JP2692448B2 - 誘電体磁器組成物 - Google Patents
誘電体磁器組成物Info
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- JP2692448B2 JP2692448B2 JP3252660A JP25266091A JP2692448B2 JP 2692448 B2 JP2692448 B2 JP 2692448B2 JP 3252660 A JP3252660 A JP 3252660A JP 25266091 A JP25266091 A JP 25266091A JP 2692448 B2 JP2692448 B2 JP 2692448B2
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- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、誘電体磁器組成物に関
し、特に、温度補償用磁器コンデンサに用いるのに好適
な誘電体磁器組成物に関する。
し、特に、温度補償用磁器コンデンサに用いるのに好適
な誘電体磁器組成物に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、温度補償用積層磁器コンデンサで
は、ＭｇＴｉＯ3 −ＣａＴｉＯ3 系等の誘電体磁器組成
物が用いられてきた。しかしながら、これらの誘電体磁
器組成物は、その焼成温度が約１３００℃とかなり高か
った。また、これらの誘電体磁器組成物は、還元雰囲気
中で焼成されると半導体化し絶縁抵抗が低下するため、
非還元性雰囲気下で焼成する必要があった。従って、温
度補償用積層磁器コンデンサを製造する場合、内部電極
材料としては、高融点であり、かつ酸化し難い高価なパ
ラジウムを用いる必要があり、その結果、コストが高く
つくという問題があった。また、パラジウムは、比較的
比抵抗が高いため、高周波特性、特にＱ値が低下すると
いう問題もあった。
は、ＭｇＴｉＯ3 −ＣａＴｉＯ3 系等の誘電体磁器組成
物が用いられてきた。しかしながら、これらの誘電体磁
器組成物は、その焼成温度が約１３００℃とかなり高か
った。また、これらの誘電体磁器組成物は、還元雰囲気
中で焼成されると半導体化し絶縁抵抗が低下するため、
非還元性雰囲気下で焼成する必要があった。従って、温
度補償用積層磁器コンデンサを製造する場合、内部電極
材料としては、高融点であり、かつ酸化し難い高価なパ
ラジウムを用いる必要があり、その結果、コストが高く
つくという問題があった。また、パラジウムは、比較的
比抵抗が高いため、高周波特性、特にＱ値が低下すると
いう問題もあった。
【０００３】上記のような問題を解決するものとして、
（Ｂａ2-x Ｃａx Ｏ2 ）k ・Ｎｂ2 Ｏ5 、（Ｓｒ2-x Ｃ
ａx Ｏ2 ）k ・Ｎｂ2 Ｏ5 または（Ｂａ2-x Ｓｒ
x Ｏ2 ）k ・Ｎｂ2 Ｏ5 からなる基本成分と、Ｌｉ
2 Ｏ、ＳｉＯ2 、ＢａＯ、ＭｇＯ、ＺｎＯ、ＳｒＯまた
はＣａＯ等の添加成分とからなる誘電体磁器組成物が提
案されている（特開平２−３４５４８号、特開平２−３
４５４９号、特開平２−３４５５０号、特開平２−３４
５５１号、特開平２−３４５５２号、特開平２−３４５
５３号等）。上述した先行技術の誘電体磁器組成物は、
上記のような基本成分及び添加成分を含むため、非酸化
性雰囲気中で１２００℃以下の温度で焼成することがで
き、従ってニッケル等の卑金属を内部電極として用いる
ことにより、積層コンデンサのコストを低減することが
可能とされている。
（Ｂａ2-x Ｃａx Ｏ2 ）k ・Ｎｂ2 Ｏ5 、（Ｓｒ2-x Ｃ
ａx Ｏ2 ）k ・Ｎｂ2 Ｏ5 または（Ｂａ2-x Ｓｒ
x Ｏ2 ）k ・Ｎｂ2 Ｏ5 からなる基本成分と、Ｌｉ
2 Ｏ、ＳｉＯ2 、ＢａＯ、ＭｇＯ、ＺｎＯ、ＳｒＯまた
はＣａＯ等の添加成分とからなる誘電体磁器組成物が提
案されている（特開平２−３４５４８号、特開平２−３
４５４９号、特開平２−３４５５０号、特開平２−３４
５５１号、特開平２−３４５５２号、特開平２−３４５
５３号等）。上述した先行技術の誘電体磁器組成物は、
上記のような基本成分及び添加成分を含むため、非酸化
性雰囲気中で１２００℃以下の温度で焼成することがで
き、従ってニッケル等の卑金属を内部電極として用いる
ことにより、積層コンデンサのコストを低減することが
可能とされている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記先
行技術の誘電体磁器組成物を用いた場合においても、良
好なＱ値を有する磁器を得ることは難しく、また、ニッ
ケル等の磁性金属を内部電極に用いた場合には、その表
皮効果により、１００ＭＨｚを超える高周波域では抵抗
成分が高くなり、コンデンサとしてのＱ値がさらに低下
するという問題があった。他方、Ｃｕは、非磁性体であ
り、比抵抗が低くかつ安価な電極材料であり、電極材料
としては非常に好ましいものである。しかしながら、Ｃ
ｕは融点がニッケルよりさらに低いため、１０６０℃以
下で焼成し得る誘電体磁器組成物を用いる必要がある
が、上記先行技術に記載の誘電体磁器組成物は、このよ
うな低温域で焼成することができず、従ってＣｕを内部
電極材料として用いることができなかった。
行技術の誘電体磁器組成物を用いた場合においても、良
好なＱ値を有する磁器を得ることは難しく、また、ニッ
ケル等の磁性金属を内部電極に用いた場合には、その表
皮効果により、１００ＭＨｚを超える高周波域では抵抗
成分が高くなり、コンデンサとしてのＱ値がさらに低下
するという問題があった。他方、Ｃｕは、非磁性体であ
り、比抵抗が低くかつ安価な電極材料であり、電極材料
としては非常に好ましいものである。しかしながら、Ｃ
ｕは融点がニッケルよりさらに低いため、１０６０℃以
下で焼成し得る誘電体磁器組成物を用いる必要がある
が、上記先行技術に記載の誘電体磁器組成物は、このよ
うな低温域で焼成することができず、従ってＣｕを内部
電極材料として用いることができなかった。
【０００５】よって、本発明の目的は、より低温で、特
に、１０６０℃以下で焼成することができ、しかもＱ値
の高い磁器を得ることができる誘電体磁器組成物を提供
することにある。
に、１０６０℃以下で焼成することができ、しかもＱ値
の高い磁器を得ることができる誘電体磁器組成物を提供
することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明にかかる誘電体磁
器組成物は、（Ｍｇx Ａ1-x ）Ｂ2 Ｏ6 を主成分とし、
前記主成分１００重量部に対し、添加剤３〜５０重量部
を配合してなり、前記主成分において、Ａが、Ｓｒ、Ｃ
ａ及びＢａのうち少なくとも１種、ＢがＮｂ及びＴａの
うち少なくとも１種であり、ｘが０．０３≦ｘ≦１の範
囲にあり、上記添加剤が、Ｂ2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 及びＬｉ
2 Ｏのうち少なくとも１種を含むことを特徴とする誘電
体磁器組成物である。
器組成物は、（Ｍｇx Ａ1-x ）Ｂ2 Ｏ6 を主成分とし、
前記主成分１００重量部に対し、添加剤３〜５０重量部
を配合してなり、前記主成分において、Ａが、Ｓｒ、Ｃ
ａ及びＢａのうち少なくとも１種、ＢがＮｂ及びＴａの
うち少なくとも１種であり、ｘが０．０３≦ｘ≦１の範
囲にあり、上記添加剤が、Ｂ2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 及びＬｉ
2 Ｏのうち少なくとも１種を含むことを特徴とする誘電
体磁器組成物である。
【０００７】上記のように、本発明の誘電体磁器組成物
に用いられる主成分は、（Ｍｇx Ａ 1-x ）Ｂ2 Ｏ6 であ
るが、この主成分において、ｘを０．０３≦ｘ≦１の範
囲としたのは、ｘが０．０３未満では得られた磁器のＱ
値が十分な値とならないからであり、モル比で合計１を
超えると焼結不足になるからである。また、本発明の誘
電体磁器組成物では、上記主成分１００重量部に対し、
上記特定の添加剤が３〜５０重量部の割合で配合されて
いる。これは、添加剤の配合量が３重量部未満では、焼
成温度が１１００℃以上となるからであり、他方、添加
剤の添加量が５０重量部を超えると、比誘電率ε及びＱ
値の低下が生じるからである。
に用いられる主成分は、（Ｍｇx Ａ 1-x ）Ｂ2 Ｏ6 であ
るが、この主成分において、ｘを０．０３≦ｘ≦１の範
囲としたのは、ｘが０．０３未満では得られた磁器のＱ
値が十分な値とならないからであり、モル比で合計１を
超えると焼結不足になるからである。また、本発明の誘
電体磁器組成物では、上記主成分１００重量部に対し、
上記特定の添加剤が３〜５０重量部の割合で配合されて
いる。これは、添加剤の配合量が３重量部未満では、焼
成温度が１１００℃以上となるからであり、他方、添加
剤の添加量が５０重量部を超えると、比誘電率ε及びＱ
値の低下が生じるからである。
【０００８】
【作用】本発明では、上記特定の主成分に対し、上記特
定の添加剤が上記特定の割合で配合されているため、１
０６０℃以下で焼成することでき、しかも良好なＱ値を
有する磁器を得ることを可能とする誘電体磁器組成物を
提供することができる。
定の添加剤が上記特定の割合で配合されているため、１
０６０℃以下で焼成することでき、しかも良好なＱ値を
有する磁器を得ることを可能とする誘電体磁器組成物を
提供することができる。
【０００９】
【実施例の説明】以下、本発明の非限定的な実施例を説
明することにより、本発明を明らかにする。まず、主成
分を構成する原料として、ＭｇＣＯ3 、ＳｒＣＯ3 、Ｂ
ａＣＯ3 、ＣａＣＯ3 、Ｎｂ2 Ｏ5 及びＴａ2 Ｏ5 の各
粉末を用意した。次に、これらの原料を用い、下記の表
１に試料番号１〜１７で示す組み合わせとなるように各
原料を秤量し、ボールミルで１６時間湿式混合した後、
蒸発乾燥し、空気中で１１５０℃で２時間仮焼・粉砕す
ることにより、試料番号１〜１７の各主成分の仮焼粉末
を得た。他方、添加剤を構成する原料として、Ｈ3 ＢＯ
3 、ＳｉＯ2 、Ｌｉ2 ＣＯ3 、ＢａＣＯ3 ＺｎＯ、Ｃｕ
Ｏ、ＭｎＯ及びＣａＣＯ3 を用意した。次に、これらの
添加剤原料を秤量し、ボールミルで１６時間湿式混合し
た後、蒸発乾燥し、１０００℃で溶融し、湿式粉砕し、
さらに乾燥することにより下記の表２に示す３種類の添
加剤、Ａ、Ｂ及びＣを、それぞれ得た。
明することにより、本発明を明らかにする。まず、主成
分を構成する原料として、ＭｇＣＯ3 、ＳｒＣＯ3 、Ｂ
ａＣＯ3 、ＣａＣＯ3 、Ｎｂ2 Ｏ5 及びＴａ2 Ｏ5 の各
粉末を用意した。次に、これらの原料を用い、下記の表
１に試料番号１〜１７で示す組み合わせとなるように各
原料を秤量し、ボールミルで１６時間湿式混合した後、
蒸発乾燥し、空気中で１１５０℃で２時間仮焼・粉砕す
ることにより、試料番号１〜１７の各主成分の仮焼粉末
を得た。他方、添加剤を構成する原料として、Ｈ3 ＢＯ
3 、ＳｉＯ2 、Ｌｉ2 ＣＯ3 、ＢａＣＯ3 ＺｎＯ、Ｃｕ
Ｏ、ＭｎＯ及びＣａＣＯ3 を用意した。次に、これらの
添加剤原料を秤量し、ボールミルで１６時間湿式混合し
た後、蒸発乾燥し、１０００℃で溶融し、湿式粉砕し、
さらに乾燥することにより下記の表２に示す３種類の添
加剤、Ａ、Ｂ及びＣを、それぞれ得た。
【００１０】次に、表１に示す試料番号１〜１７の主成
分の仮焼粉末１００重量部と、表１に示す量の添加剤
Ａ、ＢまたはＣと、２００重量部の純水及び５重量％の
酢酸ビニル樹脂とを、ボールミルにより１６時間湿式混
合した後、蒸発乾燥し、整粒することにより顆粒状の粉
末を得た。しかる後、得られた顆粒状の各粉末を、乾燥
プレス機により２トン／ｃｍ2 の圧力で加圧することに
より、直径２２ｍｍ及び厚さ１．０ｍｍの円板状に成形
された成形物を得た。次に、得られた各成形物を空気中
で４００℃で３時間加熱することによりバインダを除去
し、Ｎ2 −Ｈ2 （０．１容量％）ガス雰囲気下において
２時間焼成することにより、試料番号１〜１７の焼結体
を得た。さらに、各焼結体の両主面に、Ｉｎ−Ｇａペー
ストを塗布することにより電極を形成し、試料１〜１７
を得た。
分の仮焼粉末１００重量部と、表１に示す量の添加剤
Ａ、ＢまたはＣと、２００重量部の純水及び５重量％の
酢酸ビニル樹脂とを、ボールミルにより１６時間湿式混
合した後、蒸発乾燥し、整粒することにより顆粒状の粉
末を得た。しかる後、得られた顆粒状の各粉末を、乾燥
プレス機により２トン／ｃｍ2 の圧力で加圧することに
より、直径２２ｍｍ及び厚さ１．０ｍｍの円板状に成形
された成形物を得た。次に、得られた各成形物を空気中
で４００℃で３時間加熱することによりバインダを除去
し、Ｎ2 −Ｈ2 （０．１容量％）ガス雰囲気下において
２時間焼成することにより、試料番号１〜１７の焼結体
を得た。さらに、各焼結体の両主面に、Ｉｎ−Ｇａペー
ストを塗布することにより電極を形成し、試料１〜１７
を得た。
【００１１】上記のようにして得た試料１〜１７につ
き、下記の（１）〜（６）で示す特性を以下の要領で測
定した。結果を、下記の表３に示す。 （１）比誘電率ε：１ＭＨｚ、１Ｖｒｍｓ、２５℃の条
件下で測定した。 （２）Ｑ値：１ＭＨｚ、１Ｖｒｍｓ、２５℃の条件下で
測定した。 （３）低温側の静電容量の温度係数Ｔｃｃ（ｐｐｍ／
℃）：２５℃での静電容量Ｃ1 を基準として、該Ｃ
1 と、−５５℃での静電容量Ｃ2 とから次式によって
算出した。 低温側の静電容量の温度係数（ｐｐｍ／℃） ＝｛（Ｃ2 −Ｃ1 ）×１０6 ｝／｛Ｃ1 ×（−５５−２５）｝…
き、下記の（１）〜（６）で示す特性を以下の要領で測
定した。結果を、下記の表３に示す。 （１）比誘電率ε：１ＭＨｚ、１Ｖｒｍｓ、２５℃の条
件下で測定した。 （２）Ｑ値：１ＭＨｚ、１Ｖｒｍｓ、２５℃の条件下で
測定した。 （３）低温側の静電容量の温度係数Ｔｃｃ（ｐｐｍ／
℃）：２５℃での静電容量Ｃ1 を基準として、該Ｃ
1 と、−５５℃での静電容量Ｃ2 とから次式によって
算出した。 低温側の静電容量の温度係数（ｐｐｍ／℃） ＝｛（Ｃ2 −Ｃ1 ）×１０6 ｝／｛Ｃ1 ×（−５５−２５）｝…
【００１２】（４）高温側の静電容量の温度係数Ｔｃｃ
（ｐｐｍ／℃）：２５℃での静電容量Ｃ1 を基準とし
て、該Ｃ1 と、１２５℃での静電容量Ｃ3 とから次式
によって算出した。 高温側の静電容量の温度係数（ｐｐｍ／℃） ＝｛（Ｃ3 −Ｃ1 ）×１０6 ｝／｛Ｃ1 ×（１２５−２５）｝… （５）温度変化による静電容量の変化率（％）：試料の
温度を２５℃→−５５℃→１２５℃→２５℃に変化させ
た場合の最初の２５℃における静電容量ＣAに対する最
後の２５℃における静電容量ＣB の変化率を求め、温度
変化による静電容量の変化率とした。 （６）比抵抗：２５℃で１００Ｖの直流電圧を１分間印
加して電流値を測定し、該電流値に基づいて算出した。
（ｐｐｍ／℃）：２５℃での静電容量Ｃ1 を基準とし
て、該Ｃ1 と、１２５℃での静電容量Ｃ3 とから次式
によって算出した。 高温側の静電容量の温度係数（ｐｐｍ／℃） ＝｛（Ｃ3 −Ｃ1 ）×１０6 ｝／｛Ｃ1 ×（１２５−２５）｝… （５）温度変化による静電容量の変化率（％）：試料の
温度を２５℃→−５５℃→１２５℃→２５℃に変化させ
た場合の最初の２５℃における静電容量ＣAに対する最
後の２５℃における静電容量ＣB の変化率を求め、温度
変化による静電容量の変化率とした。 （６）比抵抗：２５℃で１００Ｖの直流電圧を１分間印
加して電流値を測定し、該電流値に基づいて算出した。
【００１３】
【表１】
【００１４】
【表２】
【００１５】
【表３】
【００１６】表１から明らかなように、試料１〜７は、
添加剤の配合割合及び種類を同一とし、主成分の組成に
おいてｘの値を１から０．０２まで変化させた試料であ
る。表３から明らかなように、この試料１〜７のうち、
ｘが本発明の範囲外である試料７では、Ｑ値が２３００
とかなり低いのに対し、試料１〜６の磁器ではいずれも
Ｑ値が３１００以上と高いことがわかる。従って、ｘは
０．０３以上であることが必要であることがわかる。ま
た、試料８〜１３は、主成分として（Ｍｇx Ｓｒ1-x ）
Ｎｂ2 Ｏ6 を、添加剤として添加剤Ｂを用い、上記ｘの
値及び添加剤Ｂの配合割合を変化させた例である。表３
から明らかなように、試料８では１１００℃の温度で焼
成しても焼結が不十分であった。これは、添加剤Ｂの配
合量が１重量部と少なく、本発明の範囲外であることに
よるものと考えられる。これに対して、添加剤の配合割
合が３重量部以上である試料９〜１３では、いずれも１
０６０℃以下の温度で十分に焼結が進行していることが
わかる。
添加剤の配合割合及び種類を同一とし、主成分の組成に
おいてｘの値を１から０．０２まで変化させた試料であ
る。表３から明らかなように、この試料１〜７のうち、
ｘが本発明の範囲外である試料７では、Ｑ値が２３００
とかなり低いのに対し、試料１〜６の磁器ではいずれも
Ｑ値が３１００以上と高いことがわかる。従って、ｘは
０．０３以上であることが必要であることがわかる。ま
た、試料８〜１３は、主成分として（Ｍｇx Ｓｒ1-x ）
Ｎｂ2 Ｏ6 を、添加剤として添加剤Ｂを用い、上記ｘの
値及び添加剤Ｂの配合割合を変化させた例である。表３
から明らかなように、試料８では１１００℃の温度で焼
成しても焼結が不十分であった。これは、添加剤Ｂの配
合量が１重量部と少なく、本発明の範囲外であることに
よるものと考えられる。これに対して、添加剤の配合割
合が３重量部以上である試料９〜１３では、いずれも１
０６０℃以下の温度で十分に焼結が進行していることが
わかる。
【００１７】また、試料１３では、添加剤Ｂの配合割合
が６０重量部と本発明の範囲を超えているため、Ｑ値が
１６００と非常に低かった。従って、添加剤の配合量は
５０重量部以下とすることが必要であることがわかる。
試料１４〜１７は、上記ｘの値及び添加剤の配合割合は
本発明の範囲内とし、主成分の構成を変え、添加剤とし
て添加剤Ｃを用いた例を示す。本発明の範囲内にある試
料番号１４〜１７では、いずれも焼成温度１０３０℃で
十分に焼結が進行し、しかもＱ値が３０００以上と高く
なっていることがわかる。よって、上記試料１〜１７の
うち、本発明の実施例にあたる試料番号１〜６、試料９
〜１２及び試料１４〜１７では、１０６０℃以下の温度
で焼成することができ、しかもＱ値の高い磁器を得るこ
とができる誘電体磁器組成物であることがわかる。
が６０重量部と本発明の範囲を超えているため、Ｑ値が
１６００と非常に低かった。従って、添加剤の配合量は
５０重量部以下とすることが必要であることがわかる。
試料１４〜１７は、上記ｘの値及び添加剤の配合割合は
本発明の範囲内とし、主成分の構成を変え、添加剤とし
て添加剤Ｃを用いた例を示す。本発明の範囲内にある試
料番号１４〜１７では、いずれも焼成温度１０３０℃で
十分に焼結が進行し、しかもＱ値が３０００以上と高く
なっていることがわかる。よって、上記試料１〜１７の
うち、本発明の実施例にあたる試料番号１〜６、試料９
〜１２及び試料１４〜１７では、１０６０℃以下の温度
で焼成することができ、しかもＱ値の高い磁器を得るこ
とができる誘電体磁器組成物であることがわかる。
【００１８】
【発明の効果】以上のように、本発明では、上記特定の
主成分に対し上記特定の添加剤が上記特定の割合で配合
されているため、１０６０℃以下の低温で焼成すること
ができる誘電体磁器組成物を提供し得る。１０６０℃以
下の低温で焼成し得るため、積層コンデンサを得るのに
上記誘電体磁器組成物を用いれば、銅を内部電極として
採用することができる。従って、積層コンデンサのコス
トを低減することができ、比抵抗が低く、非磁性体であ
る銅を内部電極材料として利用することにより、高周波
特性に優れた積層コンデンサを得ることができる。
主成分に対し上記特定の添加剤が上記特定の割合で配合
されているため、１０６０℃以下の低温で焼成すること
ができる誘電体磁器組成物を提供し得る。１０６０℃以
下の低温で焼成し得るため、積層コンデンサを得るのに
上記誘電体磁器組成物を用いれば、銅を内部電極として
採用することができる。従って、積層コンデンサのコス
トを低減することができ、比抵抗が低く、非磁性体であ
る銅を内部電極材料として利用することにより、高周波
特性に優れた積層コンデンサを得ることができる。
【００１９】しかも、本発明の誘電体磁器組成物を１０
６０℃以下の低温で焼成することにより得られた磁器
は、良好なＱ値を有する。従って、Ｑ値が高く、高周波
特性に優れた磁器コンデンサを得ることができる。な
お、本発明の誘電体磁器組成物は、内部電極材として銅
を利用した積層磁器コンデンサの製造に好適に用いられ
るものであるが、積層コンデンサ以外の他の磁器コンデ
ンサにも用いることができ、その場合であっても、Ｑ値
の高い、高周波特性に優れた磁器コンデンサを提供する
ことができる。
６０℃以下の低温で焼成することにより得られた磁器
は、良好なＱ値を有する。従って、Ｑ値が高く、高周波
特性に優れた磁器コンデンサを得ることができる。な
お、本発明の誘電体磁器組成物は、内部電極材として銅
を利用した積層磁器コンデンサの製造に好適に用いられ
るものであるが、積層コンデンサ以外の他の磁器コンデ
ンサにも用いることができ、その場合であっても、Ｑ値
の高い、高周波特性に優れた磁器コンデンサを提供する
ことができる。
Claims (1)
- 【請求項１】 （Ｍｇx Ａ1-x ）Ｂ2 Ｏ6 を主成分と
し、前記主成分１００重量部に対して、添加剤を３〜５
０重量部配合してなり、 前記主成分において、Ａが、Ｓｒ、Ｃａ及びＢａのうち
少なくとも１種、ＢがＮｂ及びＴａのうち少なくとも１
種、Ｘが０．０３≦ｘ≦１の範囲にあり、 前記添加剤が、Ｂ2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 及びＬｉＯ2 のうち
少なくとも１種である、誘電体磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3252660A JP2692448B2 (ja) | 1991-10-01 | 1991-10-01 | 誘電体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3252660A JP2692448B2 (ja) | 1991-10-01 | 1991-10-01 | 誘電体磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0585804A JPH0585804A (ja) | 1993-04-06 |
| JP2692448B2 true JP2692448B2 (ja) | 1997-12-17 |
Family
ID=17240453
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3252660A Expired - Lifetime JP2692448B2 (ja) | 1991-10-01 | 1991-10-01 | 誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2692448B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4436392C2 (de) * | 1994-10-12 | 2002-10-31 | Fraunhofer Ges Forschung | Metallniobate und/oder Tantalate, Verfahren zu ihrer Herstellung sowie deren Weiterverarbeitung zu Perowskiten |
| JP5087938B2 (ja) * | 2007-02-01 | 2012-12-05 | 株式会社村田製作所 | 誘電体セラミック組成物及び積層セラミックコンデンサ |
-
1991
- 1991-10-01 JP JP3252660A patent/JP2692448B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0585804A (ja) | 1993-04-06 |
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