JPH0566332B2 - - Google Patents
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- JPH0566332B2 JPH0566332B2 JP59256111A JP25611184A JPH0566332B2 JP H0566332 B2 JPH0566332 B2 JP H0566332B2 JP 59256111 A JP59256111 A JP 59256111A JP 25611184 A JP25611184 A JP 25611184A JP H0566332 B2 JPH0566332 B2 JP H0566332B2
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Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Description
（産業上の利用分野）
本発明は、磁器組成物、特に1050℃以下の低温
で焼結でき、誘電率が高く、室温における絶縁抵
抗が高い磁器組成物に関するものである。 （従来技術） 従来、誘電体磁器組成物として、チタン酸バリ
ウム（BaTiO3）を主成分とする磁器が広く実用
化されていることは周知のとおりである。しかし
ながら、チタン酸バリウム（BaTiO3）を主成分
とするものは。焼結温度が通常1300〜1400℃の高
温である。このためこれを積層形コンデンサに利
用する場合には内部電極としてこの焼結温度に耐
え得る材料、例えば白金、パラジウムなどの高価
な貴金属を使用しなければならず、製造コストが
高くつくという欠点がある。積層形コンデンサを
安く作るためには、銀、ニツケルなどを主成分と
する安価な金属が内部電極に使用できるような、
できるだけ低温、特に1050℃以下で焼結できる磁
器が必要である。 また磁器組成物の電気的特性として、誘電率が
高く、誘電損失が小さく、絶縁抵抗が高いことが
基本的に要求される。 この要求に答えるために本発明者等は特開昭58
−161972号公報でPb（Ni1/3Nb2/3）O3−Pb（Mg
１／２Ｗ1/2）O3−PbTiO3かなる三成分磁器組成物
を提案した。この特開昭58−161972号公報では誘
電率が3060〜13400、誘電損失が0.1〜3.8％、20
℃における比抵抗が2.0×1012〜1.2×1013という
優れた特性を示す組成物が開示されている。しか
しながら他の特性を保持しながら更に誘電率を高
めることが望まれていた。 （発明の目的） 本発明の目的は1050℃以下の低温で焼結でき、
誘電率が高く、誘電損失の小さいかつ比抵抗の高
い積層コンデンサ用磁器組成物を提供することに
ある。 （発明の構成） 本発明は、マグネシウム・タングステン酸鉛
〔Pb（Mg1/2Ｗ1/2）O3〕、チタン酸鉛〔PbTiO3〕
およびニツケル・ニオブ酸鉛〔Pb（Ni1/3Nb2/3
O3〕からなる３成分組成物を〔Pb（Mg1/2Ｗ1/2）
O3〕ｘ〔PbTiO3〕ｙ〔Pb（Ni1/3Nb2/3〕O3〕ｚ
と表わしたときに（ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝1.00）
この３成分組成図において、以下の組成点 （ｘ＝0.693、ｙ＝0.297、ｚ＝0.01） （ｘ＝0.495、ｙ＝0.495、ｚ＝0.01） （ｘ＝0.195、ｙ＝0.455、ｚ＝0.35） （ｘ＝0.10、ｙ＝0.40、ｚ，0.50） （ｘ＝0.06、ｙ＝0.24、ｚ＝0.70） を結ぶ線上およびこの５点に囲まれる組成範囲に
ある主成分組成物に副成分として酸化ニツケル
（NiO）を0.02重量ないし1.0重量％添加含有せし
めることを特徴とする。 （実施例） 以下本発明を実施例により詳細に説明する。 出発原料として純度99.9％以上の酸化鉛
（PbO）、酸化マグネシウム（MgO）、酸化タング
ステン（WO3）、酸化チタン（TiO2）、酸化ニツ
ケル（NiO）および酸化ニオブ（Nb2O3）を使用
し、表に示した配合比となるように各々秤量す
る。次に秤量各材料をボールミル中で湿式混合し
た後750〜800℃で予焼を行ない、この粉末をボー
ルミルで粉砕し、口別、乾燥後、有機バインダー
を入れ整粒後プレスし、直径16mm、厚さ約２mmの
円板４枚を作成した。次に本発明の組成範囲の試
料は空気中900〜1050℃の温度で１時間焼結した。
焼結した円板４枚の上下面に銀電極を600℃で焼
付け、デジツラLCRメーターで周波数1KHz、電
圧1Vr・ｍ・ｓ、温度20℃で容量と誘電損失を測
定し、誘電率を算出した。次に超絶縁抵抗計で
50Vの電圧を１分間印加して、絶縁抵抗を温度20
℃で測定し、比抵抗を算出した。各組成に対応す
る特性は試料４点の平均値より求めた。このよう
にして得られた磁器の配合比と誘電率、誘電損
失、20℃における比抵抗の関係を次表に示す。
で焼結でき、誘電率が高く、室温における絶縁抵
抗が高い磁器組成物に関するものである。 （従来技術） 従来、誘電体磁器組成物として、チタン酸バリ
ウム（BaTiO3）を主成分とする磁器が広く実用
化されていることは周知のとおりである。しかし
ながら、チタン酸バリウム（BaTiO3）を主成分
とするものは。焼結温度が通常1300〜1400℃の高
温である。このためこれを積層形コンデンサに利
用する場合には内部電極としてこの焼結温度に耐
え得る材料、例えば白金、パラジウムなどの高価
な貴金属を使用しなければならず、製造コストが
高くつくという欠点がある。積層形コンデンサを
安く作るためには、銀、ニツケルなどを主成分と
する安価な金属が内部電極に使用できるような、
できるだけ低温、特に1050℃以下で焼結できる磁
器が必要である。 また磁器組成物の電気的特性として、誘電率が
高く、誘電損失が小さく、絶縁抵抗が高いことが
基本的に要求される。 この要求に答えるために本発明者等は特開昭58
−161972号公報でPb（Ni1/3Nb2/3）O3−Pb（Mg
１／２Ｗ1/2）O3−PbTiO3かなる三成分磁器組成物
を提案した。この特開昭58−161972号公報では誘
電率が3060〜13400、誘電損失が0.1〜3.8％、20
℃における比抵抗が2.0×1012〜1.2×1013という
優れた特性を示す組成物が開示されている。しか
しながら他の特性を保持しながら更に誘電率を高
めることが望まれていた。 （発明の目的） 本発明の目的は1050℃以下の低温で焼結でき、
誘電率が高く、誘電損失の小さいかつ比抵抗の高
い積層コンデンサ用磁器組成物を提供することに
ある。 （発明の構成） 本発明は、マグネシウム・タングステン酸鉛
〔Pb（Mg1/2Ｗ1/2）O3〕、チタン酸鉛〔PbTiO3〕
およびニツケル・ニオブ酸鉛〔Pb（Ni1/3Nb2/3
O3〕からなる３成分組成物を〔Pb（Mg1/2Ｗ1/2）
O3〕ｘ〔PbTiO3〕ｙ〔Pb（Ni1/3Nb2/3〕O3〕ｚ
と表わしたときに（ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝1.00）
この３成分組成図において、以下の組成点 （ｘ＝0.693、ｙ＝0.297、ｚ＝0.01） （ｘ＝0.495、ｙ＝0.495、ｚ＝0.01） （ｘ＝0.195、ｙ＝0.455、ｚ＝0.35） （ｘ＝0.10、ｙ＝0.40、ｚ，0.50） （ｘ＝0.06、ｙ＝0.24、ｚ＝0.70） を結ぶ線上およびこの５点に囲まれる組成範囲に
ある主成分組成物に副成分として酸化ニツケル
（NiO）を0.02重量ないし1.0重量％添加含有せし
めることを特徴とする。 （実施例） 以下本発明を実施例により詳細に説明する。 出発原料として純度99.9％以上の酸化鉛
（PbO）、酸化マグネシウム（MgO）、酸化タング
ステン（WO3）、酸化チタン（TiO2）、酸化ニツ
ケル（NiO）および酸化ニオブ（Nb2O3）を使用
し、表に示した配合比となるように各々秤量す
る。次に秤量各材料をボールミル中で湿式混合し
た後750〜800℃で予焼を行ない、この粉末をボー
ルミルで粉砕し、口別、乾燥後、有機バインダー
を入れ整粒後プレスし、直径16mm、厚さ約２mmの
円板４枚を作成した。次に本発明の組成範囲の試
料は空気中900〜1050℃の温度で１時間焼結した。
焼結した円板４枚の上下面に銀電極を600℃で焼
付け、デジツラLCRメーターで周波数1KHz、電
圧1Vr・ｍ・ｓ、温度20℃で容量と誘電損失を測
定し、誘電率を算出した。次に超絶縁抵抗計で
50Vの電圧を１分間印加して、絶縁抵抗を温度20
℃で測定し、比抵抗を算出した。各組成に対応す
る特性は試料４点の平均値より求めた。このよう
にして得られた磁器の配合比と誘電率、誘電損
失、20℃における比抵抗の関係を次表に示す。
【表】
【表】
表に示した結果から明らかなようにPb（Mg1/2
Ｗ1/2）O3−PbTiO3−Pb（Ni1/3Nb2/3）O3三成
分組成物に副成分であるNiOを主成分に対して
0.02重量％ないし1.0重量％添加含有せしめた本
発明は誘電損失や比抵抗を良好かつ実用的な水準
に保持しながら誘電率を高めており、積層コンデ
ンサ用磁器組成物として優れた材料を提供するも
のである。 なお本発明の主成分組成範囲外では焼結温度が
高くなつたり、誘電率が低下するため前述の様に
限定される。また副成分が0.02重量％未満および
1.0重量％を越えるものは誘電率の改善効果が小
さくなる。 本発明では副成分として酸化ニツケル（NiO）
を使用しているが、高温で容易に分解し酸化物を
形成するニツケルの炭酸塩や水酸化物などを使用
してもよい。 （発明の効果） 本発明の磁器組成物はPb（Mg1/2Ｗ1/2）O3−
PbTiO3−Pb（Ni1/3Nb2/3）O3からなる主成分
に、副成分としてNiOを0.02重量％ないし1.0重量
％添加することにより、誘電率を高めることがで
きる。
Ｗ1/2）O3−PbTiO3−Pb（Ni1/3Nb2/3）O3三成
分組成物に副成分であるNiOを主成分に対して
0.02重量％ないし1.0重量％添加含有せしめた本
発明は誘電損失や比抵抗を良好かつ実用的な水準
に保持しながら誘電率を高めており、積層コンデ
ンサ用磁器組成物として優れた材料を提供するも
のである。 なお本発明の主成分組成範囲外では焼結温度が
高くなつたり、誘電率が低下するため前述の様に
限定される。また副成分が0.02重量％未満および
1.0重量％を越えるものは誘電率の改善効果が小
さくなる。 本発明では副成分として酸化ニツケル（NiO）
を使用しているが、高温で容易に分解し酸化物を
形成するニツケルの炭酸塩や水酸化物などを使用
してもよい。 （発明の効果） 本発明の磁器組成物はPb（Mg1/2Ｗ1/2）O3−
PbTiO3−Pb（Ni1/3Nb2/3）O3からなる主成分
に、副成分としてNiOを0.02重量％ないし1.0重量
％添加することにより、誘電率を高めることがで
きる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ マグネシウム・タングステン酸鉛〔Pb（Mg
１／２Ｗ1/2）O3〕、チタン酸鉛〔PbTiO3〕および
ニツケル・ニオブ酸鉛〔Pb（Ni1/3Nb2/3）O3〕
からなる３成分組成物を〔Pb（Mg1/2Ｗ1/2）O3〕
ｘ〔PbTiO3〕ｙ〔PbNi1/3Nb2/3）O3〕ｚと表わ
したときに（ただしｘ＋ｙ＋ｚ＝1.00）この３成
分組成図において、以下の組成点 （ｘ＝0.693、ｙ＝0.297、ｚ＝0.01） （ｘ＝0.495、ｙ＝0.495、ｚ＝0.01） （ｘ＝0.195、ｙ＝0.455、ｚ＝0.35） （ｘ＝0.10、ｙ＝0.40、ｚ，0.50） （ｘ＝0.06、ｙ＝0.24、ｚ＝0.70） を結ぶ線上およびこの５点に囲まれる組成範囲に
ある主成分組成物に副成分として酸化ニツケルを
0.02重量％ないし1.0重量％添加含有せしめるこ
とを特徴とする磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59256111A JPS61136953A (ja) | 1984-12-04 | 1984-12-04 | 磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59256111A JPS61136953A (ja) | 1984-12-04 | 1984-12-04 | 磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61136953A JPS61136953A (ja) | 1986-06-24 |
| JPH0566332B2 true JPH0566332B2 (ja) | 1993-09-21 |
Family
ID=17288045
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59256111A Granted JPS61136953A (ja) | 1984-12-04 | 1984-12-04 | 磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61136953A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0292857A (ja) * | 1988-09-30 | 1990-04-03 | Nec Corp | 磁器組成物の製造方法 |
| JP2007282675A (ja) * | 2006-04-12 | 2007-11-01 | Osmac Kk | すのこマット |
-
1984
- 1984-12-04 JP JP59256111A patent/JPS61136953A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61136953A (ja) | 1986-06-24 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |