JPS5992503A - 電圧依存非直線抵抗特性を有する半導体磁器物質 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

技術分野 本発明は電圧依存非直線抵抗器として良く知られている
パリスタン得ることが可能であり、更に詳細には、電圧
依存非直線抵抗特性を有すると共に誘電体特性ン有する
素子な形成することが可能な半導体磁器ｖＪ質に関する
。 従来技術 バリスタにコンデンサ馨並列接続して異常電圧の吸収又
は抑制を行うことは良く知られている。 ところで、バリスタとコンデンサとの両方の機能ン有す
る素子があれば、異常電圧吸収又は抑制の＋＝路の構成
ン簡１ｌ１８にすることが出来る。この種の要ｕＹ光足
することが可能なバリスタとして、５ｒＴｉＯｓＹ主成
分とするペロブスカイト（ｐｅｒｏｖｓｋｉｔｅ）構造
の半導体磁器′吻質を便用したバリスタが特開昭５７−
３５３０３号公報に開示されている。この磁器バリスタ
によれば、バリスタ機能とコンデンサ機Ｈ５との両方を
得ることが出来るので、異常電圧を良好に吸収又は抑Ｉ
！ｔｌｊることが可能であるが、電圧及び／又は電流の
サージによる劣ｆヒを更に少な（すれば、その利用範囲
が一層拡大するので１本件発明者は、特願昭５６−１１
４８７７号及び特願昭５７−１８４９６号で５ｒＴｉＯ
，を主成分とする半導体ａｉ器にＮａｔｏを添加してサ
ージによる劣ｆヒを少なくすることを提案した。また、
特願昭５６−７３４２５号及び特願昭５６−１８９５９
６号でバリスタ電圧、非１■線係数の温度特性の優れて
いるＳｒ　　−Ｃａ　’ＪｊＯｍ糸のバリスタを提案し
た。 （ｌｘ）ｘ 然しなから、上記のＳｒ’ｌ’ｉ０３又はＳｒ（１−ｘ
　）ｃａｘＴ　ＩＯｎを生成分とする磁器組成物によっ
て、バリスタ電圧

【立上り電圧】が高く且つ見かけの比
誘電率（以下単に比誘電率と呼ぶ）が大きいバリスタを
小型に形成することは困難であった。即ち、バリスタ電
圧は酸ｆｒ性雰囲気中での熱処理温度と一定の関係を有
し、この温度の上昇に追従して高（なるが、高いバリス
タ電圧を得るために、Ｍ処理温度を高くすると誘１！率
が小さくなり、大きな静電容量を得ることが出来なくな
る。従って、静電容量を太き（するためには、バリスタ
の一対の電極の対間面積を大きくしなければならず、必
然的にバリスタが大型になった。筐た％磁器基板の厚さ
を増大させれば、バリスタ電圧を高めることが出来るが
、静電容量が低下する。従って、ｒ９ｒ足の静電容量を
得るために電極対向面績の増大が必要になり、必然的に
バリスタが大型になった。 −万、バリスタ電圧が高く且つ静電容量が大きい小型の
バリスタが得られたとしても、電圧及び／又は電流のサ
ージに対して安定した電気特性を有していないと実際に
使用することは困難であるので、サージに対して耐える
バリスタが要求される。筐だ、バリスタの使用範囲を拡
大するためには、非直線係数の大きいバリスタが要求さ
れる。 発明の目的 そこで１本発明の目的は小型にして高いバリスタ電圧と
大きな静電容量即ち誘電率を得ることが可能な磁器物質
を提供することにある。本発明の別の目的はサージを印
加してもバリスタ電圧があブリ変ずヒしないバリスタを
得ることが可能な磁器物質を提供することにある。本発
明の更に別の目的はサージに対する電圧変ずと率が小さ
いと共に非直線係数が大きいバリスタを得ることが可能
な磁器物質を提供することにある。 発明の構成 上記目的を達成するだめの本願の第１番目の発明は、チ
タン酸バリウムスト０ンチウ””（１−ｘ）Ｂａ　Ｔｉ
０ａ　（但し０＜ｘ≦１）（以下第１成分と呼ぶ）を】
００モル部、酸１ヒニオブＮｈｔｏ、、酸ｆヒタンタル
Ｔａ、Ｏ，、酸１？タングステンＷＯａ、　酸ｆヒラン
タンＬａ＊Ｏｓ　ｓ酸ｆヒセリウムＣｅｎｔ、酸化ネオ
ジムＮｄｔＯｍ　。 １宜１ヒイットリウムＹｔＯｉ、酸１ヒプラセオジウム
ＰｒＩ！０１１％酸ｆｌ′サマリウムＳｍｔＯｓ　、　
ｔｌＲｆヒューロピウムＥｕ　２０ｇ％及び酸１ヒジス
プロシウムＤ　ｙｔ　Ｏｊの内の少ｔｃりとも１種の金
楓酸化物（以下第２成分と呼ぶ）を０．０　］　〜３．
００モル部、酸イヒナトリウムＮ　ａ、Ｑ（以下第３成
分と呼ぶ）を０．０２〜２．５０モル部営む電圧依存非
直線抵抗半導体磁器物質に係わるものである。 作用効果 上記本発明において第】成分は高い見掛けり比誘′！！
率を得ることが出来る磁器の主成分であり。 第２成分は主に半導体化に寄与する金桐酸化物であり、
第３成分は主にサージに対する劣ｆヒ防止に寄与する。 従って、第１．第２．及び第３を含む半導休出器でバリ
スタを作製すると、小型にして高いバリスタ電圧と大き
な静電容量が得られるばかりでなく、サージの印加に対
するバリスタ電圧の劣化が少なくなる。このため、特に
１００Ｖ以上の電の回路の保護用バリスタに最適なａｌ
器を提供することが出来る。 第２＠目の発明 本願の第２番目の発明は、第１番目の発明の磁器組成に
、更に、　Ｓｉｎ、及びＡｌｔｏｎの内の少なくと１１
）３棟の酸化物

【以下第４成分と呼ぶ】を０．０３〜２
．０モル部の範囲で付加したａ１器物質に係わる。 この第４成分はバリスタの非直線係数の改善にを与する
ものである。従って、第】、第２．第３ｓ及び第４の成
分から成る′ｆｉＢ器ｖＩＪＪｘは、大きな見掛けの比
誘電率と、サージに耐える特性と、大きな非直線係数と
を有し、小型にして特性が良いバリスタｙａ−提供する
ことが出来る。 実施例 次に本発明の実施例について述べる。但し１本発明の範
囲を明確にするために本＠明の範囲Ｊ２１外の実施例に
ついても説明する。 実施例１〜４５ Ｂａｏ、ｏ＊　ＴｌＯｓ　＊　　Ｓｒ　Ｇａ１ｌ　Ｂａ
　Ｏ，ｔ　Ｔｉｅｓ　ｈ　　Ｓｒ　６．６　Ｂａ　６４
　Ｔｉ０１　ｈＳｒ　６．＠　Ｂａ　６．＠　ＴｔＯｍ
　＊　ＢａＴ１０ｇが得らｔｌＪ：５７ｊ比率に夫々秤
量配合し、これ等を１２００℃で２時間仮焼して粉砕し
、第１成分となるべきＳｒｔ□−Ｘ）ＢａｘＴｉＯｍ　
（但しＸは０〜］の数値）の粉末を作製した。 次に、この第１成分１００モル部に対し純度９９％のＮ
ｂ＊Ｏａ−’ｒａｌｏ、、　ＷＯａ、　Ｌａ＊Ｏｓ−Ｃ
ｅ０ｔ−ＮｄｔＯａ−Ｙ＊Ｏａ、　Ｐｒａｗｎ　、　Ｓ
ｍ＊Ｏｓ、Ｅｕ＊Ｏｓ、及びＤＹ　＊Ｏａの内の少なく
とも１種の金属酸化物（第２成分）の粉末と、純度９７
％以上のＮａ＊０及びＮａＦの内の少なくとも１種のＮ
ａ化合物（第３成分）の粉末とを第１表に示す比率とな
るように秤量した。なお第】成分は１００モル部一定で
あるので第１表に掲載することが省略されている。 次に、第１．第２．及び第３成分から成るバリスタ原料
を乳鉢に投入して２０時時間式攪拌を行った。次いで第
１表に示すバリスタ原料に対し。 １０〜１５重量％のポリビニルアルコールを有機結合剤
として混入して造粒し、成型圧約１５００ｋｇ／Ｃｍで
円板に成形した。 次に、これらの円板をＮａ　（９５容積％）＋）ｌ、（
５容積％］の還元雰囲気でｆ、Ｉ　］　３５０℃、４時
間の焼成を行い、直径１０ｍｍ、厚さ０．８ｍｍの未酸
１ヒ処理の半導体磁器試験日取を得た。次に空気中（酸
化性雰囲気中）において、１１００〜１２００℃の温度
範囲で３時間の熱処理（酸ずヒ処理）を行った。この結
果、　ＮａＦがＮ　ａ　＊　０に夫々変換した外は、出
発原料と同じ組成の磁器試料内政が得られた。従って第
１表において焼成後の第１．第２及び第３成分の記載は
省略されている。尚、ＮａｔＯを出発原料とする場合は
焼成後もＮ　ａ　！　０であり、焼成後の磁器に出発時
とほぼ同じモル部でＮａｔｏが含まれる。一方、　Ｎａ
Ｆを出発原料とする場合には、焼成後にＮａ、０に変わ
るためｖｃ、出発時のへａＦのモル部の半分のモル部で
Ｎａｔｏ　ｌ第３成分）が含まれる。 次に、上ｄピ磁器試験円板の特性を調べるために第１図
に示す如く磁器円板（１２＋の両生面に銀ペーストを塗
布し、８００℃で焼付けることによって銀電極０４１　
（１４１を形成し、バリスタＧＯ＋を完成させた。 次に、谷実施例のバリスタａＯ）の特性評価を行うため
に、バリスタ電圧Ｖ１．非直巌係数α、静電容童Ｃ，サ
ージ電圧閉扉によるＶ、の変ｆヒ率ΔｖＩＰを測定した
ところ、第２表に示す結果が得られた。 各測定方法を更に詳しく説明すると、バリスタ電圧Ｖ１
は、第２図に示す回１８を使用して測定した。 即ち、直流定電流部ｆ＋６１にバリスタ０ωを接続し、
また直流定電流淵叫とバリスタＱＯＩとの間に電流計（
躊を接続し、バリスタ（１０１に並列に電圧計（２ｏ＋
Ｙ接続し。 バリスタａ〔だけを２０℃の温度に保たれた恒温槽のに
入れてバリスタ００１に１　ｍＡの電流工１を流し、そ
の時の電圧Ｙ　６１＋１定してバリスタ電圧（Ｖ＋３と
した。 テた非＠線係数αは、第２図の装置を使用し、バリスタ
電圧Ｖ＋の他にバリスタ（１０１に］ＯｍＡの電流ｆＬ
ｏ）を流した時のば１加′亀圧Ｖ＋６を測定し１次式に
よって決定した。 静電容：ＩＣは１　ｋＨｚの交流電圧によって測定した
。 サージ印加によるバリスタ電圧の変化率△ＶＩＦは第３
図の回路で測定した。即ち、過電圧の鋭いパルス即ちサ
ージ電圧が印加された時にバリスタ（１０１の各特性が
どのように変ずヒするかを模擬的に調べるために、第３
図に示すように、２ｋＶの直流定電圧淵（２４１に並列
に電圧計Ｇ）を接続し、電の（２４１に５Ωの抵抗（ハ
）と単極双投スイッチ■とを介して２．５μＦのコンデ
ンサＣ３２１’に接続し、かつこのコンデンサ３２にス
イッチ■を介してバリスタａ■を並列に接続シた。スイ
ッチ■はコンデンサＣ３２１に接続された可動接点＃：
３旬と、抵抗Ｑ８１を介して電５ｔＣＩ！ｗに接続され
た第１の固定接点（３６）と、バリスタａαに接続され
た第２の固定接点間とを有する。コンデンサ（１２１は
第１の固定接点廁に可動接点−が接触している間充電さ
れ、バリスタＧＯ＋にサージを供給するために第２の固
足接点１３８１に可動接点（ト）が接触した時に放電す
る。この第３図の１ｇＪ路を使用し、バリスタｆｌｆｌ
＋に５秒間隔でサージを５回繰返して印加した。 次に、サージＨ１加バリスタ０（））を再び第２図の回
路に接続し、バリスタ電圧ＶＩＰを測定し１次式でノく
リスタ電圧の変イヒ率△Ｖ＋ｐ　（％）を求めた。 から明らかなように、第】成分Ｓｒ　（１−ｘ　）　Ｂ
ａＸＴｔＯｓ（但しｇ、（１０１＜　ｘ≦］）１００モ
ル部と、第２成分０．０１〜３．００モル部と、第３成
分０．０２〜２．５０モル部とから成る半導体磁器物質
でバリスタを形成すれば、磁器の厚さ０．８ｍｍで１８
４〜３９５ｖのバリスタ電圧Ｖ＋を得ることが出来る。 またこのバリスタ電圧■１の範囲で２８　ｐＦ〜２４０
ｐＦの静電容量を得ることが出来る。尚、バリスタ電圧
Ｖ！１８４〜３９５■を磁器の単位厚さく　１　ｍｍ　
）の値に換算すると、約２３０〜４９３Ｖ／ｍｍとなる
。また２　８　ｐＦ〜２４０ｐＦ［基づいて磁器の見掛
けの比誘電率εｓＹ求めると、Ｆ１５０３５１〜４３］
５８］となる。また、サージ電圧１ｕｌｌ加によるバリ
スタ電圧Ｖｌの変化率△ｖＩＰの絶対値が１％Ｊ２１下
となり。 非直線係数αは１０．７〜１９．６となる。 一方１本発明の範囲外の実施例３ｏ及び３２から明らか
なように、第２成分が０．０１モル部より少ない場合に
はαが１０以下となり、且っΔｖ、Ｐも太き（なる。ま
た本発明の範囲外の実施例３］及び３３から明らかなよ
うに第２成分が３モル部を超えるとαが１０以下になる
と共にΔＶＩＰが大きくなるか、又は焼結が不完全（未
焼結）になる。 従って、第２成分の好ましい範囲は０．０１〜３．００
モル部である。 本発明の範囲外の実施例３４及び３５から明らかなよう
に第３成分が０・０２モル部未満の場合及び２．５モル
部を超える場合にはサージ即加によるバリスタ電圧の変
化率△ｖＩＦが１％を超え且つ非直線係数αも１０より
小さくなる。従って、第３成分（Ｎａｔｏ　）の好預し
い範囲は０．０２〜２．５モル部である。尚、実施例１
８．２３．２７．３８のＮａＦは５モル部であるが、焼
成後にはＮａｔｏ　２．５モル部となり１本発明の範囲
内になる。 上述の如く第１．第２．及び第３成分のＳ器でバリスタ
を形成すると、バリスタ電圧Ｖｌを高くしても大きな静
電容量Ｃが得られるのみならず、サージに対して怖いパ
リスタン得ることが可能になる。即ち、］００ＶＩＪ上
の電源回路の保睦に有効な静電容量とバリスタ作用とを
有するバリスタが得られる。 実施例４６〜】４６（第２表、第３表）Ｂａｏ、ｏ＋Ｔ
’＋Ｏｓ、　５ｒｏ４Ｂａ６．＊Ｔｌ０３．　Ｓｒａ、
ｅＢａｏ、ｌＴ１０ｍ。 ！９ｒ　Ｏ，！　Ｂａ　Ｏ＋ｌｌ　Ｔｉｅｓ、　ＢａＴ
ｉ０１の第１成分】００モル部に対して、Ｎ　ｂ＊Ｏｓ
、Ｔａ　ｔ　Ｏｓ、ＷＯ３、Ｌａ＊Ｏｓ、Ｃｅｎｔ　ｂ
Ｎｄ＊Ｏｓ、　ＹｔＯａ、　Ｐｒ、ｌＯＢ、　Ｓｍ、０
３．　ＥｕｔＯａ及びＤＹｔＯｓの内の少なくとも１種
の金属ｒＲｆｒ物即ち第２成分の粉末と、　ＮａｔＯ及
びＮａＦの内の少な（とも１種のＮａ化合物即ち第３成
分の粉末と、ＳｉＯｘ及びＡＩｔｏｌの内の少なくとも
１種の酸ｆヒ物（以下第４成分と呼ぶ）の粉末とを第２
表に示す比率となるように秤量した。次に実施例１〜４
５と同一方法でノ（リスクを作製し、同一方法で特性を
測定したところ、第３表の結果が得られた。 第２表及び第３表の実施ｆ１１５６〜６５．ｆｉ７〜７
０．７３〜７５．７８〜８０．８３〜４５．７〜Ｊ】０
．及び１１５〜１４６から明らかなように。 第１成分　１００モル部。 第２成分　０．０１〜３．００モル部。 第３成分　０．０２〜２．５０モル部。 第４成分　０．Ｏ１〜２．００モル部 とてれは、磁器の厚さ０．８ｍｍで１８０Ｖ（実施例７
８）〜３９２Ｖ（実施例８４）のバリスタ電圧を得るこ
とが可能になり、単位厚さ当りのバリスタ電圧を２２５
■／ｍｍ以上にすることが出米る。 また、高いバリスタ電圧に於いて静電容量Ｃを３６ｎＦ
　（実施ｆｌ、１８５）〜２８５ｎＦ（実施例］４０）
のように大きくすることが出来る。尚３６〜２８５ｎＦ
に基いて見掛けの比誘電率εを計算すると。 約６４７４８〜４６４０２８になる。また、非直線係数
αが１８．５（実施例４８）〜３８．８（実施例１１８
）になる。このαの増大は第４成分を含まない実施例】
〜４５．７７、及び８２と、第４成分を含む実施例との
比較から明らかなように、第４ｆｉＸ、分の添加効果に
よって生じている。また、サージ印力口によるバリスタ
電圧の温度変ずｒ率ΔＶＩＦの絶対値は１％Ｊｕｌ下に
なる。 一方１本発明の範内外の実施例】１】及び１】２から明
らかなように、第２成分が０．０１モル部未満になると
△■１Ｆの絶対値が太き（なる。また。 本発明の範囲外の実施例３１３及び３１４から明らかな
ように第２成分が３．００モル部を超えると焼結が不完
全になるか、ΔｖＩＦが大きくなる。従って第２成分の
好テしい範囲は０．０１〜３．００モル部である。 本発明の範囲外の実施例６６及び７２から明らかなよう
に第３成分が０．０２モル部未満の場合、及び本発明の
範囲外の実施例７］及び７６から明らかな第３成分が２
．５モル部を超えると、△Ｖｔｐの絶対値が１％を超え
る。従って第３成分の好ましい範囲は０．０２〜２．５
モル部である。 第４成分は０，０】モル未満であると添加効果が少なく
、２モル部を超えると、実施例８６から明らかなように
静電容量Ｃが低下する。従ってこの好ずしい範囲０．０
１〜２モル部である。 実施例１４７ 第３成分（ＮａｚＯ）の添加を出発原料に対して行わす
［焼成後に行っても差支えないことケ確めるためＳ’　
ｏ−ｏｓ　Ｂａ　ａ、＋＋＋　ＴｉＯ３（第１成分）１
００モル部とＬａ、ｏ、　（第２成分）０．１０モル部
とを出発原料として実施例１〜４５と同一の方法で酸化
処理を施さない半導体磁器を炸裂し、実施例１〜４５に
おける１１００〜１２００℃の酸ｆヒ熱処理の工程の代
りに、未酸化処理の半導体磁器の一方の主面にＮａＦペ
ーストを０．９２　ｍｇ／ｃｍ　の割合で塗布し、大気
中で１１００℃〜】３００℃、２時間の熱処理なｊｌ、
ＮａＦペーストに基づいてＮａ　＊　０を半導体磁器中
に熱拡散させ、しかる後実施例Ｊ〜４５と同一方法でバ
リスタを作り同一方法で特性を測定したところ、　Ｖ＋
は２３５Ｖ、αは１４５．ΔＶ鵞アは一〇、５％、Ｃは
５０　ｎＦであった。 実施例１４８ 出発原料の組成Ｙ　Ｓｒ　Ｏ，ｆｉＯ１３ａ　ｏ、ＨＴ
ｉｃ）１１００モル部とＮｂｔＯｙ　］　、００モル部
として未酸丁と処理の磁器を実施例Ｊ〜４５と同様に作
り、実施例】４７のＮａＦペーストの代りにＮ　ａ　＊
　０ペーストＹ１．８０ｍｇ／　Ｃｍ”の割合で上記Ｎ
ａＦペーストの場合と同様にｉ器に塗布し、かつ同様な
熱処理でＮａｔＯを拡散させてパリスタラ裏作したとこ
ろ、　Ｖ＋は２４３Ｖ。 αは１５０．△ｖＩＦは−０，６％、Ｃは１２０ｎＦで
あった。 実施例】４９ 出発原料の組成’ｅ　５ｒ（１，ｔ　１３ａｏ−Ｆｌ　
’ｒｉｏ、　１００　％　ル部とＷＯ，＋１．５０モル
部と５ＩＯｔ　Ｏ−５０モル部とにして実施例１〜４５
と同様に未酸化の磁器を作り、このＭｉ器にＮａＦペー
ストな０・７１ｍｇ／ｃｍ　　の割合で塗布し、かつ実
施例１４７と同様な熱処理でＮａｔＯを拡散させてバリ
スタを製作したところ＆ＶＩＧ丁３５０ｖ、ａＩｔｔ　
２９−２　、　ΔＶｔｐ＆２　０−５　％、Ｃ＆２２８
ｎｐであった。 実施例］５０ 出発原料の組成’ｋ　Ｓｒ　０４　Ｂａ　ｏ−＊　Ｔ１
０３　］　００モル部とＤ）’ｔＯｓ　３−００モル部
とＡｂＯｍ　１．００　モル部として未酸化処理のＶｌ
器を実施例１〜４５と同様に作り、この磁器にＮａ！０
ペーストｋ　］　、５０　ｍｇ／ａｍの割合で塗布し、
かつ実施例１４７と同様な熱処理でＮａ＊０’Ｙ拡散さ
せてバリスタを製作したところ。 ■、は２９８■、αは２５．４　、△ＶＩＦは−０，８
％、Ｃは３１　ｎｐであった。 この結果から明らかなように、出発原料にＮａ化合物ン
添加せずに半導体磁器に熱拡散によってＮａｔＯを含有
させても本発明の目的を達成することが出来る。 変形例 上記実施例及び七の他の実験によって次のごとが確認さ
れている。 （ａｌ　　還元性雰囲気中での加熱温度は］　３００〜
］　５００　’ＣＯ）　範囲であれは“艮いが、１３５
０〜１４５０℃の範囲であればより良好である。更にこ
の処理時間は２〜８時間が好筐し、い。 （ｈｌ　　再酸ｆヒ処Ｗ＋ｊｌ　］００〜１３５０℃で
１〜５時間行うことが好ましい。 （ｃｌ　　第２成分について、実施例では焼成後の磁器
の各成分に相当する金属酸ｆｒ物を出発原料としている
が、これ［限らず、金楓元索、炭酸塩、水酸ｔｎｍ、酢
酸塩、シュウ酸塩等、最終的に所定の金禎酸ｆヒ物を得
ることができる原料を用いてよい。

【図面の簡単な説明】

第１図は実施例］に係わるバリスタを概略的に示す断面
図である。第２図はＶｌ　ｈα、△Ｖ＋を測定する装置
の回路図である。第３図はサージ印加装置の回路図であ
る。 （１）・・・＠器素体、　１２＋（３）・・・電極、（
４）・・・バリスタである。 代理人　高野則次 手続補正書（自発） 昭和５７　　年特　許　願第２０２３２４号３、　補正
をする者 事件との関係　　出願人 ４、代理人 ５　補正命令の日付　　　自　　発 ６、　補正により増加する発明の数 ７、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄。 ８・補正ノ内容　　別紙の通り。 （１１明細書第９頁第１３行の「第１表の値（」の後の
「０、」を抹消する。 （２）明細書第９頁第１５行の「ＳｒＴｉＯ３」を抹消
する。 （３）明細書第２１頁第８行の「２８　ｐＦ〜２４０　
ｐＦＪを「２８ｎＦ〜２４０ｎＦ」に補正する。 （４）明細書第２１頁第１２行の［２８ｐＦ〜２４０ｐ
Ｆ　Ｊを［２８ｎＦ〜２４０　ｎＦＪに補正する。 （５）明細書第２３頁第１３行の「０、」を抹消する。 （６）明細書第２３頁第１４行のｒ　５ｒＴｉＯ３Ｊを
抹消する。 （７）明細書第２８頁の実施例７７．７８．７９．８０
．８１の第１成分のＸの値の欄の「０．０２　Ｊを［０
，２０Ｊに夫々補正する。 （８）明細書第３２頁の実施例１２６の第１成分のＸの
値「０．００　Ｊを「０．８０　、Ｊに補正する。 （９）　　明細書第５０頁第１１行Ｆの「１４５Ｊを「
１４．５Ｊに補正する。 ａＯｌ　明細書第５１頁第６行の「１５０」を「１５．
０」に補正する。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 ｆｉｌ　　Ｓｒ　（、−ｘ　、　ＢａｘＴｔＯｍ　（但
   しＸは０く×≦１ン満足する数値）１００モル部と。 ＮｂｔＯｇ、　Ｔａｔｏｌ、　ＶＪＯｓ、　Ｌａ＊Ｏｓ
   、　Ｃｅｎｔ、　ＮｄｘＯｓ。 Ｙ２Ｏ５ｂ　Ｐｒｇ０１ｈＳｍ＊０ｈＥｕ＊Ｏｓ　ｓ及
   びＤｙｚＯｓの内の少なくとも１棹の酸化物、０．０１
   〜３．００モル部と、 Ｎａ２Ｏ０，０２〜２．５０　モに部と。 から成る電圧依存非直線抵抗特性を有する半導体磁器′
   ＃質。 （２）　Ｓｒ　、　、　−ｘ　、　ＢａＸＴｔＯｎ　を
   但しＸはＯ，＜Ｘ≦１を満足する数値７１００モル部と
   。 ＮｂｔＯＨ，Ｔａｔｏｌ、　ＷＯＲ，Ｌａ！０３．　Ｃ
   ｅｎｔ、　ＮｄｘＯｓ−Ｙ＊Ｏａ　＠　Ｐｒ６０ｕ　ｓ
   　ＳｍｔＯｉ　＊　ＥｕｔＯｓ　ｈ及びＤ）’＊Ｏｓの
   内の少なくとも１種の酸ｆヒ物　０．０１〜３．００モ
   ル部と。 Ｎａ、ＯＯ，０２〜２．５０　モＡ／部と。 ＳｔＯ，及びＡＩｔｏｓの内の少なくとも１種の酸化物
   ０．０１〜２．００モル部と、 から成る電圧依存非直線抵抗特性ケ有する半導体ｆｊＢ
   器ｖ！Ｊ質。