JPH06139821A - 非還元性誘電体磁器組成物 - Google Patents
非還元性誘電体磁器組成物Info
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- JPH06139821A JPH06139821A JP4309264A JP30926492A JPH06139821A JP H06139821 A JPH06139821 A JP H06139821A JP 4309264 A JP4309264 A JP 4309264A JP 30926492 A JP30926492 A JP 30926492A JP H06139821 A JPH06139821 A JP H06139821A
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- dielectric
- ceramic composition
- dielectric ceramic
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/48—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on zirconium or hafnium oxides, zirconates, zircon or hafnates
- C04B35/49—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on zirconium or hafnium oxides, zirconates, zircon or hafnates containing also titanium oxides or titanates
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 還元性雰囲気中で焼成しても半導体化せず、
しかも結晶粒径が小さいにもかかわらず、大きな誘電率
が得られ、これを用いることによって積層セラミックコ
ンデンサを小型化することができる、非還元性誘電体磁
器組成物を提供する。 【構成】 その主成分がＢａＯ，ＣａＯ，ＭｇＯ，Ｔｉ
Ｏ2 ，ＺｒＯ2 およびＮｂ2 Ｏ5 からなり、次の一般式
｛ (Ｂａ1-x Ｃａx Ｍｇy ) Ｏ｝m ( Ｔｉ1-o-pＺｒo
Ｎｂp ) Ｏ2+p/2 で表され、ｘ，ｙ，ｏ，ｐおよびｍ
が、０＜ｘ≦０．２０、０＜ｙ≦０．０５、０＜ｏ≦
０．２５、０．０００５≦ｐ≦０．０２３、１．０００
≦ｍ≦１．０３の関係を満足し、主成分１００モルに対
して、Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｒ，Ｃｏ，Ｎｉの各酸化物をＭｎ
Ｏ2 ，Ｆｅ2 Ｏ3 ，Ｃｒ2 Ｏ3 ，ＣｏＯ，ＮｉＯと表し
たとき、各酸化物の少なくとも１種類を０．０２〜２．
０モル含み、さらに、０．１〜２．０モルのＳｉＯ2 ま
たはＺｎＯを少なくとも１種類含む、非還元性誘電体磁
器組成物である。
しかも結晶粒径が小さいにもかかわらず、大きな誘電率
が得られ、これを用いることによって積層セラミックコ
ンデンサを小型化することができる、非還元性誘電体磁
器組成物を提供する。 【構成】 その主成分がＢａＯ，ＣａＯ，ＭｇＯ，Ｔｉ
Ｏ2 ，ＺｒＯ2 およびＮｂ2 Ｏ5 からなり、次の一般式
｛ (Ｂａ1-x Ｃａx Ｍｇy ) Ｏ｝m ( Ｔｉ1-o-pＺｒo
Ｎｂp ) Ｏ2+p/2 で表され、ｘ，ｙ，ｏ，ｐおよびｍ
が、０＜ｘ≦０．２０、０＜ｙ≦０．０５、０＜ｏ≦
０．２５、０．０００５≦ｐ≦０．０２３、１．０００
≦ｍ≦１．０３の関係を満足し、主成分１００モルに対
して、Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｒ，Ｃｏ，Ｎｉの各酸化物をＭｎ
Ｏ2 ，Ｆｅ2 Ｏ3 ，Ｃｒ2 Ｏ3 ，ＣｏＯ，ＮｉＯと表し
たとき、各酸化物の少なくとも１種類を０．０２〜２．
０モル含み、さらに、０．１〜２．０モルのＳｉＯ2 ま
たはＺｎＯを少なくとも１種類含む、非還元性誘電体磁
器組成物である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は非還元性誘電体磁器組
成物に関し、特にたとえば積層セラミックコンデンサな
どに用いられる非還元性誘電体磁器組成物に関する。
成物に関し、特にたとえば積層セラミックコンデンサな
どに用いられる非還元性誘電体磁器組成物に関する。
【０００２】
【従来の技術】積層セラミックコンデンサの製造工程と
しては、まず、その表面に内部電極となる電極材料を塗
布したシート状の誘電体材料が準備される。この誘電体
材料としては、たとえばＢａＴｉＯ3 を主成分とする材
料などが用いられる。この電極材料を塗布したシート状
の誘電体材料を積層して熱圧着し、一体化したものを自
然雰囲気中において１２５０〜１３５０℃で焼成して、
内部電極を有する誘電体磁器が得られる。そして、この
誘電体磁器の端面に、内部電極と導通する外部電極を焼
き付けて、積層セラミックコンデンサが製造される。
しては、まず、その表面に内部電極となる電極材料を塗
布したシート状の誘電体材料が準備される。この誘電体
材料としては、たとえばＢａＴｉＯ3 を主成分とする材
料などが用いられる。この電極材料を塗布したシート状
の誘電体材料を積層して熱圧着し、一体化したものを自
然雰囲気中において１２５０〜１３５０℃で焼成して、
内部電極を有する誘電体磁器が得られる。そして、この
誘電体磁器の端面に、内部電極と導通する外部電極を焼
き付けて、積層セラミックコンデンサが製造される。
【０００３】したがって、内部電極の材料としては、次
のような条件を満たす必要がある。
のような条件を満たす必要がある。
【０００４】（ａ）誘電体磁器と内部電極とが同時に焼
成されるので、誘電体磁器が焼成される温度以上の融点
を有すること。
成されるので、誘電体磁器が焼成される温度以上の融点
を有すること。
【０００５】（ｂ）酸化性の高温雰囲気中においても酸
化されず、しかも誘電体と反応しないこと。
化されず、しかも誘電体と反応しないこと。
【０００６】このような条件を満足する電極材料として
は、白金，金，パラジウムあるいはこれらの合金などの
ような貴金属が用いられていた。
は、白金，金，パラジウムあるいはこれらの合金などの
ような貴金属が用いられていた。
【０００７】しかしながら、これらの電極材料は優れた
特性を有する反面、高価であった。そのため、積層セラ
ミックコンデンサに占める電極材料費の割合は３０〜７
０％にも達し、製造コストを上昇させる最大の要因とな
っていた。
特性を有する反面、高価であった。そのため、積層セラ
ミックコンデンサに占める電極材料費の割合は３０〜７
０％にも達し、製造コストを上昇させる最大の要因とな
っていた。
【０００８】貴金属以外に高融点をもつものとしてＮ
ｉ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｗ，Ｍｏなどの卑金属があるが、これ
らの卑金属は高温の酸化性雰囲気中では容易に酸化され
てしまい、電極としての役目を果たさなくなってしま
う。そのため、これらの卑金属を積層セラミックコンデ
ンサの内部電極として使用するためには、誘電体磁器と
ともに中性または還元性雰囲気中で焼成される必要があ
る。しかしながら、従来の誘電体磁器材料では、このよ
うな還元性雰囲気中で焼成すると著しく還元されてしま
い、半導体化してしまうという欠点があった。
ｉ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｗ，Ｍｏなどの卑金属があるが、これ
らの卑金属は高温の酸化性雰囲気中では容易に酸化され
てしまい、電極としての役目を果たさなくなってしま
う。そのため、これらの卑金属を積層セラミックコンデ
ンサの内部電極として使用するためには、誘電体磁器と
ともに中性または還元性雰囲気中で焼成される必要があ
る。しかしながら、従来の誘電体磁器材料では、このよ
うな還元性雰囲気中で焼成すると著しく還元されてしま
い、半導体化してしまうという欠点があった。
【０００９】このような欠点を克服するために、たとえ
ば特公昭５７−４２５８８号公報に示されるように、チ
タン酸バリウム固溶体において、バリウムサイト／チタ
ンサイトの比を化学量論比より過剰にした誘電体材料が
考え出された。このような誘電体材料を使用することに
よって、還元性雰囲気中で焼成しても半導体化しない誘
電体磁器を得ることができ、内部電極としてニッケルな
どの卑金属を使用した積層セラミックコンデンサの製造
が可能となった。
ば特公昭５７−４２５８８号公報に示されるように、チ
タン酸バリウム固溶体において、バリウムサイト／チタ
ンサイトの比を化学量論比より過剰にした誘電体材料が
考え出された。このような誘電体材料を使用することに
よって、還元性雰囲気中で焼成しても半導体化しない誘
電体磁器を得ることができ、内部電極としてニッケルな
どの卑金属を使用した積層セラミックコンデンサの製造
が可能となった。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】近年のエレクトロニク
スの発展に伴い電子部品の小型化が急速に進行し、積層
セラミックコンデンサも小型化の傾向が顕著になってき
た。積層セラミックコンデンサを小型化する方法として
は、一般的に大きな誘電率を有する材料を用いるか、誘
電体層を薄膜化することが知られている。しかし、大き
な誘電率を有する材料は結晶粒が大きく、１０μｍ以下
のような薄膜になると、１つの層中に存在する結晶粒の
数が減少し、信頼性が低下してしまう。
スの発展に伴い電子部品の小型化が急速に進行し、積層
セラミックコンデンサも小型化の傾向が顕著になってき
た。積層セラミックコンデンサを小型化する方法として
は、一般的に大きな誘電率を有する材料を用いるか、誘
電体層を薄膜化することが知られている。しかし、大き
な誘電率を有する材料は結晶粒が大きく、１０μｍ以下
のような薄膜になると、１つの層中に存在する結晶粒の
数が減少し、信頼性が低下してしまう。
【００１１】それゆえに、この発明の主たる目的は、還
元性雰囲気中で焼成しても半導体化せず、しかも結晶粒
径が小さいにもかかわらず、大きな誘電率が得られ、こ
れを用いることによって積層セラミックコンデンサを小
型化することができる、非還元性誘電体磁器組成物を提
供することである。
元性雰囲気中で焼成しても半導体化せず、しかも結晶粒
径が小さいにもかかわらず、大きな誘電率が得られ、こ
れを用いることによって積層セラミックコンデンサを小
型化することができる、非還元性誘電体磁器組成物を提
供することである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】この発明は、その主成分
がＢａＯ，ＣａＯ，ＭｇＯ，ＴｉＯ2 ，ＺｒＯ2 および
Ｎｂ2 Ｏ5 からなり、次の一般式｛ (Ｂａ1-x Ｃａx Ｍ
ｇy ) Ｏ｝m ( Ｔｉ1-o-p Ｚｒo Ｎｂp ) Ｏ2+p/2 で表
され、ｘ，ｙ，ｏ，ｐおよびｍが、０＜ｘ≦０．２０、
０＜ｙ≦０．０５、０＜ｏ≦０．２５、０．０００５≦
ｐ≦０．０２３、１．０００≦ｍ≦１．０３の関係を満
足し、主成分１００モルに対して、Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｒ，
Ｃｏ，Ｎｉの各酸化物をＭｎＯ2 ，Ｆｅ2 Ｏ3 ，Ｃｒ2
Ｏ3 ，ＣｏＯ，ＮｉＯと表したとき、各酸化物の少なく
とも１種類を０．０２〜２．０モル含み、さらに、０．
１〜２．０モルのＳｉＯ2 またはＺｎＯを少なくとも１
種類含む、非還元性誘電体磁器組成物である。
がＢａＯ，ＣａＯ，ＭｇＯ，ＴｉＯ2 ，ＺｒＯ2 および
Ｎｂ2 Ｏ5 からなり、次の一般式｛ (Ｂａ1-x Ｃａx Ｍ
ｇy ) Ｏ｝m ( Ｔｉ1-o-p Ｚｒo Ｎｂp ) Ｏ2+p/2 で表
され、ｘ，ｙ，ｏ，ｐおよびｍが、０＜ｘ≦０．２０、
０＜ｙ≦０．０５、０＜ｏ≦０．２５、０．０００５≦
ｐ≦０．０２３、１．０００≦ｍ≦１．０３の関係を満
足し、主成分１００モルに対して、Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｒ，
Ｃｏ，Ｎｉの各酸化物をＭｎＯ2 ，Ｆｅ2 Ｏ3 ，Ｃｒ2
Ｏ3 ，ＣｏＯ，ＮｉＯと表したとき、各酸化物の少なく
とも１種類を０．０２〜２．０モル含み、さらに、０．
１〜２．０モルのＳｉＯ2 またはＺｎＯを少なくとも１
種類含む、非還元性誘電体磁器組成物である。
【００１３】
【発明の効果】この発明によれば、還元性雰囲気中で焼
成しても還元されず、半導体化しない非還元性誘電体磁
器組成物を得ることができる。したがって、この非還元
性誘電体磁器組成物を用いて磁器積層コンデンサを製造
すれば、電極材料として卑金属を用いることができ、１
２５０℃以下と比較的低温で焼成可能であるため、積層
セラミックコンデンサのコストダウンを図ることができ
る。
成しても還元されず、半導体化しない非還元性誘電体磁
器組成物を得ることができる。したがって、この非還元
性誘電体磁器組成物を用いて磁器積層コンデンサを製造
すれば、電極材料として卑金属を用いることができ、１
２５０℃以下と比較的低温で焼成可能であるため、積層
セラミックコンデンサのコストダウンを図ることができ
る。
【００１４】また、この非還元性誘電体磁器組成物を用
いた磁器では、誘電率が９０００以上あり、しかもこの
ように高誘電率であるにもかかわらず、結晶粒が３μｍ
以下と小さい。したがって、積層セラミックコンデンサ
を製造するときに、誘電体層を薄膜化しても、従来の積
層セラミックコンデンサのように層中に存在する結晶粒
の量が少なくならない。このため、信頼性が高く、しか
も小型で大容量の積層セラミックコンデンサを得ること
ができる。
いた磁器では、誘電率が９０００以上あり、しかもこの
ように高誘電率であるにもかかわらず、結晶粒が３μｍ
以下と小さい。したがって、積層セラミックコンデンサ
を製造するときに、誘電体層を薄膜化しても、従来の積
層セラミックコンデンサのように層中に存在する結晶粒
の量が少なくならない。このため、信頼性が高く、しか
も小型で大容量の積層セラミックコンデンサを得ること
ができる。
【００１５】この発明の上述の目的，その他の目的，特
徴および利点は、以下の実施例の詳細な説明から一層明
らかとなろう。
徴および利点は、以下の実施例の詳細な説明から一層明
らかとなろう。
【００１６】
【実施例】まず、原料として、純度９９．８％以上のＢ
ａＣＯ3 ，ＣａＣＯ3 ，ＭｇＯ，ＴｉＯ2 ，ＺｒＯ2 ，
Ｎｂ2 Ｏ5 ，ＭｎＯ2 ，Ｆｅ2 Ｏ3 ，Ｃｒ2 Ｏ3 ，Ｃｏ
Ｏ，ＮｉＯ，ＳｉＯ2 ，ＺｎＯを準備した。これらの原
料を｛ (Ｂａ1-x Ｃａx Ｍｇy ) Ｏ｝m ( Ｔｉ1-o-p Ｚ
ｒo Ｎｂp ) Ｏ2+p/2 の組成式で表され、ｘ，ｙ，ｍ，
ｏ，ｐが表１に示す割合となるように配合して、配合原
料を得た。なお、表１に示す添加物（Ａ）および（Ｂ）
のモル数は、主成分１００モルに対して添加されるモル
数である。
ａＣＯ3 ，ＣａＣＯ3 ，ＭｇＯ，ＴｉＯ2 ，ＺｒＯ2 ，
Ｎｂ2 Ｏ5 ，ＭｎＯ2 ，Ｆｅ2 Ｏ3 ，Ｃｒ2 Ｏ3 ，Ｃｏ
Ｏ，ＮｉＯ，ＳｉＯ2 ，ＺｎＯを準備した。これらの原
料を｛ (Ｂａ1-x Ｃａx Ｍｇy ) Ｏ｝m ( Ｔｉ1-o-p Ｚ
ｒo Ｎｂp ) Ｏ2+p/2 の組成式で表され、ｘ，ｙ，ｍ，
ｏ，ｐが表１に示す割合となるように配合して、配合原
料を得た。なお、表１に示す添加物（Ａ）および（Ｂ）
のモル数は、主成分１００モルに対して添加されるモル
数である。
【００１７】
【表１】
【００１８】この配合原料をボールミルで湿式混合し、
粉砕したのち乾燥し、空気中において１１００℃で２時
間仮焼して仮焼物を得た。この仮焼物を乾式粉砕機によ
って粉砕し、粒径が１μｍ以下の粉砕物を得た。この粉
砕物に純水と酢酸ビニルバインダを加えて、ボールミル
で１６時間混合して混合物を得た。
粉砕したのち乾燥し、空気中において１１００℃で２時
間仮焼して仮焼物を得た。この仮焼物を乾式粉砕機によ
って粉砕し、粒径が１μｍ以下の粉砕物を得た。この粉
砕物に純水と酢酸ビニルバインダを加えて、ボールミル
で１６時間混合して混合物を得た。
【００１９】この混合物を乾燥造粒した後、２０００ｋ
ｇ／ｃｍ2 の圧力で成形し、直径１０ｍｍ，厚さ０．５
ｍｍの円板を得た。得られた円板を空気中において５０
０℃まで加熱して有機バインダを燃焼させたのち、酸素
分圧が３×１０-8〜３×１０-10 ａｔｍのＨ2 −Ｎ2 −
空気ガスからなる還元雰囲気炉中において表２に示す温
度で２時間焼成し、円板状の磁器を得た。
ｇ／ｃｍ2 の圧力で成形し、直径１０ｍｍ，厚さ０．５
ｍｍの円板を得た。得られた円板を空気中において５０
０℃まで加熱して有機バインダを燃焼させたのち、酸素
分圧が３×１０-8〜３×１０-10 ａｔｍのＨ2 −Ｎ2 −
空気ガスからなる還元雰囲気炉中において表２に示す温
度で２時間焼成し、円板状の磁器を得た。
【００２０】
【表２】
【００２１】得られた磁器の表面を、走査型電子顕微鏡
で倍率１５００倍で観察し、グレインサイズを測定し
た。
で倍率１５００倍で観察し、グレインサイズを測定し
た。
【００２２】そして、得られた磁器の主表面に銀電極を
焼き付けて測定試料（コンデンサ）とした。得られた試
料について、室温での誘電率（ε），誘電損失（ｔａｎ
δ）および温度変化に対する静電容量（Ｃ）の変化率を
測定した。なお、誘電率および誘電損失は、温度２５
℃，１ｋＨｚ，１Ｖrms の条件で測定した。また、温度
変化に対する静電容量の変化率については、２０℃での
静電容量を基準とした−２５℃と８５℃での変化率（Δ
Ｃ／Ｃ20）および−２５℃から８５℃の範囲内で絶対値
としてその変化率が最大である値（｜ΔＣ／Ｃ
20｜max ）を示した。
焼き付けて測定試料（コンデンサ）とした。得られた試
料について、室温での誘電率（ε），誘電損失（ｔａｎ
δ）および温度変化に対する静電容量（Ｃ）の変化率を
測定した。なお、誘電率および誘電損失は、温度２５
℃，１ｋＨｚ，１Ｖrms の条件で測定した。また、温度
変化に対する静電容量の変化率については、２０℃での
静電容量を基準とした−２５℃と８５℃での変化率（Δ
Ｃ／Ｃ20）および−２５℃から８５℃の範囲内で絶対値
としてその変化率が最大である値（｜ΔＣ／Ｃ
20｜max ）を示した。
【００２３】さらに、絶縁抵抗計によって、５００Ｖの
直流電流を２分間印加したのちの絶縁抵抗値を測定し
た。絶縁抵抗は、２５℃および８５℃の値を測定し、そ
れぞれの体積抵抗率の対数（ｌｏｇρ）を算出した。こ
れらの測定結果を表２に合わせて示す。
直流電流を２分間印加したのちの絶縁抵抗値を測定し
た。絶縁抵抗は、２５℃および８５℃の値を測定し、そ
れぞれの体積抵抗率の対数（ｌｏｇρ）を算出した。こ
れらの測定結果を表２に合わせて示す。
【００２４】次に、各組成の限定理由について説明す
る。
る。
【００２５】｛ (Ｂａ1-x Ｃａx Ｍｇy ) Ｏ｝m ( Ｔｉ
1-o-p Ｚｒo Ｎｂp ) Ｏ2+p/2 において、試料番号１の
ように、カルシウム量ｘが０の場合、磁器の焼結性が悪
く、誘電損失が２．０％を超え、絶縁抵抗の低下が生じ
好ましくない。一方、試料番号１６のように、カルシウ
ム量ｘが０．２０を超えると、焼結性が悪くなり、誘電
率が低下し好ましくない。
1-o-p Ｚｒo Ｎｂp ) Ｏ2+p/2 において、試料番号１の
ように、カルシウム量ｘが０の場合、磁器の焼結性が悪
く、誘電損失が２．０％を超え、絶縁抵抗の低下が生じ
好ましくない。一方、試料番号１６のように、カルシウ
ム量ｘが０．２０を超えると、焼結性が悪くなり、誘電
率が低下し好ましくない。
【００２６】さらに、試料番号２のように、マグネシウ
ム量ｙが０の場合、絶縁抵抗の低下が生じ好ましくな
い。一方、試料番号１７のように、マグネシウム量ｙが
０．０５を超えると、誘電率が９０００未満に低下し、
絶縁抵抗の低下が生じ、結晶粒径が３μｍより大きくな
り好ましくない。
ム量ｙが０の場合、絶縁抵抗の低下が生じ好ましくな
い。一方、試料番号１７のように、マグネシウム量ｙが
０．０５を超えると、誘電率が９０００未満に低下し、
絶縁抵抗の低下が生じ、結晶粒径が３μｍより大きくな
り好ましくない。
【００２７】試料番号３のように、ジルコニウム量ｏが
０の場合、誘電率が９０００未満になり、静電容量の温
度変化率が大きくなり好ましくない。一方、試料番号１
８のように、ジルコニウム量ｏが０．２５を超えると、
焼結性が低下し、誘電率が９０００未満になり好ましく
ない。
０の場合、誘電率が９０００未満になり、静電容量の温
度変化率が大きくなり好ましくない。一方、試料番号１
８のように、ジルコニウム量ｏが０．２５を超えると、
焼結性が低下し、誘電率が９０００未満になり好ましく
ない。
【００２８】試料番号４のように、ニオブ量ｐが０．０
００５未満の場合、誘電率が９０００未満になり、結晶
粒径が３μｍより大きくなり、積層セラミックコンデン
サにした場合、誘電体層を薄膜化できず好ましくない。
一方、試料番号１９のように、ニオブ量ｐが０．０２３
を超えると、還元性雰囲気で焼成したときに、磁器が還
元され、半導体化して絶縁抵抗が大幅に低下し好ましく
ない。
００５未満の場合、誘電率が９０００未満になり、結晶
粒径が３μｍより大きくなり、積層セラミックコンデン
サにした場合、誘電体層を薄膜化できず好ましくない。
一方、試料番号１９のように、ニオブ量ｐが０．０２３
を超えると、還元性雰囲気で焼成したときに、磁器が還
元され、半導体化して絶縁抵抗が大幅に低下し好ましく
ない。
【００２９】試料番号５のように、｛ (Ｂａ1-x Ｃａx
Ｍｇy ) Ｏ｝m ( Ｔｉ1-o-p ＺｒoＮｂp ) Ｏ2+p/2 に
おけるモル比ｍが１．０００未満では、還元性雰囲気中
で焼成したときに磁器が還元され、半導体化して絶縁抵
抗が低下してしまい好ましくない。一方、試料番号２０
のように、そのモル比ｍが１．０３を超えると、焼結性
が極端に悪くなり好ましくない。
Ｍｇy ) Ｏ｝m ( Ｔｉ1-o-p ＺｒoＮｂp ) Ｏ2+p/2 に
おけるモル比ｍが１．０００未満では、還元性雰囲気中
で焼成したときに磁器が還元され、半導体化して絶縁抵
抗が低下してしまい好ましくない。一方、試料番号２０
のように、そのモル比ｍが１．０３を超えると、焼結性
が極端に悪くなり好ましくない。
【００３０】さらに、試料番号６のように、主成分１０
０モルに対して、添加物（Ａ）としてのＭｎＯ2 ，Ｆｅ
2 Ｏ3 ，Ｃｒ2 Ｏ3 ，ＣｏＯ，ＮｉＯの添加量が０．０
２モル未満の場合、８５℃以上での絶縁抵抗が小さくな
り、高温中における長時間使用の信頼性が低下し好まし
くない。一方、試料番号２１のように、主成分１００モ
ルに対して、これらの添加物（Ａ）の添加量が２．０モ
ルを超えると、誘電損失が２．０％を超えて大きくな
り、同時に絶縁抵抗も劣化し好ましくない。
０モルに対して、添加物（Ａ）としてのＭｎＯ2 ，Ｆｅ
2 Ｏ3 ，Ｃｒ2 Ｏ3 ，ＣｏＯ，ＮｉＯの添加量が０．０
２モル未満の場合、８５℃以上での絶縁抵抗が小さくな
り、高温中における長時間使用の信頼性が低下し好まし
くない。一方、試料番号２１のように、主成分１００モ
ルに対して、これらの添加物（Ａ）の添加量が２．０モ
ルを超えると、誘電損失が２．０％を超えて大きくな
り、同時に絶縁抵抗も劣化し好ましくない。
【００３１】また、試料番号７のように、主成分１００
モルに対して、添加物（Ｂ）としてのＳｉＯ2 またはＺ
ｎＯの添加量が０．１モル未満の場合、焼結性が悪くな
り、誘電損失が２．０％を超えて好ましくない。一方、
試料番号２２のように、主成分１００モルに対して、Ｓ
ｉＯ2 またはＺｎＯの添加量が２．０モルを超えると、
誘電率が９０００未満に低下するとともに、絶縁抵抗が
劣化し、結晶粒径が３μｍより大きくなり好ましくな
い。
モルに対して、添加物（Ｂ）としてのＳｉＯ2 またはＺ
ｎＯの添加量が０．１モル未満の場合、焼結性が悪くな
り、誘電損失が２．０％を超えて好ましくない。一方、
試料番号２２のように、主成分１００モルに対して、Ｓ
ｉＯ2 またはＺｎＯの添加量が２．０モルを超えると、
誘電率が９０００未満に低下するとともに、絶縁抵抗が
劣化し、結晶粒径が３μｍより大きくなり好ましくな
い。
【００３２】それに対して、この発明の非還元性誘電体
磁器組成物を用いれば、誘電率が９０００以上と高く、
誘電損失が２．０％以下で、温度に対する静電容量の変
化率が、−２５℃〜８５℃の範囲でＪＩＳ規格に規定す
るＥ特性規格あるいはＦ特性規格を満足する誘電体磁器
を得ることができる。さらに、この誘電体磁器では、２
５℃，８５℃における絶縁抵抗は、体積抵抗率の対数で
表したときに１２以上と高い値を示す。また、この発明
の非還元性誘電体磁器組成物は、焼成温度も１２５０℃
以下と比較的低温で焼結可能であり、粒径についても３
μｍ以下と小さい。
磁器組成物を用いれば、誘電率が９０００以上と高く、
誘電損失が２．０％以下で、温度に対する静電容量の変
化率が、−２５℃〜８５℃の範囲でＪＩＳ規格に規定す
るＥ特性規格あるいはＦ特性規格を満足する誘電体磁器
を得ることができる。さらに、この誘電体磁器では、２
５℃，８５℃における絶縁抵抗は、体積抵抗率の対数で
表したときに１２以上と高い値を示す。また、この発明
の非還元性誘電体磁器組成物は、焼成温度も１２５０℃
以下と比較的低温で焼結可能であり、粒径についても３
μｍ以下と小さい。
【００３３】なお、実施例では出発は材料としてＢａＣ
Ｏ3 ，ＣａＣＯ3 ，ＭｇＯ，ＴｉＯ2 ，ＺｒＯ2 ，Ｎｂ
2 Ｏ5 などの酸化物粉末を用いたか、この他、アルコキ
シド法、共沈法、あるいは水熱合成法などによって得ら
れた粉末を用いてもよい。これらの粉末を用いることに
より、実施例で示した特性を向上させることが可能とな
る。
Ｏ3 ，ＣａＣＯ3 ，ＭｇＯ，ＴｉＯ2 ，ＺｒＯ2 ，Ｎｂ
2 Ｏ5 などの酸化物粉末を用いたか、この他、アルコキ
シド法、共沈法、あるいは水熱合成法などによって得ら
れた粉末を用いてもよい。これらの粉末を用いることに
より、実施例で示した特性を向上させることが可能とな
る。
Claims (1)
- 【請求項１】 その主成分がＢａＯ，ＣａＯ，ＭｇＯ，
ＴｉＯ2 ，ＺｒＯ2およびＮｂ2 Ｏ5 からなり、次の一
般式 ｛ (Ｂａ1-x Ｃａx Ｍｇy ) Ｏ｝m ( Ｔｉ1-o-p Ｚｒo Ｎｂp ) Ｏ2+p/2 で表され、ｘ，ｙ，ｏ，ｐおよびｍが、 ０＜ｘ≦０．２０ ０＜ｙ≦０．０５ ０＜ｏ≦０．２５ ０．０００５≦ｐ≦０．０２３ １．０００≦ｍ≦１．０３ の関係を満足し、前記主成分１００モルに対して、Ｍ
ｎ，Ｆｅ，Ｃｒ，Ｃｏ，Ｎｉの各酸化物をＭｎＯ2 ，Ｆ
ｅ2 Ｏ3 ，Ｃｒ2 Ｏ3 ，ＣｏＯ，ＮｉＯと表したとき、
各酸化物の少なくとも１種類を０．０２〜２．０モル含
み、さらに、０．１〜２．０モルのＳｉＯ2 またはＺｎ
Ｏを少なくとも１種類含む、非還元性誘電体磁器組成
物。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30926492A JP3368602B2 (ja) | 1992-10-23 | 1992-10-23 | 非還元性誘電体磁器組成物 |
| US08/139,531 US5322828A (en) | 1992-10-23 | 1993-10-19 | Non-reducible dielectric ceramic composition |
| DE4336089A DE4336089C2 (de) | 1992-10-23 | 1993-10-22 | Nicht-reduzierbare dielektrische keramische Zusammensetzung |
| FR9312620A FR2697244B1 (fr) | 1992-10-23 | 1993-10-22 | Composition ceramique dielectrique non reductible a base d'oxydes metalliques. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30926492A JP3368602B2 (ja) | 1992-10-23 | 1992-10-23 | 非還元性誘電体磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06139821A true JPH06139821A (ja) | 1994-05-20 |
| JP3368602B2 JP3368602B2 (ja) | 2003-01-20 |
Family
ID=17990908
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30926492A Expired - Lifetime JP3368602B2 (ja) | 1992-10-23 | 1992-10-23 | 非還元性誘電体磁器組成物 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5322828A (ja) |
| JP (1) | JP3368602B2 (ja) |
| DE (1) | DE4336089C2 (ja) |
| FR (1) | FR2697244B1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP3229528B2 (ja) * | 1994-11-22 | 2001-11-19 | 松下電器産業株式会社 | 誘電体磁器及び誘電体共振器 |
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| JP2000516190A (ja) * | 1997-05-30 | 2000-12-05 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | セラミック（多層）キャパシタ及び当該キャパシタに用いるセラミック組成物 |
| WO1999018587A2 (en) * | 1997-10-08 | 1999-04-15 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Ceramic multilayer capacitor |
| CN102584233B (zh) * | 2012-01-11 | 2013-12-25 | 深圳顺络电子股份有限公司 | 一种中高介电常数低温共烧陶瓷材料及其制备方法 |
| CN111423225A (zh) * | 2020-05-12 | 2020-07-17 | 电子科技大学 | 一种堇青石微波介质陶瓷材料及其制备方法 |
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|---|---|---|---|---|
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| JPS6119005A (ja) * | 1984-07-05 | 1986-01-27 | 株式会社村田製作所 | 非還元性誘電体磁器組成物 |
| US5030386A (en) * | 1985-02-22 | 1991-07-09 | Gte Products Corporation | BaTiO3 ceramic temperature sensor with improved positive temperature coefficient of resistance |
| US4988468A (en) * | 1987-01-08 | 1991-01-29 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Method for producing non-reducible dielectric ceramic composition |
| US5103369A (en) * | 1989-12-04 | 1992-04-07 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Solid dielectric capacitor |
| EP0534378B1 (en) * | 1991-09-25 | 1996-03-27 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Non-reducible dielectric ceramic composition |
| JP3435607B2 (ja) * | 1992-05-01 | 2003-08-11 | 株式会社村田製作所 | 非還元性誘電体磁器組成物 |
-
1992
- 1992-10-23 JP JP30926492A patent/JP3368602B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1993
- 1993-10-19 US US08/139,531 patent/US5322828A/en not_active Expired - Lifetime
- 1993-10-22 DE DE4336089A patent/DE4336089C2/de not_active Expired - Lifetime
- 1993-10-22 FR FR9312620A patent/FR2697244B1/fr not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6962888B2 (en) | 2000-06-29 | 2005-11-08 | Tdk Corporation | Dielectric ceramic composition and electronic device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE4336089A1 (de) | 1994-04-28 |
| FR2697244A1 (fr) | 1994-04-29 |
| JP3368602B2 (ja) | 2003-01-20 |
| DE4336089C2 (de) | 1995-06-29 |
| US5322828A (en) | 1994-06-21 |
| FR2697244B1 (fr) | 1996-08-02 |
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