JPS622695B2 - - Google Patents
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- JPS622695B2 JPS622695B2 JP54128649A JP12864979A JPS622695B2 JP S622695 B2 JPS622695 B2 JP S622695B2 JP 54128649 A JP54128649 A JP 54128649A JP 12864979 A JP12864979 A JP 12864979A JP S622695 B2 JPS622695 B2 JP S622695B2
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Landscapes
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- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Description
この発明は、単位面積当りの静電容量(CS)
と破壊電圧(V)の積(Cs・V積)が40000nF・
V以上と高く、高周波における誘電体損失が小さ
く、さらに誘電率温度特性が良好な半導体磁器コ
ンデンサ用組成物に関するものである。 近年、小型で大容量かつ歪率が小さく、さらに
誘電体損失の小さいセラミツクコンデンサの素体
として、チタン酸ストロンチウム系半導体磁器を
主成分とする半導体磁器コンデンサ用組成物が用
いられている。 一方、コンデンサの特性の良否を示す目安の1
つとして、1cm2当りの静電容量(Cs)と破壊電
圧(V)の積で示すことがある。このCs・V積
はコンデンサの形状に左右されない定数であり、
この値が大きいということはコンデンサとして優
良な特性を備えていることを意味している。 従来のチタン酸ストロンチウム系の粒界絶縁型
の半導体磁器コンデンサには、その誘電率温度特
性が+20℃のときの誘電率を基準として、−25
℃、+85℃における誘電率の変化率を±10%前後
の値にしようとすると、誘電率(ε)=45000、破
壊電圧500V/mm程度であり、コンデンサの素体
の肉厚を0.35mmにすると、Cs=120nF/cm2、破壊
電圧200Vであり、Cs・V積は約24000nF・Vと
低い値のものしか得られなかつた。 したがつて、この発明は単位面積当りの静電容
量(Cs)と破壊電圧(V)の積(Cs・V積)が
40000nF・V以上と高い値を示す半導体磁器コン
デンサ用組成物を提供するものである。 また、この発明は高周波における誘電体損失が
小さく、誘電率温度特性も良好な半導体磁器コン
デンサ用組成物を提供するものである。 以下この発明を実施例に従つて詳細に説明す
る。 実施例 表に示す組成比率の半導体磁器が得られるよう
に、SrCO2,CaCO3,TiO2の主成分原料、
Y2O2、およびAl2O3の副成分原料を用意した。こ
れら各原料を所定比率に秤量し、ポツトミルに入
れて湿式混合した。このスラリーを脱水、乾燥さ
せたのち、1150℃で2時間仮焼した。次いでバイ
ンダとして酢酸ビニル系樹脂を12重量%添加混合
し、さらに造粒して加圧力750Kg/cm2の圧力で大
きさが直径10.0mm、厚み0.4mmの円板に成形し
た。 この成形円板を大気中1100℃で2時間仮焼して
バインダを燃焼させる予備焼成を行い、そののち
水素10容量%、窒素90容量%からなる還元性雰囲
気中にて1350〜1500℃で3時間焼成し、半導体磁
器を得た。 次いで得られた半導体磁器の表面に、Bi2O330
重量%、Pb3O425重量%、CuO5重量%、ワニス
40重量%からなるペーストを塗布した。ペースト
の塗布量は約10mgrであつた。さらにこの半導体
磁器を空気中1100℃で1時間熱処理を行い、半導
体磁器の結晶粒界に絶縁層を形成した。 このようにして得られた粒界絶縁型の誘電体磁
器の両主表面に銀ペーストを塗布し、800℃で30
分間焼付けして粒界絶縁型の半導体磁器コンデン
サを作成した。 各半導体磁器コンデンサについて、見掛誘電率
(ε)、誘電体損失(tanδ)、見掛誘電率の温度特
性(TC)および破壊電圧(BDV)を測定し、そ
の結果を表に示した。またCs.V積も表に合わせ
て示した。 なお、見掛誘電率は+20℃で、周波数1KHz電
圧0.3Vの条件で測定した値である。また、誘電
体損失は+20℃、周波数1KHz、1MHz、電圧0.3V
の条件で測定した値である。さらにまた、見掛誘
電率の温度特性は+20℃のときの値を基準にし
て、−25℃、+85℃のときの値の変化率を示した。 表中、※を付したものはこの発明範囲外のも
の、それ以外はすべてこの発明範囲内のものであ
る。
と破壊電圧(V)の積(Cs・V積)が40000nF・
V以上と高く、高周波における誘電体損失が小さ
く、さらに誘電率温度特性が良好な半導体磁器コ
ンデンサ用組成物に関するものである。 近年、小型で大容量かつ歪率が小さく、さらに
誘電体損失の小さいセラミツクコンデンサの素体
として、チタン酸ストロンチウム系半導体磁器を
主成分とする半導体磁器コンデンサ用組成物が用
いられている。 一方、コンデンサの特性の良否を示す目安の1
つとして、1cm2当りの静電容量(Cs)と破壊電
圧(V)の積で示すことがある。このCs・V積
はコンデンサの形状に左右されない定数であり、
この値が大きいということはコンデンサとして優
良な特性を備えていることを意味している。 従来のチタン酸ストロンチウム系の粒界絶縁型
の半導体磁器コンデンサには、その誘電率温度特
性が+20℃のときの誘電率を基準として、−25
℃、+85℃における誘電率の変化率を±10%前後
の値にしようとすると、誘電率(ε)=45000、破
壊電圧500V/mm程度であり、コンデンサの素体
の肉厚を0.35mmにすると、Cs=120nF/cm2、破壊
電圧200Vであり、Cs・V積は約24000nF・Vと
低い値のものしか得られなかつた。 したがつて、この発明は単位面積当りの静電容
量(Cs)と破壊電圧(V)の積(Cs・V積)が
40000nF・V以上と高い値を示す半導体磁器コン
デンサ用組成物を提供するものである。 また、この発明は高周波における誘電体損失が
小さく、誘電率温度特性も良好な半導体磁器コン
デンサ用組成物を提供するものである。 以下この発明を実施例に従つて詳細に説明す
る。 実施例 表に示す組成比率の半導体磁器が得られるよう
に、SrCO2,CaCO3,TiO2の主成分原料、
Y2O2、およびAl2O3の副成分原料を用意した。こ
れら各原料を所定比率に秤量し、ポツトミルに入
れて湿式混合した。このスラリーを脱水、乾燥さ
せたのち、1150℃で2時間仮焼した。次いでバイ
ンダとして酢酸ビニル系樹脂を12重量%添加混合
し、さらに造粒して加圧力750Kg/cm2の圧力で大
きさが直径10.0mm、厚み0.4mmの円板に成形し
た。 この成形円板を大気中1100℃で2時間仮焼して
バインダを燃焼させる予備焼成を行い、そののち
水素10容量%、窒素90容量%からなる還元性雰囲
気中にて1350〜1500℃で3時間焼成し、半導体磁
器を得た。 次いで得られた半導体磁器の表面に、Bi2O330
重量%、Pb3O425重量%、CuO5重量%、ワニス
40重量%からなるペーストを塗布した。ペースト
の塗布量は約10mgrであつた。さらにこの半導体
磁器を空気中1100℃で1時間熱処理を行い、半導
体磁器の結晶粒界に絶縁層を形成した。 このようにして得られた粒界絶縁型の誘電体磁
器の両主表面に銀ペーストを塗布し、800℃で30
分間焼付けして粒界絶縁型の半導体磁器コンデン
サを作成した。 各半導体磁器コンデンサについて、見掛誘電率
(ε)、誘電体損失(tanδ)、見掛誘電率の温度特
性(TC)および破壊電圧(BDV)を測定し、そ
の結果を表に示した。またCs.V積も表に合わせ
て示した。 なお、見掛誘電率は+20℃で、周波数1KHz電
圧0.3Vの条件で測定した値である。また、誘電
体損失は+20℃、周波数1KHz、1MHz、電圧0.3V
の条件で測定した値である。さらにまた、見掛誘
電率の温度特性は+20℃のときの値を基準にし
て、−25℃、+85℃のときの値の変化率を示した。 表中、※を付したものはこの発明範囲外のも
の、それ以外はすべてこの発明範囲内のものであ
る。
【表】
上記の表から明らかなようにこの発明範囲内の
ものは、Cs.V積が40000nF.V以上と大きな値が
得られており、単位面積当りの静電容量と破壊電
圧の各特性がすぐれているとともにバランスがよ
いことを示している。また、高周波(1MHz)に
おけるtanδも小さく、さらに誘電率温度特性も
良好な結果を示している。 この発明において組成範囲を限定した理由は次
のとおりである。 すなわち、Al2O3が0.05重量%%未満では破壊
電圧の値に改良効果が見られず、逆に0.20重量%
を越えるとtanδが悪くなるからである。 また、Yを酸化物に換算して0.05重量%未満で
はtanδが悪くなり、0.5重量%を越えるとCs.V
積、破壊電圧がともに低下するからである。 さらにまた、主成分であるチタン酸ストロンチ
ウムのストロンチウムの一部をカルシウムで置換
してもよく、この場合置換量は25原子%を越えて
はならない。これは25原子%を越えると、見掛誘
電率の低下、ならびにtanδが悪くなるからであ
る。 なお、上記した実施例では結晶粒界に形成した
絶縁層としてBi,Pb,Cuの各金属酸化物を用い
たが、そのほかB,Mn,Znなど結晶粒界に絶縁
層を形成することができるものであればいかなる
ものを用いてもよい。 以上の説明から明らかなようにこの発明によれ
ば、Al2O3を添加させることによつてCs.V積を向
上させることができ、見掛誘電率のみならず破環
電圧の特性ともすぐれた値を示すという効果が得
られるものであり、粒界絶縁型の半導体磁器コン
デンサ用の組成物として有用なものである。
ものは、Cs.V積が40000nF.V以上と大きな値が
得られており、単位面積当りの静電容量と破壊電
圧の各特性がすぐれているとともにバランスがよ
いことを示している。また、高周波(1MHz)に
おけるtanδも小さく、さらに誘電率温度特性も
良好な結果を示している。 この発明において組成範囲を限定した理由は次
のとおりである。 すなわち、Al2O3が0.05重量%%未満では破壊
電圧の値に改良効果が見られず、逆に0.20重量%
を越えるとtanδが悪くなるからである。 また、Yを酸化物に換算して0.05重量%未満で
はtanδが悪くなり、0.5重量%を越えるとCs.V
積、破壊電圧がともに低下するからである。 さらにまた、主成分であるチタン酸ストロンチ
ウムのストロンチウムの一部をカルシウムで置換
してもよく、この場合置換量は25原子%を越えて
はならない。これは25原子%を越えると、見掛誘
電率の低下、ならびにtanδが悪くなるからであ
る。 なお、上記した実施例では結晶粒界に形成した
絶縁層としてBi,Pb,Cuの各金属酸化物を用い
たが、そのほかB,Mn,Znなど結晶粒界に絶縁
層を形成することができるものであればいかなる
ものを用いてもよい。 以上の説明から明らかなようにこの発明によれ
ば、Al2O3を添加させることによつてCs.V積を向
上させることができ、見掛誘電率のみならず破環
電圧の特性ともすぐれた値を示すという効果が得
られるものであり、粒界絶縁型の半導体磁器コン
デンサ用の組成物として有用なものである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 結晶粒界に絶縁層が形成されているチタン酸
ストロンチウム系半導体磁器を主成分とする半導
体磁器コンデンサ用組成物であつて、SrTiO3に
Yの酸化物がY2O3に換算して0.05〜0.5重量%、
Al2O3が0.05〜0.20重量%添加されていることを
特徴とする半導体磁器コンデンサ用組成物。 2 チタン酸ストロンチウム系半導体磁器のスト
ロンチウムの25原子%以下がカルシウムで置換さ
れていることを特徴とする特許請求の範囲第1項
記載の半導体磁器コンデンサ用組成物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12864979A JPS5651820A (en) | 1979-10-04 | 1979-10-04 | Grain boundary insulating type semiconductor porcelain composition |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12864979A JPS5651820A (en) | 1979-10-04 | 1979-10-04 | Grain boundary insulating type semiconductor porcelain composition |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5651820A JPS5651820A (en) | 1981-05-09 |
JPS622695B2 true JPS622695B2 (ja) | 1987-01-21 |
Family
ID=14990025
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP12864979A Granted JPS5651820A (en) | 1979-10-04 | 1979-10-04 | Grain boundary insulating type semiconductor porcelain composition |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5651820A (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5935402A (ja) * | 1982-08-24 | 1984-02-27 | 太陽誘電株式会社 | 電圧依存非直線抵抗特性を有する半導体磁器物質 |
JPH0692268B2 (ja) * | 1988-06-03 | 1994-11-16 | 日本油脂株式会社 | 還元再酸化型半導体セラミックコンデンサ素子 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS508099A (ja) * | 1973-05-28 | 1975-01-28 | ||
JPS5495174A (en) * | 1978-01-12 | 1979-07-27 | Murata Manufacturing Co | Boundary insulated semiconductor porcelain composition |
JPS5495176A (en) * | 1978-01-12 | 1979-07-27 | Murata Manufacturing Co | Boundary insulated semiconductor porcelain composition |
JPS54129398A (en) * | 1978-03-13 | 1979-10-06 | Philips Nv | Sintered body of semiconductor ceramic material |
-
1979
- 1979-10-04 JP JP12864979A patent/JPS5651820A/ja active Granted
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS508099A (ja) * | 1973-05-28 | 1975-01-28 | ||
JPS5495174A (en) * | 1978-01-12 | 1979-07-27 | Murata Manufacturing Co | Boundary insulated semiconductor porcelain composition |
JPS5495176A (en) * | 1978-01-12 | 1979-07-27 | Murata Manufacturing Co | Boundary insulated semiconductor porcelain composition |
JPS54129398A (en) * | 1978-03-13 | 1979-10-06 | Philips Nv | Sintered body of semiconductor ceramic material |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5651820A (en) | 1981-05-09 |
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