JPH0248121B2 - - Google Patents
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- JPH0248121B2 JPH0248121B2 JP59027675A JP2767584A JPH0248121B2 JP H0248121 B2 JPH0248121 B2 JP H0248121B2 JP 59027675 A JP59027675 A JP 59027675A JP 2767584 A JP2767584 A JP 2767584A JP H0248121 B2 JPH0248121 B2 JP H0248121B2
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Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Description
〔発明の分野〕
この発明は、電圧依存非直線抵抗特性と誘電特
性を有するバリスタ素子用の磁器組成物に関す
る。 〔従来技術〕 従来使用されているSrTiO3系磁器は、電圧依
存非直線抵抗体（バリスタ）としての機能と、コ
ンデンサの機能を備えており、異常電圧吸収、ノ
イズ除去、火花放電の防止等に利用されている。 このSrTiO3を主成分とする磁器を高い温度で
処理すると、バリスタ電圧（0.1mAの電流を流す
のに要する印加電圧をいう、以下同じ）が高くな
り、逆にこれを低い温度で処理すると低いバリス
タ電圧を示す。これに対し誘電率は、同磁器材料
を高い温度で処理すると低くなり、低い温度で処
理すると高くなる。 一方、この磁器を挟んで電極を対向させ、バリ
スタ素子として構成する場合に、これら電極の面
積を狭くすると、サージ電圧（または電流）を与
えたときのバリスタ電圧の変化率ΔV1が大きくな
り、素子の厚みを増して電極の間隔を大きくとる
とバリスタ電圧が高くなる。 こうしたことから上記従来の磁器材料を用いた
場合は、バリスタ電圧が低く、静電容量が小さ
く、かつサージ電圧によるバリスタ電圧の変化率
の小さなバリスタ素子を作ることが困難であつ
た。 〔発明の目的〕 この発明は、従来のバリスタ磁器における上記
のような問題を解決すべくなされたもので、互い
に相反する特性上の要請を全て満足することので
きるバリスタ素子が得られる磁器組成物を提供す
るものである。 〔発明の構成〕 この発明の磁器組成物は、Sr1-xMgxTiO3（但
し、0.05≦ｘ≦0.5）からなる成分（以下第一成
分という）100モル部と、La2O3，CeO2，
Nd2O3，Y2O3，Pr6O11，Sm2O3，Eu2O3，
Dy2O3，Nb2O5，Ta2O5，WO3の内一種以上の酸
化物からなる成分（以下第二成分という）0.01〜
3.00モル部と、NaF（以下第三成分という）が
0.01〜1.25モル部からなるものである。 この場合に、上記第三成分は、第一、第二成分
と共に出発原料として用いずに、いわゆる熱収散
の手段によつて磁器中に含有させることもでき
る。即ち、第一成分と第二成分からなる磁器原料
を使用し、これを成形、焼結させた後、得られた
磁器の主面に第三成分であるNaF粉末を載せ、
これを800〜1300℃程度の温度で処理することに
より、同成分を磁器中に拡散させることができ
る。 この磁器組成物から作られた円板の両面に対向
する電極を設けることにより、バリスタ素子が構
成されるが、この特性等から各成分の組成比をそ
れぞれ上記のように限定した一般的理由を各成分
の作用と共に述べると次の通りである。 (1) 第一成分においてｘの値が上記の範囲にある
とき、比誘電率が低く、素子のパリスタ電圧が
低い。これに対し、このｘの値が上記の範囲よ
り小さいと素子の静電容量が高くなり、逆にこ
の値が上記範囲より大きいと素子バリスタ電圧
が高くなる。 (2) 第二成分は、ａ族（La，Ce，Pr，Nd，
Sm，Eu，Py，Ｙ），ａ族（Nb，Ta）また
はａ族（Ｗ）元素の酸化物で、原子価制御剤
として素子の半導体化に寄与する成分である。
第一成分に対しこの第二成分を上記範囲で合ま
せたものからなるものでは、素子のバリスタ電
圧が低く、電圧依存非直線指数αが大きい。こ
れに対し、同成分が上記範囲より少ないと、上
記電圧が高く、電圧非直線指数αが小さくな
り、他方同成分が上記範囲より多い場合は、こ
の種磁器の一般的焼結温度である1300〜1450℃
という温度で焼結させることができず、従つて
バリスタ素子を構成することができない。な
お、これら酸化物は一種だけでも、或いは複数
種のものをどのように組合せても概ね同様の結
果が得られる。 (3) 第三成分は、サージに対する素子の劣化、即
ちバリスタ電圧の変化を防止するのに寄与する
成分である。同成分の作用は、上記範囲が最も
効果的で、サージによるバリスタ電圧の変化率
が小さい。これに対し、同成分が上記範囲より
多くても少なくてもサージによるバリスタ電圧
の変化率が大きくなる。 〔実施例〕 次にこの発明の実施例をその比較例と共に説明
する。 実施例 １ まず表２において１〜34の番号で示された試料
の作製方法について説明すると、最初に純度97.5
％以上のSrCO3、MgCO3、TiO2をそれぞれ表１
に示された割合で秤量し、これをボールミルで10
時間混合した後、脱水乾燥し、さらに1200℃の温
度を２時間加えて仮焼きした。
性を有するバリスタ素子用の磁器組成物に関す
る。 〔従来技術〕 従来使用されているSrTiO3系磁器は、電圧依
存非直線抵抗体（バリスタ）としての機能と、コ
ンデンサの機能を備えており、異常電圧吸収、ノ
イズ除去、火花放電の防止等に利用されている。 このSrTiO3を主成分とする磁器を高い温度で
処理すると、バリスタ電圧（0.1mAの電流を流す
のに要する印加電圧をいう、以下同じ）が高くな
り、逆にこれを低い温度で処理すると低いバリス
タ電圧を示す。これに対し誘電率は、同磁器材料
を高い温度で処理すると低くなり、低い温度で処
理すると高くなる。 一方、この磁器を挟んで電極を対向させ、バリ
スタ素子として構成する場合に、これら電極の面
積を狭くすると、サージ電圧（または電流）を与
えたときのバリスタ電圧の変化率ΔV1が大きくな
り、素子の厚みを増して電極の間隔を大きくとる
とバリスタ電圧が高くなる。 こうしたことから上記従来の磁器材料を用いた
場合は、バリスタ電圧が低く、静電容量が小さ
く、かつサージ電圧によるバリスタ電圧の変化率
の小さなバリスタ素子を作ることが困難であつ
た。 〔発明の目的〕 この発明は、従来のバリスタ磁器における上記
のような問題を解決すべくなされたもので、互い
に相反する特性上の要請を全て満足することので
きるバリスタ素子が得られる磁器組成物を提供す
るものである。 〔発明の構成〕 この発明の磁器組成物は、Sr1-xMgxTiO3（但
し、0.05≦ｘ≦0.5）からなる成分（以下第一成
分という）100モル部と、La2O3，CeO2，
Nd2O3，Y2O3，Pr6O11，Sm2O3，Eu2O3，
Dy2O3，Nb2O5，Ta2O5，WO3の内一種以上の酸
化物からなる成分（以下第二成分という）0.01〜
3.00モル部と、NaF（以下第三成分という）が
0.01〜1.25モル部からなるものである。 この場合に、上記第三成分は、第一、第二成分
と共に出発原料として用いずに、いわゆる熱収散
の手段によつて磁器中に含有させることもでき
る。即ち、第一成分と第二成分からなる磁器原料
を使用し、これを成形、焼結させた後、得られた
磁器の主面に第三成分であるNaF粉末を載せ、
これを800〜1300℃程度の温度で処理することに
より、同成分を磁器中に拡散させることができ
る。 この磁器組成物から作られた円板の両面に対向
する電極を設けることにより、バリスタ素子が構
成されるが、この特性等から各成分の組成比をそ
れぞれ上記のように限定した一般的理由を各成分
の作用と共に述べると次の通りである。 (1) 第一成分においてｘの値が上記の範囲にある
とき、比誘電率が低く、素子のパリスタ電圧が
低い。これに対し、このｘの値が上記の範囲よ
り小さいと素子の静電容量が高くなり、逆にこ
の値が上記範囲より大きいと素子バリスタ電圧
が高くなる。 (2) 第二成分は、ａ族（La，Ce，Pr，Nd，
Sm，Eu，Py，Ｙ），ａ族（Nb，Ta）また
はａ族（Ｗ）元素の酸化物で、原子価制御剤
として素子の半導体化に寄与する成分である。
第一成分に対しこの第二成分を上記範囲で合ま
せたものからなるものでは、素子のバリスタ電
圧が低く、電圧依存非直線指数αが大きい。こ
れに対し、同成分が上記範囲より少ないと、上
記電圧が高く、電圧非直線指数αが小さくな
り、他方同成分が上記範囲より多い場合は、こ
の種磁器の一般的焼結温度である1300〜1450℃
という温度で焼結させることができず、従つて
バリスタ素子を構成することができない。な
お、これら酸化物は一種だけでも、或いは複数
種のものをどのように組合せても概ね同様の結
果が得られる。 (3) 第三成分は、サージに対する素子の劣化、即
ちバリスタ電圧の変化を防止するのに寄与する
成分である。同成分の作用は、上記範囲が最も
効果的で、サージによるバリスタ電圧の変化率
が小さい。これに対し、同成分が上記範囲より
多くても少なくてもサージによるバリスタ電圧
の変化率が大きくなる。 〔実施例〕 次にこの発明の実施例をその比較例と共に説明
する。 実施例 １ まず表２において１〜34の番号で示された試料
の作製方法について説明すると、最初に純度97.5
％以上のSrCO3、MgCO3、TiO2をそれぞれ表１
に示された割合で秤量し、これをボールミルで10
時間混合した後、脱水乾燥し、さらに1200℃の温
度を２時間加えて仮焼きした。
以上の通り、この発明によれば、バリスタ電圧
が低く、静電容量が小さく、かつサージ電圧（ま
たは電流）を与えたときのバリスタ電圧の変化率
が小さいバリスタ素子を得得ることができる。即
ち、従来において互いに相反することゝなつてい
た上記特性上の要請を何れも満足する素子が得ら
れるようになり、所期の目的を達成することがで
きる。
が低く、静電容量が小さく、かつサージ電圧（ま
たは電流）を与えたときのバリスタ電圧の変化率
が小さいバリスタ素子を得得ることができる。即
ち、従来において互いに相反することゝなつてい
た上記特性上の要請を何れも満足する素子が得ら
れるようになり、所期の目的を達成することがで
きる。
【表】
【表】
【表】
＊印は比較例の試料を示す
Claims (1)
- １ Sr1-xMgxTiO3（但し、0.05≦ｘ≦0.5）から
なる成分100モル部と、La2O3，CeO2，Nd2O3，
Y2O3，Pr6O11，Sm2O3，Eu2O3，Dy2O3，
Nb2O5，Ta2O5，WO3の内一種以上の酸化物から
なる成分0.01〜3.00モル部と、NaFが0.01〜1.25
モル部からなる電圧依存非直線抵抗特性を有する
磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59027675A JPS60170903A (ja) | 1984-02-16 | 1984-02-16 | 電圧依存非直線抵抗特性を有する磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59027675A JPS60170903A (ja) | 1984-02-16 | 1984-02-16 | 電圧依存非直線抵抗特性を有する磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60170903A JPS60170903A (ja) | 1985-09-04 |
| JPH0248121B2 true JPH0248121B2 (ja) | 1990-10-24 |
Family
ID=12227526
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59027675A Granted JPS60170903A (ja) | 1984-02-16 | 1984-02-16 | 電圧依存非直線抵抗特性を有する磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60170903A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0812803B2 (ja) * | 1988-05-06 | 1996-02-07 | 太陽誘電株式会社 | 電圧依存非直線抵抗体の製造方法 |
| JP2520699B2 (ja) * | 1988-07-29 | 1996-07-31 | 太陽誘電株式会社 | 電圧依存非直線抵抗体の製造方法 |
| FR2724165A1 (fr) * | 1994-09-07 | 1996-03-08 | Serole Bernard | Procede d'activation du frittage de ceramiques par controle stoechiometrique |
-
1984
- 1984-02-16 JP JP59027675A patent/JPS60170903A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60170903A (ja) | 1985-09-04 |
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