art date
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Pending
Application number
JP61205071A
Other languages
English (en)
Inventor
秀一 小野
板垣 秋一
正博 矢作
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TDK Corp
Original Assignee
TDK Corp
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Publication date
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Priority to US07/088,071 priority patent/US4889837A/en
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Priority to EP87112285A priority patent/EP0261419B1/en
Priority to KR1019870009664A priority patent/KR920003027B1/ko
Priority to CN87106154A priority patent/CN1010352B/zh
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  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
  • Ceramic Capacitors (AREA)
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体磁器コンデンサ、特に粒界絶縁形半導
体磁器コンデンサに適した5rTiOs−CaTiOi
−YzOs−Nb2O5系半導体磁器組成物に関するも
のである。
〔従来の技術〕
従来の半導体磁器コンデンサは表面層形として還元再酸
化型、基層容量型があり、また粒界層形として粒界絶縁
型に大別される。
しかし、これら各種半導体磁器コンデンサの中粒界絶縁
型は基層容量型に比べて各社の大きいものが得られず、
また還元再酸化型に比べて耐電圧が小さい。基層容量型
は周波数特性が悪く、誘電体損失tanδが大きく、耐
電圧が小さい。還元再酸化型は周波数特性が悪く温度特
性が大きく誘電耐損失tanδが大きい、という欠点が
夫々あった。
〔発明が解決しようとする問題点〕
上記のように従来の各種半導体磁器コンデンサは夫々種
々の欠点があった。
本発明は、半導体磁器コンデンサでも特に粒界絶縁形半
導体磁器コンデンサにおいて、誘電率4゜が高く、周波
数特性、温度特性が良好で、誘電体損失tanδが小さ
な半導体磁器組成物を得ようとするものである。すなわ
ち、主成分5rTi03に対して副成分としてCaTi
O3,MnOを添加することにより絶縁抵抗IRの高い
半導体磁器組成物が、またさらにSingを添加するこ
とにより(SrO+Ca0)/Ti0t比の適正範囲を
広げることができたものである。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明は半導体磁器組成物として、(100−X −y
z )  ・5rTiO:lを主成分とし、副成分とし
て、x ・CaTiO3、y −Y2O2、z−Nb2
O5を0.1≦X≦2.1)moj!%、0.1≦y≦
0.4 +mo 1%、0.1≦2≦0.4 mo 1
%含有することを特徴とする(100−x−y−z) 
 ・5rTi03+x −CaTi03+y −Y*O
s+ z−Nb2O5系半導体磁器組成物を用いる。
また前記主成分に対してマンガンをMnOに換算して0
.02〜0.211o 12%含有すること、さらにこ
れら前記主成分に対してSingをO,01=0.1m
of%含有することを特徴とした半導体磁器組成物を用
いることができる。
〔実施例〕
出発原料としてSrCO3CaCO3,TiOx、 M
nC0z 5iftおよび半導体化剤としてY富Os、
 Nb2O5を用い、第1表または第2表に示した配合
組成比となるように秤量し、これらの原料配合物を合成
樹脂ボールミルで、水、玉石を入れて湿式混合攪拌を2
0時間行う、その後脱水乾燥し、1200℃、昇降温度
200℃/hr  安定化2時間で仮焼成し、化学反応
を行わせた。これを再びボールミルで水、玉石を入れて
20時間粉砕混合する。これを脱水乾燥して2重量%の
有機結合剤としてPVAを添加し、造粒整粒を行い顆粒
粉末としこの粉末を約3ton/calの成型圧力で1
0φX0.5tmmの円盤状に成形する。この成形物を
800℃で1時間脱バインダし、これを還元気流中(H
□十N8雰囲気)において1450℃で約2時間本焼成
して半導体化する。こうして得られた半導体磁器素子は
8.5φX0.4t+nとなワており、これの両面に拡
散物質として111g03−CuO系フリットペースト
を3■スクリーン印刷で塗布し、これを空気中で115
0℃で2時間焼成して結晶粒界に絶縁層の形成された半
導体磁器とする。この磁器素子の両面にAgベーストを
800℃程度で焼付けて雪掻が形成された粒界絶縁形半
導体磁器組成物を得た。
このようにして得られた各試料の電気的特性を測定した
結果を第1表および第2表に示す、ここで誘電率C1お
よび誘電体損失tanδは周波数IKHz、IVで測定
した。絶縁抵抗IRは25Vを印加して室温20℃で測
定した。
以下余白 第1表および第2表から明らかなように、本発明の範囲
内のものは、誘電率ε、が約70,000以上の高い値
を示し、誘電体損失tanδは0.30〜0.71%と
小さい値を示し、また絶縁抵抗IRは高い値を示してい
る。次に、組成比の限定理由を述べる。
副成分Y2O3およびNb、o、のり独添加では誘電率
ε、の高い値を得ることができない(試料隘1゜2.6
,2O326)、またYt(hとNbzOsの複合添加
においても各0.1 so 1%未満では誘電率ε。
直流破壊電圧Ebのアンプ効果が顕著でない(試料tk
3,4,5,21.40)、Y2O5が0.4+soj
!%を超えると誘電率Imが低くなる(試料隘40゜4
1、 42) 、 Nb2O5が0.4 mo 1%を
超えると直流破壊電圧Ebが低くなる(試料嵐5,25
.42)CaTiOsが0.1 no 1%未満では絶
縁抵抗IRのアップ効果が顕著でない。また2、0mo
1%を超えると誘電率e、が低下する(試料ffi?、
8.12.14゜15.19.27.28.32.34
.35.39)MnOが0.02Ilof%未満では絶
縁抵抗IRのアップ効果が顕著でない、またMnOが0
.2 go !!%を超えると誘電体損失tanδが高
くなり誘電率8sが低くなる(試料−23,43,48
)−3iO宜が0.01mai1%未満では(SrO+
 Cab) / Ti01比の適正範囲(0,002)
が狭い(試料隘50. 51) −5iftが0.1 
no 1%を超えるとv!j電率ε、が低くなる(試料
阻65. 66) −5iOzが0.01〜0.1 a
ao 1%の範囲のときは(SrO+Ca0)/TiO
x比の適正範囲(0,004,0,006)が広くなる
(試料尚54.55.58,59.62.63)。
〔発明の効果〕
本発明の(100−x−y−z)・5rTiOs+x・
CaTiOs + y−’1zos + z−NbzO
s系半導体磁器組成物によると、主成分に対して、副成
分としてCaTiQs。
、  YxOsおよびNbzOsを複合添加(0,lS
X≦2.0゜0.1≦y≦0.4,0.1≦2≦0.4
)することにより誘電率ε1.直流破壊電圧Ebおよび
ε、・Eb積の高い半導体磁器組成物が得られるので磁
器コンデ、 ンサ素子の小形化が可能となり、即ち従来
10φ素地で10’PFのものが8φ素地で製作できる
ようになった、また、周波数特性、温度特性および誘電
体損失も良好である。さらにMnOを0.02〜0、2
 mo 1%添加すると絶縁抵抗の高い半導体磁器組成
物が得られた。さらにまたSiOを0.01〜0、1 
so 1%添加することにより(SrO+ Cab) 
/ T iO!比の適正範囲を拡大することができるの
で製造作業が容易となり量産が可能で製造コストの低下
を図ることができ工業上の利益が多大である。

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)(100−x−y−z)・SrTiO_3を主成
    分とし、副成分としてCaTiO_3を0.1〜2.0
    mol%、イットリウムY_2O_3に換算して0.1
    〜0.4mol%およびニオブをNb_2O_5に換算
    して0.1〜0.4mol%それぞれ含有することを特
    徴とする(100−x−y−z)・SrTiO_3+x
    ・CaTiO_3+y・Y_2O_3+z・Nb_2O
    _5系半導体磁器組成物。
  2. (2)前記主成分に対し、マンガンをMnOに換算して
    0.02〜0.2mol%含有することを特徴とする特
    許請求の範囲第1項記載の半導体磁器組成物。
  3. (3)前記主成分に対し、SiO_2を0.01〜0.
    1mol%含有することを特徴とする特許請求の範囲第
    2項記載の半導体磁器組成物。
  4. (4)前記主成分および副成分からなる組成を、成形焼
    結してなる半導体磁器の粒界にBiが偏在していること
    を特徴とする特許請求の範囲第1〜第3項のいずれか一
    つの項記載の半導体磁器組成物。
JP61205071A 1986-09-02 1986-09-02 半導体磁器組成物 Pending JPS6364959A (ja)

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US07/088,071 US4889837A (en) 1986-09-02 1987-08-21 Semiconductive ceramic composition
DE8787112285T DE3777930D1 (de) 1986-09-02 1987-08-25 Halbleitende keramische zusammensetzung.
EP87112285A EP0261419B1 (en) 1986-09-02 1987-08-25 Semiconductive ceramic composition
KR1019870009664A KR920003027B1 (ko) 1986-09-02 1987-09-01 반도전성 세라믹 조성물
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010180116A (ja) * 2009-02-09 2010-08-19 Tdk Corp 誘電体磁器組成物および電子部品

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57160961A (en) * 1981-03-30 1982-10-04 Murata Manufacturing Co Intergranular insulation semiconductor ceramic composition
JPS5891602A (ja) * 1981-11-26 1983-05-31 太陽誘電株式会社 電圧非直線磁器組成物
JPS60136205A (ja) * 1983-12-23 1985-07-19 松下電器産業株式会社 電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物
JPS625609A (ja) * 1985-07-02 1987-01-12 松下電器産業株式会社 電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57160961A (en) * 1981-03-30 1982-10-04 Murata Manufacturing Co Intergranular insulation semiconductor ceramic composition
JPS5891602A (ja) * 1981-11-26 1983-05-31 太陽誘電株式会社 電圧非直線磁器組成物
JPS60136205A (ja) * 1983-12-23 1985-07-19 松下電器産業株式会社 電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物
JPS625609A (ja) * 1985-07-02 1987-01-12 松下電器産業株式会社 電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010180116A (ja) * 2009-02-09 2010-08-19 Tdk Corp 誘電体磁器組成物および電子部品

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