JP5614503B2 - 誘電体磁器組成物および電子部品 - Google Patents
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- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims description 52
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 title 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 30
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 10
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims 2
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 description 21
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 15
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 15
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 11
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 5
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N Iron oxide Chemical compound [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 3
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 3
- 229910000480 nickel oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N oxonickel Chemical compound [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910015902 Bi 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 150000004679 hydroxides Chemical class 0.000 description 2
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 238000010532 solid phase synthesis reaction Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000807 Ga alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004649 carbonic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000002003 electrode paste Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000001027 hydrothermal synthesis Methods 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 150000002823 nitrates Chemical class 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003609 titanium compounds Chemical class 0.000 description 1
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
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- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/08—Inorganic dielectrics
- H01G4/12—Ceramic dielectrics
- H01G4/1209—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material
- H01G4/1218—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on titanium oxides or titanates
- H01G4/1227—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on titanium oxides or titanates based on alkaline earth titanates
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- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/46—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates
- C04B35/462—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates
- C04B35/465—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on alkaline earth metal titanates
- C04B35/468—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on alkaline earth metal titanates based on barium titanates
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- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
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- C04B35/462—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates
- C04B35/465—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on alkaline earth metal titanates
- C04B35/468—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on alkaline earth metal titanates based on barium titanates
- C04B35/4682—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on alkaline earth metal titanates based on barium titanates based on BaTiO3 perovskite phase
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- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B3/00—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties
- H01B3/02—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of inorganic substances
- H01B3/12—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of inorganic substances ceramics
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- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3284—Zinc oxides, zincates, cadmium oxides, cadmiates, mercury oxides, mercurates or oxide forming salts thereof
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
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- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3298—Bismuth oxides, bismuthates or oxide forming salts thereof, e.g. zinc bismuthate
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- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
- C04B2235/74—Physical characteristics
- C04B2235/79—Non-stoichiometric products, e.g. perovskites (ABO3) with an A/B-ratio other than 1
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Description
本発明は、誘電体磁器組成物および電子部品に関する。
電子部品の一例であるセラミックコンデンサは様々な電子機器に使用されており、近年、高性能化に対する要求はますます高まっている。
スイッチング電源回路のＹコンデンサであり、ノイズフィルターとして使用されるセラミックコンデンサは絶えず電気的なストレスにさらされているため火災や感電の危険性がある。このため、これらを防ぐために安全規格認定のセラミックコンデンサが使用される。安全規格認定のセラミックコンデンサとしては、セラミックコンデンサが破壊されないこと、すなわち誘電体磁器組成物の絶縁破壊電界（ＡＣＶＢ）を高くすることが最も重要である。また、これらのセラミックコンデンサでは、静電容量の温度特性を良好にすることも重要であり、絶縁破壊電界と静電容量の温度特性を両立させることが好ましい。
特許文献１および特許文献２には比較的交流破壊電界の高い誘電体磁器組成物が開示されている。しかし、いずれも高くても５ｋＶ／ｍｍ程度である。また、これらの文献には絶縁破壊電界と静電容量の温度特性を両立させた誘電体磁器組成物は開示されていない。
本発明は、このような実状に鑑みてなされ、その目的は、交流破壊電界が高く、静電容量の温度特性が良好であり、比誘電率が高い誘電体磁器組成物を提供することである。また、本発明は、このような誘電体磁器組成物により構成される誘電体層を有する電子部品を提供することも目的とする。
本発明者等は、上記目的を達成するために、鋭意検討を行った結果、誘電体磁器組成物の組成を特定の成分とし、これらの比率を所定範囲とすることにより、上記目的を達成できることを見出し、本発明を完成させるに至った。
すなわち、上記課題を解決する本発明の実施形態に係る誘電体磁器組成物は、
（Ｂａｘ Ｂｉｙ ）ＴｉＯ３ の組成式で表わされる主成分と、酸化亜鉛と、を有する誘電体磁器組成物であって、
前記組成式中のｙが０．００１≦ｙ≦０．０１０であり、かつ、前記組成式中のｘとｙの合計が０．９７５≦ｘ＋ｙ≦１．０１０であり、
前記酸化亜鉛が前記主成分１００重量部に対して２重量部以上１２重量部以下含有されている誘電体磁器組成物である。
（Ｂａｘ Ｂｉｙ ）ＴｉＯ３ の組成式で表わされる主成分と、酸化亜鉛と、を有する誘電体磁器組成物であって、
前記組成式中のｙが０．００１≦ｙ≦０．０１０であり、かつ、前記組成式中のｘとｙの合計が０．９７５≦ｘ＋ｙ≦１．０１０であり、
前記酸化亜鉛が前記主成分１００重量部に対して２重量部以上１２重量部以下含有されている誘電体磁器組成物である。
本発明によれば、交流破壊電界が高く、静電容量の温度特性が良好であり、比誘電率が高い誘電体磁器組成物を提供することができる。
本発明の実施形態に係る電子部品は、前記誘電体磁器組成物または前記製造方法により得られる誘電体磁器組成物で構成してある誘電体層を有する。
本発明の実施形態に係る電子部品としては、特に限定されないが、単板型セラミックコンデンサ、積層セラミックコンデンサが例示される。
以下、本発明の実施形態を、図面に示す実施形態に基づき説明する。
セラミックコンデンサ２
図１（Ａ）、図１（Ｂ）に示すように、本発明の実施形態に係るセラミックコンデンサ２は、誘電体層１０と、その対向表面に形成された一対の端子電極１２，１４と、この端子電極１２，１４に、それぞれ接続されたリード端子６，８とを有する構成となっており、これらは保護樹脂４に覆われている。
図１（Ａ）、図１（Ｂ）に示すように、本発明の実施形態に係るセラミックコンデンサ２は、誘電体層１０と、その対向表面に形成された一対の端子電極１２，１４と、この端子電極１２，１４に、それぞれ接続されたリード端子６，８とを有する構成となっており、これらは保護樹脂４に覆われている。
セラミックコンデンサ２の形状は、目的や用途に応じて適宜決定すればよいが、誘電体層１０が円板形状となっている円板型のコンデンサであることが好ましい。また、そのサイズは、目的や用途に応じて適宜決定すればよいが、通常、直径が５〜２０ｍｍ程度、好ましくは５〜１５ｍｍ程度である。
（誘電体層１０）
誘電体層１０は、本発明の実施形態に係る誘電体磁器組成物により構成される。
誘電体層１０は、本発明の実施形態に係る誘電体磁器組成物により構成される。
本発明の実施形態に係る誘電体磁器組成物は、（Ｂａｘ Ｂｉｙ ）ＴｉＯ３ の組成式で表される主成分と、酸化亜鉛と、を有し、前記組成式中のｙは０．００１≦ｙ≦０．０１０であり、かつ、前記組成式中のｘとｙの合計が０．９７５≦ｘ＋ｙ≦１．０１０である。
前記組成式中のｘは、Ｂａの比率を表し、ｘは０．９６５≦ｘ≦１．００９、好ましくは０．９７６≦ｘ≦０．９９６である。Ｂａがこの範囲で含有されることにより静電容量の温度特性が良好となり、比誘電率が向上し、焼結性が良好になる傾向となる。
前記組成式中のｙは、Ｂｉの比率を表し、０．００１≦ｙ≦０．０１０、好ましくは０．００３≦ｙ≦０．００９である。Ｂｉがこの範囲で含有されることにより、静電容量の温度特性が良好となり、比誘電率が向上する傾向となる。
前記組成式中のｘとｙの合計、すなわちＢａとＢｉの比率の合計は、好ましくは０．９７５≦ｘ＋ｙ≦１．０１０、より好ましくは０．９７６≦ｘ＋ｙ≦１．００５である。ｘとｙの合計量をこの範囲とすることにより、焼結性および比誘電率が向上する傾向となる。
本発明の実施形態に係る誘電体磁器組成物は、酸化亜鉛を前記主成分１００重量部に対して２重量部以上１２重量部以下、より好ましくは、２．５重量部以上１０重量部以下、さらに好ましくは３重量部以上１０重量部以下含有する。酸化亜鉛がこの範囲で含有されることにより、交流破壊電界が向上し、静電容量の温度特性が良好になる傾向となる。
本発明の実施形態に係る誘電体磁器組成物は、酸化ジルコニウム、酸化鉄または酸化ニッケルを前記主成分１００重量部に対して１．０重量部未満含有されていることが好ましく、より好ましくは０重量部以上０．５重量部以下であり、さらに好ましくは０重量部である。酸化ジルコニウム、酸化鉄または酸化ニッケルがこの範囲を超えて含有されると、交流破壊電界が低下する傾向となる。また酸化ニッケルに関してはこの範囲を超えて含有されると交流破壊電界が低下するだけでなく、誘電損失が上昇する傾向となる。
以下では酸化亜鉛を「副成分」とする。
誘電体層１０の厚みは、特に限定されず、用途等に応じて適宜決定すれば良いが、好ましくは０．３〜２ｍｍである。誘電体層１０の厚みを、このような範囲とすることにより、中高圧用途に好適に用いることができる。
（端子電極１２，１４）
端子電極１２，１４は、導電材で構成される。端子電極１２，１４に用いられる導電材としては、たとえば、Ｃｕ、Ｃｕ合金、Ａｇ、Ａｇ合金、Ｉｎ−Ｇａ合金等が挙げられる。
端子電極１２，１４は、導電材で構成される。端子電極１２，１４に用いられる導電材としては、たとえば、Ｃｕ、Ｃｕ合金、Ａｇ、Ａｇ合金、Ｉｎ−Ｇａ合金等が挙げられる。
セラミックコンデンサの製造方法
次に、セラミックコンデンサの製造方法について説明する。
まず、焼成後に図１に示す誘電体層１０を形成することとなる誘電体磁器組成物粉末を製造する。
次に、セラミックコンデンサの製造方法について説明する。
まず、焼成後に図１に示す誘電体層１０を形成することとなる誘電体磁器組成物粉末を製造する。
主成分の原料および各副成分の原料を準備する。主成分の原料としては、Ｂａ、Ｂｉ、Ｔｉの各酸化物および／または焼成により酸化物となる原料や、これらの複合酸化物などが挙げられ、たとえば、ＢａＣＯ３ 、Ｂｉ２ Ｏ３ 、ＴｉＯ２ などを用いることができる。この他、たとえば水酸化物など、焼成後に酸化物やチタン化合物となる種々の化合物を用いることも可能である。その場合、金属元素の元素数が合うように、含有量を適宜変更すればよい。
また、主成分の原料は、固相法により製造してもよいし、水熱合成法や蓚酸塩法などの液相法により製造してもよいが、製造コストの面から、固相法により製造することが好ましい。
各副成分の原料としては、特に限定されず、上記した各副成分の酸化物や複合酸化物、または焼成によりこれら酸化物や複合酸化物となる各種化合物、たとえば炭酸塩、硝酸塩、水酸化物、有機金属化合物などから適宜選択して用いることができる。
本発明の実施形態に係る誘電体磁器組成物の製造方法としては、まず主成分の原料または、主成分の原料と副成分の原料とを配合し、ジルコニアボールなどによるボールミルなどを用いて湿式混合する。
得られた混合物を、造粒し、成形して、得られた成形物を、空気雰囲気中にて仮焼きすることにより、仮焼き粉を得ることができる。仮焼き条件としては、たとえば、仮焼き温度を、好ましくは１１００〜１３００℃、より好ましくは１１５０〜１２５０℃、仮焼き時間を、好ましくは０．５〜４時間とすれば良い。
次いで得られた仮焼き粉を、ボールミルなどにより湿式粉砕して、さらに混合し、乾燥して誘電体磁器組成物粉末とする。上記のように、誘電体磁器組成物粉末を固相法により製造することで、所望の特性を実現しながら、製造コストの低減を図ることができる。
次いで、得られた誘電体磁器組成物粉末にバインダを適量添加し、造粒し、得られた造粒物を、所定の大きさを有する円板状に成形することにより、グリーン成形体とする。そして、得られたグリーン成形体を、焼成することにより、誘電体磁器組成物の焼結体を得る。なお、焼成の条件としては、特に限定されないが、保持温度が、好ましくは１２００〜１４００℃、より好ましくは１２５０〜１３５０℃であり、焼成雰囲気を空気中とすることが好ましい。
得られた誘電体磁器組成物の焼結体の主表面に、端子電極を印刷し、必要に応じて焼き付けすることにより、端子電極１２，１４を形成する。その後、端子電極１２，１４に、ハンダ付等により、リード端子６，８を接合し、最後に、素子本体を保護樹脂４で覆うことにより、図１（Ａ）、図１（Ｂ）に示すような単板型セラミックコンデンサを得る。
このようにして製造された本発明のセラミックコンデンサは、リード端子６，８を介してプリント基板上などに実装され、各種電子機器等に使用される。
以上、本発明の実施形態について説明してきたが、本発明はこうした実施形態に何等限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々異なる態様で実施し得ることは勿論である。
たとえば、上述した実施形態では、本発明に係る電子部品として誘電体層が単層である単板型セラミックコンデンサを例示したが、本発明に係る電子部品としては、単板型セラミックコンデンサに限定されず、上記した誘電体磁器組成物を含む誘電体ペーストおよび電極ペーストを用いた通常の印刷法やシート法により作製される積層型セラミックコンデンサであっても良い。
実施例
実施例
以下、本発明を、さらに詳細な実施例に基づき説明するが、本発明は、これら実施例に限定されない。
試料１〜２７
主成分の原料として、ＢａＣＯ３ 、Ｂｉ２ Ｏ３ およびＴｉＯ２ を、それぞれ準備した。そして、準備したこれらの原料を、表１の試料１〜２７に示す組成となるように、それぞれ秤量し、溶媒として純水を用いたジルコニアボールによるボールミルにより湿式混合した。
主成分の原料として、ＢａＣＯ３ 、Ｂｉ２ Ｏ３ およびＴｉＯ２ を、それぞれ準備した。そして、準備したこれらの原料を、表１の試料１〜２７に示す組成となるように、それぞれ秤量し、溶媒として純水を用いたジルコニアボールによるボールミルにより湿式混合した。
次いで、得られた混合物を乾燥した後、５重量％の水を加えて造粒し、成形した。そして、得られた成形物を、空気中、１１５０℃、２時間の条件で仮焼した。仮焼後の粉体を、らいかい機で粗粉砕してメッシュパスを通した後、ＺｎＯを表１に示す組成となるように秤量し、添加し、湿式粉砕を行った。これを乾燥することにより、表１に示す各組成（試料１〜２７の各組成）を有する誘電体磁器組成物粉末を得た。
得られた誘電体磁器組成物粉末１００重量部に対して、ポリビニルアルコール水溶液１０重量部を添加し、次いで造粒して、メッシュパスを通した後、得られた造粒粉を３９６ＭＰａの圧力で直径１６．５ｍｍ、厚さ約１．２ｍｍの円板状のグリーン成形体を得た。
得られたグリーン成形体を、空気中、１２５０〜１３５０℃、２時間の条件で焼成することにより、円板状の焼結体を得た。そして、得られた焼結体の主表面の両面にＡｇ電極を塗布し、さらに空気中、６５０℃で２０分間焼付け処理を行うことによって、図１に示すような円板状のセラミックコンデンサの試料を得た。得られたコンデンサ試料の誘電体層１０の厚みは約１ｍｍであり、焼き付け電極の直径は１２ｍｍであった。そして、得られた各コンデンサ試料について、以下の方法により、交流破壊電界、比誘電率、静電容量の温度特性をそれぞれ評価した。評価結果を表１に示す。
（交流破壊電圧（ＡＣＶＢ））
交流破壊電圧（ＡＣＶＢ）は、コンデンサの試料に対し、コンデンサの両端に交流電界を１００Ｖ／ｓで徐々に印加し、１００ｍＡのもれ電流が流れた時点での電界値を交流破壊電界として測定した。交流破壊電界は高いほうが好ましく、本実施例では、６．０ｋＶ／ｍｍ以上を良好とした。
交流破壊電圧（ＡＣＶＢ）は、コンデンサの試料に対し、コンデンサの両端に交流電界を１００Ｖ／ｓで徐々に印加し、１００ｍＡのもれ電流が流れた時点での電界値を交流破壊電界として測定した。交流破壊電界は高いほうが好ましく、本実施例では、６．０ｋＶ／ｍｍ以上を良好とした。
（比誘電率（ε））
比誘電率εは、コンデンサ試料に対し、基準温度２０℃において、デジタルＬＣＲメータ（アジレントテクノロジー社製４２７４Ａ）にて、周波数１ｋＨｚ，入力信号レベル（測定電圧）１．０Ｖｒｍｓの条件下で測定された静電容量から算出した（単位なし）。比誘電率は高いほうが好ましく、本実施例では、１５００以上を良好とした。
比誘電率εは、コンデンサ試料に対し、基準温度２０℃において、デジタルＬＣＲメータ（アジレントテクノロジー社製４２７４Ａ）にて、周波数１ｋＨｚ，入力信号レベル（測定電圧）１．０Ｖｒｍｓの条件下で測定された静電容量から算出した（単位なし）。比誘電率は高いほうが好ましく、本実施例では、１５００以上を良好とした。
（静電容量の温度特性）
コンデンサ試料に対して、−２５℃〜８５℃の温度範囲で静電容量を測定し、２０℃での静電容量に対する−２５℃および８５℃での静電容量の変化率（単位は％）を算出した。本実施例では、静電容量変化率が−１５％〜１５％の間にあるものを良好とした。
コンデンサ試料に対して、−２５℃〜８５℃の温度範囲で静電容量を測定し、２０℃での静電容量に対する−２５℃および８５℃での静電容量の変化率（単位は％）を算出した。本実施例では、静電容量変化率が−１５％〜１５％の間にあるものを良好とした。
試料４、１１〜１８より、酸化亜鉛の含有量が２重量部以上１２重量部以下の場合は（試料４、１２〜１７）、この範囲から外れる場合（試料１１、１８）に比べ、交流破壊電界が高くなり、静電容量の温度特性が良好になることが確認できた。
試料１９〜２７より、組成式中のｘとｙの合計が０．９７５≦ｘ＋ｙ≦１．０１０の場合（試料２０〜２６）には、ｘとｙの合計がこの範囲から外れる場合（試料１９、２７）に比べ、比誘電率が高くなり、焼結性が良好になることが確認できた。また、ｘとｙの合計が１．０１５の場合には（試料２７）、１３５０℃で焼結が完了しないことが確認できた。なお、焼成温度を１３５０℃より高くすることは生産性や炉の部材への影響を考えると好ましくない。
試料１〜１０より、組成式中のｙが０．００１≦ｙ≦０．０１０の場合は（試料２〜９）、ｙがこの範囲から外れる場合（試料１、１０）に比べ、静電容量の温度特性が良好となり、比誘電率が高くなることが確認できた。
Claims (2)
- （Ｂａｘ Ｂｉｙ ）ＴｉＯ３ の組成式で表わされる主成分と、酸化亜鉛と、を有する誘電体磁器組成物であって、
前記組成式中のｙが０．００１≦ｙ≦０．０１０であり、かつ、前記組成式中のｘとｙの合計が０．９７５≦ｘ＋ｙ≦１．０１０であり、
前記酸化亜鉛が前記主成分１００重量部に対して２重量部以上１２重量部以下含有されている誘電体磁器組成物。 - 請求項１に記載の誘電体磁器組成物で構成してある誘電体層を有する電子部品。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PCT/CN2010/001522 WO2012040875A1 (zh) | 2010-09-29 | 2010-09-29 | 电介质陶瓷组合物及电子元件 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2013545695A JP2013545695A (ja) | 2013-12-26 |
| JP5614503B2 true JP5614503B2 (ja) | 2014-10-29 |
Family
ID=45891780
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2013530510A Active JP5614503B2 (ja) | 2010-09-29 | 2010-09-29 | 誘電体磁器組成物および電子部品 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP5614503B2 (ja) |
| KR (1) | KR20120096049A (ja) |
| CN (1) | CN102696083B (ja) |
| TW (1) | TWI443079B (ja) |
| WO (1) | WO2012040875A1 (ja) |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1065349A (zh) * | 1991-03-27 | 1992-10-14 | 天津大学 | 高压陶瓷电容器介质的制造方法 |
| JPH1045469A (ja) * | 1996-05-30 | 1998-02-17 | Kyocera Corp | 誘電体薄膜およびセラミックコンデンサ |
| TWI223817B (en) * | 2002-11-08 | 2004-11-11 | Ind Tech Res Inst | Dielectric material compositions with high dielectric constant and low dielectric loss |
| JP2008174413A (ja) * | 2007-01-17 | 2008-07-31 | Tdk Corp | 誘電体磁器組成物および電子部品 |
| WO2009136443A1 (ja) * | 2008-05-09 | 2009-11-12 | 独立行政法人宇宙航空研究開発機構 | 誘電体磁器組成物 |
-
2010
- 2010-09-29 JP JP2013530510A patent/JP5614503B2/ja active Active
- 2010-09-29 CN CN201080053725.7A patent/CN102696083B/zh active Active
- 2010-09-29 KR KR1020127016462A patent/KR20120096049A/ko not_active Application Discontinuation
- 2010-09-29 WO PCT/CN2010/001522 patent/WO2012040875A1/zh active Application Filing
-
2011
- 2011-07-11 TW TW100124403A patent/TWI443079B/zh active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN102696083B (zh) | 2015-12-16 |
| TWI443079B (zh) | 2014-07-01 |
| KR20120096049A (ko) | 2012-08-29 |
| TW201217300A (en) | 2012-05-01 |
| CN102696083A (zh) | 2012-09-26 |
| JP2013545695A (ja) | 2013-12-26 |
| WO2012040875A1 (zh) | 2012-04-05 |
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