JPS6332809A - 誘電体磁器組成物 - Google Patents
誘電体磁器組成物Info
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- JPS6332809A JPS6332809A JP61172858A JP17285886A JPS6332809A JP S6332809 A JPS6332809 A JP S6332809A JP 61172858 A JP61172858 A JP 61172858A JP 17285886 A JP17285886 A JP 17285886A JP S6332809 A JPS6332809 A JP S6332809A
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- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims description 20
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims description 12
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 3
- 239000000047 product Substances 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N Iron oxide Chemical compound [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical group [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 2
- 235000010799 Cucumis sativus var sativus Nutrition 0.000 description 1
- 244000299906 Cucumis sativus var. sativus Species 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000416 bismuth oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 1
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N dibismuth;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Bi+3].[Bi+3] TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 239000013067 intermediate product Substances 0.000 description 1
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 1
- 229910000484 niobium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N oxolead Chemical compound [Pb]=O YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は誘電体磁器組成物に係り、特に低温で焼結でき
、誘電率の温度変化率が小さく、積層基板やチップコン
デンサ用材料として好適な誘電体磁器組成物に関する。
、誘電率の温度変化率が小さく、積層基板やチップコン
デンサ用材料として好適な誘電体磁器組成物に関する。
従来高誘電率磁器誘電体材料としてチタン酸バリウム（
ＢａＴｉＯｌ）を主成分とするものが広く実用化されて
いる。
ＢａＴｉＯｌ）を主成分とするものが広く実用化されて
いる。
チタン酸バリウム（Ｂ ａ Ｔ ｉ○、）を主成分とす
るものは、焼結温度が１３００〜１４００℃の高温が必
要であり、それにより得られる磁器は常温で１５００の
比誘電率を示し、１２０℃のキューリ一点で１００００
の比誘電率を生ずるものである。又、この磁器は常温付
近での誘電率の温度変化率は数倍変化という大きな値を
示す、さらにチタン酸バリウムを主成分とする磁器は焼
結温度が１３００〜１４００℃と高いので、特に積層コ
ンデンサーを形成する場合には、この焼結温度に敵した
高価な白金又はパラジウム等を主成分とする金属を内部
電極に用いなければならない、それ故、低温特に１００
０℃以下の温度で焼結させる事ができ、１５００以上の
比誘電率を生じながら、温度変化率の小さな磁器組成物
は有用である。
るものは、焼結温度が１３００〜１４００℃の高温が必
要であり、それにより得られる磁器は常温で１５００の
比誘電率を示し、１２０℃のキューリ一点で１００００
の比誘電率を生ずるものである。又、この磁器は常温付
近での誘電率の温度変化率は数倍変化という大きな値を
示す、さらにチタン酸バリウムを主成分とする磁器は焼
結温度が１３００〜１４００℃と高いので、特に積層コ
ンデンサーを形成する場合には、この焼結温度に敵した
高価な白金又はパラジウム等を主成分とする金属を内部
電極に用いなければならない、それ故、低温特に１００
０℃以下の温度で焼結させる事ができ、１５００以上の
比誘電率を生じながら、温度変化率の小さな磁器組成物
は有用である。
本発明の目的は、上記した従来技術の問題点を解消し、
１０００℃以下の温度で焼結させることができるととも
に１５００以上の比誘電率を生じ、しかも温度変化率の
小さい誘電体磁器組成物を提供することにある。
１０００℃以下の温度で焼結させることができるととも
に１５００以上の比誘電率を生じ、しかも温度変化率の
小さい誘電体磁器組成物を提供することにある。
上記した目的は、
Ｐ ｂ （Ｆ ｅ ｚ／ｘ Ｗｙ＊ ） Ｏｚ ：
１０〜２０重量％Ｐ ｂ （Ｆ ｅ＋７＊ Ｎｂ＋／ｚ
） Ｏｚ ：８０〜９０重量％からなる組成物１０
０重量部に対し、Ｂｉｔ’ｓ４〜６重量部及び５ｉＯｚ
０．５〜１．０重量部を添加したことを特徴とする誘電
体磁器組成物によって達成される。
１０〜２０重量％Ｐ ｂ （Ｆ ｅ＋７＊ Ｎｂ＋／ｚ
） Ｏｚ ：８０〜９０重量％からなる組成物１０
０重量部に対し、Ｂｉｔ’ｓ４〜６重量部及び５ｉＯｚ
０．５〜１．０重量部を添加したことを特徴とする誘電
体磁器組成物によって達成される。
本発明において、Ｐ ｂ （Ｆ ｅｔｙｘ Ｗｌ／３
） Ｏｓが１０重量％よりも少ない場合、１０００℃以
下の温度では焼結不充分となる。又２０重量％を越えた
場合、誘電率の温度変化率はマイナス側に大きくなる。
） Ｏｓが１０重量％よりも少ない場合、１０００℃以
下の温度では焼結不充分となる。又２０重量％を越えた
場合、誘電率の温度変化率はマイナス側に大きくなる。
上記組成物１００重量部に対し、添加されるＢｉｔ’ｓ
の量が６重量部を越えると磁器組成物の比誘電率が１５
００以下となり、一方、上記組成物１００重量部に対し
、Ｂｉ、０３の添加量が４重量部よりも少なく、かつＳ
ｉ Ｏ，の添加量が０．５重量部よりも少ない場合、
磁器組成物の誘電率の温度変化率を大きくなる。又、Ｓ
ｉＯ□の添加量が１．０重量部を越えた場合にも磁器組
成物の比誘電率が小さくなる。
の量が６重量部を越えると磁器組成物の比誘電率が１５
００以下となり、一方、上記組成物１００重量部に対し
、Ｂｉ、０３の添加量が４重量部よりも少なく、かつＳ
ｉ Ｏ，の添加量が０．５重量部よりも少ない場合、
磁器組成物の誘電率の温度変化率を大きくなる。又、Ｓ
ｉＯ□の添加量が１．０重量部を越えた場合にも磁器組
成物の比誘電率が小さくなる。
このように本発明による誘電体磁器組成物は、１０００
℃以下の温度、特に８００〜９００℃程度の温度で焼結
できる。したがって、特に積層コンデンサーを形成する
場合、低価格の銀系の金属を内部電極に用いることがで
き、しかもより安価な焼成炉を使用できるとともに熱エ
ネルギーを節約し得るので非常に有用となる。又誘電率
の温度変化率が小さいとこれを使って形成する回路の温
度安定性も向上する。
℃以下の温度、特に８００〜９００℃程度の温度で焼結
できる。したがって、特に積層コンデンサーを形成する
場合、低価格の銀系の金属を内部電極に用いることがで
き、しかもより安価な焼成炉を使用できるとともに熱エ
ネルギーを節約し得るので非常に有用となる。又誘電率
の温度変化率が小さいとこれを使って形成する回路の温
度安定性も向上する。
酸化鉛（ＰｂＯ）、酸化鉄（Ｆ ｅｘ Ｏｓ ） 、酸
化タングステン（Ｗｏ、）、酸化ニオブ（ＮｂｔＯｓ）
、酸化ビスマス（Ｂ ｉｔ Ｏｓ ） 、酸化珪素（Ｓ
ｉｆｔ）を出発原料とし、第１表に示す組成ができる配
合比にそれぞれ秤量した０次いでボールミルで湿式混合
した後に、８００℃〜９００℃で仮焼を行った。
化タングステン（Ｗｏ、）、酸化ニオブ（ＮｂｔＯｓ）
、酸化ビスマス（Ｂ ｉｔ Ｏｓ ） 、酸化珪素（Ｓ
ｉｆｔ）を出発原料とし、第１表に示す組成ができる配
合比にそれぞれ秤量した０次いでボールミルで湿式混合
した後に、８００℃〜９００℃で仮焼を行った。
その後、仮焼物をボールミルで湿式粉砕して、中間生成
物粉体とした。この中間生成物および出発原料をもって
第１表に示す配合比に秤量した。
物粉体とした。この中間生成物および出発原料をもって
第１表に示す配合比に秤量した。
次いでボールミルで湿式粉砕し、乾燥させた後、乾燥物
を約０．５ ｔ ｏｎ／ｃｍ”の圧力で直径約３０ｍｍ
、厚さ１．５ｍｍの円板に加圧成形し、次いで９００℃
で焼結した。得られた焼結体に銀電極を焼き付けた。こ
のうよにして得られた磁器組成物の特性を第１表に示す
、ここで誘電率および誘電損失は周波数ＩＫＨ，、温度
２０℃で測定した。又誘電率の温度変化率は次式より算
出した。
を約０．５ ｔ ｏｎ／ｃｍ”の圧力で直径約３０ｍｍ
、厚さ１．５ｍｍの円板に加圧成形し、次いで９００℃
で焼結した。得られた焼結体に銀電極を焼き付けた。こ
のうよにして得られた磁器組成物の特性を第１表に示す
、ここで誘電率および誘電損失は周波数ＩＫＨ，、温度
２０℃で測定した。又誘電率の温度変化率は次式より算
出した。
・（〔ε。。、−ε、２゜、〕／ε。。））Ｘ１００こ
こに８．。、は温度８０℃に於ける誘電率ε、８゜、は
温度２０℃に於ける誘電率第１表によって明らかなよう
に、本発明の誘電体磁器組成物は、比誘電率が１５００
以上あり、誘電損失および誘電率の温度変化が小さい、
なお第１表に示す誘電体磁器組成物はいずれも１０００
℃未満の低温で焼結できた。
こに８．。、は温度８０℃に於ける誘電率ε、８゜、は
温度２０℃に於ける誘電率第１表によって明らかなよう
に、本発明の誘電体磁器組成物は、比誘電率が１５００
以上あり、誘電損失および誘電率の温度変化が小さい、
なお第１表に示す誘電体磁器組成物はいずれも１０００
℃未満の低温で焼結できた。
以上のように本発明によれば、比誘電率が１５００以上
あり、誘電損失および誘電率の温度変化率が小さく、し
かも１０００℃未満の温度で焼結できるので銀等の材料
を主成分セする電橋を使用することができ、このような
材料を使用しても誘電体磁器組成物としての特性を維持
できる。
あり、誘電損失および誘電率の温度変化率が小さく、し
かも１０００℃未満の温度で焼結できるので銀等の材料
を主成分セする電橋を使用することができ、このような
材料を使用しても誘電体磁器組成物としての特性を維持
できる。
Claims (1)
- Ｐｂ（Ｆｅ＿２＿／＿３Ｗ＿１＿／＿３）Ｏ＿３：１
０〜２０重量％Ｐｂ（Ｆｅ＿１＿／＿２Ｎｂ＿１＿／＿
２）Ｏ＿３：８０〜９０重量％からなる組成物１００重
量部に対し、Ｂｉ＿２Ｏ＿３４〜６重量部及びＳｉＯ＿
２０．５〜１．０重量部を添加したことを特徴とする誘
電体磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61172858A JPS6332809A (ja) | 1986-07-24 | 1986-07-24 | 誘電体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61172858A JPS6332809A (ja) | 1986-07-24 | 1986-07-24 | 誘電体磁器組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6332809A true JPS6332809A (ja) | 1988-02-12 |
Family
ID=15949598
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61172858A Pending JPS6332809A (ja) | 1986-07-24 | 1986-07-24 | 誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6332809A (ja) |
-
1986
- 1986-07-24 JP JP61172858A patent/JPS6332809A/ja active Pending
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