JPS6054723B2 - 高誘電率磁器組成物 - Google Patents
高誘電率磁器組成物Info
- Publication number
- JPS6054723B2 JPS6054723B2 JP53017796A JP1779678A JPS6054723B2 JP S6054723 B2 JPS6054723 B2 JP S6054723B2 JP 53017796 A JP53017796 A JP 53017796A JP 1779678 A JP1779678 A JP 1779678A JP S6054723 B2 JPS6054723 B2 JP S6054723B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dielectric constant
- high dielectric
- main component
- porcelain composition
- iron
- Prior art date
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- Expired
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、磁気組成物、特に高誘電率を有し、焼結温度
の低い磁器組成物に関する。
の低い磁器組成物に関する。
従来高誘電率系誘電体として、チタン酸バリウム〔Ｂａ
Ｔ１Ｏ。
Ｔ１Ｏ。
〕を主成分とするものが広く実用化されていることは周
知のとおりである。しかしながらＢａＴｉＯ、の主成分
とするものは焼結温度が通常１３圓℃〜１４０σＣの高
温であり、特に積層型コンデンサの場合には、この焼結
温度に適した内部電極として、主成分が白金またはパラ
ジウム等の高価な貴金属を使用しなければならないとい
う欠点を有していた。このため銀等を主成分止する安価
な内部電極を使用可能とするためには、焼結温度ができ
るだけ低温、特に１０卯℃以下の温度で焼結できる誘電
体が強く要望されていた。
知のとおりである。しかしながらＢａＴｉＯ、の主成分
とするものは焼結温度が通常１３圓℃〜１４０σＣの高
温であり、特に積層型コンデンサの場合には、この焼結
温度に適した内部電極として、主成分が白金またはパラ
ジウム等の高価な貴金属を使用しなければならないとい
う欠点を有していた。このため銀等を主成分止する安価
な内部電極を使用可能とするためには、焼結温度ができ
るだけ低温、特に１０卯℃以下の温度で焼結できる誘電
体が強く要望されていた。
本発明の目的は、１０００℃以下の温度で焼結でき、誘
電率が著るしく高く、かつ誘電損失が小さく、しかも比
抵抗の高い組成物を提供することにある。
電率が著るしく高く、かつ誘電損失が小さく、しかも比
抵抗の高い組成物を提供することにある。
本発明者等は、既に１０圓℃以下で焼結できるＰｂ（Ｆ
ｅ２’３Ｗ１１３）００とＰｂ（Ｆｅ１１２ＮｂｌＩ２
）Ｏ、からなる二成分系高誘電率磁器組成物を提案した
（特開昭５２−８７７００）。
ｅ２’３Ｗ１１３）００とＰｂ（Ｆｅ１１２ＮｂｌＩ２
）Ｏ、からなる二成分系高誘電率磁器組成物を提案した
（特開昭５２−８７７００）。
この組成物は優れた誘電特性を有しており、磁器コンデ
ンサとして実用化されようとしている。しカルながら誘
電損失や比抵抗がやや不満足であり、用途は自ら狭い範
囲に限定せざるを得なかつた。本発明は、この二成分系
組成物をＰｂ（Ｆｅ２１３Ｗ１１３）ｘ（Ｆｅ１１２Ｎ
ｂ１１２）１−ｘ０。
ンサとして実用化されようとしている。しカルながら誘
電損失や比抵抗がやや不満足であり、用途は自ら狭い範
囲に限定せざるを得なかつた。本発明は、この二成分系
組成物をＰｂ（Ｆｅ２１３Ｗ１１３）ｘ（Ｆｅ１１２Ｎ
ｂ１１２）１−ｘ０。
と表わしたとき配合比Ｘが０．２≦ｘ≦０．５の範囲内
にある主成分組成物に副成分としてＭｎ、Ｍｇ、Ｃｏ、
Ｆｅ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｚｎの金属元素の中から少なくとも
１種類似、上の元素を０．０２〜２』原子％含有せしめ
ることによつて高誘電率を保ち、かつ誘電損失を減少さ
せ、しかも比抵抗を飛躍的にせしめ量産性に富む、安価
でかつ優れた高誘電率磁器組成物を提供するものである
。； 以下本発明を実施例により詳細に説明する。
にある主成分組成物に副成分としてＭｎ、Ｍｇ、Ｃｏ、
Ｆｅ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｚｎの金属元素の中から少なくとも
１種類似、上の元素を０．０２〜２』原子％含有せしめ
ることによつて高誘電率を保ち、かつ誘電損失を減少さ
せ、しかも比抵抗を飛躍的にせしめ量産性に富む、安価
でかつ優れた高誘電率磁器組成物を提供するものである
。； 以下本発明を実施例により詳細に説明する。
実施例出発原料として、酸化鉛（ＰｂＯ）、酸化鉄（Ｆ
ｅ２Ｏ３）酸化タングステン（ＷＯ，）、酸化ニオブ（
Ｎｂ２Ｏ５）、炭酸マンガン（ＭｒｌＣＯ３）、酸化マ
グネシウラ（ＭｇＯ）、酸化コバルト（ＣＯＯ）、酸化
クロム（Ｃｒ２Ｏ３）、酸化ニッケル（ＮｉＯ）、酸化
亜鉛（ＺｎＯ）を使用し、所定の配合比に秤量する。次
に、ボールミル中で湿式混合した後７５（代）〜８５０
Ｃで予焼を行い、この粉末を粉砕した後、約＊ＳｓＯ．
７ｔＯｎ／Ｃｆｌの圧力で、直径約１６１１Ｒ１厚さ約
１ｉの円柱に加圧成型した後、８８０℃〜９８０Ｃで焼
結した。得られた焼結体を約０．５ｍの円板に切断した
後、銀電極を焼付けた。このようにして得られた磁器組
成物の配合比と諸特性の関係を第１表に示す。第１表に
よつて明らかなように副成分としてＭｎ，Ｍｇ，ＣＯ，
Ｆｅ，Ｃｒ，Ｎｉ，Ｚｎの金属元素の中から少なくとも
１つ以上の金属元素を含有せしめることにより、高誘電
率を保ちかつ誘電損失を減少せしめている。
ｅ２Ｏ３）酸化タングステン（ＷＯ，）、酸化ニオブ（
Ｎｂ２Ｏ５）、炭酸マンガン（ＭｒｌＣＯ３）、酸化マ
グネシウラ（ＭｇＯ）、酸化コバルト（ＣＯＯ）、酸化
クロム（Ｃｒ２Ｏ３）、酸化ニッケル（ＮｉＯ）、酸化
亜鉛（ＺｎＯ）を使用し、所定の配合比に秤量する。次
に、ボールミル中で湿式混合した後７５（代）〜８５０
Ｃで予焼を行い、この粉末を粉砕した後、約＊ＳｓＯ．
７ｔＯｎ／Ｃｆｌの圧力で、直径約１６１１Ｒ１厚さ約
１ｉの円柱に加圧成型した後、８８０℃〜９８０Ｃで焼
結した。得られた焼結体を約０．５ｍの円板に切断した
後、銀電極を焼付けた。このようにして得られた磁器組
成物の配合比と諸特性の関係を第１表に示す。第１表に
よつて明らかなように副成分としてＭｎ，Ｍｇ，ＣＯ，
Ｆｅ，Ｃｒ，Ｎｉ，Ｚｎの金属元素の中から少なくとも
１つ以上の金属元素を含有せしめることにより、高誘電
率を保ちかつ誘電損失を減少せしめている。
しかも比抵抗を著しく高めて、実用性に富む優れた高誘
電率磁器組成物に改善されている。焼結温度が１０００
′Ｃ以下の低温であるため、焼結に伴う炉材の耐久性の
著るしい向上や、電力費用の低減等による製造コストの
低下はいうに及ばず、特に大容量積層コンデンサの内部
電極の低価格化を実現できるという極めて量産性に富む
材料を提供するものである。なお主成分配合比ｘが０．
昧満あるいは０．５を超える範囲の組成物は、キュリー
点が室温より高温側に大きくずれるため室温での誘電率
が低くなる。
電率磁器組成物に改善されている。焼結温度が１０００
′Ｃ以下の低温であるため、焼結に伴う炉材の耐久性の
著るしい向上や、電力費用の低減等による製造コストの
低下はいうに及ばず、特に大容量積層コンデンサの内部
電極の低価格化を実現できるという極めて量産性に富む
材料を提供するものである。なお主成分配合比ｘが０．
昧満あるいは０．５を超える範囲の組成物は、キュリー
点が室温より高温側に大きくずれるため室温での誘電率
が低くなる。
また副成分であるＭｎ，Ｍｇ，ＣＯ，Ｆｅ，Ｃｒ，Ｎｉ
，Ｚｎの金属元素の中の少なくとも一つ以上の金属元素
の含有量が０．０２Ｊｇ．子％未満では、誘電損失や比
抵抗の改善効果が小さく、２．０原子％を越えると誘電
損失が大きくなる。なお、上記実施例では使用原料は主
として酸化物を用いたが、焼結することによつて、容易
に酸化物となる原料、例えば、炭酸塩を用いても同等の
効果が得られることは言うまでもない。
，Ｚｎの金属元素の中の少なくとも一つ以上の金属元素
の含有量が０．０２Ｊｇ．子％未満では、誘電損失や比
抵抗の改善効果が小さく、２．０原子％を越えると誘電
損失が大きくなる。なお、上記実施例では使用原料は主
として酸化物を用いたが、焼結することによつて、容易
に酸化物となる原料、例えば、炭酸塩を用いても同等の
効果が得られることは言うまでもない。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 鉄・タングステン酸鉛〔Ｐｂ（Ｆｅ＿２＿／＿３Ｗ
＿１＿／＿３）Ｏ＿３〕および鉄・ニオブ酸鉛〔Ｐｂ（
Ｆｅ＿１＿／＿２Ｎｂ＿１＿／＿２）Ｏ＿３〕からなる
二成分組成物をＰｂ（Ｆｅ＿２＿／＿３Ｗ＿１＿／＿３
）ｘ（Ｆｅ＿１＿／＿２Ｎｂ＿１＿／＿２）１−ｘＯ＿
３と表わした時に配合比Ｘが０．２≦Ｘ≦０．５の範囲
内にある主成分組成物に副成分としてマンガン（Ｍｎ）
、マグネシウム（Ｍｇ）、コバルト（Ｃｏ）、鉄（Ｆｅ
）、クロム（Ｃｒ）、ニッケル（Ｎｉ）、亜鉛（Ｚｎ）
の中から少なくとも一つ以上の金属元素（但しＺｎ、Ｎ
ｉの金属元素が単独で含まれる場合を除く）を主成分に
対して、０．０２原子％以上２．０原子％以下含有せし
めたことを特徴とする高誘電率磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP53017796A JPS6054723B2 (ja) | 1978-02-17 | 1978-02-17 | 高誘電率磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP53017796A JPS6054723B2 (ja) | 1978-02-17 | 1978-02-17 | 高誘電率磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS54110499A JPS54110499A (en) | 1979-08-29 |
| JPS6054723B2 true JPS6054723B2 (ja) | 1985-12-02 |
Family
ID=11953668
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP53017796A Expired JPS6054723B2 (ja) | 1978-02-17 | 1978-02-17 | 高誘電率磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6054723B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2515168A1 (fr) * | 1981-10-23 | 1983-04-29 | Thomson Csf | Composition ceramique destinee a la realisation de composants electriques, et procede de preparation de cette composition |
| EP0169053B1 (en) * | 1984-07-16 | 1990-10-10 | Nippondenso Co., Ltd. | High frequency filter for electric instruments |
| JPS61158613A (ja) * | 1984-12-28 | 1986-07-18 | 株式会社デンソー | 高周波吸収セラミツクス |
| JPS61158615A (ja) * | 1984-12-28 | 1986-07-18 | 株式会社デンソー | 高周波吸収セラミツクス |
-
1978
- 1978-02-17 JP JP53017796A patent/JPS6054723B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS54110499A (en) | 1979-08-29 |
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