JPH03274606A - 誘電体磁器組成物 - Google Patents
誘電体磁器組成物Info
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- JPH03274606A JPH03274606A JP2073351A JP7335190A JPH03274606A JP H03274606 A JPH03274606 A JP H03274606A JP 2073351 A JP2073351 A JP 2073351A JP 7335190 A JP7335190 A JP 7335190A JP H03274606 A JPH03274606 A JP H03274606A
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Landscapes
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- Inorganic Insulating Materials (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野コ
この発明は、磁器コンデンサとして使用される誘電体磁
器組成物、特に5rTiO3−Bi20、−TiO2−
PbTiO3系の磁器誘電体に関する。
器組成物、特に5rTiO3−Bi20、−TiO2−
PbTiO3系の磁器誘電体に関する。
[従来の技術]
従来、磁器コンデンサ等に多用されているチタン酸バリ
ウム(BaTiO3)系磁器は強誘電性及び圧電性磁器
であり、強誘電性を示すものはペロブスカイト構造を有
している。
ウム(BaTiO3)系磁器は強誘電性及び圧電性磁器
であり、強誘電性を示すものはペロブスカイト構造を有
している。
一般に上記BaTiO3系磁器誘電体には、誘電率が大
きくなるほど誘電率の温度変化、すなわち−25℃〜+
85℃での基準値(20℃の値)に対する変化が例えば
上敷10%となるように大きく、また誘電損失を表わす
指標であるtanδ(誘電正接という)が大きいという
欠点がある。これに対して、低い周波数帯域において、
比較的tanδが小さい、つまり誘電損失が少なく、誘
電率の温度変化が小さい磁器誘電体として、5rTiO
,−Bi203−TiO2−PbTiO3系の磁器誘電
体が用いられるようになった。
きくなるほど誘電率の温度変化、すなわち−25℃〜+
85℃での基準値(20℃の値)に対する変化が例えば
上敷10%となるように大きく、また誘電損失を表わす
指標であるtanδ(誘電正接という)が大きいという
欠点がある。これに対して、低い周波数帯域において、
比較的tanδが小さい、つまり誘電損失が少なく、誘
電率の温度変化が小さい磁器誘電体として、5rTiO
,−Bi203−TiO2−PbTiO3系の磁器誘電
体が用いられるようになった。
[発明が解決しようとする課題]
しかしながら、前記5rTiO3−Bi203−T i
02−PbT i 03系の磁器誘電体は低周波帯域
では比較的にtanδが小さいものの、500 kHz
程度の高い周波数帯域になるとtanδが大となりエネ
ルギー損失が大きいという欠点があった。
02−PbT i 03系の磁器誘電体は低周波帯域
では比較的にtanδが小さいものの、500 kHz
程度の高い周波数帯域になるとtanδが大となりエネ
ルギー損失が大きいという欠点があった。
本発明の目的は、前述の磁器誘電体、特に5rTiO3
−Bi203−TiO2−PbTiO3系磁器誘電体に
おける欠点を解決して、比較的高い誘電率と優れた温度
特性を有し、高周波帯域でのtanδが小さく、かつ昇
圧破壊電圧が高い磁器コンデンサ用の誘電体磁器組成物
を提供することにある。
−Bi203−TiO2−PbTiO3系磁器誘電体に
おける欠点を解決して、比較的高い誘電率と優れた温度
特性を有し、高周波帯域でのtanδが小さく、かつ昇
圧破壊電圧が高い磁器コンデンサ用の誘電体磁器組成物
を提供することにある。
[課題を解決するための手段および作用j本発明者らは
前記の目的を達成すべく、従来の5rTiO3−Bi2
03−TiO2−PbTiO3系の磁器誘電体の各成分
(以下主成分と称する)の組成比を検討するとともに、
主成分に対してさらに添加すべき微量成分(以下添加物
と称する)の種類および添加量について研究を重ねた結
果、主成分、特にPbTiO3の配合量により、比較的
高い誘電率を持った誘電体とすることができること、ま
た、TiO2、CaTiO3、およびCeO,の配合量
により高周波帯域でのtanδを改善できること、さら
に添加成分としてMnCO3を添加せしめることにより
優れた温度特性を持たせ得ること、そしてMgTiO3
を添加することにより昇圧破壊電圧をより高くすること
ができること等を見い出し本発明に到達した。
前記の目的を達成すべく、従来の5rTiO3−Bi2
03−TiO2−PbTiO3系の磁器誘電体の各成分
(以下主成分と称する)の組成比を検討するとともに、
主成分に対してさらに添加すべき微量成分(以下添加物
と称する)の種類および添加量について研究を重ねた結
果、主成分、特にPbTiO3の配合量により、比較的
高い誘電率を持った誘電体とすることができること、ま
た、TiO2、CaTiO3、およびCeO,の配合量
により高周波帯域でのtanδを改善できること、さら
に添加成分としてMnCO3を添加せしめることにより
優れた温度特性を持たせ得ること、そしてMgTiO3
を添加することにより昇圧破壊電圧をより高くすること
ができること等を見い出し本発明に到達した。
したがって、本発明は、主成分として以下の成分:
S rT i 0. 40.0〜55.0重量%Pb
TiO. 10.0〜30.0重量%B i 203
1Q、0〜30.0重量%TtO□ 5
.0〜15.0重量%を含有し、かつ上記主成分100
重量部に対し添加物として以下の成分: MgTiO30,5〜3.5 重量部Ca T i
Os 0.2〜3.0 重量部Ce O2(1
,02〜[1,30重量部M n CO30,05〜0
.40重量部を含有してなる組成を有することを特徴と
する誘電体磁器組成物を提供するものである。
TiO. 10.0〜30.0重量%B i 203
1Q、0〜30.0重量%TtO□ 5
.0〜15.0重量%を含有し、かつ上記主成分100
重量部に対し添加物として以下の成分: MgTiO30,5〜3.5 重量部Ca T i
Os 0.2〜3.0 重量部Ce O2(1
,02〜[1,30重量部M n CO30,05〜0
.40重量部を含有してなる組成を有することを特徴と
する誘電体磁器組成物を提供するものである。
次に、この発明の誘電体磁器組成物において、成分組成
を上記の通りに限定した理由を説明する。
を上記の通りに限定した理由を説明する。
(a)SrTiO。
主成分中の含有量が55.0重量%を超えると誘電率が
低下するようになり、含有量の増加につれて焼成温度が
上昇し焼結性が悪くなり、一方その含有量が40.0重
量%未満になると誘電率が低下することから、その含有
量を40.0〜55.0重量%と定めた。
低下するようになり、含有量の増加につれて焼成温度が
上昇し焼結性が悪くなり、一方その含有量が40.0重
量%未満になると誘電率が低下することから、その含有
量を40.0〜55.0重量%と定めた。
(b)Bi、O。
主成分中の含有量が30.0重量%を超えると焼結が困
難となり、焼成温度幅が狭くなる。たとえ焼結したとし
ても多孔質になるため実用的素子を得ることが困難であ
る。一方、その含有量が10,0重量%未満になると誘
電率がそれ程高くないのに誘電率の温度特性が悪くなる
ことから、その含有量を1O10〜30.0重量%と定
めた。
難となり、焼成温度幅が狭くなる。たとえ焼結したとし
ても多孔質になるため実用的素子を得ることが困難であ
る。一方、その含有量が10,0重量%未満になると誘
電率がそれ程高くないのに誘電率の温度特性が悪くなる
ことから、その含有量を1O10〜30.0重量%と定
めた。
(c)TiO2
Tie2戊分に成分周波帯域でのtanδを小さくする
作用があるが、主成分の含有量が15,0重量%を超え
ると高周波帯域でのtanδが大きくなり、一方その含
有量が50重量%未満になると焼結性が悪(なるので、
その含有量を5.0〜15,0重量%と定めた。
作用があるが、主成分の含有量が15,0重量%を超え
ると高周波帯域でのtanδが大きくなり、一方その含
有量が50重量%未満になると焼結性が悪(なるので、
その含有量を5.0〜15,0重量%と定めた。
(d) P b T i 03
PbTiO3成分は比較的高い誘電率を持った磁器組成
物とするために配合されるが、主成分中その含有量が3
0.0重量%を超えると誘電率の温度特性が悪くなり、
焼結性も劣るようになる。一方、その含有量が10.0
重量%未満になると誘電率が低下するようになることか
ら、その含有量を10.0〜30.0重量%と定めた。
物とするために配合されるが、主成分中その含有量が3
0.0重量%を超えると誘電率の温度特性が悪くなり、
焼結性も劣るようになる。一方、その含有量が10.0
重量%未満になると誘電率が低下するようになることか
ら、その含有量を10.0〜30.0重量%と定めた。
(e)MgTiOg
Mg”rio、成分には昇圧破壊電圧を高くする作用が
あるが、主成分100重量部に対して3.5重量部を超
えると高周波側のtanδが増大する。
あるが、主成分100重量部に対して3.5重量部を超
えると高周波側のtanδが増大する。
一方、同じ基準で0.5重量部未満ではその添加効果が
認められないので、その添加量を主成分100重量部に
対し0.5〜3.5重量部と定めた。
認められないので、その添加量を主成分100重量部に
対し0.5〜3.5重量部と定めた。
(f)CaTiO3
CaTiO3成分には、高周波帯域でのtanδを小さ
くする作用があるが、主成分100重量部に対して3.
0重量部を超えると、誘電率が低下する。
くする作用があるが、主成分100重量部に対して3.
0重量部を超えると、誘電率が低下する。
一方、その含有量が上の基準で0.2重量部未満ては、
添加効果が認められないので、その添加量を主−成分1
00重量部に対し、0.2〜3.0重量部と定めた。
添加効果が認められないので、その添加量を主−成分1
00重量部に対し、0.2〜3.0重量部と定めた。
(g) Ce 02
CeO2成分には、CaTiO. 、TiO2と同様、
高周波帯域でのtanδを小さくする作用があるが、主
成分100重量部に対して0.30重量部を超えると、
誘電率が低下する。一方、その含有量が上の基準で0.
02重量部未満では、添加効果が認められないので、そ
の添加量を主成分100重量部に対し、0.02〜0,
30重量部と定めた。
高周波帯域でのtanδを小さくする作用があるが、主
成分100重量部に対して0.30重量部を超えると、
誘電率が低下する。一方、その含有量が上の基準で0.
02重量部未満では、添加効果が認められないので、そ
の添加量を主成分100重量部に対し、0.02〜0,
30重量部と定めた。
(h)MnCO3
M n C03成分には温度特性に貢献する作用がある
が、主成分100重量部に対して0.40重量部を超え
るとtanδを増大させる。一方、同じ基準で0.05
重量部未満では誘電率の温度特性改善効果が認められな
いので、その添加量を主成分100重量部に対し0.0
5〜0.40重量部と定めた。
が、主成分100重量部に対して0.40重量部を超え
るとtanδを増大させる。一方、同じ基準で0.05
重量部未満では誘電率の温度特性改善効果が認められな
いので、その添加量を主成分100重量部に対し0.0
5〜0.40重量部と定めた。
以下、本発明の誘電体磁器組成物を実施例により比較例
と対比して説明する。
と対比して説明する。
[実施例]
それぞれ98%以上の純度を有するS r T i O
3、Bi2O3、TiO2およびPbTiOs(以上主
成分)および添加物としてMgTiO.、CaTiO.
i、CeO2およびMnCO3を第1表に示す組成比に
なるように秤量した。この際添加物の量は主成分100
重量部に対する重量割合で示されている。次に、不純物
の混入を防止するためにポリエチレンポットおよびウレ
タンボールを用いて上記組成比の材料を湿式混合した。
3、Bi2O3、TiO2およびPbTiOs(以上主
成分)および添加物としてMgTiO.、CaTiO.
i、CeO2およびMnCO3を第1表に示す組成比に
なるように秤量した。この際添加物の量は主成分100
重量部に対する重量割合で示されている。次に、不純物
の混入を防止するためにポリエチレンポットおよびウレ
タンボールを用いて上記組成比の材料を湿式混合した。
次いで混合物の脱水および乾燥を行った後、バインダー
としてポリビニルアルコール水溶液を添加し、直径16
m1.厚さ(■の円板に、2,000 kg/Cn’の
圧力で加圧成形した。
としてポリビニルアルコール水溶液を添加し、直径16
m1.厚さ(■の円板に、2,000 kg/Cn’の
圧力で加圧成形した。
次いて、成形体をエレマ発熱体を用いる電気トンネル炉
に装入して約1,200〜に、30(1℃の温度て本焼
成を行って試料1−12を得た。
に装入して約1,200〜に、30(1℃の温度て本焼
成を行って試料1−12を得た。
このようにして得られた磁器素子に銀電極を焼き付け、
特性試験を行い、誘電率ε、l kHzおよび500k
Hzにおけるtanδ(%)、誘電率の温度変化ITc
(%)、すなわち−25℃および+85℃での基準値(
20℃の値)に対する変化、ならびにBDVと標示され
ている昇圧破壊電圧(kV/a11)を測定した。これ
らの結果を第1表に示した。
特性試験を行い、誘電率ε、l kHzおよび500k
Hzにおけるtanδ(%)、誘電率の温度変化ITc
(%)、すなわち−25℃および+85℃での基準値(
20℃の値)に対する変化、ならびにBDVと標示され
ている昇圧破壊電圧(kV/a11)を測定した。これ
らの結果を第1表に示した。
[比較例]
実施例に用いた主成分および添加物と同種の成分におい
て、第2表に示すように少なくとも1種が本発明の範囲
外である組成比になるように秤量された原料を用い、実
施例と同様な方法で成形体を作製した後、同様な特性試
験を行った。結果を第2表に示した。
て、第2表に示すように少なくとも1種が本発明の範囲
外である組成比になるように秤量された原料を用い、実
施例と同様な方法で成形体を作製した後、同様な特性試
験を行った。結果を第2表に示した。
(以下余白)
以上、本発明を実施例に基づいて説明したが、本発明に
係る磁器組成物によるコンデンサの製造については実施
例以外の方法でもよく、また組成について通常用いられ
る酸化物、すなわち、SrT I O3、B 120
i 、T L O2、P b T l 03、MgTi
Og 、CaTiol、CeO2およびM n CO3
で示したが出発原料はこれらに限られるものではなく、
要するにSr、Ti5Bf。
係る磁器組成物によるコンデンサの製造については実施
例以外の方法でもよく、また組成について通常用いられ
る酸化物、すなわち、SrT I O3、B 120
i 、T L O2、P b T l 03、MgTi
Og 、CaTiol、CeO2およびM n CO3
で示したが出発原料はこれらに限られるものではなく、
要するにSr、Ti5Bf。
PbSCaSCeSMn、Mgなどがその代表的な酸化
物に換算して本発明の組成となるように含まれていれば
よい。
物に換算して本発明の組成となるように含まれていれば
よい。
すなわち、焼結によってペロブスカイト構造が得られる
ようなSrまたはSr化合物とTiまたはTi化合物、
焼結によってB12Q、を得ることが可能なりiまたは
Bi化合物、焼結によってT i O,を得ることが可
能なTiまたはTi化合物、焼結によってP b T
i Osを得ることが可能なpbまたはpb化合物、添
加物M g T i O3、CaTiO. 、CeO2
についても焼結によってこれらを得ることが可能なそれ
ぞれの金属またはその化合物を出発原料として差し支え
ない。
ようなSrまたはSr化合物とTiまたはTi化合物、
焼結によってB12Q、を得ることが可能なりiまたは
Bi化合物、焼結によってT i O,を得ることが可
能なTiまたはTi化合物、焼結によってP b T
i Osを得ることが可能なpbまたはpb化合物、添
加物M g T i O3、CaTiO. 、CeO2
についても焼結によってこれらを得ることが可能なそれ
ぞれの金属またはその化合物を出発原料として差し支え
ない。
[発明の効果]
以上説明したように、本発明によれば、1,300〜2
.5Q0程度の比較的高い誘電率を有し、その誘電率の
温度変化率が一25℃〜+85℃において±I5%以内
という優れた温度特性を持ち、誘電損失を表わす指標で
あるtanδが周波数1 kHzで0.1〜0.3 (
%)、特に高周波帯域500 kHzで小さく3.0%
以下であって、かつ1111当たりの昇圧破壊電圧が1
okv以上である等、優れた特性を具備した誘電体磁器
組成物が提供されることになる。
.5Q0程度の比較的高い誘電率を有し、その誘電率の
温度変化率が一25℃〜+85℃において±I5%以内
という優れた温度特性を持ち、誘電損失を表わす指標で
あるtanδが周波数1 kHzで0.1〜0.3 (
%)、特に高周波帯域500 kHzで小さく3.0%
以下であって、かつ1111当たりの昇圧破壊電圧が1
okv以上である等、優れた特性を具備した誘電体磁器
組成物が提供されることになる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 主成分として以下の成分: SrTiO_340.0〜55.0重量% PbTiO_310.0〜30.0重量% Bi_2O_310.0〜30.0重量% TiO_25.0〜15.0重量% を含有し、かつ上記主成分100重量部に対し添加物と
して以下の成分: MgTiO_30.5〜3.5重量部 CaTiO_30.2〜3.0重量部 CeO_20.02〜0.30重量部 MnCO_30.05〜0.40重量部 を含有してなる組成を有することを特徴とする誘電体磁
器組成物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2073351A JPH03274606A (ja) | 1990-03-26 | 1990-03-26 | 誘電体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2073351A JPH03274606A (ja) | 1990-03-26 | 1990-03-26 | 誘電体磁器組成物 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03274606A true JPH03274606A (ja) | 1991-12-05 |
Family
ID=13515659
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2073351A Pending JPH03274606A (ja) | 1990-03-26 | 1990-03-26 | 誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03274606A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6656863B2 (en) | 2000-02-09 | 2003-12-02 | Tdk Corporation | Dielectric ceramic composition, electronic device, and method for producing the same |
EP1500636A1 (en) * | 2003-07-24 | 2005-01-26 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Dielectric ceramic composition and ceramic electronic component |
CN105645955A (zh) * | 2014-11-18 | 2016-06-08 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 四方相钛镁酸铋-钛酸铅基压电陶瓷的制备方法 |
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1990
- 1990-03-26 JP JP2073351A patent/JPH03274606A/ja active Pending
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