JP6020068B2 - 誘電体磁器組成物および電子部品 - Google Patents
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Description
(Bap Srq Car Bis )TiO3 の組成式で表わされる主成分と、第1副成分と、第2副成分とを有する誘電体磁器組成物であって、前記組成式中のqが0.080以下であり、前記組成式中のrが0.020以上0.080以下であり、前記組成式中のsが0.002以下であり、かつ、前記組成式中のpとqとrとsの合計が0.996≦p+q+r+s≦1.010の関係を満たし、
前記第1副成分はZnOであり、
前記第2副成分はLa、SmおよびNdから選ばれる少なくとも1種の酸化物であり、
前記第1副成分が前記主成分100質量部に対して、2.5質量部以上10質量部以下含有されており、
前記第2副成分は前記主成分100質量部に対して、酸化物換算で0.5質量部以上2.5質量部以下含有することを特徴とする誘電体磁器組成物である。
また、前記(Bap Srq Car Bis )TiO3 の組成式で表わされる主成分に対し、前期第1副成分の含有量をα質量部とし、前記第2副成分の含有量をβ質量部としたとき、含有比α/βは、2.4以上12.1以下であることを特徴とする誘電体磁器組成物である。含有比α/βが、上記範囲を満たす事で、従来に比べ、より高い6kV/mm以上の交流破壊電圧値を得ることが可能となる。
図1(A)、図1(B)に示すように、本発明の実施形態に係るセラミックコンデンサ2は、誘電体層10と、その対向表面に形成された一対の端子電極12,14と、この端子電極12,14に、それぞれ接続されたリード端子6,8とを有する構成となっており、これらは保護樹脂4に覆われている。
誘電体層10は、本発明の実施形態に係る誘電体磁器組成物により構成される。
端子電極12、14は、導電材で構成される。端子電極12、14に用いられる導電材としては、たとえば、Cu、Cu合金、Ag、Ag合金、In−Ga合金等が挙げられる。
次に、セラミックコンデンサの製造方法について説明する。
まず、焼成後に図1に示す誘電体層10を形成することとなる誘電体磁器組成物粉末を製造する。
主成分の原料として、BaCO3 、SrCO3 、CaCO3、Bi2 O3 TiO2 を、それぞれ準備した。そして、準備したこれらの原料を、表1の試料1〜45に示す組成となるように、それぞれ秤量し、溶媒として純水を用いたジルコニアボールによるボールミルにより湿式混合した。
交流破壊電界値は、コンデンサの試料に対し、フロリナート中でコンデンサの両端に交流電界を100V/sで徐々に印加し、100mAの電流が流れた時点での電界値を交流破壊電界値として測定した。交流破壊電界値は高いほうが好ましく、本実施例では、6.0kV/mm以上を良好とした。
比誘電率は、コンデンサ試料に対し、基準温度20℃において、デジタルLCRメータ(アジレントテクノロジー社製4274A)にて、周波数1kHz,入力信号レベル(測定電圧)1.0Vrmsの条件下で測定された静電容量から算出した(単位なし)。比誘電率は高いほうが好ましく、本実施例では、2200以上を良好とした。
コンデンサ試料に対して、−25℃〜85℃の温度範囲で静電容量を測定し、20℃での静電容量に対する−25℃および85℃での静電容量の変化率(単位は%)を算出した。本実施例では、静電容量変化率が−15%〜15%の間にあるものを良好とした。
4 保護樹脂
6、8 リード端子
10 誘電体層
12、14 端子電極
Claims (2)
- (Bap Srq Car Bis )TiO3 の組成式で表わされる主成分と、第1副成分と、第2副成分のみからなる誘電体磁器組成物であって、前記組成式中のqが0.080以下であり、前記組成式中のrが0.020以上0.080以下であり、前記組成式中のsが0.002以下であり、かつ、前記組成式中のpとqとrとsの合計が0.996≦p+q+r+s≦1.010の関係を満たし、
前記第1副成分はZnOであり、
前記第2副成分はLa、SmおよびNdから選ばれる少なくとも1種の酸化物であり、
前記第1副成分が前記主成分100質量部に対して、4質量部以上10質量部以下含有されており、
前記第2副成分は前記主成分100質量部に対して、酸化物換算で0.5質量部以上2.5質量部以下含有であり、
前記(Ba p Sr q Ca r Bi s )TiO 3 の組成式で表わされる主成分に対し、前記第1副成分の含有量をα質量部とし、前記第2副成分の含有量をβ質量部としたとき、含有比α/βは、2.4以上12.1以下であることを特徴とする、誘電体磁器組成物。 - 請求項1に記載の誘電体磁器組成物で構成してある誘電体層を有する電子部品。
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