JPS6054722B2 - 高誘電率磁器組成物 - Google Patents
高誘電率磁器組成物Info
- Publication number
- JPS6054722B2 JPS6054722B2 JP53017795A JP1779578A JPS6054722B2 JP S6054722 B2 JPS6054722 B2 JP S6054722B2 JP 53017795 A JP53017795 A JP 53017795A JP 1779578 A JP1779578 A JP 1779578A JP S6054722 B2 JPS6054722 B2 JP S6054722B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dielectric constant
- high dielectric
- porcelain composition
- composition
- constant porcelain
- Prior art date
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- Expired
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- Inorganic Insulating Materials (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、磁器組成物、特に高誘電率で焼結温度の低い
磁器組成物に関する。
磁器組成物に関する。
従来高誘電率系誘電体として、チタン酸バリウム〔Ｂａ
Ｔ１０。
Ｔ１０。
〕を主成分とするものが広く実用化されていることは周
知のとおりである。しかしながらＢａＴ１Ｏ、を主成分
とするものは焼結温度が通常１３卯℃〜１４卯℃の高温
であり、特に積層型コンデサの場合には、この焼結温度
に適した内部電極として、主成分が白金またはパラジウ
ム等の高価な貴金属を使用しなければならないという欠
改を有していた。このため銀等を主成分とする安価な内
部電極を使用可能とするためには、焼結温度ができるだ
け低温、特に１０卯℃以上の温度で焼結できる誘電体が
強く要望されていた。
知のとおりである。しかしながらＢａＴ１Ｏ、を主成分
とするものは焼結温度が通常１３卯℃〜１４卯℃の高温
であり、特に積層型コンデサの場合には、この焼結温度
に適した内部電極として、主成分が白金またはパラジウ
ム等の高価な貴金属を使用しなければならないという欠
改を有していた。このため銀等を主成分とする安価な内
部電極を使用可能とするためには、焼結温度ができるだ
け低温、特に１０卯℃以上の温度で焼結できる誘電体が
強く要望されていた。
本発明の目的は、１０００℃以下の温度で焼結でき、誘
電率が著しく、かつ誘電損失が小さく、しかも比抵抗の
高い組成物を提供することにある。
電率が著しく、かつ誘電損失が小さく、しかも比抵抗の
高い組成物を提供することにある。
本発明者等は既に１０圓℃以下で焼結できるＰｂ（Ｆｅ
２１３Ｗ１’３）０３とＰｂ（Ｆｅ１１２Ｎｂ１ｌ２）
Ｏ、からなる二成分系高誘電率磁器組成物を提案した（
特開昭５２−８７７００）。この組成物は優れた誘電特
性を有しており磁器コンデンサとして実用化されようと
している。しカルながら誘電損失や比抵抗がやや不満足
であり、用途は自ら狭い範囲に限定せざるを得なかつた
。本発明は、この二成分系組成物をＰｂ（Ｆｅ２ｌ３Ｗ
１１３）ｘ（Ｆｅｌ’２Ｎｂ１’２） １−ｘＯ、と表
わしたとき配合比ｘが０．２≦ｘく０．５の範囲内にあ
る主成分組成物に幅成分としてＳｂ、Ｂｉ、Ｖ、Ｎｂ、
Ｔａの金属元素の中から少なくとも１種類似上の元素を
０．０２〜２原子％含有せしめることによつて高誘電率
を保ち、かつ誘電損失を減少させ、しかも比抵抗を・増
大せしめ、量産性に富む、安価で優れた高誘電率磁器組
成物を提供するものである。
２１３Ｗ１’３）０３とＰｂ（Ｆｅ１１２Ｎｂ１ｌ２）
Ｏ、からなる二成分系高誘電率磁器組成物を提案した（
特開昭５２−８７７００）。この組成物は優れた誘電特
性を有しており磁器コンデンサとして実用化されようと
している。しカルながら誘電損失や比抵抗がやや不満足
であり、用途は自ら狭い範囲に限定せざるを得なかつた
。本発明は、この二成分系組成物をＰｂ（Ｆｅ２ｌ３Ｗ
１１３）ｘ（Ｆｅｌ’２Ｎｂ１’２） １−ｘＯ、と表
わしたとき配合比ｘが０．２≦ｘく０．５の範囲内にあ
る主成分組成物に幅成分としてＳｂ、Ｂｉ、Ｖ、Ｎｂ、
Ｔａの金属元素の中から少なくとも１種類似上の元素を
０．０２〜２原子％含有せしめることによつて高誘電率
を保ち、かつ誘電損失を減少させ、しかも比抵抗を・増
大せしめ、量産性に富む、安価で優れた高誘電率磁器組
成物を提供するものである。
以下本発明を実施例により詳細に説明する。
実施例出発原料として、酸化鉛（ＰｂＯ）、酸化鉄・（
Ｆｅ２Ｏ３）、酸化タングステン（ＷＯＪ）、酸化ニオ
ブ（Ｎｂ２Ｏ５、酸化アンチモン（Ｓｉ）、Ｏｓ）、酸
化ビスマス（Ｂｉ２０ａ）、酸化バナジウム（Ｖ２０５
）、酸化夕ンタル（Ｔａ２Ｏ５）を使用し、所定の配合
比に秤量する。
Ｆｅ２Ｏ３）、酸化タングステン（ＷＯＪ）、酸化ニオ
ブ（Ｎｂ２Ｏ５、酸化アンチモン（Ｓｉ）、Ｏｓ）、酸
化ビスマス（Ｂｉ２０ａ）、酸化バナジウム（Ｖ２０５
）、酸化夕ンタル（Ｔａ２Ｏ５）を使用し、所定の配合
比に秤量する。
次に、ボールミル中で湿式混合した後７５０℃〜８５０
℃で予焼を行い、この粉末を粉砕した後、約０．７ｔ０
ｎ／ｄの圧力で、直径約１６薦、厚さ約１０Ｔ１ｒ１Ｒ
の円柱に加圧成型した後、羽σＣ〜部（代）で焼＊２結
した。得られた焼結体を約０．５ＷＲの円板に切断した
後、銀電極を焼付けた。このようにして得られた磁器組
成物の配合比と諸特性の関係を第１表に示す。第１表に
よつて明らかなように、副成分として、Ｓｂ，Ｂｉ，ｖ
，Ｎｂ，Ｔａの中から少なくとも一つ以上の金属元素を
含有せしめることにより、高誘電率を保ち、かつ誘電損
失を減少せしめ、しかも比抗を著しく高めて、実用に富
む優れた高誘電率磁器組成物が得られることがわかる。
焼結温度が１０００℃以下の低温であるため、焼結に伴
う炉材の耐久性の著るしい向上や電力費用の低減等によ
る製造コストの低下はいうに及ばず、特に大容量績層コ
ンデンサの内部電極の低価格化を実現できるという極め
て量産性に富む材料を提供するものである。なお主成分
配合比ｘが０．昧満あるいは０．５を超える範囲の組成
物は、キューリー点が室温より高温側あるいは低温側に
大きくずれるため室温での誘電率がが低くなる。
℃で予焼を行い、この粉末を粉砕した後、約０．７ｔ０
ｎ／ｄの圧力で、直径約１６薦、厚さ約１０Ｔ１ｒ１Ｒ
の円柱に加圧成型した後、羽σＣ〜部（代）で焼＊２結
した。得られた焼結体を約０．５ＷＲの円板に切断した
後、銀電極を焼付けた。このようにして得られた磁器組
成物の配合比と諸特性の関係を第１表に示す。第１表に
よつて明らかなように、副成分として、Ｓｂ，Ｂｉ，ｖ
，Ｎｂ，Ｔａの中から少なくとも一つ以上の金属元素を
含有せしめることにより、高誘電率を保ち、かつ誘電損
失を減少せしめ、しかも比抗を著しく高めて、実用に富
む優れた高誘電率磁器組成物が得られることがわかる。
焼結温度が１０００℃以下の低温であるため、焼結に伴
う炉材の耐久性の著るしい向上や電力費用の低減等によ
る製造コストの低下はいうに及ばず、特に大容量績層コ
ンデンサの内部電極の低価格化を実現できるという極め
て量産性に富む材料を提供するものである。なお主成分
配合比ｘが０．昧満あるいは０．５を超える範囲の組成
物は、キューリー点が室温より高温側あるいは低温側に
大きくずれるため室温での誘電率がが低くなる。
また副成分であるＳｂ，Ｂｉ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａの中から
一つ以上の金属元素の含有量が０．０２原子％未満では
、誘電損失や比抵抗の改善損失が大きくなる。なお、上
記実施例では実用原料は主として酸化物を用いたが、焼
結することによつて容易に酸化物となる原料たとえば炭
酸塩を用いても同等の効果が得られることは言うまでも
ない。
一つ以上の金属元素の含有量が０．０２原子％未満では
、誘電損失や比抵抗の改善損失が大きくなる。なお、上
記実施例では実用原料は主として酸化物を用いたが、焼
結することによつて容易に酸化物となる原料たとえば炭
酸塩を用いても同等の効果が得られることは言うまでも
ない。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 鉄・タングステン酸鉛〔Ｐｂ（Ｆｅ＿２＿／＿３Ｗ
＿１＿／＿３）Ｏ＿３〕および鉄・ニオブ酸鉛〔Ｐｂ（
Ｆｅ＿１＿／＿２Ｎｂ＿１＿／＿２）Ｏ＿３〕からなる
二成分組成物をＰｂ（Ｆｅ＿２＿／＿３Ｗ＿１＿／＿３
）ｘ（Ｆｅ＿１＿／＿２Ｎｂ＿１＿／＿２）１−ｘＯ＿
３と表わしたときに配合比ｘが、０．２≦ｘ≦０．５の
範囲内にある主成分組成物に幅成分としてアンチモン（
Ｓｂ）、ビスマス（Ｂｉ）、バナジウム（Ｖ）、ニオブ
（Ｎｂ）、タンタル（Ｔａ）、の中から少なくとも一つ
以上の金属元素を主成分に対して０．０２原子％以上２
原子％以下含有せしめたことを特徴とする高誘電率磁器
組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP53017795A JPS6054722B2 (ja) | 1978-02-17 | 1978-02-17 | 高誘電率磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP53017795A JPS6054722B2 (ja) | 1978-02-17 | 1978-02-17 | 高誘電率磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS54110498A JPS54110498A (en) | 1979-08-29 |
| JPS6054722B2 true JPS6054722B2 (ja) | 1985-12-02 |
Family
ID=11953638
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP53017795A Expired JPS6054722B2 (ja) | 1978-02-17 | 1978-02-17 | 高誘電率磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6054722B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57172715A (en) * | 1981-04-16 | 1982-10-23 | Nichicon Capacitor Ltd | Nonlinear ceramic capacitor |
| FR2515168A1 (fr) * | 1981-10-23 | 1983-04-29 | Thomson Csf | Composition ceramique destinee a la realisation de composants electriques, et procede de preparation de cette composition |
| JPS59181407A (ja) * | 1983-03-31 | 1984-10-15 | 株式会社東芝 | 高誘電率磁器組成物 |
| DE3580070D1 (de) * | 1984-07-16 | 1990-11-15 | Nippon Denso Co | Hf-filter fuer elektronische instrumente. |
| JPS61158615A (ja) * | 1984-12-28 | 1986-07-18 | 株式会社デンソー | 高周波吸収セラミツクス |
| JPS61158613A (ja) * | 1984-12-28 | 1986-07-18 | 株式会社デンソー | 高周波吸収セラミツクス |
-
1978
- 1978-02-17 JP JP53017795A patent/JPS6054722B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS54110498A (en) | 1979-08-29 |
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