JPS6258129B2 - - Google Patents
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- JPS6258129B2 JPS6258129B2 JP58093097A JP9309783A JPS6258129B2 JP S6258129 B2 JPS6258129 B2 JP S6258129B2 JP 58093097 A JP58093097 A JP 58093097A JP 9309783 A JP9309783 A JP 9309783A JP S6258129 B2 JPS6258129 B2 JP S6258129B2
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- dielectric constant
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Landscapes
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Description
この発明はチタン酸バリウム系の還元再酸化型
半導体コンデンサ磁器組成物に関するものであ
る。 従来、半導体コンデンサには、半導体磁器の結
晶粒界にCu，Bi，Mnなどを拡散させた粒界絶縁
型のもの、また半導体磁器の表面層を利用した表
面堰層型ならびに還元再酸化型のものが知られて
いる。 このうち、粒界絶縁型半導体コンデンサには材
料系としてBaTiO3系とSrTiO3系のものがあり、
近年では温度特性、バイアス特性などの点ですぐ
れているSrTiO3系が主流となつている。このほ
かこの種コンデンサの特徴としては、電極の種類
が変わつても特性変動が少ないこと、信頼性にす
ぐれているなどの長所を有している。しかしなが
ら、一方では工程が複雑なためコストアツプにな
つていること、破壊電圧が低いこと、面積容量を
大きくすることができないことなどが欠点として
挙げられる。 また、表面堰層型半導体コンデンサは比較的大
きな面積容量を得ることができるが、破壊電圧、
絶縁抵抗が低く、使用範囲に制限がある。 さらに、還元再酸化型半導体コンデンサは誘電
体磁器を還元雰囲気中で熱処理して半導体化し、
次いで酸化性雰囲気で熱処理を行なつて表面に誘
電体層を形成し、しかるのち電極を付与すること
によつて得られるものである。したがつてこの種
のコンデンサの容量、絶縁抵抗、破壊電圧、容量
温度特性などの各電気特性は誘電体層の生成状態
に大きく左右されるという特徴がある。 この還元再酸化型半導体コンデンサについては
特許公報や文献などで数多く紹介されており、ま
た実用化もされているが、近年コンデンサの小形
大容量化がさらに強く要望されていることから、
面積容量が一層大きい（0.7μＦ／cm2以上）材料
の出現が要望されている。 しかしながら、面積容量を大きくするために
は、誘電体磁器の誘電率が同じである場合、当然
半導体磁器表面の再酸化層（誘電体層）は薄くな
ければならず、逆に破壊電圧、絶縁抵抗の低下を
招くことになる。 このように小形大容量化を図るといつても、面
積容量が大きいことはもちろん、破壊電圧、絶縁
抵抗が高いことが必要であり、そのためには次の
ような条件を満足しなければならない。 誘電体磁器の誘電率が大きいこと。 磁器が緻密で結晶粒径が均一で小さいこと。 還元、再酸化速度が大きいこと。 従来、還元再酸化型半導体コンデンサには
BaTiO3―La2O3―TiO2系などの固溶体にMn酸化
物を添加した組成系が知られている。しかし、こ
れらの組成系のものは結晶粒径が小さいと誘電率
が8000〜10000程度と小さくなる。また誘電率を
12000以上のものにしようとすると、結晶粒径が
３μｍ以上と大きくなり、面積容量を0.7μＦ／
cm2以上にしたとき、破壊電圧、絶縁抵抗が極端に
低下してしまい、実用に供し得ないという問題が
あつた。 この発明者はチタン酸バリウム系の種々の組成
物について研究した結果、誘電率が高く、しかも
磁器が緻密で結晶粒径が微小均一であり、かつ還
元再酸化が容易な還元再酸化型半導体コンデンサ
用の磁器組成物を見い出し、その結果コンデンサ
の小形大容量化を達成したものである。 すなわち、この発明は、チタン酸バリウム
（BaTiO3）、酸化セリウム（CeO2）、酸化ランタ
ン（La2O3）、酸化ジルコニウム（ZrO2）を含む主
成分に、酸化マンガンをMnに換算して0.01〜0.4
重量％添加含有させたものである。 この組成物は次のようにして処理され半導体コ
ンデンサとして構成される。つまり、原料組成を
調合、混合し、この混合物を成形して酸化性雰囲
気で焼成し、次いで還元性雰囲気で熱処理を行つ
て半導体磁器としたのち、酸化性雰囲気で熱処理
を行つて半導体磁器表面に薄い誘電体層を形成
し、さらに表面に電極を付与して半導体コンデン
サとして構成される。 この発明にかかる還元再酸化型半導体コンデン
サ磁器組成物は酸化セリウム（CeO2）と酸化ジル
コニウム（Zro2）をキユリー点のシフターとして
主体的に用いたものであり、Nd2O3，La2O3など
をキユリー点のシフターとして用いた従来例にく
らべてキユリー点における誘電率が15000以上と
大きいこと、誘電率が15000以上であるにもかか
わらず結晶粒径が1.0〜1.5μｍ以下と小さくかつ
結晶粒の大きさが均一であること、焼結性がよく
磁器が緻密であること、還元再酸化が容易である
ことなど小形大容量の還元再酸化型半導体コンデ
ンサに要求される条件を十分に満足するものであ
る。 以下この発明を実施例にしたがつて詳細に説明
する。 試料の作成にあたつて第１表に示す組成比のも
のが得られるようにBaTiO3，CeO2，La2O3，
ZrO2，MnCO3の各原料を秤量し、各秤量原料を
ポリポツトに投入し酢酸ビニルなどの有機バイン
ダとともに16時間混合した。混合したのち脱水乾
燥し、50メツシユの篩に通して整粒した。次いで
1000Kg／cm2の圧力で直径10mm、厚み0.5mmの円板
に成形し、空気中1300〜1360℃で焼成した。この
ようにして得た誘電体磁器を1000〜1200℃で２時
間還元性雰囲気中で熱処理して半導体磁器とし
た。この半導体磁器を850〜1000℃で２時間酸化
性雰囲気である空気中で熱処理を行ない、半導体
磁器の表面に薄い誘電体層を形成した。しかるの
ち半導体磁器の表面に銀ペーストを塗布し、700
〜850℃で30分間焼付けて電極を形成し、還元再
酸化型半導体コンデンサを得た。 このようにして作成したコンデンサについて、
磁器の平均結晶粒径、誘電率、単位面積当りの容
量〔Ｃ（μＦ／cm2）〕、誘電損失〔tanδ（％）〕、
絶縁抵抗〔IR（Ω）〕、破壊電圧〔Vb（Ｖ）〕を測
定し、その結果を第１表に合わせて示した。 なお、容量、誘電損失は0.1Vr.m.s，1KHzで測
定した値である。容量については還元温度、再酸
化温度によつて変化するため、還元後の磁器比抵
抗が一定となるように還元温度を設定するととも
に、再酸化温度を設定して面積容量を0.7μＦ／
cm2とし、他の電気特性にて評価するようにして比
較を容易にした。 絶縁抵抗は12VD.C.を１分間印加して測定し
た。 破壊電圧はD.C昇圧破壊方式を用いた。 誘電率は1.0Vr.m.s，1KHzで測定し、測定温度
は20℃を基準とした。 なお、第１表中※印を付したものはこの発明範
囲外のものであり、それ以外はこの発明範囲内の
ものである。
半導体コンデンサ磁器組成物に関するものであ
る。 従来、半導体コンデンサには、半導体磁器の結
晶粒界にCu，Bi，Mnなどを拡散させた粒界絶縁
型のもの、また半導体磁器の表面層を利用した表
面堰層型ならびに還元再酸化型のものが知られて
いる。 このうち、粒界絶縁型半導体コンデンサには材
料系としてBaTiO3系とSrTiO3系のものがあり、
近年では温度特性、バイアス特性などの点ですぐ
れているSrTiO3系が主流となつている。このほ
かこの種コンデンサの特徴としては、電極の種類
が変わつても特性変動が少ないこと、信頼性にす
ぐれているなどの長所を有している。しかしなが
ら、一方では工程が複雑なためコストアツプにな
つていること、破壊電圧が低いこと、面積容量を
大きくすることができないことなどが欠点として
挙げられる。 また、表面堰層型半導体コンデンサは比較的大
きな面積容量を得ることができるが、破壊電圧、
絶縁抵抗が低く、使用範囲に制限がある。 さらに、還元再酸化型半導体コンデンサは誘電
体磁器を還元雰囲気中で熱処理して半導体化し、
次いで酸化性雰囲気で熱処理を行なつて表面に誘
電体層を形成し、しかるのち電極を付与すること
によつて得られるものである。したがつてこの種
のコンデンサの容量、絶縁抵抗、破壊電圧、容量
温度特性などの各電気特性は誘電体層の生成状態
に大きく左右されるという特徴がある。 この還元再酸化型半導体コンデンサについては
特許公報や文献などで数多く紹介されており、ま
た実用化もされているが、近年コンデンサの小形
大容量化がさらに強く要望されていることから、
面積容量が一層大きい（0.7μＦ／cm2以上）材料
の出現が要望されている。 しかしながら、面積容量を大きくするために
は、誘電体磁器の誘電率が同じである場合、当然
半導体磁器表面の再酸化層（誘電体層）は薄くな
ければならず、逆に破壊電圧、絶縁抵抗の低下を
招くことになる。 このように小形大容量化を図るといつても、面
積容量が大きいことはもちろん、破壊電圧、絶縁
抵抗が高いことが必要であり、そのためには次の
ような条件を満足しなければならない。 誘電体磁器の誘電率が大きいこと。 磁器が緻密で結晶粒径が均一で小さいこと。 還元、再酸化速度が大きいこと。 従来、還元再酸化型半導体コンデンサには
BaTiO3―La2O3―TiO2系などの固溶体にMn酸化
物を添加した組成系が知られている。しかし、こ
れらの組成系のものは結晶粒径が小さいと誘電率
が8000〜10000程度と小さくなる。また誘電率を
12000以上のものにしようとすると、結晶粒径が
３μｍ以上と大きくなり、面積容量を0.7μＦ／
cm2以上にしたとき、破壊電圧、絶縁抵抗が極端に
低下してしまい、実用に供し得ないという問題が
あつた。 この発明者はチタン酸バリウム系の種々の組成
物について研究した結果、誘電率が高く、しかも
磁器が緻密で結晶粒径が微小均一であり、かつ還
元再酸化が容易な還元再酸化型半導体コンデンサ
用の磁器組成物を見い出し、その結果コンデンサ
の小形大容量化を達成したものである。 すなわち、この発明は、チタン酸バリウム
（BaTiO3）、酸化セリウム（CeO2）、酸化ランタ
ン（La2O3）、酸化ジルコニウム（ZrO2）を含む主
成分に、酸化マンガンをMnに換算して0.01〜0.4
重量％添加含有させたものである。 この組成物は次のようにして処理され半導体コ
ンデンサとして構成される。つまり、原料組成を
調合、混合し、この混合物を成形して酸化性雰囲
気で焼成し、次いで還元性雰囲気で熱処理を行つ
て半導体磁器としたのち、酸化性雰囲気で熱処理
を行つて半導体磁器表面に薄い誘電体層を形成
し、さらに表面に電極を付与して半導体コンデン
サとして構成される。 この発明にかかる還元再酸化型半導体コンデン
サ磁器組成物は酸化セリウム（CeO2）と酸化ジル
コニウム（Zro2）をキユリー点のシフターとして
主体的に用いたものであり、Nd2O3，La2O3など
をキユリー点のシフターとして用いた従来例にく
らべてキユリー点における誘電率が15000以上と
大きいこと、誘電率が15000以上であるにもかか
わらず結晶粒径が1.0〜1.5μｍ以下と小さくかつ
結晶粒の大きさが均一であること、焼結性がよく
磁器が緻密であること、還元再酸化が容易である
ことなど小形大容量の還元再酸化型半導体コンデ
ンサに要求される条件を十分に満足するものであ
る。 以下この発明を実施例にしたがつて詳細に説明
する。 試料の作成にあたつて第１表に示す組成比のも
のが得られるようにBaTiO3，CeO2，La2O3，
ZrO2，MnCO3の各原料を秤量し、各秤量原料を
ポリポツトに投入し酢酸ビニルなどの有機バイン
ダとともに16時間混合した。混合したのち脱水乾
燥し、50メツシユの篩に通して整粒した。次いで
1000Kg／cm2の圧力で直径10mm、厚み0.5mmの円板
に成形し、空気中1300〜1360℃で焼成した。この
ようにして得た誘電体磁器を1000〜1200℃で２時
間還元性雰囲気中で熱処理して半導体磁器とし
た。この半導体磁器を850〜1000℃で２時間酸化
性雰囲気である空気中で熱処理を行ない、半導体
磁器の表面に薄い誘電体層を形成した。しかるの
ち半導体磁器の表面に銀ペーストを塗布し、700
〜850℃で30分間焼付けて電極を形成し、還元再
酸化型半導体コンデンサを得た。 このようにして作成したコンデンサについて、
磁器の平均結晶粒径、誘電率、単位面積当りの容
量〔Ｃ（μＦ／cm2）〕、誘電損失〔tanδ（％）〕、
絶縁抵抗〔IR（Ω）〕、破壊電圧〔Vb（Ｖ）〕を測
定し、その結果を第１表に合わせて示した。 なお、容量、誘電損失は0.1Vr.m.s，1KHzで測
定した値である。容量については還元温度、再酸
化温度によつて変化するため、還元後の磁器比抵
抗が一定となるように還元温度を設定するととも
に、再酸化温度を設定して面積容量を0.7μＦ／
cm2とし、他の電気特性にて評価するようにして比
較を容易にした。 絶縁抵抗は12VD.C.を１分間印加して測定し
た。 破壊電圧はD.C昇圧破壊方式を用いた。 誘電率は1.0Vr.m.s，1KHzで測定し、測定温度
は20℃を基準とした。 なお、第１表中※印を付したものはこの発明範
囲外のものであり、それ以外はこの発明範囲内の
ものである。
【表】
第１表から明らかなように、この発明の還元再
酸化型半導体コンデンサ磁器組成物によれば、き
わめてすぐれた電気特性を有する半導体コンデン
サを提供することができる。すなわち、単位面積
当りの容量が0.7μＦ／cm2と大きいにもかかわら
ず、破壊電圧は400V以上、絶縁抵抗は1010Ω以
上、誘電損失は3.0％以下とすぐれた特性を示す
ものである。また破壊電圧値のバラツキも小さい
ことが確認された。 従来のBaTiO3―La2O3―TiO2系において、絶
縁抵抗が1010の特性のものを得ようとすれば、面
積容量は高々0.4〜0.5μＦ／cm2程度であり、また
破壊電圧も300Vぐらいであつたが、この発明に
よれば0.7μＦ／cm2の面積容量が得られるととも
に破壊電圧も400V以上のものが得られ、コンデ
ンサの小形大容量化、高耐圧化が図れる点で格段
にすぐれたものであると云える。 上記したようにこの発明においてすぐれた特性
が得られるのは、第１表から明らかなように、誘
電率が12000以上と大きいにもかかわらず、磁器
の平均結晶粒径が1.0〜1.5μｍと均一で小さいこ
と、また、磁器の断面を鏡面研磨し、内部の空孔
量、分布を観察した結果、従来のものにくらべて
緻密な磁器であること、さらに還元および再酸化
が容易であること、などがその理由として挙げら
れる。 この発明において組成物の範囲を限定したのは
以下の理由による。 (1) CeO2が1.0モル％未満では、キユリー点の移
動がないため室温での誘電率が低くなり、また
焼結性が悪くなるため面積容量が0.7μＦ／cm2
と大きくなるとIR，Vbとも悪くなり、tanδも
悪くなる。またCeO2が6.0モル％を越えると誘
電率が低くなり、IR，Vbとも悪くなる。 (2) La2O3は焼結性改善のために効果があるが、
0.3モル％以上になると磁器の結晶粒径が大き
くなり、Vbが低下する。 (3) ZrO2が1.0モル％未満では焼結性が悪くな
り、tanδが大きくなるとともにVbが低下す
る。またZrO2が15.0モル％を越えると誘電率が
低下し、磁器の融着が起こる。 (4) BaTiO3の組成範囲はCeO2，La2O3，ZrO2に
より決定されるが、この発明範囲外の試料（試
料番号１，４）からも明らかなように、いずれ
も誘電率が低く、IR，Vbが低くなる。 (5) 酸化マンガンの添加はIRの改善、Vbの向上
さらにtanδの改善に効果があるが、酸化マン
ガンがMnに換算して0.01重量％未満では添加
含有の効果がなく、0.4重量％を越えると磁器
の誘電率が低下し、面積容量を大きくするため
誘電体層を薄くするとIR，Vbとも低下する。 なお、この発明において、ZrO2の代わりに
TiO2を含有させたり、あるいはZrO2の一部を
TiO2で置換したものでも同様の効果を奏するこ
とが確認できた。また、La2O3の代わりに
Nd2O3，Pr2O3を含有させたり、あるいはLa2O3
の一部をNd2O3，Pr2O3のうち少なくとも１種で
置換したもので同様の効果を奏することが確認で
きた。 以上の説明から明らかなように、この発明によ
れば、、面積容量が従来になくきわめて大きいと
いう特徴を有しながら、絶縁抵抗、破壊電圧が高
いという特性を有するものであり、小形大容量の
コンデンサを提供することができるという効果を
有する。
酸化型半導体コンデンサ磁器組成物によれば、き
わめてすぐれた電気特性を有する半導体コンデン
サを提供することができる。すなわち、単位面積
当りの容量が0.7μＦ／cm2と大きいにもかかわら
ず、破壊電圧は400V以上、絶縁抵抗は1010Ω以
上、誘電損失は3.0％以下とすぐれた特性を示す
ものである。また破壊電圧値のバラツキも小さい
ことが確認された。 従来のBaTiO3―La2O3―TiO2系において、絶
縁抵抗が1010の特性のものを得ようとすれば、面
積容量は高々0.4〜0.5μＦ／cm2程度であり、また
破壊電圧も300Vぐらいであつたが、この発明に
よれば0.7μＦ／cm2の面積容量が得られるととも
に破壊電圧も400V以上のものが得られ、コンデ
ンサの小形大容量化、高耐圧化が図れる点で格段
にすぐれたものであると云える。 上記したようにこの発明においてすぐれた特性
が得られるのは、第１表から明らかなように、誘
電率が12000以上と大きいにもかかわらず、磁器
の平均結晶粒径が1.0〜1.5μｍと均一で小さいこ
と、また、磁器の断面を鏡面研磨し、内部の空孔
量、分布を観察した結果、従来のものにくらべて
緻密な磁器であること、さらに還元および再酸化
が容易であること、などがその理由として挙げら
れる。 この発明において組成物の範囲を限定したのは
以下の理由による。 (1) CeO2が1.0モル％未満では、キユリー点の移
動がないため室温での誘電率が低くなり、また
焼結性が悪くなるため面積容量が0.7μＦ／cm2
と大きくなるとIR，Vbとも悪くなり、tanδも
悪くなる。またCeO2が6.0モル％を越えると誘
電率が低くなり、IR，Vbとも悪くなる。 (2) La2O3は焼結性改善のために効果があるが、
0.3モル％以上になると磁器の結晶粒径が大き
くなり、Vbが低下する。 (3) ZrO2が1.0モル％未満では焼結性が悪くな
り、tanδが大きくなるとともにVbが低下す
る。またZrO2が15.0モル％を越えると誘電率が
低下し、磁器の融着が起こる。 (4) BaTiO3の組成範囲はCeO2，La2O3，ZrO2に
より決定されるが、この発明範囲外の試料（試
料番号１，４）からも明らかなように、いずれ
も誘電率が低く、IR，Vbが低くなる。 (5) 酸化マンガンの添加はIRの改善、Vbの向上
さらにtanδの改善に効果があるが、酸化マン
ガンがMnに換算して0.01重量％未満では添加
含有の効果がなく、0.4重量％を越えると磁器
の誘電率が低下し、面積容量を大きくするため
誘電体層を薄くするとIR，Vbとも低下する。 なお、この発明において、ZrO2の代わりに
TiO2を含有させたり、あるいはZrO2の一部を
TiO2で置換したものでも同様の効果を奏するこ
とが確認できた。また、La2O3の代わりに
Nd2O3，Pr2O3を含有させたり、あるいはLa2O3
の一部をNd2O3，Pr2O3のうち少なくとも１種で
置換したもので同様の効果を奏することが確認で
きた。 以上の説明から明らかなように、この発明によ
れば、、面積容量が従来になくきわめて大きいと
いう特徴を有しながら、絶縁抵抗、破壊電圧が高
いという特性を有するものであり、小形大容量の
コンデンサを提供することができるという効果を
有する。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ チタン酸バリウム（BaTiO3）が78.7モル％を
越え、かつ98.0モル％未満 酸化セリウム（CeO2）が、1.0〜6.0モル％ 酸化ランタン（La2O3）が 0.3モル％未満 酸化ジルコニウム（ZrO2）が1.0〜15.0モル％ からなる主成分に、 酸化マンガンをMnに換算して0.01〜0.4重量％添
加含有してなる還元再酸化型半導体コンデンサ磁
器組成物。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58093097A JPS59217322A (ja) | 1983-05-25 | 1983-05-25 | 還元再酸化型半導体コンデンサ磁器組成物 |
| US06/613,628 US4535064A (en) | 1983-05-25 | 1984-05-24 | Ceramic compositions for a reduction-reoxidation type semiconducting capacitor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58093097A JPS59217322A (ja) | 1983-05-25 | 1983-05-25 | 還元再酸化型半導体コンデンサ磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59217322A JPS59217322A (ja) | 1984-12-07 |
| JPS6258129B2 true JPS6258129B2 (ja) | 1987-12-04 |
Family
ID=14073014
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58093097A Granted JPS59217322A (ja) | 1983-05-25 | 1983-05-25 | 還元再酸化型半導体コンデンサ磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59217322A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3506056B2 (ja) * | 1999-08-09 | 2004-03-15 | 株式会社村田製作所 | 正の抵抗温度特性を有する積層型半導体セラミック素子、および正の抵抗温度特性を有する積層型半導体セラミック素子の製造方法 |
-
1983
- 1983-05-25 JP JP58093097A patent/JPS59217322A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59217322A (ja) | 1984-12-07 |
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