JPS6398904A - 高誘電率磁器組成物 - Google Patents
高誘電率磁器組成物Info
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/48—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on zirconium or hafnium oxides, zirconates, zircon or hafnates
- C04B35/49—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on zirconium or hafnium oxides, zirconates, zircon or hafnates containing also titanium oxides or titanates
- C04B35/491—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on zirconium or hafnium oxides, zirconates, zircon or hafnates containing also titanium oxides or titanates based on lead zirconates and lead titanates, e.g. PZT
- C04B35/493—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on zirconium or hafnium oxides, zirconates, zircon or hafnates containing also titanium oxides or titanates based on lead zirconates and lead titanates, e.g. PZT containing also other lead compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/08—Inorganic dielectrics
- H01G4/12—Ceramic dielectrics
- H01G4/1209—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material
- H01G4/1236—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on zirconium oxides or zirconates
- H01G4/1245—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on zirconium oxides or zirconates containing also titanates
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は誘電体磁器組成物に係り、特に誘電率の温度特
性に優れ、しかも低温焼結(1100℃以下)が可能な
高誘電率磁器組成物に関するものである。
性に優れ、しかも低温焼結(1100℃以下)が可能な
高誘電率磁器組成物に関するものである。
[従来の技術]
従来、高誘電率磁器組成物としては、チタン酸バリウム
を主体とする組成物が一般に使用されている。しかしな
がら、チタン酸バリウムを主成分とする組成物は、焼結
温度が1300〜1400℃の高温であるため、焼成コ
ストが高く、特にこわを積層コンデンサに利用する場合
には、内部電極として、pb、pt等の高価な高融点貴
金属を用いなければならず、コンデンサのコスト低減の
大きな障害になフていた。
を主体とする組成物が一般に使用されている。しかしな
がら、チタン酸バリウムを主成分とする組成物は、焼結
温度が1300〜1400℃の高温であるため、焼成コ
ストが高く、特にこわを積層コンデンサに利用する場合
には、内部電極として、pb、pt等の高価な高融点貴
金属を用いなければならず、コンデンサのコスト低減の
大きな障害になフていた。
[発明が解決しようとする問題点コ
このため、従来より、積層コンデンサの内部電極として
、安価な銀を主成分とする電極を使用し得、積層コンデ
ンサの製造コストを低減し得る、低温焼結が可能な話電
体材料の出現が要望されていた。
、安価な銀を主成分とする電極を使用し得、積層コンデ
ンサの製造コストを低減し得る、低温焼結が可能な話電
体材料の出現が要望されていた。
本発明の目的は、焼結温度が低く、誘電率温度特性のよ
い高話電率磁器組成物を提供することにある。
い高話電率磁器組成物を提供することにある。
[間順点を解決するための手段及び作用]本発明のうち
第1の発明に係る高誘電率磁器組成物は、PbO,La
2O3,MO,ZrO2゜TiO2よりなる主成分組成
を(1−X−Y)Zr02 ・ZT i 02と表わし
たとぎに(たたしMはBaとSrの一方又は双方である
。)、0.06≦X≦0.30,0.03≦Y≦0.4
8゜020≦Z≦0.50を満足する主成分組成に、p
bwo4とP b (M f: 17□W17゜)03
て表わされる組成との一方又は双方よりなる添加物を主
成分に対し、重量で1〜40wt%(ただしP b W
O4は主成分の15*t%以下、P b (Mg+y
2W+/2 )03は主成分の40wt%以下である。
第1の発明に係る高誘電率磁器組成物は、PbO,La
2O3,MO,ZrO2゜TiO2よりなる主成分組成
を(1−X−Y)Zr02 ・ZT i 02と表わし
たとぎに(たたしMはBaとSrの一方又は双方である
。)、0.06≦X≦0.30,0.03≦Y≦0.4
8゜020≦Z≦0.50を満足する主成分組成に、p
bwo4とP b (M f: 17□W17゜)03
て表わされる組成との一方又は双方よりなる添加物を主
成分に対し、重量で1〜40wt%(ただしP b W
O4は主成分の15*t%以下、P b (Mg+y
2W+/2 )03は主成分の40wt%以下である。
)含有して成るものである。
また、本発明のうち第2の発明は、第1の発明に係る組
成物に含まれる全pbのうち、5モル%以下をAgで置
換したものであり、第3の発明は第1の発明に係る組成
物に含まれる全pbのうち6モル%以下をBiで置換し
たものであり、第4の発明は第1の発明に係る組成物に
含まれる全pbのうち5モル%以下をAgで置換し6モ
ル%以下をBiで置換したものである。
成物に含まれる全pbのうち、5モル%以下をAgで置
換したものであり、第3の発明は第1の発明に係る組成
物に含まれる全pbのうち6モル%以下をBiで置換し
たものであり、第4の発明は第1の発明に係る組成物に
含まれる全pbのうち5モル%以下をAgで置換し6モ
ル%以下をBiで置換したものである。
以下に本発明をさらに詳細に説明する。
PbO,La2O3,ZrO2,TiO2よりなるペロ
ブスカイト型化合物は、その組成比により種々の相をと
るが、その中で反強誘電相は誘電率が高いにもかかわら
ず、話TL率温度特性及びバイアス特性に優れている。
ブスカイト型化合物は、その組成比により種々の相をと
るが、その中で反強誘電相は誘電率が高いにもかかわら
ず、話TL率温度特性及びバイアス特性に優れている。
しかしながら、その組成物は焼結温度が1200℃以上
と高いこと及び、焼結温度が高いため、焼成の際に鉛の
蒸散が著しく大きくなるという欠点がある。
と高いこと及び、焼結温度が高いため、焼成の際に鉛の
蒸散が著しく大きくなるという欠点がある。
本発明は、PbO,La203 、ZrO2。
TiO2よりなるペロブスカイト型化合物組成のAサイ
トをB a 、 S r T:fajhし、P b
W O4。
トをB a 、 S r T:fajhし、P b
W O4。
P b (Mg+72W+/2 ) 03 テ表わさt
liIl成及びその組合せよりなる添加物を添加するこ
とにより、低温(1100℃以下)で焼結可能でかつ、
誘電率温度特性の優れた高誘電率磁器組成物を提供する
ものである。
liIl成及びその組合せよりなる添加物を添加するこ
とにより、低温(1100℃以下)で焼結可能でかつ、
誘電率温度特性の優れた高誘電率磁器組成物を提供する
ものである。
本発明において、Xが0.06未満、。Yが003未満
では、誘電率温度特性が悪化し、Xが0.30を越える
場合には誘電率が低下し好ましくない。Yが0.48を
越える場合、Zが0.20未満及び0.50を越える場
合には、誘電率温度特性が悪化し好ましくない。P b
W O4(≦ 15 Wし% ) 、 P
b (Mg+72 W+/2 ) 03(640
wt%)で表わされる組成及びその組合せよりなる添加
物が主成分に対し総量で1wt%未満である場合には焼
結温度が高<(1100℃以上)なり、添加物量が主成
分に対し総量で401%を越える場合には誘電率温度特
性が悪化し本発明の目的を達することができない。pb
の5モル%以下をAgで置換すると温度特性がよくなる
が、5モル%を越える置換は誘電率を低下させ好ましく
ない。pbの6モル%以下をBiで置換することは、焼
結性を高め好ましいが、6モル%を越えるa Ihは温
度特性を悪化させ好ましくない。
では、誘電率温度特性が悪化し、Xが0.30を越える
場合には誘電率が低下し好ましくない。Yが0.48を
越える場合、Zが0.20未満及び0.50を越える場
合には、誘電率温度特性が悪化し好ましくない。P b
W O4(≦ 15 Wし% ) 、 P
b (Mg+72 W+/2 ) 03(640
wt%)で表わされる組成及びその組合せよりなる添加
物が主成分に対し総量で1wt%未満である場合には焼
結温度が高<(1100℃以上)なり、添加物量が主成
分に対し総量で401%を越える場合には誘電率温度特
性が悪化し本発明の目的を達することができない。pb
の5モル%以下をAgで置換すると温度特性がよくなる
が、5モル%を越える置換は誘電率を低下させ好ましく
ない。pbの6モル%以下をBiで置換することは、焼
結性を高め好ましいが、6モル%を越えるa Ihは温
度特性を悪化させ好ましくない。
[実施例コ
以下に本発明を実施例及び比較例を挙げて具体的に説明
する。
する。
原料としてPbO,La203 、BaTiO3゜Sr
CO3,Ag2O,TiO2,ZrO2゜MgO,WO
3を使用した。ただし、BaはBaCO3を使用しても
結果は同じである。これらを第1表に示す配合比となる
ように秤量し、ボールミル中で20時時間式混合した。
CO3,Ag2O,TiO2,ZrO2゜MgO,WO
3を使用した。ただし、BaはBaCO3を使用しても
結果は同じである。これらを第1表に示す配合比となる
ように秤量し、ボールミル中で20時時間式混合した。
次いで、混合物を脱水、乾燥後、750℃で2時間保持
して仮焼し、再びボールミル中で20時時間式粉砕した
後、脱水、乾燥した。
して仮焼し、再びボールミル中で20時時間式粉砕した
後、脱水、乾燥した。
得られた粉末に、有機バインダを加え、成形圧力3 t
o n / c rri’で直径16mm、厚さ0.
8mmの円板に加圧成形した。この成形物をマグネシア
磁器容器に入れP b O73囲気で、第1表に示す如
く、950〜1100℃の温度で1時間焼成した。
o n / c rri’で直径16mm、厚さ0.
8mmの円板に加圧成形した。この成形物をマグネシア
磁器容器に入れP b O73囲気で、第1表に示す如
く、950〜1100℃の温度で1時間焼成した。
得られた円板形状の誘電体の両面に、銀電極を700〜
800℃の温度で焼付けて、その電気的特性を調べた。
800℃の温度で焼付けて、その電気的特性を調べた。
結果を第2表に示す。
なお、誘電率及び話電損失は、YHPデジタルLCRメ
ータ、モデル4274Aを用い、測定周波数IKHz、
測定電圧1.OVrmsにて測定した。また、比抵抗は
YHPモデル4329Aを使用し、印加電圧100Vに
て、1分値の測定により求めた。温度特性は25℃の誘
電率を基準にし、−25℃〜85℃の温度範囲における
変化をパーセントで示す。
ータ、モデル4274Aを用い、測定周波数IKHz、
測定電圧1.OVrmsにて測定した。また、比抵抗は
YHPモデル4329Aを使用し、印加電圧100Vに
て、1分値の測定により求めた。温度特性は25℃の誘
電率を基準にし、−25℃〜85℃の温度範囲における
変化をパーセントで示す。
第2表から明らかなように、本発明の範囲内の組成物は
、いずれも、誘電率が大きいにもかかわらず、誘電率の
温度変化が著しく小さく、焼結温度が低い。しかも話電
工接が小さく、比抵抗は大きい。
、いずれも、誘電率が大きいにもかかわらず、誘電率の
温度変化が著しく小さく、焼結温度が低い。しかも話電
工接が小さく、比抵抗は大きい。
また、第2表より、No、27はXが本発明範囲より逸
脱しており、また、No、28はYが本発明範囲より逸
脱しており、それぞれさらに、No 。
脱しており、また、No、28はYが本発明範囲より逸
脱しており、それぞれさらに、No 。
29はAgが多過ぎ、No、30はP b W O4が
多過ぎ、それぞれ誘電率が小さいことが認められる。
多過ぎ、それぞれ誘電率が小さいことが認められる。
第 2 表 (その1)
第 2 表 (その2)
[効果]
以上詳述した通り、本発明の誘電体磁器組成物は、誘電
率が大きく、誘電率温度特性がよいため、本発明の磁器
組成物を用いることにより、温度安定性の小型大容量コ
ンデンサを得ることができる。
率が大きく、誘電率温度特性がよいため、本発明の磁器
組成物を用いることにより、温度安定性の小型大容量コ
ンデンサを得ることができる。
しかも、本発明の誘電体磁器組成物は、焼結温度が低い
ため、焼成コストが庶価で、積層コンデンサに用いた場
合、比較的安価な銀系などの内部TL極を用いることが
できる。このため、積層コンデンサの製造コストを低下
させ、その価格を大幅に低減できる。
ため、焼成コストが庶価で、積層コンデンサに用いた場
合、比較的安価な銀系などの内部TL極を用いることが
できる。このため、積層コンデンサの製造コストを低下
させ、その価格を大幅に低減できる。
代理人 弁理士 重 野 開用1 糸完 ネ
山 正 (与 昭和61年11 JJ l 3 [l l 事件の表示 昭和61年特許願第244360号 2 発明の名称 高誘電率磁器組成物 3 補正をする者 ・K件との関係 特1作出願人 名 称 三菱鉱業セメント株式会社4 代理人 住 所 東京都港区赤坂4丁目8番19号〒107
赤坂表町ビル502号 廿(03)408−0471 (代表)明細書の発明の
詳細な説明の欄。
山 正 (与 昭和61年11 JJ l 3 [l l 事件の表示 昭和61年特許願第244360号 2 発明の名称 高誘電率磁器組成物 3 補正をする者 ・K件との関係 特1作出願人 名 称 三菱鉱業セメント株式会社4 代理人 住 所 東京都港区赤坂4丁目8番19号〒107
赤坂表町ビル502号 廿(03)408−0471 (代表)明細書の発明の
詳細な説明の欄。
フ 補正の内容
N) 明細書第4頁第19行にrPbJとあるのをf
PdJと訂正する。
PdJと訂正する。
(2) 同第7頁第2行に「欠点がある。」とあるのを
r欠点がある。また、この組成物をPd或いは、Pd−
Ag合金を内部電極とする積層コンデンサに用いた場合
、焼結温度が高いために、内部電極と誘電体の反応が著
しく大きくなり、積層コンデンサ用組成物としては実用
的でない。Jと訂正する。
r欠点がある。また、この組成物をPd或いは、Pd−
Ag合金を内部電極とする積層コンデンサに用いた場合
、焼結温度が高いために、内部電極と誘電体の反応が著
しく大きくなり、積層コンデンサ用組成物としては実用
的でない。Jと訂正する。
(3) 同第8頁第2行に1%を越える場合にはyJJ
Tf、率温度特性が悪化し」とあるのを1%を越える場
合及びP b W O4が15wt%を越える場合には
、誘電率が小さくなりJと訂正する。
Tf、率温度特性が悪化し」とあるのを1%を越える場
合及びP b W O4が15wt%を越える場合には
、誘電率が小さくなりJと訂正する。
(4) 同第10亘第6行に「逸脱しており、それぞれ
さらに、」とあるのをr逸脱しており、それぞi誘電率
温度特性が悪いことが認められる。
さらに、」とあるのをr逸脱しており、それぞi誘電率
温度特性が悪いことが認められる。
さらに、1と訂正する。
(5) 同第11頁第1表(その1)及び同第12頁第
1表(その2)を別紙の通りに改める。
1表(その2)を別紙の通りに改める。
以上
P ffi、補正書
昭和62年3月20日
特許庁長官殿 1
11,27′ l ・19件の表示 昭和61年特詐即第244360号 2 発明の名称 高誘電率磁器組成物 3 補正をする者 事件との関係 特許出願人 名 称 三菱鉱業セメント株式会社4 代理人 住 所 東京都港区赤坂4丁目8番19号〒107
赤坂表町ビル502号 ff(03)408−0471 (代表)6 補正の対
象 明細書の発明の詳細な説明の欄。
11,27′ l ・19件の表示 昭和61年特詐即第244360号 2 発明の名称 高誘電率磁器組成物 3 補正をする者 事件との関係 特許出願人 名 称 三菱鉱業セメント株式会社4 代理人 住 所 東京都港区赤坂4丁目8番19号〒107
赤坂表町ビル502号 ff(03)408−0471 (代表)6 補正の対
象 明細書の発明の詳細な説明の欄。
7 補正の内容
(1) 明細書第8頁、第14行にrMgo。
WO3を使用した。」とあるのをrMgo。
W O31B i203を使用した。1と訂正する。
以上
Claims (4)
- (1)PbO、La_2O_3、MO、ZrO_2、T
iO_2よりなる主成分組成を(1−X−Y)PbO・
X/2La_2O_3・YMO・(1−Z)ZrO_2
・ZTiO_2と表わしたときに(ただしMはBaとB
rの一方又は双方である。)、0.06≦X≦0.30
、0.03≦Y≦0.48、0.20≦Z≦0.50を
満足する主成分組成に、PbWO_4とPb(Mg_1
_/_2W_1_/_2)O_3で表わされる組成との
一方又は双方よりなる添加物を主成分に対し、重量で1
〜40wt%(ただしPbWO_4は主成分の15wt
%以下、Pb(Mg_1_/_2W_1_/_2)O_
3は主成分の40wt%以下である。)含有して成る高
誘電率磁器組成物。 - (2)PbO、La_2O_3、MO、ZrO_2、T
iO_2よりなる主成分組成を(1−X−Y)PbO・
X/2La_2O_3・YMO・(1−Z)ZrO_2
・ZTiO_2と表わしたときに(ただしMはBaとB
rの一方又は双方である。)、0.06≦X≦0.30
、0.03≦Y≦0.4800.20≦Z≦0.50を
満足する主成分組成に、PbWO_4とPb(Mg_1
_/_2W_1_/_2)O_3で表わされる組成との
一方又は双方よりなる添加物を主成分に対し、重量で1
〜40wt%(ただしPbWO_4は主成分の15wt
%以下、Pb(Mg_1_/_2W_1_/_2)O_
3は主成分の40wt%以下である。)含有して成り、
かつこの組成物に含まれる全Pbの5モル%以下をAg
で置換した組成よりなる高誘電率磁器組成物。 - (3)PbO、La_2O_3、MO、ZrO_2Ti
O_2よりなる主成分組成を(1−X−Y)PbO・X
/2La_2O_3・YMO・(1−Z)ZrO_2・
ZTiO_2と表わしたときに(ただしMはBaとSr
の一方又は双方である。)、0.06≦X≦0.30、
0.03≦Y≦0.48、0.20≦Z≦0.50を満
足する主成分組成に、PbWO_4とPb(Mg_1_
/_2W_1_/_2)O_3で表わされる組成との一
方又は双方よりなる添加物を主成分に対し、重量で1〜
40wt%(ただしPbWO_4は主成分の15wt%
以下、Pb(Mg_1_/_2W_1_/_2)O_3
は主成分の40wt%以下である。)含有して成り、か
つこの組成物に含まれる全Pbの6モル%以下をBiで
置換した組成よりなる高誘電率磁器組成物。 - (4)PbO、La2O_3、Mo、ZrO_2、Ti
O_2よりなる主成分組成を(1−X−Y)PbO・X
/2La_2O_3・YMO・(1−Z)ZrO_2・
ZTiO_2と表わしたときに(ただしMはBaとBr
の一方又は双方である。)、0.06≦X≦0.30、
0.03≦Y≦0.480.20≦Z≦0.50を満足
する主成分組成に、PbWO_4とPb(Mg_1_/
_2W_1_/_2)O_3で表わされる組成との一方
又は双方よりなる添加物を主成分に対し、重量で1〜4
0wt%(ただしPbWO_4は主成分の15wt%以
下、Pb(Mg_1_/_2W_1_/_2)O_3は
主成分の40wt%以下である。)含有して成り、かつ
この組成物に含まれる全Pbの5モル%以下をAgで置
換し上記全Pbの6モル%以下をBiで置換した組成よ
りなる高誘電率磁器組成物。
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